JPH0695159A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JPH0695159A
JPH0695159A JP24637492A JP24637492A JPH0695159A JP H0695159 A JPH0695159 A JP H0695159A JP 24637492 A JP24637492 A JP 24637492A JP 24637492 A JP24637492 A JP 24637492A JP H0695159 A JPH0695159 A JP H0695159A
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JP
Japan
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liquid crystal
transparent insulating
crystal display
display device
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP24637492A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Hoshino
昭裕 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0695159A publication Critical patent/JPH0695159A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】TFTを用いたものと比較して、工程数が少な
く、デバイスの最小寸法は比較的大きく、しかもゴミ等
による欠陥発生が発生しにくいこと、さらには軽量化が
でき、応答速度も速く、視野角依存性が少なく、大画面
のパネル化も容易であること、以上を兼ね備えた液晶表
示装置を提供する。 【構成】透明絶縁性基板上にバリスタ素子と画素電極と
をマトリクス−アレイ状に配置し、走査電極が前記画素
電極の列方向に設け、一方、前記透明絶縁性基板と対向
する別の透明絶縁性基板上には、透明なデータ信号電極
が前記画素電極の行方向にストライプ状に配置し、前記
一対の透明絶縁性基板の間隙に液晶層を設けた液晶表示
装置で、液晶層にポリマー分散型液晶を用い、かつ前記
対向する別の透明絶縁性基板には可撓性を有するフィル
ムを用いたことを特徴とする。
(57) [Abstract] [Purpose] Compared with the one using a TFT, the number of steps is small, the minimum size of the device is relatively large, and defects such as dust are less likely to occur, and further the weight is reduced. (EN) A liquid crystal display device that has all of the above features, has a fast response speed, has a small viewing angle dependency, and can easily be formed into a large screen panel. A varistor element and pixel electrodes are arranged in a matrix-array on a transparent insulating substrate, and scanning electrodes are provided in the column direction of the pixel electrodes, while another transparent insulating film facing the transparent insulating substrate is provided. In a liquid crystal display device in which transparent data signal electrodes are arranged in stripes in the row direction of the pixel electrodes on a flexible substrate and a liquid crystal layer is provided in the gap between the pair of transparent insulating substrates, a polymer dispersed in the liquid crystal layer. A liquid crystal is used, and a flexible film is used as the other transparent insulating substrate facing each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶テレビやOA機器
用の液晶ディスプレイをはじめとする、いわゆる液晶を
使用した画像(文字も含む)表示装置として、特にアク
ティブマトリクス型液晶表示装置(以下、AMLCDと
称す)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image (including character) display device using a so-called liquid crystal, such as a liquid crystal display for a liquid crystal television or an office automation equipment, and particularly to an active matrix liquid crystal display device (hereinafter (Referred to as AMLCD).

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の液晶表示装置の分野では、画像情
報の多い高精細な表示素子の開発が活発に行われてい
る。
2. Description of the Related Art In the recent field of liquid crystal display devices, development of high-definition display elements with a lot of image information has been actively carried out.

【0003】画像情報量の多い画像を表示する場合に
は、液晶画素毎にスイッチング素子を設けたAMLCD
が、コントラストや応答速度をはじめとした画質に関す
る特性に優れている。そして、特にアクティブマトリク
ス(以下、AMと称す)素子としては薄膜トランジスタ
を用いたものが数多く商品化されてきている。
When displaying an image having a large amount of image information, an AMLCD having a switching element for each liquid crystal pixel is provided.
However, it has excellent characteristics regarding image quality such as contrast and response speed. In particular, many active matrix (hereinafter referred to as AM) elements using thin film transistors have been commercialized.

【0004】前記AM素子を用いた場合の特徴として
は、1)大容量表示が可能なこと、2)応答速度が速い
こと、3)視野角が比較的広いこと、が挙げられる。こ
のように優れた多くの長所がある一方で、重大な短所も
あわせもっている。
Characteristic features of using the AM element are 1) large-capacity display, 2) fast response speed, and 3) relatively wide viewing angle. While it has many great advantages, it also has some serious drawbacks.

