JPH0693757B2

JPH0693757B2 - 固体撮像装置の雑音除去回路

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Publication number: JPH0693757B2
Application number: JP60104365A
Authority: JP
Inventors: 文男名雲; 研一相原
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Priority date: 1985-05-16
Filing date: 1985-05-16
Publication date: 1994-11-16
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Description

【発明の詳細な説明】以下の順序で本発明を説明する。

Ａ産業上の利用分野Ｂ発明の概要Ｃ従来の技術Ｄ発明が解決しようとする問題点Ｅ問題点を解決するための手段（第１図）Ｆ作用Ｇ実施例 G1 第１の実施例（第１図） G2 第２の実施例（第２図、第３図）Ｈ発明の効果Ａ産業上の利用分野本発明は、例えばCCD等の半導体素子よりなる固体撮像
体を用いた固体撮像装置の固体撮像体を構成する半導体
素子の結晶欠陥による雑音を除去する様にした固体撮像
装置の雑音除去回路に関する。

Ｂ発明の概要本発明は、例えばCCD等の半導体素子よりなる固体撮像
体を用いた固体撮像装置の固体撮像体を構成する半導体
素子の結晶欠陥による雑音を除去する様にした固体撮像
装置の雑音除去回路に於いて、半導体素子の結晶欠陥位
置を記憶するメモリに結晶欠陥位置情報を複数のモード
に対応して記憶するようにすると共に、この記憶した複
数のモードの結晶欠陥位置情報中から選択されたモード
に応じてメモリより信号を出力する選択手段を設けたこ
とにより、複数のモードに対応した半導体素子の結晶欠
陥による雑音除去を１個のメモリで行える様にしたもの
である。

Ｃ従来の技術近年、例えばCCD等の半導体素子よりなる固体撮像体を
用いた固体撮像装置が実用化されている。

例えば、この固体撮像体としてCCDを用いた場合には、
構造としてはシリコンの半導体基体の一面にSiO₂層を形
成し、その上に電極を一定間隔に形成し、この電極被着
側或いはこれとは反対側より像を光学的に投影して半導
体素子の各電極下の部分に電荷を蓄積しこの蓄積された
信号を電極に与えるクロックパルスによつて順次転送し
て読み出すようになつている。

このような半導体素子を用いた固体撮像体よりなる固体
撮像装置では半導体素子の結晶を一定の面積に亘つて均
一に形成することが難しく局部的に結晶欠陥が生じ、こ
の結晶欠陥がある部分では熱的な原因によつて電荷が発
生し易くなるので、暗電流がこの部分で他の部分に比べ
て異常に大きくなる傾向がある。このため像を投影して
上述のように信号を読み出したとき暗電流が異常に大き
い所ではノイズが発生する。従つて、第４図で示すよう
に映像信号S₀中に例えば、白レベルよりも大きなノイズ
Ｎが混入し、再生画面上に写し出したときにはこのノイ
ズＮが目につき易いものとなる。

ノイズＮを除去する一つの方法としてメモリを利用する
方法がある。即ち半導体基体の結晶欠陥部分を予めメモ
リに記憶させておき、このメモリの出力信号にて固体撮
像体から得られる撮像信号出力を制御することによつて
達成できる。

上述のメモリには結晶欠陥の有無に対応した内容が記憶
されるものであるが、このメモリ内容は通常絵素毎にお
ける結晶欠陥の有無である。

従つて、水平方向にN_Hの絵素数を有し、垂直方向にはN_V
の絵素数を有するようなCCDにあつては、N_H・N_V（ビツ
ト）のメモリ容量を必要とする。通常のテレビ画像と同
一の画像を得ようとするにはN_Hが300〜500個、N_Vが200
〜300個程度必要であるから、上述の方法で結晶欠陥を
記憶すると大容量のメモリとなり、そのため、このよう
に構成した場合にはメモリが高価となり、この種固体撮
像装置を安価に提供し得ない欠点を有する。

メモリ容量を減らすひとつの方法は例えば絵素毎に結晶
欠陥の有無を順次記憶するのではなく、結晶欠陥の存在
する位置を符号化して記憶するようにすればよい。結晶
欠陥の存在する位置を符号化するには半導体素子の平面
座標上に於けるＸ及びＹ座標の夫々の位置を符号化すれ
ばよい。ここで水平走査方向の絵素数N_Hが500個程度な
ら水平走査方向の絵素の位置は９ビツト程度の容量でそ
の全てを表現できる。同様に垂直方向に存在する絵素数
N_Vが300個程度とすると同様に８ビツト程度でよい。イ
ンターレース走査方式を採用する場合には結晶欠陥が奇
数フイールドの絵素領域に存在するのか、偶数フイール
ドの領域に存在するのかを判別する必要があるのでフイ
ールド判別には１ビツト要する。

