JPH0693452A - サセプター - Google Patents
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- JPH0693452A JPH0693452A JP3295087A JP29508791A JPH0693452A JP H0693452 A JPH0693452 A JP H0693452A JP 3295087 A JP3295087 A JP 3295087A JP 29508791 A JP29508791 A JP 29508791A JP H0693452 A JPH0693452 A JP H0693452A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 黒鉛ダストの発生がないので良質のシリコン
窒化膜やシリコン酸化膜の形成が可能であり、しかも生
成膜とサセプターとの付着力が大であるので堆積した膜
の剥がれのないサセプターの提供。 【構成】 ガラス状炭素で被覆されてなる黒鉛からな
り、ウエハ接触面とそれ以外の面におけるヘリウムガス
透過量がそれぞれ０．００１cc/cm2・ sec 以下及び０．
１〜０．０１cc/cm2・ sec であることを特徴とするサセ
プター。
窒化膜やシリコン酸化膜の形成が可能であり、しかも生
成膜とサセプターとの付着力が大であるので堆積した膜
の剥がれのないサセプターの提供。 【構成】 ガラス状炭素で被覆されてなる黒鉛からな
り、ウエハ接触面とそれ以外の面におけるヘリウムガス
透過量がそれぞれ０．００１cc/cm2・ sec 以下及び０．
１〜０．０１cc/cm2・ sec であることを特徴とするサセ
プター。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に気相成長を行なう
際に好適に使用されるサセプターに関する。
際に好適に使用されるサセプターに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、気相成長用サセプターとしては、
黒鉛を機械加工したもの、機械加工後に純化処理を行な
って表面加工精度を▽▽〜▽▽▽（Ｒａ２〜５μm 、Ｒ
ｍａｘ１５〜３０μm ）としたもの、さらにはガラス状
炭素で被覆したものなどが知られている（例えば特開昭
６４ー４７０１９号公報）。
黒鉛を機械加工したもの、機械加工後に純化処理を行な
って表面加工精度を▽▽〜▽▽▽（Ｒａ２〜５μm 、Ｒ
ｍａｘ１５〜３０μm ）としたもの、さらにはガラス状
炭素で被覆したものなどが知られている（例えば特開昭
６４ー４７０１９号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
黒鉛又は純化処理した黒鉛からなるものは、気孔率が大
きいためにダストが発生しやすく吸湿・脱ガスが多いな
どの欠点があった。一方、ガラス状炭素で被覆したもの
においては、そのような欠点はないが、シリコン酸化膜
やシリコン窒化膜を成膜する際、これらの膜はサセプタ
ーとの付着力が小さいために膜が剥離しやすく、それが
形成膜中に取り込まれる恐れがあった。本発明は、以上
の欠点を解決することを目的とするものである。
黒鉛又は純化処理した黒鉛からなるものは、気孔率が大
きいためにダストが発生しやすく吸湿・脱ガスが多いな
どの欠点があった。一方、ガラス状炭素で被覆したもの
においては、そのような欠点はないが、シリコン酸化膜
やシリコン窒化膜を成膜する際、これらの膜はサセプタ
ーとの付着力が小さいために膜が剥離しやすく、それが
形成膜中に取り込まれる恐れがあった。本発明は、以上
の欠点を解決することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ガ
ラス状炭素で被覆されてなる黒鉛からなり、ウエハ接触
面とそれ以外の面におけるヘリウムガス透過量がそれぞ
れ０．００１cc/cm2・sec 以下及び０．１〜０．０１cc/
cm2・ sec であることを特徴とするサセプターである。
ラス状炭素で被覆されてなる黒鉛からなり、ウエハ接触
面とそれ以外の面におけるヘリウムガス透過量がそれぞ
れ０．００１cc/cm2・sec 以下及び０．１〜０．０１cc/
cm2・ sec であることを特徴とするサセプターである。
【０００５】以下、さらに詳しく本発明について説明す
ると、本発明で使用される黒鉛基材については特に制約
はないが、被膜形成のしやすさから密度１．６５g/cm3
以上の等方性黒鉛が望ましい。
ると、本発明で使用される黒鉛基材については特に制約
はないが、被膜形成のしやすさから密度１．６５g/cm3
以上の等方性黒鉛が望ましい。