【0005】すなわち、前記薄膜トランジスタの製造工
程は非常に高度な微細加工技術を駆使せざるをえず、少
なくとも5層以上もの薄膜を重ねるという工程を経てい
る。それは、通常の場合でも、フォトマスクを6枚以上
使用するフォトリソグラフィー工程であり、これはプロ
セスが複雑で、しかも製造環境のクリーン度は半導体メ
モリデバイス作製工程の場合と同程度のものが必須とな
っている。それに、半導体メモリでは最大でも1チップ
が数ミリ角程度であったものに対して、前記AMLCD
用の基板では数百ミリ角もの大きさになり、つまり半導
体メモリの面積に対して数千倍から数万倍にも達するこ
とから、寸法精度の不良やゴミ等による欠陥という重大
な問題が発生しやすい。さらには、半導体メモリーの場
合にはもし欠陥があっても、その欠陥箇所さえ素子とし
て用いなければその箇所以外の領域は、全体としては十
分に半導体メモリーとして使うことが出来る。その一方
で、AMLCDの場合には、表示部として全体をくまな
く使用するために、通常は欠陥の存在自体が許されない
(製品規格で認める場合を除く)。また、薄膜トランジ
スタの構造自体の問題として、同一基板上に交差した薄
膜からなる配線が多く、断線や絶縁性の点で欠陥を招き
易い構造となっている。例えば、各配線間の絶縁性が保
たれないと、表示した際に線欠陥となって表示画面に現
れるという、顕著な不良が発生する。
That is, in the manufacturing process of the thin film transistor, a very advanced fine processing technique must be used, and a process of stacking thin films of at least 5 layers or more is performed. Even in the normal case, it is a photolithography process using six or more photomasks. This process is complicated, and the cleanliness of the manufacturing environment must be the same as in the semiconductor memory device manufacturing process. Has become. Besides, in the semiconductor memory, one chip has a size of several millimeters square at the maximum,
The size of a substrate for use in a computer is several hundreds of millimeters square, which means it is several thousand times to tens of thousands times the area of a semiconductor memory, causing serious problems such as poor dimensional accuracy and defects such as dust. It's easy to do. Furthermore, in the case of a semiconductor memory, even if there is a defect, if the defective portion is not used as an element, the region other than that portion can be sufficiently used as a semiconductor memory as a whole. On the other hand, in the case of AMLCD, since the entire display area is used as a whole, the existence of defects is usually not allowed (except when allowed by the product standard). Further, as a problem of the structure of the thin film transistor itself, there are many wirings composed of thin films intersecting on the same substrate, and the structure is apt to cause defects in terms of disconnection and insulation. For example, if the insulation between the wirings is not maintained, a remarkable defect occurs in which line defects appear on the display screen when displayed.

【0006】また、低コスト化の問題だけを考えると、
単純マトリクス型の(すなわち、AM素子を用いない)
液晶表示装置としてSTN液晶を用いたものが、ワープ
ロやノートパソコン等に数多く使われている。また応答
速度に関しては、研究段階ではあるもののAM素子を用
いたものと同程度のものまで報じられてはいる。しか
し、製品として採算に見合う程度の生産技術を有し、か
つ応答速度や視野角依存性をも十分に満足できる液晶表
示装置としては、未だ完成された域には至っていない。
Considering only the problem of cost reduction,
Simple matrix type (that is, AM element is not used)
A large number of liquid crystal display devices using STN liquid crystal are used in word processors, notebook computers, and the like. Regarding the response speed, although it is still in the research stage, it is reported that it is about the same as that using an AM device. However, as a liquid crystal display device, which has a production technology that is profitable as a product and can sufficiently satisfy the response speed and the viewing angle dependency, it has not yet been completed.

