JPH0693539B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0693539B2 JPH0693539B2 JP62155431A JP15543187A JPH0693539B2 JP H0693539 B2 JPH0693539 B2 JP H0693539B2 JP 62155431 A JP62155431 A JP 62155431A JP 15543187 A JP15543187 A JP 15543187A JP H0693539 B2 JPH0693539 B2 JP H0693539B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- gap
- chuck
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マスクと基板の間隙を所定の値に設定できる
ようにした近接露光に好適な露光装置に関する。
ようにした近接露光に好適な露光装置に関する。
この種の間隙設定による近接露光装置の従来技術として
は、特開昭57−204547号公報に開示されている技術があ
り、その概要を第５図に示す。
は、特開昭57−204547号公報に開示されている技術があ
り、その概要を第５図に示す。
第８図の露光装置は、露光Ｘ線源50とマスクとステージ
52上のマスク平坦度測定器53とウェハ平坦度測定器53と
ステージ52上のウェハ変形チャック13とコントローラ17
からなっている。
52上のマスク平坦度測定器53とウェハ平坦度測定器53と
ステージ52上のウェハ変形チャック13とコントローラ17
からなっている。
先ず、マスク平坦度測定器53をマスク51下に置き、マス
ク51の平坦度を測定する。次にウェハ平坦度測定器53に
よりウェハ54の平坦度を測定しながら、ウェハ変形チャ
ック13を用いてウェハ54の表面平坦度をマスク51の平坦
度に一致させる。以上の後、ウェハ54をマスク51の下に
移動すればマスクとウェハの間隙は均一になり、近接露
光が実現できる。
ク51の平坦度を測定する。次にウェハ平坦度測定器53に
よりウェハ54の平坦度を測定しながら、ウェハ変形チャ
ック13を用いてウェハ54の表面平坦度をマスク51の平坦
度に一致させる。以上の後、ウェハ54をマスク51の下に
移動すればマスクとウェハの間隙は均一になり、近接露
光が実現できる。
上記従来技術では、マスクと基板の平坦度を測定して間
隙設定していたので、平坦度測定精度が重要であった。
この為、平坦測定器の高精度化（高価・複雑）が必要不
可欠となり、全体に高価にならざるを得なかった。
隙設定していたので、平坦度測定精度が重要であった。
この為、平坦測定器の高精度化（高価・複雑）が必要不
可欠となり、全体に高価にならざるを得なかった。
本発明の目的は、平坦度測定することなく直接間隙設定
することにより、安価で高精度な近接露光を実現できる
ようにした露光装置を提供することにある。
することにより、安価で高精度な近接露光を実現できる
ようにした露光装置を提供することにある。
上記目的は、マスクと基板間に間隙測定器を入れ、この
値により間隙を均一に設定し、設定終了後に該測定器を
出して、マスク又は基板を上下平行移動して所望の間隙
量を設定することにより、達成される。
値により間隙を均一に設定し、設定終了後に該測定器を
出して、マスク又は基板を上下平行移動して所望の間隙
量を設定することにより、達成される。
間隙測定器はマスクと基板間にセットされ、マスクと基
板の間隙を測定する。基板変形チャックは、先に求めた
間隙の値に基づき基板を変形し、マスク・基板間隙が均
一もしくは所望の量になるように動作する。
板の間隙を測定する。基板変形チャックは、先に求めた
間隙の値に基づき基板を変形し、マスク・基板間隙が均
一もしくは所望の量になるように動作する。
間隙が均一（又は所望の値）になった後、基板変形チャ
ック・マスクを同時あるいは片方のみ平行移動すること
により、基板とマスクを十分に近接させることができ
る。
ック・マスクを同時あるいは片方のみ平行移動すること
により、基板とマスクを十分に近接させることができ
る。
コンピュータ用プリント基板は以下の如く製作される。
ガラスエポキシ薄板を銅箔でサンドイッチ構造にし、こ
れにスルーホールを設け、銅箔上にレジストを塗布ある
いはドライフイルムレジストを圧着し、マスク上のパタ
ーンをレジストに平行紫外光により転写露光して、現像
後、銅をエッチして回路パターンを形成する。これらの
内層板を複数作成し、接着して重ねると多層プリント基
板となる。これらの詳細については例えば材料科学昭和
61年10月号P65−P128等にも載っている通りである。
れにスルーホールを設け、銅箔上にレジストを塗布ある
いはドライフイルムレジストを圧着し、マスク上のパタ
ーンをレジストに平行紫外光により転写露光して、現像
後、銅をエッチして回路パターンを形成する。これらの
内層板を複数作成し、接着して重ねると多層プリント基
板となる。これらの詳細については例えば材料科学昭和
61年10月号P65−P128等にも載っている通りである。
ところがコンピュータ用プリント基板の大面積化（600
×600mm以上）、パターン線幅の微細化（100μｍ以下）
により、パターンの露光における不良が多く発生するよ
うになる。これは、マスクと基板間の異物や、両者の接