【０００６】上記黒鉛基材にガラス状炭素の被膜を形成
するには、有機重合体の熱分解物を溶解してコーテイン
グする方法（特公昭５２ー３９６８４号公報）、有機重
合体又はその前駆体を溶融してコーテイングする方法
（特開昭６２ー２８３８０７号公報）などを採用するこ
とができる。
するには、有機重合体の熱分解物を溶解してコーテイン
グする方法（特公昭５２ー３９６８４号公報）、有機重
合体又はその前駆体を溶融してコーテイングする方法
（特開昭６２ー２８３８０７号公報）などを採用するこ
とができる。
【０００７】本発明において、ガラス状炭素の被覆厚み
は、通常２〜５μm であるが、被膜はさらに黒鉛基材の
表面より内部に侵入していることが望ましい。被膜の侵
入は、コーテイング材に例えば重金属等のトレーサーを
混入してコーテイングを行ないそのトレーサーの分布状
態を調べることにより確認することができる。
は、通常２〜５μm であるが、被膜はさらに黒鉛基材の
表面より内部に侵入していることが望ましい。被膜の侵
入は、コーテイング材に例えば重金属等のトレーサーを
混入してコーテイングを行ないそのトレーサーの分布状
態を調べることにより確認することができる。
【０００８】本発明の大きな特徴は、上記構造からなる
サセプターにおいて、ウエハ接触面とそれ以外の面にお
けるヘリウムガス透過量をそれぞれ０．００１cc/cm2・
sec以下及び０．１〜０．０１cc/cm2・ sec とし、違え
たことである。
サセプターにおいて、ウエハ接触面とそれ以外の面にお
けるヘリウムガス透過量をそれぞれ０．００１cc/cm2・
sec以下及び０．１〜０．０１cc/cm2・ sec とし、違え
たことである。
【０００９】本発明において、ウエハ接触面におけるヘ
リウムガス透過量が０．００１cc/cm2・ sec を越える
と、外部ヒータからサセプターに与えられた熱が均一に
ウエハに伝わらなくなるので形成される膜が均一でなく
なる。好ましいヘリウムガス透過量は０．０００１cc/c
m2・ sec である。一方、ウエハ接触面以外の面における
ヘリウムガス透過量が０．１cc/cm2・ sec を越えると黒
鉛ダストが発生しやすくなり、また０．０１cc/cm2・ se
c 未満では、原料ガスとサセプターとの間に起こるアン
カー効果が小さくなって形成されたシリコン酸化膜やシ
リコン窒化膜に剥離が生じやすくなり、それが形成され
た膜に取り込まれやすくなる。なお、ヘリウムガス透過
量は、例えば特開昭６３ー３５４７８号公報に記載され
た方法によって測定することができる。
リウムガス透過量が０．００１cc/cm2・ sec を越える
と、外部ヒータからサセプターに与えられた熱が均一に
ウエハに伝わらなくなるので形成される膜が均一でなく
なる。好ましいヘリウムガス透過量は０．０００１cc/c
m2・ sec である。一方、ウエハ接触面以外の面における
ヘリウムガス透過量が０．１cc/cm2・ sec を越えると黒
鉛ダストが発生しやすくなり、また０．０１cc/cm2・ se
c 未満では、原料ガスとサセプターとの間に起こるアン
カー効果が小さくなって形成されたシリコン酸化膜やシ
リコン窒化膜に剥離が生じやすくなり、それが形成され
た膜に取り込まれやすくなる。なお、ヘリウムガス透過
量は、例えば特開昭６３ー３５４７８号公報に記載され
た方法によって測定することができる。
【００１０】本発明のサセプターの好ましい製造法につ
いて説明する。図１はプラズマＣＶＤ用サセプター黒鉛
基材の一例を示す平面図である。サセプター黒鉛基材の
形状はこれ以外にパンケーキ型、枚葉式、ディスク式な
どがあるが、本発明においてはそれらのいずれをも採用
することができる。
いて説明する。図１はプラズマＣＶＤ用サセプター黒鉛
基材の一例を示す平面図である。サセプター黒鉛基材の
形状はこれ以外にパンケーキ型、枚葉式、ディスク式な
どがあるが、本発明においてはそれらのいずれをも採用
することができる。
【００１１】上記形状からなるサセプター黒鉛基材を常
法に従って表面精度を▽▽〜▽▽▽に加工する。この時
点でヘリウムガス透過量は０．２cc/cm2・ sec 程度とな
る。次いで、それを温度３００℃で１時間程度加熱し、
全体のヘリウムガス透過量を０．０８〜０．１５cc/cm2
・ sec にした後、ウエハ接触部のみをサンドペーパーや
工業用パッドなどで研磨し、その部分のヘリウムガス透
過量を０．１２cc/cm2・ sec 以下とする。
法に従って表面精度を▽▽〜▽▽▽に加工する。この時
点でヘリウムガス透過量は０．２cc/cm2・ sec 程度とな
る。次いで、それを温度３００℃で１時間程度加熱し、
全体のヘリウムガス透過量を０．０８〜０．１５cc/cm2