【0007】そしてまた、携帯性を追究すること、ある
いは大画面化の場合の重量低減やコストの低減の要求か
ら、重量が軽い液晶表示装置も望まれており、ガラス基
板の薄型化が検討されはじめてきている。しかしなが
ら、大きく薄いガラス基板を取り扱うことは、技術的・
コスト的に考慮すると、大きなマイナス要因である。
In addition, a liquid crystal display device having a light weight is also desired due to a demand for portability, weight reduction and cost reduction in the case of a large screen, and a thin glass substrate is considered. It is starting. However, it is technically difficult to handle large and thin glass substrates.
Considering cost, it is a big negative factor.

【0008】前記のことが主な原因となって、製造の際
には製品の歩留まりが極端に低く、しかも改善が甚だ困
難でもあるという大問題を抱えている。そこで、プロセ
スが簡単であり、工程数も少なく、しかもゴミによる欠
陥の発生する危険が少なく、低コストである、という構
造のAM素子の開発が望まれている。
Due to the above-mentioned reasons, there is a big problem that the yield of the product is extremely low in the manufacturing process and the improvement is very difficult. Therefore, it is desired to develop an AM device having a structure that the process is simple, the number of steps is small, the risk of defects caused by dust is small, and the cost is low.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点に
鑑みなされたものであり、その目的とするところは、薄
膜トランジスタを用いたものと比較して、工程数が少な
く、デバイスの最小寸法は比較的大きく、しかもゴミ等
による欠陥が発生しにくいこと、さらには軽量化がで
き、応答速度も速く、視野角が広く、大画面のパネル化
も容易であること、以上を兼ね備えたAMLCDを提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce the number of steps and the minimum size of a device as compared with a device using a thin film transistor. We provide an AMLCD that is relatively large, is less likely to cause defects such as dust, and is lighter in weight, has a faster response speed, has a wider viewing angle, and can easily be made into a large-screen panel. To do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、すなわち、少なくとも透
明絶縁性基板上にバリスタ素子と画素電極とをマトリク
ス−アレイ状に配置し、走査電極が前記画素電極の列方
向に設け、一方、前記透明絶縁性基板と対向する別の透
明絶縁性基板上には、透明なデータ信号電極が前記画素
電極の行方向にストライプ状に配置し、前記一対の透明
絶縁性基板の間隙に液晶層を設けた液晶表示装置におい
て、少なくとも前記液晶層にポリマー分散型液晶を用
い、かつ前記対向する別の透明絶縁性基板には可撓性を
有するフィルムを用いたことを特徴とする液晶表示装置
である。
Means provided by the present invention for solving the above-mentioned problems are as follows: varistor elements and pixel electrodes are arranged in a matrix-array pattern on at least a transparent insulating substrate, and scanning is performed. Electrodes are provided in the column direction of the pixel electrodes, while transparent data signal electrodes are arranged in stripes in the row direction of the pixel electrodes on another transparent insulating substrate facing the transparent insulating substrate. In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is provided in a space between the pair of transparent insulating substrates, a polymer-dispersed liquid crystal is used for at least the liquid crystal layer, and a flexible film is used for the other transparent insulating substrates facing each other. It is a liquid crystal display device characterized by using.

【0011】尚、本発明は、二端子素子であるバリスタ
素子を用いるものであり、これはAM素子としては薄膜
トランジスタよりも構造が簡単であり、且つ製造に際し
ては、製造が簡単な印刷法を用いてAM素子をパターニ
ングした後に焼成を経ることにより焼結体としてバリス
タ素子を得るものである。また、AMLCDの構成要素
中で、容積及び重量のいずれについても大部分を占める
ガラス基板の代わりに、軽量で可撓性もあるフィルムを
用いた液晶表示装置である。
The present invention uses a varistor element, which is a two-terminal element, which has a simpler structure as an AM element than a thin film transistor, and uses a printing method which is easy to manufacture. After patterning the AM element by means of firing, a varistor element is obtained as a sintered body by firing. In addition, the liquid crystal display device uses a light and flexible film instead of the glass substrate which occupies most of the volume and weight among the components of the AMLCD.