触によるパターンの破損が原因であり、これに対処する
にはマスクと基板を離して露光する近接露光方式を実現
する必要がある。
×600mm以上）、パターン線幅の微細化（100μｍ以下）
により、パターンの露光における不良が多く発生するよ
うになる。これは、マスクと基板間の異物や、両者の接
触によるパターンの破損が原因であり、これに対処する
にはマスクと基板を離して露光する近接露光方式を実現
する必要がある。
近接露光方式は、マスク・基板間を100μｍ内外以下に
近接させる必要があるが、大面積のガラスマスクは、数
百μｍのたわみを有しており、通常の近接方式では、10
0μｍ内外の間隙を露光面全面に亘って得ることは出来
ない。
近接させる必要があるが、大面積のガラスマスクは、数
百μｍのたわみを有しており、通常の近接方式では、10
0μｍ内外の間隙を露光面全面に亘って得ることは出来
ない。
以下、近接露光方式を実現する本発明の一実施例を図面
により説明する。第１図は本発明の一実施例を示す正面
図、第２図はこの実施例における露光時を示す図であ
る。第１図に示す実施例の露光装置は、露光光学系１
と、アライメント光学系２と、マスクチャック３と、パ
ターン４を下面にしたマスク５と、マスク側センサ６、
基板側センサ７からなる間隙測定器８と、間隙測定器８
用駆動系９と、間隙測定器８用較正間隙10と、ドライレ
ジスト（図示せず）を圧着した基板11を真空吸着手段
（真空源に接続された配管及びチャック面に形成された
溝）12でもって真空吸着した基板変形チャック13と、基
板変形チャック13をチルト及び上下動させる上下駆動系
14と、上下量センサ15と、θ（水平面内の回転）・Ｘ・
Ｙステージ16と、コントローラ17とを備えて構成されて
いる。
により説明する。第１図は本発明の一実施例を示す正面
図、第２図はこの実施例における露光時を示す図であ
る。第１図に示す実施例の露光装置は、露光光学系１
と、アライメント光学系２と、マスクチャック３と、パ
ターン４を下面にしたマスク５と、マスク側センサ６、
基板側センサ７からなる間隙測定器８と、間隙測定器８
用駆動系９と、間隙測定器８用較正間隙10と、ドライレ
ジスト（図示せず）を圧着した基板11を真空吸着手段
（真空源に接続された配管及びチャック面に形成された
溝）12でもって真空吸着した基板変形チャック13と、基
板変形チャック13をチルト及び上下動させる上下駆動系
14と、上下量センサ15と、θ（水平面内の回転）・Ｘ・
Ｙステージ16と、コントローラ17とを備えて構成されて
いる。
次に、動作について説明する。
マスク５をマスクチャック3,基板11を基板変形チャック
13にロードし、ステージ16を動かして基板11をマスク５
の下にセットする。次に較正間隙10の間にあって較正さ
れた間隙測定器８を移動し、間隙20が一定値になるよう
に基板変形チャック13を駆動してゆく。変形チャック13
は溝により分割されたチャック面25と引張りバネ26と、
上下動台27とチャック面の左右ずれ止め（図示せず）か
らなり、間隙測定値によりコントローラ17で、上下動台
27を駆動する。間隙測定器８がマスク５基板11の間を抜
けると、間隙20は一定（又は、所望の値）になる。間隙
測定器８を較正間隙10に戻す時に間隙20を確認し、許容
値内ならば、上下動センサ15の値をモニタしながら上下
駆動系14により基板変形チャック13を上昇させ、数100
μｍの間隙で一時停止する。ここで、アライメント光学
系２により基板11,マスク８をアライメントし、アライ
メント終了後更に基板変形チャック13を上昇し、第２図
の如く所定の間隙値Ｓにセットし、アライメント光学系
２を退避し、平行紫外光30で露光する。
13にロードし、ステージ16を動かして基板11をマスク５
の下にセットする。次に較正間隙10の間にあって較正さ
れた間隙測定器８を移動し、間隙20が一定値になるよう
に基板変形チャック13を駆動してゆく。変形チャック13
は溝により分割されたチャック面25と引張りバネ26と、
上下動台27とチャック面の左右ずれ止め（図示せず）か
らなり、間隙測定値によりコントローラ17で、上下動台
27を駆動する。間隙測定器８がマスク５基板11の間を抜
けると、間隙20は一定（又は、所望の値）になる。間隙
測定器８を較正間隙10に戻す時に間隙20を確認し、許容
値内ならば、上下動センサ15の値をモニタしながら上下
駆動系14により基板変形チャック13を上昇させ、数100
μｍの間隙で一時停止する。ここで、アライメント光学
系２により基板11,マスク８をアライメントし、アライ
メント終了後更に基板変形チャック13を上昇し、第２図
の如く所定の間隙値Ｓにセットし、アライメント光学系
２を退避し、平行紫外光30で露光する。
ここで、間隙20は間隙測定器８の幅21とマスク側センサ
６の値22と基板側センサ７の値23の和であり、これらセ
ンサの値は較正間隙10により常に較正されているので、
本方式で最も誤差となるオフセット誤差がない。又、セ
ンサ6,7の和なので、間隙測定器８が移動時に上下して
も間隙20の値は不変であり、駆動系９の精度が並でよ
く、装置が安価となる。以上の方式により間隙20を10μ
ｍオーダにすることも可能であり、液晶パターン焼付
や、LSI焼付にも適用可能である。
６の値22と基板側センサ７の値23の和であり、これらセ
ンサの値は較正間隙10により常に較正されているので、