・ sec にした後、ウエハ接触部のみをサンドペーパーや
工業用パッドなどで研磨し、その部分のヘリウムガス透
過量を０．１２cc/cm2・ sec 以下とする。
【００１２】以上のようにして得られたサセプター黒鉛
基材の表面に上記方法によってガラス状炭素の被膜を形
成させることによって、本発明のサセプターを得ること
ができる。高純度が要求される用途に対してはさらにそ
れを１６００℃以上の温度において塩素、フッ素などの
ガスを接触させて処理する。
基材の表面に上記方法によってガラス状炭素の被膜を形
成させることによって、本発明のサセプターを得ること
ができる。高純度が要求される用途に対してはさらにそ
れを１６００℃以上の温度において塩素、フッ素などの
ガスを接触させて処理する。
【００１３】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に本発明を説明する。 実施例１ 図１に示すプラズマＣＶＤ用サセプター黒鉛基材（８０
×１５０×４mm）を表面精度▽▽▽に機械加工した後、
温度３００℃で１時間加熱処理して全体のヘリウムガス
透過量を０．１５cc/cm2・ sec とした。次いで、ウエハ
接触面を市販の工業用パッドによりヘリウムガス透過量
０．０２cc/cm2・ sec に研磨し、サセプター黒鉛基材と
した。
に本発明を説明する。 実施例１ 図１に示すプラズマＣＶＤ用サセプター黒鉛基材（８０
×１５０×４mm）を表面精度▽▽▽に機械加工した後、
温度３００℃で１時間加熱処理して全体のヘリウムガス
透過量を０．１５cc/cm2・ sec とした。次いで、ウエハ
接触面を市販の工業用パッドによりヘリウムガス透過量
０．０２cc/cm2・ sec に研磨し、サセプター黒鉛基材と
した。
【００１４】ポリ塩化ビニルを窒素雰囲気中３９０℃で
熱分解させてタール状の前駆体を製造し、それをトリク
ロルエチレンに溶解して１０重量％の溶液とした。この
溶液を上記サセプター基材に塗布した後、真空雰囲気
下、温度１０００℃で焼成して３．５μm のガラス状被
膜を形成させた。
熱分解させてタール状の前駆体を製造し、それをトリク
ロルエチレンに溶解して１０重量％の溶液とした。この
溶液を上記サセプター基材に塗布した後、真空雰囲気
下、温度１０００℃で焼成して３．５μm のガラス状被
膜を形成させた。
【００１５】得られたサセプターのヘリウムガス透過量
は、ウエハ接触面が０．０００１cc/cm2・ sec であり、
それ以外の面は０．０３cc/cm2・ sec であった。
は、ウエハ接触面が０．０００１cc/cm2・ sec であり、
それ以外の面は０．０３cc/cm2・ sec であった。
【００１６】このサセプターの性能を評価するため、平
行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、４インチＳｉウエ
ハを５枚ずつサセプターにセットしてベルジャー内に入
れ、外部から３００℃に加熱してサセプター間に高周波
１３．５６ＭＨｚをかけ、Ｓｉウエハ上にシリコン窒化
膜を約１．０μm 堆積させたときの膜付着力と膜に混入
した異物量を測定した。付着力は、エポキシ系接着剤を
塗布した金属リベットと生成したシリコン窒化膜を接着
し、シリコン窒化膜をひきはがした際の力により、また
異物量は、顕微鏡観察により測定した。その結果、膜付
着力は７５Kg/cm2であり、異物量は５個／枚であった。
行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、４インチＳｉウエ
ハを５枚ずつサセプターにセットしてベルジャー内に入
れ、外部から３００℃に加熱してサセプター間に高周波
１３．５６ＭＨｚをかけ、Ｓｉウエハ上にシリコン窒化
膜を約１．０μm 堆積させたときの膜付着力と膜に混入
した異物量を測定した。付着力は、エポキシ系接着剤を
塗布した金属リベットと生成したシリコン窒化膜を接着
し、シリコン窒化膜をひきはがした際の力により、また
異物量は、顕微鏡観察により測定した。その結果、膜付
着力は７５Kg/cm2であり、異物量は５個／枚であった。
【００１７】比較例１ ウエハ接触面とそれ以外の面におけるヘリウムガス透過
量を違えることなく全面を市販の工業用パッドにより鏡
面研磨し、そのヘリウムガス透過量を０．０００１cc/c
m2・ sec としたサセプター黒鉛基材を用いたこと以外は
実施例１と同様にしてガラス状炭素で被覆されたサセプ
ターを作製した。得られたサセプターの膜付着力は５Kg
/cm2であり、異物量は１４個／枚であった。
量を違えることなく全面を市販の工業用パッドにより鏡
面研磨し、そのヘリウムガス透過量を０．０００１cc/c