【0012】[0012]

【作用】本発明によると、印刷法によりパターニングし
た後に焼成を経て得られる焼結バリスタ素子を画素毎の
スイッチング素子にAM素子として用いることから、薄
膜トランジスタを用いてAM素子を作成した場合に比べ
て、工程数が少なくて済み、歩留まりも向上でき、低コ
スト化が図れる。(図3)、(図4)には、それぞれバ
リスタ素子の製造工程図と薄膜トランジスタの製造工程
図とを示す。また対向する透明絶縁性基板としてガラス
基板でなくフィルム(PETフィルム等)を用いること
から、軽量化も可能となる。また、ガラス基板に比べて
割れや欠け等が発生しにくいために、取り扱い易くなる
という長所も生じる。
According to the present invention, since the sintered varistor element obtained by firing after patterning by the printing method is used as the AM element for the switching element for each pixel, compared to the case where the AM element is formed by using the thin film transistor. The number of steps is small, the yield can be improved, and the cost can be reduced. (FIG. 3) and (FIG. 4) show a manufacturing process diagram of the varistor element and a manufacturing process diagram of the thin film transistor, respectively. Further, since a film (PET film or the like) is used instead of the glass substrate as the opposing transparent insulating substrate, the weight can be reduced. Further, since cracks and chips are less likely to occur as compared with the glass substrate, there is an advantage that it is easy to handle.

【0013】ところで、昨今にTN液晶と組み合わせて
使用されているアモルファスシリコン薄膜トランジスタ
は、開発当初は電流値の経時劣化やしきい値電圧のシフ
ト等の問題から、液晶表示装置用の画素のスイッチング
素子としては適応性が乏しいのではないかと考えられて
いた。しかし、使用する液晶の駆動電圧が低いために、
その不安点はある程度は克服できることが次第に判明し
現在に至っている。一方、本発明で述べているポリマー
分散型液晶(別名として、高分子液晶、高分子分散型液
晶、等)は、一般的には駆動電圧がTN液晶に比較して
高い。つまり、前記TN液晶との組み合わせで用いてい
る薄膜トランジスタの動作電圧よりも、高電圧を必要と
する。薄膜トランジスタは通常よりも高電圧で使用した
場合、薄膜トランジスタの動作寿命が損なわれるという
問題点が判明している。従って、薄膜トランジスタより
高い電圧でも問題なく動作し、前記ポリマー分散型液晶
の駆動に適することから、前記バリスタ素子は好適であ
る。
By the way, the amorphous silicon thin film transistor used in combination with the TN liquid crystal these days is a switching element of a pixel for a liquid crystal display device due to problems such as deterioration of current value with time and shift of threshold voltage at the beginning of development. Was thought to be poorly adaptable. However, because the driving voltage of the liquid crystal used is low,
The anxieties have been gradually found to be overcome to some extent, and have reached the present. On the other hand, the polymer-dispersed liquid crystal (also known as polymer liquid crystal, polymer-dispersed liquid crystal, etc.) described in the present invention generally has a higher driving voltage than the TN liquid crystal. That is, a voltage higher than the operating voltage of the thin film transistor used in combination with the TN liquid crystal is required. It has been known that when the thin film transistor is used at a higher voltage than usual, the operating life of the thin film transistor is impaired. Therefore, the varistor element is suitable because it operates without problems even at a higher voltage than the thin film transistor and is suitable for driving the polymer dispersed liquid crystal.

【0014】[0014]

【実施例】本発明の実施例を図面を参照しながら更に詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

【0015】(図1)、(図2)は本発明の一実施例と
して、バリスタ素子を用い、かつ対向する透明絶縁性基
板としてはPETフィルム使用する、という組み合わせ
の液晶表示装置の概略を示す説明図である。
(FIG. 1) and (FIG. 2) show an outline of a liquid crystal display device in which a varistor element is used and a PET film is used as an opposing transparent insulating substrate, as an embodiment of the present invention. FIG.