このように結晶欠陥のある位置（Ｘ−Ｙ座標）及びフイ
ールド判別を含めると計18ビツト程度でこれらの情報を
全て表現することができる。又１個のCCDに対し、製品
として許容し得る最大結晶欠陥個所を仮りに20個とした
ならば、メモリの容量は400ビツト程度で済み、小容量
のメモリで充分実用に供し得ることがわかる。

この結晶欠陥位置を符号化して記憶する方法は、特願昭
52−9108号等に示されており、その一例を以下説明す
る。今、例えば第５図に示すような位置の半導体素子に
結晶欠陥のある固体撮像体について考察する。X₁〜X₃が
結晶欠陥であるとする。そしてメモリは、24ビツトで１
個の結晶欠陥を記憶する。この24ビツトの内、12ビツト
が水平方向絶対値を示し、12ビツトが垂直方向の距離を
示す。例えば結晶欠陥X₁の場合、フイールドの最初の水
平走査線に於ける走査開始点を基準点X₀とすると、X₀点
から水平方向に３番目、垂直方向に２ライン目にあるの
で夫々２進数化して、水平絶対位置…XX0000000011 垂直相対距離…XX0000000010 （但し、Ｘで示すビツトは実際には使用しない。）と符
号化し、この符号化したデータをメモリに記憶させる。
又結晶欠陥X₂の場合、X₀点から水平方向に５番目、X₁点
から垂直方向に３ライン目にあるので夫々２進数化し
て、水平絶対位置…XX0000000110 垂直相対距離…XX0000000011 と符号化し、この符号化したデータをメモリに記憶させ
る。さらに結晶欠陥X₃の場合、X₀点から水平方向に509
番目、X₂点から垂直方向に２ライン目にあるので夫々２
進数化して、水平絶対位置…XX0111111101 垂直相対距離…XX0000000010 と符号化し、この符号化したデータをメモリに記憶させ
る。

以上の様にして記憶させることにより、例えば上述の様
に３個の結晶欠陥がある場合には24ビツト×３＝72ビツ
トで済み、小容量のメモリを使用出来る。

第６図はこのようにして半導体素子の結晶欠陥を記憶し
たメモリを使用した雑音除去回路の一例である。本例に
於いて使用するCCDの転送方式は第７図で示すようにイ
ンターライントランスフア方式である。

その構成は周知であるので概略を述べれば、第７図で示
すように垂直方向に多数の絵素（２）が配列形成される
と共に、１本の絵素列に対し、夫々電荷を転送するため
の垂直シフトレジスタ（３）が設けられ、これら垂直シ
フトレジスタ（３）に転送された電荷は水平シフトレジ
スタ（４）に１絵素づつ順次転送されると共に、端子
（５）を通じて信号が読み出される。

そして、このCCD（10）に以下に示す駆動パルスが供給
される。P_Iは夫々の絵素（２）に供給される撮像パル
ス、P_Vはレジスタ（３）に供給される転送パルス、そし
てP_Hは水平のシフトレジスタ（４）に供給される読み出
しパルスである。

CCD（10）には第６図で示す如く所望とする被写体（1
1）が光学系（12）を介して投影され、端子（５）に得
た撮像出力はサンプリングホールド回路（13）を介して
出力端子（14）に導かれる。また、走査系回路（15）に
得られる上述の駆動パルスがCCD（10）に供給される。
（20）は結晶欠陥を符号化して記憶したメモリ（実施例
はROM）を示し、（21）は同期信号発生器を示す。ここ
で、ROM（20）への結晶欠陥の記憶作業は、雑音除去回
路製造時に使用するCCD（10）の半導体素子の結晶欠陥
を調べて、結晶欠陥がある場合には符号化して記憶させ
てあるものとする。そして、同期信号発生器（21）から
走査系回路（15）に水平及び垂直同期信号が供給され、
この同期信号によりサンプリングパルス発生器（16）か
ら上述の読み出しパルスP_Hと同期したサンプリングパル
スP_Sをサンプリングホールド回路（13）に供給する。こ
のサンプリングパルスP_Sによりサンプリグホールド回路
（13）が制御されて、出力端子（14）に撮像信号が出力
される。

