JPH0695108B2 - 回路電圧検出装置 - Google Patents
回路電圧検出装置Info
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- JPH0695108B2 JPH0695108B2 JP61280498A JP28049886A JPH0695108B2 JP H0695108 B2 JPH0695108 B2 JP H0695108B2 JP 61280498 A JP61280498 A JP 61280498A JP 28049886 A JP28049886 A JP 28049886A JP H0695108 B2 JPH0695108 B2 JP H0695108B2
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、回路に与える負荷が小さく、かつ検出速度が
速く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な
回路電圧検出装置に関する。
速く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な
回路電圧検出装置に関する。
（従来の技術および発明が解決しようとする問題点） 回路電圧検出装置として、いわゆる回路テスタのように
極めて軽便なものから、極めて複雑な回路電圧検出装置
まで種々の装置が利用されている。近年、被測定回路が
複雑かつ小形となり極めて微細な部分の電圧および、高
速度の電圧変化を測定したいという強い要望がある。
極めて軽便なものから、極めて複雑な回路電圧検出装置
まで種々の装置が利用されている。近年、被測定回路が
複雑かつ小形となり極めて微細な部分の電圧および、高
速度の電圧変化を測定したいという強い要望がある。
特に集積回路においては回路の各部分は、極めて小さ
く、外部から各接点の電圧を直接測定することは困難で
あり、外部に引き出された端子から得られる電圧情報の
みからは内部の動作を分析することは困難である。
く、外部から各接点の電圧を直接測定することは困難で
あり、外部に引き出された端子から得られる電圧情報の
みからは内部の動作を分析することは困難である。
さらに各回路の動作マージンが少ないので外部からのプ
ローブを接触させるだけで動作状況が変わってしまう。
ローブを接触させるだけで動作状況が変わってしまう。
さらに検出器の動作速度が被測定超高速回路に追従でき
ない場合も生じている。
ない場合も生じている。
被接触で回路動作を検出することができる装置として、
電子ビームテスタが知られている。
電子ビームテスタが知られている。
しかし電子ビームテスタを動作させるには、真空を必要
とし、測定の対象は半導体表面が露出させられているも
のに限られる。
とし、測定の対象は半導体表面が露出させられているも
のに限られる。
またこの電子ビームテスタによれば、測定対象を電子ビ
ームにより損なうおそれがある。
ームにより損なうおそれがある。
本発明の目的は、前述した従来製品の欠点を解消し、測
定対象の回路に与える負荷が小さく、かつ検出速度が速
く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な回
路電圧検出装置を提供することにある。
定対象の回路に与える負荷が小さく、かつ検出速度が速
く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な回
路電圧検出装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 前記目的を達成するために、本発明による回路電圧検出
装置は、 光プローブの先端部を被測定回路に近接または接触させ
て被測定回路の所定部分の電圧を検出する回路電圧検出
装置において、細い先端部分に金属層が設けられている
電気光学効果物体からなる光プローブと、 光源と、 前記光源からの光を前記プローブの前記電気光学効果物
体の内部に導き前記金属層で反射させる光学手段と、 前記プローブの前記金属層の電位により影響を受けた前
記電気光学効果物体の中を通過して変調を受けた被変調
光ビームの変調度を検出する検出手段と、 とを備えて構成されている。
装置は、 光プローブの先端部を被測定回路に近接または接触させ
て被測定回路の所定部分の電圧を検出する回路電圧検出
装置において、細い先端部分に金属層が設けられている
電気光学効果物体からなる光プローブと、 光源と、 前記光源からの光を前記プローブの前記電気光学効果物
体の内部に導き前記金属層で反射させる光学手段と、 前記プローブの前記金属層の電位により影響を受けた前
記電気光学効果物体の中を通過して変調を受けた被変調
光ビームの変調度を検出する検出手段と、 とを備えて構成されている。
前記電気光学効果物体の外周部に導電性電極を設けるこ
とができる。
とができる。
前記変調は被変調光偏波面の回転とすることができる。
前記光プローブの中を通過する光ビームは、電気光学効
果物体の中で多数回反射されて通過させられるように構
成できる。
果物体の中で多数回反射されて通過させられるように構
成できる。
前記プローブの先端部は、絶縁物で覆われているように
構成できる。
構成できる。
前記光源の光ビーム発生源をレーザダイオードとするこ