【0016】(図3)は本発明の一実施例として、バリ
スタ素子を用いた液晶表示装置の製造工程の概略を示す
フローチャートである。また(図4)は、従来行われて
いる薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の製造工程
の概略を示したフローチャートである。尚、(図5)に
は製造工程中で繰り返し施されるフォトリソ工程につい
ての概略のフローチャートを示す。
FIG. 3 is a flow chart showing an outline of a manufacturing process of a liquid crystal display device using a varistor element as one embodiment of the present invention. In addition, (FIG. 4) is a flowchart showing an outline of a conventional manufacturing process of a liquid crystal display device using a thin film transistor. Note that (FIG. 5) shows a schematic flowchart of the photolithography process repeatedly performed during the manufacturing process.

【0017】(図2)に示すように、本実施例中で示す
液晶表示装置は、透明絶縁性基板10としてのAM素子
側ガラス基板に走査電極11、画素電極12、AM素子
としてバリスタ素子13が設けられている。そしてデー
タ信号電極15及びカラーフィルタ16、R(赤)、G
(緑)、B(青)とBM(ブラックマトリクス)17が
設けられた対向する透明絶縁性基板18としての対向カ
ラーフィルタ側フィルム基板と前記AM素子側ガラス基
板との間に、液晶としてポリマー分散型液晶14が充填
してある。このポリマー分散型液晶14は、ブレードコ
ータで一定の膜厚で塗布し硬化させ、セルギャップを確
保した。また、ポリマー分散型液晶を用いているため、
AM素子側ガラス基板と液晶14の層、及び対向カラー
フィルタ側フィルム基板と液晶14の層の間に液晶を配
向させるための配向膜は、それぞれ必要ない。また、A
M素子側ガラス基板と対向カラーフィルタ側フィルム基
板の外側にそれぞれ直交させた偏光板を必要としない構
成である。
As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device shown in this embodiment has a scanning electrode 11, a pixel electrode 12, and a varistor element 13 as an AM element on a glass substrate on the AM element side as a transparent insulating substrate 10. Is provided. Then, the data signal electrode 15 and the color filter 16, R (red), G
Polymer dispersion as a liquid crystal is provided between the opposing color filter side film substrate as the opposing transparent insulating substrate 18 provided with (green), B (blue) and BM (black matrix) 17 and the AM element side glass substrate. The mold liquid crystal 14 is filled. The polymer-dispersed liquid crystal 14 was applied with a blade coater to a constant film thickness and cured to secure a cell gap. Moreover, since the polymer-dispersed liquid crystal is used,
Alignment films for aligning the liquid crystal between the AM element side glass substrate and the liquid crystal 14 layer and between the counter color filter side film substrate and the liquid crystal 14 layer are not necessary. Also, A
This configuration does not require orthogonal polarizing plates on the outside of the M element side glass substrate and the opposing color filter side film substrate.

【0018】以下にその製造工程を説明する。まず、透
明絶縁性基板10であるAM素子側ガラス基板上にマグ
ネトロン・スパッタリング装置を用いて金属Cr薄膜を
厚さ0.1μmに成膜し、これにフォトリソグラフィ工
程でレジストパターンを形成して、エッチング液にて走
査電極11を形成する。次に、マグネトロン・スパッタ
装置を用いていわゆるITO膜(Indium Tin Oxide膜)
を厚さ0.11μmに成膜し、これにフォトリソグラフ
ィ工程でレジストパターンを形成して、塩化第二鉄:塩
酸=1:3の組成比率からなるエッチング液を使用した
エッチングにより走査電極上ITO電極19および画素
電極12を形成する。
The manufacturing process will be described below. First, a metal Cr thin film is formed to a thickness of 0.1 μm on a glass substrate on the AM element side, which is the transparent insulating substrate 10, using a magnetron sputtering device, and a resist pattern is formed on this by a photolithography process. The scanning electrode 11 is formed with an etching solution. Next, a so-called ITO film (Indium Tin Oxide film) is formed using a magnetron sputtering device.
Is formed into a film having a thickness of 0.11 μm, a resist pattern is formed on the film with a photolithography process, and the ITO on the scanning electrode is formed by etching using an etching solution having a composition ratio of ferric chloride: hydrochloric acid = 1: 3. The electrode 19 and the pixel electrode 12 are formed.