ここで、CCD（10）の結晶欠陥による雑音除去を行なう
際には、同期信号発生器（21）から走査系回路（15）に
供給される同期信号のブランキング期間に、走査系回路
（15）のアドレス指定回路（19）からROM（20）にアド
レスを指示して、ROM（20）に記憶してあるこの指示し
たアドレスの24ビツトのデータを走査系回路（15）内の
デコーダ（18）に供給する。そして、デコーダ（18）に
供給された24ビツトの符号化されたデータをデコードし
てメモリ（17）に一旦記憶しておき、CCD（10）からサ
ンプリングホールド回路（13）への撮像信号の供給時に
結晶欠陥があるラインのときには、メモリ（17）からの
データによりサンプリングパルス発生器（16）からサン
プリングパルスP_Sを供給せず前の信号をホールドする様
に構成している。即ち、第８図に示す如く、一水平走査
期間中にXaと言う結晶欠陥があるとすると、その前の水
平ブランキング期間中にROM（20）からデータを読出し
て、走査期間中のXa点になるとサンプリングパルスP_Sを
供給せず、直前の信号をホールドさせる。

以上のようにして結晶欠陥の雑音除去を行なうことによ
り、結晶欠陥の位置を符号化して記憶することでメモリ
容量の大幅な削減を図り得るものである。

一方、メモリとして使用するROM（20）は、上述のよう
に符号化して記憶する場合には、CCD（10）の撮像信号
の読み出しモードが違うと、記憶するデータが違うため
にROM（20）を対応したものに換える必要がある。この
ため、固体撮像装置を使用する機種ごとに撮像信号の読
出しモードが違う場合には、それだけの種類のROM（2
0）を用意しなければならない。また、一つの機種で一
つの固体撮像体に対し複数のモードにより撮像信号を読
出す場合にも、結晶欠陥の位置は同一であるにもかかわ
らず複数のROM（20）を備える必要があつた。

この固体撮像体の読出しモードとして、フイールド読出
しとフレーム読出しとを行なう場合について以下説明す
る。フレーム読出しとは、奇数フイールドと偶数フイー
ルドの２フイールドより１フレームの画像が構成される
内の奇数フイールドに1,3,5…と奇数ラインの信号を読
み、偶数フイールドに2,4,6…と偶数ラインの信号を読
んで行く読出しモードである。一方フイールド読出しと
は、隣接する２つのラインを同時に合成出力として読出
すもので、例えば奇数フイールドでは（1,2の合成出
力）、（3,4の合成出力）、（5,6の合成出力）…と読
み、偶数フイールドでは（2,3の合成出力）、（4,5の合
成出力）、（6,7の合成出力）…と読んで行く読出しモ
ードである。ここで、第９図に示す様に最初の水平走査
線に於ける走査開始点を基準点Y₀とし、結晶欠陥Y₁が基
準点Y₀から水平方向に３番目、垂直方向に３番目の絵素
に、結晶欠陥Y₂が基準点Y₀から水平方向に５番目、垂直
方向に６番目の絵素に夫々あるとする。この結晶欠陥
Y₁,Y₂をフレーム読出しを行なう際には、結晶欠陥Y₁は
（奇数フイールドの２ライン目、水平方向に３番目）に
走査を行ない、結晶欠陥Y₂は（偶数フイールドの３ライ
ン目、水平方向に５番目）に走査を行なう為、夫々この
走査を行なう順に上述の如く符号化してROMに２箇所の
結晶欠陥として記憶する。また、フイールド読出しを行
なう際には、結晶欠陥Y₁は（奇数フイールドの２ライン
目、水平方向に３番目）と（偶数フイールドの１ライン
目、水平方向に３番目）の２回走査を行ない、結晶欠陥
Y₂は（奇数フイールドの３ライン目、水平方向に５番
目）と（偶数フイールドの３ライン目、水平方向に５番
目）の２回走査を行なう。このため２箇所の結晶欠陥を
合計４回走査するので、ROMには４箇所の結晶欠陥とし
て夫々符号化して記憶する。