とができる。
とができる。
（実施例） 以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
第１図は、本発明による回路電圧検出装置の実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
略円筒状のLiTaO3の単結晶の電気光学効果物体１は光プ
ローブの中心部を形成している。
ローブの中心部を形成している。
LiTaO3の単結晶の代わりにPLZTの単結晶やその他の電気
光学効果物体を使用することができる。
光学効果物体を使用することができる。
光プローブの中心部を形成する前記LiTaO3の単結晶の下
端部は円錐状に加工され、最も小さい底面には金属薄膜
（金属層）２が被着されている。この金属薄膜２が被着
された部分が被測定回路部分に近接される光プローブの
尖端部を形成している。
端部は円錐状に加工され、最も小さい底面には金属薄膜
（金属層）２が被着されている。この金属薄膜２が被着
された部分が被測定回路部分に近接される光プローブの
尖端部を形成している。
またこの金属薄膜２は、電気光学効果物体１の内部に導
入された光ビーム３を反射して戻す反射面としての機能
も備えている。
入された光ビーム３を反射して戻す反射面としての機能
も備えている。
前記金属薄膜２に対応して前記電気光学効果物体１の外
周部に導電性電極４が設けられている。
周部に導電性電極４が設けられている。
この導電性電極４には適当な予定された電位（接地な
ど）または交流検出のための予定された交流電位または
パルス電位を与えられる。
ど）または交流検出のための予定された交流電位または
パルス電位を与えられる。
金属薄膜２の電位は被測定回路部分からの誘導により定
まり、導電性電極４と金属薄膜２との間に電界を発生す
る。
まり、導電性電極４と金属薄膜２との間に電界を発生す
る。
なお、光プローブの尖端は、直接電気回路に触れても良
いように、絶縁物で覆われている。
いように、絶縁物で覆われている。
この電界により電気光学効果物体１の内部に導入された
光ビーム３が前記電界に対応する電気光学効果を受け
る。
光ビーム３が前記電界に対応する電気光学効果を受け
る。
光プローブの構造、すなわち電気光学効果物体１、導電
性電極４、金属薄膜２の形状構造は、金属薄膜２の電位
の変化により電気光学効果物体１の内部に電気光学効果
が有効に生じるように配慮されている。
性電極４、金属薄膜２の形状構造は、金属薄膜２の電位
の変化により電気光学効果物体１の内部に電気光学効果
が有効に生じるように配慮されている。
さらに、電気光学効果物体１の中を進行する光ビームの
光路は、電気光学効果の影響を受けやすくするために、
電気光学効果物体１の中の電気光学的変化を受けた部分
の光路長が長くなるように、結晶の中で多数回反射され
るようにすることができる。
光路は、電気光学効果の影響を受けやすくするために、
電気光学効果物体１の中の電気光学的変化を受けた部分
の光路長が長くなるように、結晶の中で多数回反射され
るようにすることができる。
導電性電極４の電位は絶縁させても良いが、適当な時定
数を与えるために導電性電極４、金属薄膜２の間には適
当な高抵抗薄膜を設けても良い。
数を与えるために導電性電極４、金属薄膜２の間には適
当な高抵抗薄膜を設けても良い。
この実施例装置の光源はレーザダイオード７から形成さ
れている。
れている。
前記光源からの光を前記プローブの前記電気光学効果物
体の内部を通過ないしは反射して通過するように光ビー
ムを入射させる光学手段は、偏光子８、ビームスプリッ
タ13,10,コリメータ9,ファイバ6,結合部５から形成され
ている。
体の内部を通過ないしは反射して通過するように光ビー
ムを入射させる光学手段は、偏光子８、ビームスプリッ
タ13,10,コリメータ9,ファイバ6,結合部５から形成され
ている。
レーザダイオード７からの光は偏光子８、ビームスプリ
ッタ13に入射させられる。
ッタ13に入射させられる。
ビームスプリッタ13を透過し、さらにビームスプリッタ
10を透過した光はコリメータ９でファイバ６に入射させ
られる。
10を透過した光はコリメータ９でファイバ６に入射させ
られる。
ファイバ６を通過したプローブ光３は結合部５を介して
前述した光プローブの電気光学効果物体１に入射させら
れる。
前述した光プローブの電気光学効果物体１に入射させら
れる。
光プローブはファイバ６が許容する範囲内で、自由に移
動させられ、その範囲内で光プローブの先端を任意の測
定対象に近接させることができる。金属薄膜２の裏面で
反射して戻ってきたプローブ光３は結合部５、ファイバ
６、コリメータ９を逆行し、ビームスプリッタ10に入射
させられる。プローブ光３は電気光学効果物体１により
光偏波面が回転させられる。
動させられ、その範囲内で光プローブの先端を任意の測
定対象に近接させることができる。金属薄膜２の裏面で
反射して戻ってきたプローブ光３は結合部５、ファイバ
６、コリメータ９を逆行し、ビームスプリッタ10に入射
させられる。プローブ光３は電気光学効果物体１により
光偏波面が回転させられる。
この回転の度合が検出手段により検出される。
ビームスプリッタ10で反射された光は、検光子11を介し
て光電変換素子12により光電変換される。
て光電変換素子12により光電変換される。