【0019】次いで、バリスタペーストを前記AM素子
側ガラス基板上に325メッシュのスクリーン版を用い
て印刷法により転移した。ここで用いたバリスタペース
トはバリスタ粒子とポリメチルメタクリレートとを主成
分とするものであり、より詳しい内訳は、バリスタ粒子
20部に対してポリメチルメタクリレート15部、そし
て溶剤としてエチルカルビトール5部を混合したものを
用いた。バリスタ粒子は、ZnO単結晶粒子の表面をM
n、Co等の酸化物の無機質絶縁膜で被覆したものであ
る。
Next, the varistor paste was transferred onto the AM element side glass substrate by a printing method using a 325 mesh screen plate. The varistor paste used here is mainly composed of varistor particles and polymethylmethacrylate. More specifically, 20 parts of varistor particles are used for 15 parts of polymethylmethacrylate, and 5 parts of ethyl carbitol as a solvent. The mixture was used. The varistor particles are formed on the surface of the ZnO single crystal particles by M
It is covered with an inorganic insulating film of an oxide such as n or Co.

【0020】前記バリスタペーストを転移させたAM素
子側ガラス基板を、大気中で温度420℃で1時間の加
熱による焼成を行い、ポリメチルメタクリレートおよび
エチルカルビトールを除去し、(図2)に示すようにA
M素子側ガラス基板上にバリスタ粒子13を固着した。
The AM element side glass substrate to which the varistor paste has been transferred is baked by heating in the air at a temperature of 420 ° C. for 1 hour to remove polymethylmethacrylate and ethylcarbitol, as shown in FIG. Like A
The varistor particles 13 were fixed on the M element side glass substrate.

【0021】次に対向カラーフィルタ用フィルム基板に
マグネトロン・スパッタ装置でCrの金属薄膜を厚さ
0.1μmに成膜し、フォトリソグラフィ法によりブラ
ックマトリクス17を形成する。さらにブラックマトリ
クス17とデータ信号電極15とのショートを防止する
ため、SiO2 からなる絶縁層20を形成積層する。次
に、カラーレジストを用いてR、G、Bの3色からなる
カラーフィルタ16を形成した後、マグネトロン・スパ
ッタ装置を用いて、ITO膜を厚さ0.15μmに成膜
する。この時ITO膜のシート抵抗値は100Ω/□で
あった。さらに、このITO膜をフォトリソグラフィ法
によって所定の形状に形成して、データ信号電極15を
得た。
Next, a metal thin film of Cr is formed to a thickness of 0.1 μm on the film substrate for the opposing color filter by a magnetron sputtering apparatus, and the black matrix 17 is formed by the photolithography method. Further, in order to prevent a short circuit between the black matrix 17 and the data signal electrode 15, an insulating layer 20 made of SiO 2 is formed and laminated. Next, a color filter 16 of three colors of R, G, and B is formed using a color resist, and then an ITO film is formed to a thickness of 0.15 μm using a magnetron sputtering device. At this time, the sheet resistance of the ITO film was 100Ω / □. Further, this ITO film was formed into a predetermined shape by a photolithography method to obtain a data signal electrode 15.