Ｄ発明が解決しようとする問題点上述のように同一の結晶欠陥であつてもフイールド読み
出しとフレーム読出しとでROMに記憶する位置及び数が
全く違い、夫々別のROMを用意する必要がある。このた
め、フイールド読出し用とフレーム読出し用等の複数の
読み出しモード用の固体撮像装置の雑音除去回路を製造
する際には、使用する読出しモードごとに別のメモリを
用意して取付けなければならず、製造作業が煩雑になつ
てしまう。さらに複数のROMを製造時に用意すると言う
ことは、それだけ多くの種類の部品を必要とするため雑
音除去回路の構成にコストがかかると言う不都合があつ
た。なお、例えばフレーム読出しに対応して符号化した
データをROMに記憶させておき、フイールド読出しの際
にこのデータを走査系回路（15）内でフイールド読出し
用のデータに変換して使うことも考えられるが、このデ
ータ変換用の回路構成は極めて複雑になつてしまうと共
に、例えば偶数フイールドのデータとして記憶してある
ものを変換した場合に奇数フイールドとなつたときに
は、既に走査が終つていて雑音除去が間に合わず、この
ためにフレームメモリを設ける必要がある等実用的では
ない。

本発明は上述した点に鑑み、メモリを複数の撮像信号の
読み出しモードに対し共通化できる固体撮像装置の雑音
除去回路を提供することを目的とする。

Ｅ問題点を解決するための手段本発明の固体撮像装置の雑音除去回路は、例えば第１図
に示す如く、半導体素子よりなる固体撮像体（10）と、
半導体素子の結晶欠陥位置を記憶するメモリ（20）とを
有し、このメモリ（20）の出力信号にて固体撮像体（1
0）の撮像出力信号を補正して、結晶欠陥による雑音を
除去するようにした固体撮像装置の雑音除去回路に於い
て、メモリ（20）として、記憶エリアを第１の記憶エリ
ア（20a）と第２の記憶エリア（20b）に２分割し、第１
の記憶エリア（20a）に記憶する結晶欠陥位置情報とし
て、第１のモードでの固体撮像素子（10）からの読出し
順序に対応した各結晶欠陥毎の座標位置データとして符
号化されたデータとし、第２の記憶エリア（20b）に記
憶する結晶欠陥位置情報として、第２のモードでの固体
撮像素子（10）からの読出し順序に対応した各結晶欠陥
毎の座標位置データとして符号化されたデータとし、固
体撮像素子（10）からの読出しモードの上記第１又は第
２のモードの選定に対応して、メモリ（20）から読出結
晶欠陥位置情報を、第１の記憶エリア（20a）と第２の
記憶エリア（20b）の何れかに選択する選択手段（23）
を設けたものである。

Ｆ作用本発明の固体撮像装置の雑音除去回路は、メモリに予め
複数の撮像信号の読み出しモードによる結晶欠陥位置情
報を全て符号化して記憶し、この複数の結晶欠陥位置情
報中から必要な読み出しモードに対応した結晶欠陥位置
情報を選択手段により選択してメモリから出力すること
により、１個のメモリで複数の読み出しモードによる固
体撮像装置の雑音除去に対応させることが出来る。

Ｇ実施例 G1 第１の実施例以下、本発明の固体撮像装置の雑音除去回路の第１の実
施例を、第１図を参照して説明しよう。この第１図に於
いて、第４図乃至第９図に対応する部分には同一符号を
付し、その詳細説明は省略する。

本実施例は、１個の固体撮像体の撮像信号読み出しモー
ドとして第９図例と同様にフレーム読出しとフイールド
読出しとの２種類のモードにより読出しを行なえる様に
した固体撮像装置の雑音除去回路に適用した例である。