本方式で最も誤差となるオフセット誤差がない。又、セ
ンサ6,7の和なので、間隙測定器８が移動時に上下して
も間隙20の値は不変であり、駆動系９の精度が並でよ
く、装置が安価となる。以上の方式により間隙20を10μ
ｍオーダにすることも可能であり、液晶パターン焼付
や、LSI焼付にも適用可能である。
第３図はマスクチャック３及び間隙測定器８の平面図で
あり、第４図はその側面図である。マスク５は大面積の
場合２辺支持では自重により数100μｍ以上のたわみが
生じ、構成要素のストローク増大要因となる。
あり、第４図はその側面図である。マスク５は大面積の
場合２辺支持では自重により数100μｍ以上のたわみが
生じ、構成要素のストローク増大要因となる。
一方、マスク５は下面支持がマスク５厚さの影響を受け
ずにすみ又、落下防止も出来、理想的である。しかし、
間隙測定器８のマスク側センサ６とマスク下面間が狭い
場合、マスクチャック３と干渉する。そこで、隣接した
マスク側センサ６間を凹ませ、これに合わせて部分的に
下面チャック31とした。
ずにすみ又、落下防止も出来、理想的である。しかし、
間隙測定器８のマスク側センサ６とマスク下面間が狭い
場合、マスクチャック３と干渉する。そこで、隣接した
マスク側センサ６間を凹ませ、これに合わせて部分的に
下面チャック31とした。
第５図はエアマイクロ方式による間隙測定器８の断面図
である。給供エア34はそれぞれマスク側センサ６、基板
側センサ７に入る。センサ上端と被測定面間の値22,23
による背圧値35,36はそれぞれアンプ（図示せず）等に
より、あらかじめ較正されたデータにより間隙に変換さ
れる。
である。給供エア34はそれぞれマスク側センサ６、基板
側センサ７に入る。センサ上端と被測定面間の値22,23
による背圧値35,36はそれぞれアンプ（図示せず）等に
より、あらかじめ較正されたデータにより間隙に変換さ
れる。
第６図は間隙20を直接測定する間隙センサ40である。間
隙値20が直接１つの背圧値37で出力される。
隙値20が直接１つの背圧値37で出力される。
第７図はセンサ追従式の間隙測定器８の正面図である。
マスク側センサ６の値22が基準値になるように、ボイス
コイル等の上下運動駆動手段41で駆動し、基板側センサ
７の値23も別の基準値になるようにする。このようにす
ると、間隙全てについて、ゼロメソッドでセッティング
出来、精度が向上する。
マスク側センサ６の値22が基準値になるように、ボイス
コイル等の上下運動駆動手段41で駆動し、基板側センサ
７の値23も別の基準値になるようにする。このようにす
ると、間隙全てについて、ゼロメソッドでセッティング
出来、精度が向上する。
以上の装置は横型であるが、縦にしても良い。
本発明によれば、マスクと基板の間隙を直接測定して、
基板変形チャックにより間隙を均一化する（あるいは、
所望の間隙にする）ので、簡単な構成により高精度，安
価，高スループットの近接露光が実現出来、100μｍ以
下のプリント基板回路パターン（あるいは、10μｍ以下
の液晶パターン，あるいは、サブμｍのLSIパターン
等）を得られる。
基板変形チャックにより間隙を均一化する（あるいは、
所望の間隙にする）ので、簡単な構成により高精度，安
価，高スループットの近接露光が実現出来、100μｍ以
下のプリント基板回路パターン（あるいは、10μｍ以下
の液晶パターン，あるいは、サブμｍのLSIパターン
等）を得られる。
又、本発明の別の実施例によれば、間隙測定器を容易に
較正できるので、測定器のオフセット等の誤差がなくな
り、高精度なマスク・基板間隙が得られる。
較正できるので、測定器のオフセット等の誤差がなくな
り、高精度なマスク・基板間隙が得られる。
更に本発明の別の実施例によれば、ガラスマスクの四辺
下部を間隙測定器と干渉することなく支持できるので、
マスクのたわみが減少し（1/3以下）間隙のコントロー
ルが著しく容易になる。
下部を間隙測定器と干渉することなく支持できるので、
マスクのたわみが減少し（1/3以下）間隙のコントロー
ルが著しく容易になる。
更に本発明の別の実施例によれば、間隙測定器の簡略化
・測定範囲の縮小による高精度化が計れ安価・高精度な
装置となる。
・測定範囲の縮小による高精度化が計れ安価・高精度な
装置となる。
第１図は本発明の一実施例の正面図，第２図は第１図の
実施例の露光時を示す図，第３図は本発明の別の実施例
を示す平面図，第４図は第３図の側面図，第５図は本発
明の一実施例による間隙測定器の断面図，第６図は本発
明の別の実施例による間隙測定器の断面図，第７図は本
発明の更に別の一実施例による間隙測定器の正面図，第
８図は従来例を示す正面図である。 ５…マスク,8…間隙測定器， 10…間隙,11…基板， 13…基板変形チャック， 14…上下動駆動部。
実施例の露光時を示す図，第３図は本発明の別の実施例
を示す平面図，第４図は第３図の側面図，第５図は本発
明の一実施例による間隙測定器の断面図，第６図は本発
明の別の実施例による間隙測定器の断面図，第７図は本
発明の更に別の一実施例による間隙測定器の正面図，第