m2・ sec としたサセプター黒鉛基材を用いたこと以外は
実施例１と同様にしてガラス状炭素で被覆されたサセプ
ターを作製した。得られたサセプターの膜付着力は５Kg
/cm2であり、異物量は１４個／枚であった。
【００１８】比較例２ ウエハ接触面の鏡面仕上げとガラス状炭素被覆を行なわ
ず、ヘリウムガス透過量が０．１５cc/cm2・ sec である
サセプター黒鉛基材を用いて実施例１同様な性能評価を
実施した。その結果、膜付着力は４５Kg/cm2であり、異
物量は１３個／枚であった。
ず、ヘリウムガス透過量が０．１５cc/cm2・ sec である
サセプター黒鉛基材を用いて実施例１同様な性能評価を
実施した。その結果、膜付着力は４５Kg/cm2であり、異
物量は１３個／枚であった。
【００１９】
【発明の効果】本発明のサセプターによれば、生成膜と
サセプターとの付着力が増大するので堆積した膜の剥が
れがなくなり歩留りが向上する。また、黒鉛ダストの発
生もないので良質のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜を
低コストで製造することができる。
サセプターとの付着力が増大するので堆積した膜の剥が
れがなくなり歩留りが向上する。また、黒鉛ダストの発
生もないので良質のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜を
低コストで製造することができる。
【図１】 プラズマＣＶＤ用サセプター黒鉛基材の一例
を示す平面図。
を示す平面図。
１ サセプター黒鉛基材本体 ２ ウエハ接触面 ３ ウエハ接触面以外の面 ４ ピン
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス状炭素で被覆されてなる黒鉛から
なり、ウエハ接触面とそれ以外の面におけるヘリウムガ
ス透過量がそれぞれ０．００１cc/cm2・ sec以下及び
０．１〜０．０１cc/cm2・ sec であることを特徴とする
サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295087A JPH0693452A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295087A JPH0693452A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | サセプター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693452A true JPH0693452A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=17816141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295087A Pending JPH0693452A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693452A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
| WO2007122949A1 (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Ngk Insulators, Ltd. | 窒化物単結晶の製造装置 |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3295087A patent/JPH0693452A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
| WO2007122949A1 (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Ngk Insulators, Ltd. | 窒化物単結晶の製造装置 |
| US8231729B2 (en) | 2006-03-23 | 2012-07-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Apparatus for producing nitride single crystal |
| JP5177557B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2013-04-03 | 日本碍子株式会社 | 窒化物単結晶の製造装置 |
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