この雑音除去回路は、第１図に示す如く、走査系回路に
開閉スイツチ（22）が接続してあると共に、メモリであ
るROM（20）に切替スイツチ（23）の可動接点（23a）が
接続してある。そして、開閉スイツチ（22）の開閉と切
替スイツチ（23）の切替とは連動していて、開閉スイツ
チ（22）が閉状態のとき可動接点（23a）が一方の固定
接点（23b）に接続され、開閉スイツチ（22）が閉状態
のとき可動接点（23a）が他方の固定接点（23c）に接続
される。そして、一方の固定接点（23b）に電源（24）
からの一定の直流信号（以下ハイレベル信号“1"とす
る）が供給され、他方の固定接点（23c）に基準信号
（以下ローレベル信号“0"とする）が供給され、この切
替スイツチ（23）を介してハイレベル信号“1"或いはロ
ーレベル信号“0"がROM（20）に供給される。ROM（20）
は記憶領域が第１の記憶領域（20a）と第２の記憶領域
（20b）とに２分割されていて、ハイレベル信号“1"が
供給されると第１の記憶領域（20a）のデータが読出し
可能となり、ローレベル信号“0"が供給されると第２の
記憶領域（20b）のデータが読出し可能となるものであ
る。そして、第１の記憶領域（20a）にはフイールド読
出し用の結晶欠陥のデータが、第２の記憶領域（20b）
にはフレーム読出し用の結晶欠陥のデータが夫々記憶さ
れている。即ち、ROM（20）として、例えば256のアドレ
スを持ち、各アドレスに４ビツトの情報を持ち帰るROM
を使用した場合、０〜127のアドレスをフイールド読出
し用の第１の記憶領域（20a）とし、128〜255のアドレ
スをフレーム読出し用の第２の記憶領域（20b）とす
る。また、走査系回路（15）は、開閉スイツチ（22）が
閉状態になると、フイールド読出しによりCCD（10）か
ら撮像信号を読出すと共に前述の方法によりROM（20）
からのデータに対応した雑音除去を行なつて出力端子
（14）に撮像信号を供給させ、開閉スイツチ（22）が開
状態になると、フレーム読出しによりCCD（10）から撮
像信号を読出すと共に前述の方法によりROM（20）から
のデータに対応した雑音除去を行なつて出力端子（14）
に撮像信号を供給させる。ここで、開閉スイツチ（22）
と切替スイツチ（23）とは連動しているので、走査系回
路（15）をフイールド読出しにしたときにはROM（20）
からフイールド読出し用のデータが供給され、フレーム
読出しにしたときにはROM（20）からフレーム読出し用
のデータが供給される。

以上の様にしたことにより、メモリとしてのROM（20）
は１個にもかかわらず、フイールド読出しとフレーム読
出しの２種類の異なつた読出しモードに対応することが
出来る。このため、２種類の読出しモードのビデオカメ
ラ用の雑音除去回路が同一の回路で構成出来る。このこ
とは、雑音除去回路製造時にいずれのモードの読出しを
行なうビデオカメラに使用するか用途未定の場合にも、
同一のものが使用出来るので一種類の雑音除去回路を製
造すれば良く、共通化でき、それだけ雑音除去に要する
製造コストの低下につながる。また、１個のCCD（10）
に対し２種類のモードで読出すことが可能なビデオカメ
ラの場合には、実装するROM（20）の数を半減させるこ
とが出来る。

なお、ROM（20）への結晶欠陥データの記憶は上述の符
号化を行なえば１個のデータが24ビツトですむため、例
えば256アドレス備えるROM（20）を使用すれば、半分の
128アドレスでも各アドレスに４ビツト記憶出来るので5
12ビツト即ち21個の結晶欠陥データを記憶出来、実際に
は１個のCCD（10）に10個以上の結晶欠陥があることは
ほとんどなく、ROM（20）の記憶容量に不足をきたすこ
とはない。

G2 第２の実施例次に本発明の固体撮像装置の雑音除去回路の第２の実施
例を、第２図及び第３図を参照して説明しよう。

本実施例は、撮像信号の記録を行なうビデオテープレコ
ーダとして、１垂直走査期間に262.5Hの水平走査信号を
有する通常のもの（以下標準走査とする）と、１垂直走
査期間に315Hの水平走査信号を有するビデオカメラとビ
デオテープレコーダとが一体となつたもの等に採用され
ている特殊なもの（以下高速走査とする）とを、同一の
メモリで雑音除去出来るようにしたものである。

この水平走査信号の違いは、ビデオテープレコーダのビ
デオ信号記録用ヘツドドラム構成の違いにより生ずるも
ので、通常は第２図Ａに示す如く１垂直走査期間に262.
5Hの水平走査信号を有するのに対し、ヘツドドラムの回
転速度を速めて第２図Ｂに示す如く１垂直走査期間に31
5Hの水平走査信号を有して有効信号部Ｓを圧縮して記録
するものである。この様にすることにより、ヘツドドラ
ムの構成が違つても同一の撮像信号を記録出来るもので
ある。

ここで、標準走査と高速走査とは、記録される撮像信号
は同じであつても、第１と第２の２フイールドで１フレ
ームの画像を構成する内の第１と第２のフイールドの有
効信号部間にあるブランキング期間が第２図に示す如く
高速走査の方が52.5Hだけ標準走査よりも長いために、
第３図に示す如く、第２フイールドの最初の水平走査ラ
インが標準走査では263ライン目であるのに対し高速走
査では316ライン目と違つてしまう。このため、例えば
第３図に示す如く最初の水平走査線に於ける走査開始点
をZ₀とし、結晶欠陥Z₁が基準点Z₀から水平方向に３番
目、垂直方向に４番目の絵素にあるとすると、ROM（2
0）に記憶する際のこの結晶欠陥Z₁のデータは、標準走
査では（264ライン目、水平方向に３番目）となり、高
速走査では（317ライン目、水平方向に３番目）とな
り、異なつたデータとなる。