８図は従来例を示す正面図である。 ５…マスク,8…間隙測定器， 10…間隙,11…基板， 13…基板変形チャック， 14…上下動駆動部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (56)参考文献 特開 昭60−250689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−105468（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−49892（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】マスク上のパターンを基板上に露光転写す
る露光装置において、上記マスクを保持するマスク保持
手段と、基板を吸着して基板を部分的に変形させる基板
変形チャックと、上記マスク保持手段と基板変形チャッ
クによってマスクと基板とが対向した状態でそれらの間
に入り込むべく移動自在に支持され、基板とマスクとの
間隙を測定する測定手段と、上記マスク保持手段と基板
変形チャックとを相対的に上下に平行移動させる上下動
手段とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】上記測定手段は、基板とマスクとの間隙か
ら退避した際、較正できるように構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62155431A JPH0693539B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62155431A JPH0693539B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 露光装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS641293A JPS641293A (en) | 1989-01-05 |
| JPH011293A JPH011293A (ja) | 1989-01-05 |
| JPH0693539B2 true JPH0693539B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=15605869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62155431A Expired - Lifetime JPH0693539B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693539B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3301387B2 (ja) * | 1998-07-09 | 2002-07-15 | ウシオ電機株式会社 | プロキシミティ露光におけるマスクとワークのギャップ制御方法およびプロキシミティ露光装置 |
| JP4410714B2 (ja) | 2004-08-13 | 2010-02-03 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体の製造方法 |
| EP1712368B1 (en) | 2005-04-13 | 2008-05-14 | FUJIFILM Corporation | Method of manufacturing a support for a lithographic printing plate |
| US8968530B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-03-03 | Fujifilm Corporation | Electrolytic treatment method and electrolytic treatment device |
| WO2010150810A1 (ja) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 光反射基板およびその製造方法 |
| WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
| JP5993313B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2016-09-14 | 株式会社アルバック | 姿勢制御装置 |
| CN109581828A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6349892B2 (ja) | 2014-04-09 | 2018-07-04 | 日本精工株式会社 | ステアリング装置 |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62155431A patent/JPH0693539B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6349892B2 (ja) | 2014-04-09 | 2018-07-04 | 日本精工株式会社 | ステアリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641293A (en) | 1989-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071116 Year of fee payment: 13 |