【0022】次にAM素子側ガラス基板にポリマー分散
型液晶14をブレードコーターを使用して15μmの膜
厚でコートした後、自然乾燥させた。しかる後に、スク
リーン印刷機でエポキシ樹脂のシールパターンを印刷し
たAM素子側ガラス基板に対して、カラーフィルタ16
およびITO膜によるデータ信号電極15が設けられた
対向カラーフィルタ用フィルム基板を、アライナーで位
置合わせして貼り合わせ、圧力0.01乃至0.03k
gf/cm2 、温度80℃で1時間の加圧・加熱により
接着した。
Next, the AM element side glass substrate was coated with the polymer dispersion type liquid crystal 14 using a blade coater to a film thickness of 15 μm, and then naturally dried. Then, the color filter 16 is applied to the AM element side glass substrate on which the epoxy resin seal pattern is printed by a screen printing machine.
The film substrate for the counter color filter, which is provided with the data signal electrode 15 made of the ITO film and the ITO film, is aligned and bonded by the aligner, and the pressure is 0.01 to 0.03 k.
Adhesion was performed by pressing and heating at gf / cm 2 and a temperature of 80 ° C. for 1 hour.

【0023】この結果、薄膜ドランジスタに比べ製造工
程数が少なく、しかも液晶画素毎にスイッチング素子と
してのバリスタ素子が備えられ、応答速度が速い、視野
角も比較的広い液晶表示装置を得ることが出来た。な
お、本発明は配線抵抗の低減のために、データ電極の一
部にAl、Cr、Ta等をはじめとする比較的導電性の
高いの金属薄膜を用いることが可能である。
As a result, the number of manufacturing steps is smaller than that of the thin film transistor, and a varistor element as a switching element is provided for each liquid crystal pixel, so that a liquid crystal display device having a high response speed and a relatively wide viewing angle can be obtained. It was In the present invention, in order to reduce the wiring resistance, it is possible to use, as a part of the data electrode, a metal thin film having relatively high conductivity such as Al, Cr and Ta.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置の構成によれば、
AM素子としてバリスタ素子を用いることで、製造プロ
セスが簡単な印刷方式を用いることができて、薄膜トラ
ンジスタの場合と比べ、製造プロセスが簡略化され、画
質が薄膜トランジスタを用いた場合ほどには高品質を要
求されない携帯用液晶ディスプレイの低コスト化が可能
となる。また、AM素子の無い場合に比べ、視野角が広
く、応答速度も速く表示できる。また、TN液晶で使わ
れている偏光板が不要であり、また液晶層の厚みを制御
するセルギャップ制御も不要で、さらに液晶がパネルか
ら漏れないようにするシールが不要なポリマー分散型液
晶を用いることにより、対向透明基板のフィルム化が実
現できた。偏光板を用いる(2枚の偏光板の間に液晶パ
ネル(ガラス基板ー液晶ーガラス基板)を挟む必要のあ
るTN液晶)とそのガラス基板に等方性が要求される。
もし、ガラス基板の代わりにフィルム基板を用いると、
通常のフィルム基板は等方性でないため、透過する光が
波長依存性を示し(すなわち、着色してあるように見え
る)、液晶ディスプレイとして用いることは難しい。等
方性を持ったフィルムを作製することは、生産性を考え
ると難しいため、偏光板を用いないポリマー分散型液晶
を用いることで初めてフィルム基板を液晶ディスプレイ
に用いることが可能となった。また、割れ欠けの心配の
ない、扱い易い軽量なフィルム基板を用いることで、デ
ィスプレイの軽量化と製造プロセスの簡略化および低コ
スト化を図ることが出来た。
According to the constitution of the liquid crystal display device of the present invention,
By using the varistor element as the AM element, a printing method with a simple manufacturing process can be used, the manufacturing process is simplified as compared with the case of the thin film transistor, and the image quality is as high as that of the thin film transistor. It is possible to reduce the cost of portable liquid crystal displays that are not required. In addition, the viewing angle is wider and the response speed is faster than in the case without the AM element. In addition, a polymer-dispersed liquid crystal that does not require the polarizing plate used in TN liquid crystal, does not require cell gap control that controls the thickness of the liquid crystal layer, and does not require a seal to prevent the liquid crystal from leaking from the panel. By using it, it was possible to realize a film of the opposing transparent substrate. The use of a polarizing plate (TN liquid crystal in which a liquid crystal panel (glass substrate-liquid crystal-glass substrate) needs to be sandwiched between two polarizing plates) and the glass substrate are required to be isotropic.
If a film substrate is used instead of a glass substrate,
Since an ordinary film substrate is not isotropic, the transmitted light exhibits wavelength dependence (that is, it seems to be colored), and it is difficult to use it as a liquid crystal display. Since it is difficult to produce an isotropic film from the viewpoint of productivity, it has become possible to use a film substrate for a liquid crystal display only by using a polymer-dispersed liquid crystal that does not use a polarizing plate. In addition, by using a light-weight film substrate that is easy to handle without fear of cracking and chipping, it was possible to reduce the weight of the display, simplify the manufacturing process, and reduce the cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係わる液晶表示装置の一実施例を、断
面図で示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention in a sectional view.