本実施例は、この走査速度の違いによる結晶欠陥データ
の違いに対処するもので、上述の第１図例と同様に雑音
除去回路を構成して、ROM（20）の第１の記憶領域（20
a）に標準走査用の結晶欠陥のデータを記憶させ、第２
の記憶領域（20b）に高速走査用の結晶欠陥のデータを
記憶させる。そして、上述の第１図例と同様に切替スイ
ツチ（23）の切替により読出し可能な記憶領域が切替わ
り、開閉スイツチ（22）の開閉により走査系回路（15）
の走査が標準走査か高速走査かが切替わるものとする。

以上のようにしたことにより、CCD（10）を標準走査を
行なうビデオテープレコーダ用のビデオカメラの撮像素
子として使用する際には、開閉スイツチ（22）を閉状態
にして標準走査を行なう様にすると共に切替スイツチ
（23）の可動接点（23a）を一方の固定接点（23b）に接
続して標準走査様のデータを読出し可能状態にすること
により、標準走査での結晶欠陥による雑音除去が行なえ
る。またCCD（10）を高速走査を行なうビデオテープレ
コーダ用のビデオカメラの撮像素子として使用する際に
は、開閉スイツチ（22）を開状態にして高速走査を行な
う様にすると共に切替スイツチ（23）の可動接点（23
a）を他方の固定接点（23c）を接続して高速走査用のデ
ータを読出し可能状態にすることにより、高速走査での
結晶欠陥による雑音除去が行なえる。

このように、スイツチ（22），（23）の切替で標準走査
と高速走査の双方の雑音除去を１個のメモリであるROM
（20）で行なえる。このため、標準走査用と高速走査用
の２種類の雑音除去回路が必要な場合にもROM（20）は
１種類でよい。この第２の実施例に於いても、第１の実
施例と同様の作用・効果が得られるものである。

なお、本発明は上述の第１及び第２の実施例に限らず、
本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が
取り得ることは勿論である。

Ｈ発明の効果本発明の固体撮像装置の雑音除去回路によると、メモリ
に記憶した複数のモードの結晶欠陥位置情報を選択手段
により選択して出力する様にしたことにより、複数のモ
ードによる雑音除去に必要な結晶欠陥位置情報のデータ
を１個のメモリで雑音除去モードに応じて得ることが出
来、雑音除去モードごとにメモリを必要とした従来の雑
音除去回路に比べ、メモリを削減及び共通化することが
出来、それだけ雑音除去のために要するコストが低下す
ると言う利益がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の固体撮像装置の雑音除去回路の第１の
実施例を示した構成図、第２図及び第３図は夫々第２の
実施例の説明に供する線図、第４図、第５図、第７図、
第８図、第９図は夫々従来の固体撮像装置の雑音除去回
路の説明に供する線図、第６図は従来の固体撮像装置の
雑音除去回路の構成図である。（10）はCCD、（15）は走査系回路、（20）はROM、（20
a）は第１の記憶領域、（20b）は第２の記憶領域、（2
2）は開閉スイツチ、（23）は切替スイツチである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子よりなる固体撮像素子と、上記
半導体素子の結晶欠陥位置を記憶するメモリとを有し、該メモリの出力信号にて上記固体撮像素子の撮像出力信
号を補正して上記結晶欠陥による雑音を除去するように
した固体撮像装置の雑音除去回路に於いて、上記メモリとして、記憶エリアを第１の記憶エリアと第
２の記憶エリアに２分割し、上記第１の記憶エリアに記憶する結晶欠陥位置情報とし
て、第１のモードでの上記固体撮像素子からの読出し順
序に対応した各結晶欠陥毎の座標位置データとして符号
化されたデータとし、上記第２の記憶エリアに記憶する結晶欠陥位置情報とし
て、第２のモードでの上記固体撮像素子からの読出し順
序に対応した各結晶欠陥毎の座標位置データとして符号
化されたデータとし、上記固体撮像素子からの読出しモードの上記第１又は第
２のモードの選定に対応して、上記メモリから読出す結
晶欠陥位置情報を、上記第１の記憶エリアと上記第２の
記憶エリアの何れかに選択する選択手段を設けたことを
特徴とする固体撮像装置の雑音除去回路。