ビームスプリッタ13で反射分岐された光は光電変換素子
14により光電変換される。
14により光電変換される。
光電変換素子12,14の出力は比較回路15により比較され
両者の強度比信号が出力端16から得られる。
両者の強度比信号が出力端16から得られる。
（変形例） 光ビーム発生源は他の光源、例えばHeNeレーザでも良
い。
い。
この手段は、比測定回路信号あるいは金属薄膜２の電位
変化量が必ずしも大きくないため、11の出力信号は必ず
しも高感度ではない。
変化量が必ずしも大きくないため、11の出力信号は必ず
しも高感度ではない。
強度比信号を使用すると、さらに高いSN比で信号を得る
ことができるので、好ましい手段であるが必ずしも不可
欠の条件ではない。
ことができるので、好ましい手段であるが必ずしも不可
欠の条件ではない。
また、12の代わりに別の素子例えばストリークカメラ等
も使用可能である。
も使用可能である。
（発明の効果） 以上詳しく説明したように、本発明による回路電圧検出
装置は、細い先端部分に金属層が設けられている電気光
学効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源か
らの光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を
通過ないしは反射して通過するように光ビームを入射さ
せる光学手段と、前記プローブの前記金属層に誘導され
た電位により影響を受けた前記電気光学効果物体の中を
通過ないしは反射して通過することにより変調を受けた
被変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成さ
れている。
装置は、細い先端部分に金属層が設けられている電気光
学効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源か
らの光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を
通過ないしは反射して通過するように光ビームを入射さ
せる光学手段と、前記プローブの前記金属層に誘導され
た電位により影響を受けた前記電気光学効果物体の中を
通過ないしは反射して通過することにより変調を受けた
被変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成さ
れている。
したがって、本発明による装置によれば、前記光プロー
ブの先端で回路の極小部分の電位を検出できる。
ブの先端で回路の極小部分の電位を検出できる。
そのため、集積回路内の電位の検出等に有効である。
また被測定回路に直接接続されることはないので回路の
負荷とならず被測定回路の動作を乱すことはない。
負荷とならず被測定回路の動作を乱すことはない。
さらに、本装置の応答速度は極めて速く、先端部の充放
電時間のみで制限されるがその静電容量は特に小さくな
されるので、従来の装置と比して格段に高速であり、し
かも高いインピーダンスである。
電時間のみで制限されるがその静電容量は特に小さくな
されるので、従来の装置と比して格段に高速であり、し
かも高いインピーダンスである。
以上の説明から明らかなように、極小部分の電位を高速
に検出する装置としては従来にない優れた新しい装置を
本発明は提供するものであり、その効果は極めて大き
い。
に検出する装置としては従来にない優れた新しい装置を
本発明は提供するものであり、その効果は極めて大き
い。
第１図は、本発明による回路電圧検出装置の実施例を示
すブロック図である。 １……電気光学効果物体 ２……金属薄膜（金属層） ３……光ビーム（プローブ光） ４……導電性電極 ５……結合装置 ６……ファイバ ７……レーザダイオード ８……偏光子 ９……コリメータ 10,13……ビームスプリッタ 11……検光子 12,14……光電変換素子 15……比較回路 16……出力端子
すブロック図である。 １……電気光学効果物体 ２……金属薄膜（金属層） ３……光ビーム（プローブ光） ４……導電性電極 ５……結合装置 ６……ファイバ ７……レーザダイオード ８……偏光子 ９……コリメータ 10,13……ビームスプリッタ 11……検光子 12,14……光電変換素子 15……比較回路 16……出力端子
Claims (6)
- 【請求項１】光プローブの先端部を被測定回路に近接ま
たは接触させて被測定回路の所定部分の電圧を検出する
回路電圧検出装置において、 細い先端部分に金属層が設けられている電気光学効果物
体からなる光プローブと、 光源と、 前記光源からの光を前記プローブの前記電気光学効果物
体の内部に導き前記金属層で反射させる光学手段と、 前記プローブの前記金属層の電位により影響を受けた前
記電気光学効果物体の中を通過して変調を受けた被変調
光ビームの変調度を検出する検出手段と、 を備えることを特徴とする回路電圧検出装置。 - 【請求項２】前記電気光学効果物体は、外周部に導電性
電極が設けられている特許請求の範囲第１項記載の回路
電圧検出装置。 - 【請求項３】前記変調は被変調光偏波面の回転である特
許請求の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。 - 【請求項４】前記光プローブの中を通過する光ビーム
は、電気光学効果物体の中で多数回反射されて通過させ