【図2】本発明に係わる液晶表示装置の一実施例を、特
に一画素について断面図で示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention, particularly one pixel in a sectional view.

【図3】本発明に係わる液晶表示装置の一実施例を、そ
の製造工程について示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flow chart showing a manufacturing process of an embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】従来の薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
の一例を、その製造工程について示すフローチャートで
ある。
FIG. 4 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a liquid crystal display device using a conventional thin film transistor.

【図5】従来のフォトリソグラフィ工程の一例を示すフ
ローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an example of a conventional photolithography process.

【図6】従来の液晶表示装置の(ガラス基板、TN液晶
を用いた)一例を、その製造工程について示すフローチ
ャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing an example of a conventional liquid crystal display device (using a glass substrate and a TN liquid crystal) about its manufacturing process.

【図7】本発明の液晶表示装置の一実施例を示す、その
製造工程について示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flow chart showing a manufacturing process of an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・透明絶縁性基板(AM素子側ガラス基板) 11・・・走査電極 12・・・画素電極(ITO製) 13・・・バリスタ素子(AM素子) 14・・・ポリマー分散型液晶 15・・・データ信号電極 16・・・カラーフィルタ(RGB) 17・・・BM(ブラックマトリクス) 18・・・透明絶縁性基板(対向側カラーフィルタ側・P
ETフィルム基板) 19・・・走査電極上ITO電極 20・・・絶縁層(SiO2
10 ... Transparent insulating substrate (AM element side glass substrate) 11 ... Scan electrode 12 ... Pixel electrode (made of ITO) 13 ... Varistor element (AM element) 14 ... Polymer dispersed liquid crystal 15・ ・ ・ Data signal electrode 16 ・ ・ ・ Color filter (RGB) 17 ・ ・ ・ BM (black matrix) 18 ・ ・ ・ Transparent insulating substrate (opposite side color filter side ・ P
ET film substrate) 19 ... ITO electrode on scanning electrode 20 ... Insulating layer (SiO 2 )

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも透明絶縁性基板上にバリスタ素
子と画素電極とをマトリクス−アレイ状に配置し、走査
電極が該画素電極の列方向に設け、一方、該透明絶縁性
基板と対向する別の透明絶縁性基板上には、透明なデー
タ信号電極が該画素電極の行方向にストライプ状に配置
し、前記一対の透明絶縁性基板の間隙に液晶層を設けた
液晶表示装置において、少なくとも該液晶層にポリマー
分散型液晶を用い、かつ該対向する別の透明絶縁性基板
には可撓性を有するなフィルムを用いたことを特徴とす
る液晶表示装置。
1. A varistor element and pixel electrodes are arranged in a matrix-array form on at least a transparent insulating substrate, and scanning electrodes are provided in a column direction of the pixel electrodes, while another facing the transparent insulating substrate. In the liquid crystal display device, in which transparent data signal electrodes are arranged in stripes in the row direction of the pixel electrodes on the transparent insulating substrate, and a liquid crystal layer is provided in the gap between the pair of transparent insulating substrates, A liquid crystal display device, characterized in that a polymer-dispersed liquid crystal is used for a liquid crystal layer, and a film having flexibility is used for another transparent insulating substrate facing the liquid crystal layer.
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