られる特許請求の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。 - 【請求項５】前記プローブの先端部は、絶縁物で覆われ
ている特許請求の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。 - 【請求項６】前記光源の光ビーム発生源はレーザダイオ
ードである特許請求の範囲第１項記載の回路電圧検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280498A JPH0695108B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 回路電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280498A JPH0695108B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 回路電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133068A JPS63133068A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0695108B2 true JPH0695108B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17625925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61280498A Expired - Fee Related JPH0695108B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 回路電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695108B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002230B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-02-21 | Nikko Materials Co., Ltd. | CdTe-base compound semiconductor single crystal for electro-optic element |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK0392830T3 (da) * | 1989-04-12 | 1994-10-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Fremgangsmåde og apparat til detektering af spænding |
| DE69434641T2 (de) * | 1993-04-13 | 2006-12-14 | Agilent Technologies, Inc., Palo Alto | Elektrooptisches Messinstrument |
| JPH0798329A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｅ−ｏプローブ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161661A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yutaka Ono | Measuring device by use of optical fiber |
| US4603293A (en) * | 1984-03-27 | 1986-07-29 | University Of Rochester | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61280498A patent/JPH0695108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＥＥＪ．ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ．Ｖｏｌ．ＱＥ−２２，Ｎｏ．１，ＰＰ．６９−７８，Ｊａｎ１９８６ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002230B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-02-21 | Nikko Materials Co., Ltd. | CdTe-base compound semiconductor single crystal for electro-optic element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63133068A (ja) | 1988-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |