JPH0696222A

JPH0696222A - 画像処理装置

Info

Publication number: JPH0696222A
Application number: JP24622992A
Authority: JP
Inventors: Hitomi Kumazaki; ひとみ熊崎
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-09-16
Filing date: 1992-09-16
Publication date: 1994-04-08

Abstract

(57)【要約】【目的】従来のＲＭＷ（リード・モディファイ・ライ
ト）処理と同等の処理時間で画質の低下を招くことなく
画素の濃度を決定する。【構成】ＬＵＴ回路４２は濃度ＤＡＴＡ，面積率Ｋ，
濃度ＤｍとからＲＭＷ処理により順に画素濃度を求め、
バッファ４３ａ〜４３ｃは左画素，対象画素，右画素の
各濃度を出力Ａ，Ｂ，Ｃとして出力し、演算部４４は出
力Ｂを他の画素と比較して対象画素の濃度Ｄｎを決定し
フレームメモリに出力する。即ち、（１）左右の画素、
又は（２）更に読出した隣接ラインの３画素を併せた５
個の画素と比較し、いずれの濃度よりも低ければ隣接画
素のいずれかの濃度又はＡ，Ｃの平均値をＤｎとする。
（３）出力Ａ，Ｃの範囲内に入らなければ、その中間値
をＤｎとする。上記以外の時は出力ＢをＤｎとする。こ
れにより、エッジ部の濃度が両側の領域濃度から外れて
画質を低下させることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ベクトルで表示され
たエッジにより形成された画像のエッジに囲まれた領域
をそれぞれ指定された濃度に形成するためにアンチ・エ
イリアシング処理した濃度をリード・モディファイ・ラ
イト処理してフレームメモリに書込む画像処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ等のホストマシンから入力
する例えばポスト・スクリプト等のようなＰＤＬ言語
（フレーム・ディスクリプション・ランゲージ）で記述
された画像を、レーザプリンタ等のプリンタで印刷ある
いはＣＲＴ等のディスプレイで表示するために、その中
間で画像処理を行なう画像処理装置がある。

【０００３】特に多階調からなる画像を処理する場合に
おいては、ベクトルで表示されたエッジにより形成され
た画像（以下「ベクトル画像」という）のエッジに囲ま
れた領域を、それぞれ指定された濃度で塗りつぶす処理
が頻繁に行なわれる。

【０００４】例えば、文字を印刷する場合にベクトルフ
ォントを用いれば、サイズの大小に関係なく美しい文字
を形成することが出来るが、ベクトルで表示されたエッ
ジにより形成され文字のセル（エッジに囲まれた領域）
の内部を黒くベタに塗りつぶす処理が不可欠である。

【０００５】また、写真のような連続階調からなる画像
も、デジタル処理を行なうために多階調からなる画像に
変換し、それぞれ同一階調の領域を囲むベクトル画像と
して画像処理が行なわれる。

【０００６】このように処理された画像をレーザプリン
タやＣＲＴで出力した場合、いかに高画素密度，高解像
度であっても次のラインに移る所が不連続になることは
避けられないから、特に水平に近い斜線部分で極めて細
かいギザギザ（ジャギー又はエイリアシングという）が
現れる。そのため、アンチ・エイリアシング処理により
エッジの濃度を修整して視覚的なスムーシングを行なっ
ていた。

【０００７】アンチ・エイリアシング処理は大別してサ
ンプルレートを高める方法と、１つの画素（ピクセル）
をサブピクセルに分割して平均化する平均化手法との２
種類がある。さらに、平均化手法には各サブピクセルを
等価値として扱う均一平均化法と、それぞれに異なる重
みをつけて扱う重み付け平均化法とがある。

【０００８】また、濃度が連続的に変化する連続階調画
像（デジタル処理のために変換された多階調画像）に対
しては、アンチ・エイリアシング処理した濃度をリード
・モディファイ・ライト処理してメモリに書込むことが
行なわれる。即ち、多値データを記憶するフレームメモ
リ上の或る画素の濃度を決定する場合に、当該画素の属
する領域の濃度データだけでなく、当該画素のフレーム
メモリ上の濃度データを読出（リード）して、参照（モ
ディファイ）しながら新しい濃度データを決定し、フレ
ームメモリ上に書込（ライト）む。

【０００９】このリード・モディファイ・ライト処理
は、特に２つの領域の境界であるエッジ部にかかる画素
の濃度を、一方の領域の濃度に当該画素の領域内の部分
の面積率Ｋ（０≦Ｋ≦１）を乗じ、フレームメモリ上の
濃度に（１−Ｋ）を乗じた値との和をとって決定するも
ので、階調の連続性を保ちながらエッジのエイリアシン
グが目立たないようにするために有効な方法であり、広
く用いられている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示すような、それぞれ濃度Ｄ＝６４，５０，３５，１５
の領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄが並んでいる場合について従来の
リード・モディファイ・ライト処理を行なうと、各領域
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄをそれぞれ分けるエッジ部にかかる画素
ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３の濃度が、それぞれＤ＝６１，
４１，３３であることが望ましいのに、後に詳しく述べ
る理由によって図７の(Ｃ)に示すように、それぞれＤ＝
５１，２９，３０になってしまう。

【００１１】Ｄ＝５１の画素ＰＸ１及びＤ＝３０の画素
ＰＸ３は、それでも領域Ａ，Ｂの各濃度６４，５０及び
領域Ｃ，Ｄの各濃度３５，１５の間にあるので目立たな
いが、Ｄ＝２９の画素ＰＸ２は領域Ｂ，Ｃの各濃度５
０，３５のいずれよりも低い濃度になるから、領域Ｃの
濃度との差が僅かであっても明るい細線として目立つた
め、画像全体の画質を損なうという問題があった。

【００１２】さらに、図１０の（Ａ）に示すような白バ
ック（Ｄ＝０）の図形（Ｄ＝６４）を処理すると、エッ
ジ部にかかる各画素の濃度は、それぞれの面積率に応じ
て図１０の（Ｂ）に示すような濃度としてフレームメモ
リ上に記憶される。この図形を消去するために、同じ図
形を白塗り（Ｄ＝０）にして従来のリード・モディファ
イ・ライト処理を行なうと、図１１の（Ｂ）に示すよう
に、淡い輪郭が残ってしまうため、画質を著るしく損な
うという問題もあった。

【００１３】従来も、このような画質低下を招かないよ
うに、エッジ部にかかる各画素の濃度を正確に処理する
方法がなかった訳ではないが、いずれも処理が複雑にな
るため処理時間が長くなるという欠点をもっていた。

【００１４】この発明は上記の点に鑑みてなされたもの
であり、従来のアンチ・エイリアシング処理，リード・
モディファイ・ライト処理と同等の処理時間で画質の低
下を招くことなく画素の濃度を決定することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するため、ベクトルで表示されたエッジにより形成
された画像のエッジに囲まれた領域を塗りつぶすため、
対象画素のアンチ・エイリアシング処理した濃度をリー
ド・モディファイ・ライト処理することによりフレーム
メモリ上に書込む対象画素の濃度を決定する画像処理装
置において、それぞれ下記のようにしたものである。

【００１６】第１の発明は、リード・モディファイ・ラ
イト処理された対象画素の面積率が１未満であって、そ
の濃度がフレームメモリ上の対象画素の左右に隣接する
２個及び既にリード・モディファイ・ライト処理された
スキャンライン上の対象画素に隣接する３個の各画素の
うちのいずれの濃度よりも低い場合は、隣接する５個の
画素のうちのいずれかの濃度を対象画素のフレームメモ
リに書込む濃度とする濃度決定手段を設けたものであ
る。

【００１７】第１の発明において、対象画素及び隣接す
る５個の画素のうち、次に処理すべき画素に隣接する画
素のうちの最低濃度の画素の位置を記憶する位置記憶手
段を設け、濃度決定手段が次に処理すべき画素を処理す
る時に位置記憶手段に記憶された位置の画素から濃度の
比較を開始するようにするとよい。

【００１８】第２の発明は、リード・モディファイ・ラ
イト処理された対象画素の面積率が１未満であって、そ
の濃度がフレームメモリ上の対象画素の左右に隣接する
画素のいずれの濃度よりも低い場合は、左右に隣接する
画素のいずれか又は両方の濃度に応じて対象画素のフレ
ームメモリに書込む濃度を決定する濃度決定手段を設け
たものである。

【００１９】第３の発明は、リード・モディファイ・ラ
イト処理された画素の濃度を一時的に格納するバッファ
メモリと、リード・モディファイ・ライト処理された対
象画素の面積率が１未満であり且つ該対象画素のフレー
ムメモリから読出した濃度が０でない時に、リード・モ
ディファイ・ライト処理された対象画素の濃度がフレー
ムメモリ上の対象画素の左右に隣接する画素のうちのい
ずれのリード・モディファイ・ライト処理された濃度よ
りも低い場合は、左右に隣接する画素の濃度の中間値を
対象画素のフレームメモリに書込む濃度とする濃度決定
手段とを設けたものである。

【００２０】

【作用】第１の発明による画像処理装置は、面積率Ｋ＜
１すなわちエッジ部にかかる対象画素のリード・モディ
ファイ・ライト処理された濃度が、対象画素に隣接する
リード・モディファイ・ライト処理された５個の画素の
うちのいずれの濃度よりも低い場合に、濃度決定手段は
対象画素に隣接する５個の画素のうちのいずれかの濃度
を対象画素の濃度とするから、エッジ部の画質を低下さ
せる明るい細線を生じることがない。

【００２１】さらに、濃度決定手段が次の画素を処理す
る時に、位置記憶手段に記憶された位置の最低濃度の画
素から濃度の比較を開始すれば、無駄な濃度比較をしな
いで済むから、全体の処理時間を短縮することが出来
る。

【００２２】第２の発明による画像処理装置は、面積率
Ｋ＜１すなわちエッジ部にかかる対象画素のリード・モ
ディファイ・ライト処理された濃度が、対象画素の左右
に隣接するリード・モディファイ・ライト処理された画
素のいずれの濃度よりも低い場合に、濃度決定手段は左
右に隣接する画素のいずれか又は両方の濃度に応じて対
象画素の濃度を決定するから、エッジ部の画質を低下さ
せる明るい細線を生じることがない。

【００２３】第３の発明による画像処理装置は、面積率
Ｋ＜１であってフレームメモリから読出した濃度が０で
ない、即ちエッジ部にかかり既に濃度が書込まれている
対象画素のリード・モディファイ・ライト処理された濃
度が、対象画素の左右に隣接するリード・モディファイ
・ライト処理された画素のうちのいずれの濃度よりも低
い場合に、濃度決定手段は左右に隣接する画素の濃度の
中間値を対象画素の濃度とするから、エッジ部の画質を
低下させる明るい細線を生じることがない。

【００２４】

【実施例】図２は、ホストマシン１０とプリンタ１５と
の関係を示すブロック図である。コンピュータ等のホス
トマシン１０は、入力装置であるキーボード１１と表示
装置であるＣＲＴディスプレイ１２とを備え、キーボー
ド１１から入力するＰＤＬ言語で記述された画像情報を
ＣＲＴディスプレイ１２に表示すると共に、編集してフ
レーム毎にプリンタ１５に出力する。

【００２５】プリンタ１５は、コントローラ２０とエン
ジン３０とから構成され、コントローラ２０はホストマ
シン１０から入力するＰＤＬ言語で記述された画像情報
をアンチ・エイリアシング処理して１頁分ずつ多値のイ
メージデータに展開し、一度フレームメモリに格納した
後、ビデオ信号としてエンジン３０に出力する。出力装
置であるエンジン３０は、入力するビデオ信号に応じて
１ラインずつ画像に変換し、形成された１頁分の画像を
用紙に印刷して出力する。

【００２６】図３は、図２に示したこの発明による画像
処理装置の一実施例であるコントローラ２０の構成を示
す回路図である。コントローラ２０は、受信装置２１，
ＣＰＵ２２，フォントＲＯＭ２３，ＲＡＭ２４，ＲＯＭ
２５，フレームメモリ２６，送信装置２７及び直線描画
装置２８から構成され、互いにデータバス，アドレスバ
ス，コントロールバス等のバスラインで接続されてい
る。

【００２７】受信装置２１を介してホストマシン１０か
らそれぞれ入力するＰＤＬ言語で記述された画像データ
と画素密度，（画素濃度を示す）多値レベル，頁のサイ
ズ，出力画像の拡大又は縮小率等からなる１頁分の画像
情報は、一度ＲＡＭ２４に記憶される。

【００２８】次に、ＣＰＵ（中央処理ユニット）２２
は、予めそれぞれＲＯＭ２５に格納されているプログラ
ムに従って、文字コードはフォントＲＯＭ２３に格納さ
れているベクトルフォントを参照しながら、ＲＡＭ２４
に記憶された画像データを水平方向（Ｘ軸方向）の直線
成分に分解しながら、アンチ・エイリアシング処理を施
して直線描画装置２８に出力する。

【００２９】直線描画装置２８は、ＣＰＵ２２から順に
入力するＸ軸方向の各画素の濃度データと、それらの各
画素に対応してフレームメモリ２６から読出した画素の
濃度データとから、新しい濃度データを決定しフレーム
メモリ２６に順に書込むことにより、フレームメモリ２
６上に直線成分の画像を描画する。即ち、リード・モデ
ィファイ・ライト処理を実行して多階調のイメージデー
タをフレームメモリ２６上に展開する。

【００３０】送信装置２７は、指定された画素密度に応
じＣＰＵ２２の指令に従って、フレームメモリ２６に展
開された１頁分の多値レベルのイメージデータを、１ラ
イン毎に画像クロックに同期したビデオ信号に変換して
エンジン３０に出力することにより、エンジン３０に形
成された画像を用紙上に印刷させる。

【００３１】図４は、図３に示した直線描画装置２８の
構成の一例を示す回路図であり、図４の（Ａ）は直線描
画装置２８の全体構成を、図４の（Ｂ）はその一構成要
素でありリード・モディファイ・ライト処理を実行する
リード・モディファイ・ライト制御部（以下「ＲＭＷ制
御部」という）３４の構成をそれぞれ示す。

【００３２】図４の（Ａ）に示した直線描画装置２８
は、５個のＦＩＦＯメモリ３２ａ〜３２ｅからなるＦＩ
ＦＯメモリ部３２と、各メモリの動作タイミングを制御
する信号を出力するメモリ同期制御部３３と、ＲＭＷ制
御部３４と、同期の基準となるクロックＣＬＫを出力す
る発振回路（ＯＳＣ）３５と、クロックＣＬＫをカウン
トしてＸ軸方向の座標を出力するＸカウンタ３６と、Ｘ
カウンタ３６の内容とデータＸ２との一致を検出する比
較器３７とによって構成されている。

【００３３】図４の（Ｂ）に示したＲＭＷ制御部３４
は、ＬＵＴ（ルックアップ・テーブル）回路４２と、３
個のバッファメモリ（以下単に「バッファ」という）４
３ａ〜４３ｃからなるラッチ部４３と、ラッチ部４３に
保持された濃度データを比較して対象画素の新しい濃度
データを決定する濃度決定手段である演算部４４と、バ
ッファ４５とにより構成されている。

【００３４】ＣＰＵ２２から書込信号ＷＲと共にＦＩＦ
Ｏメモリ部３２の各ＦＩＦＯメモリ３２ａ〜３２ｅに対
して、それぞれ各画素の濃度値ＤＡＴＡ，面積率Ｋ，ス
キャンラインの縦座標Ｙ，描画開始位置Ｘ１，同終了位
置Ｘ２が入力して各ＦＩＦＯメモリ３２ａ〜３２ｅに記
憶されると、ＦＩＦＯメモリ部３２からメモリ同期制御
部３３に出力されていたメモリエンプティを示す信号Ｅ
Ｍがネゲートされて、データが入力したことを知らせ
る。

【００３５】ＦＩＦＯメモリ部３２は、メモリ同期制御
部３３から読出信号ＲＤが入力すると、各ＦＩＦＯメモ
リ３２ａ〜３２ｅに記憶されているデータのうち、濃度
値ＤＡＴＡ，面積率Ｋ，縦座標Ｙはそのままメモリ同期
制御部３３に出力し、メモリ同期制御部３３内にラッチ
される。開始位置Ｘ１はＸカウンタ３６にロードされ、
Ｘカウンタ３６はその内容をメモリ同期制御部３３と比
較器３７に出力する。

【００３６】Ｘカンウタ３６は、ロードされたＸ１をス
タート値として発振回路３５から入力するクロックＣＬ
Ｋをカウントアップする。比較器３７はＸカウンタ３６
の内容とＦＩＦＯメモリ３２ｅから入力する終了位置Ｘ
２とを比較して、等しくなった時に終了信号をメモリ同
期制御部３３に出力する。

【００３７】メモリ同期制御部３３は、Ｘカウンタ３６
の内容がＸ１からＸ２までカウントアップしている期
間、濃度値ＤＡＴＡ及び面積率ＫをＲＭＷ制御部３４に
出力すると共に、フレームメモリ２６に対して、Ｘカウ
ンタ３６の内容をアドレス信号ＡＤＲとして、またメモ
リの書込み，読出しを指示する信号ＭＷＲをそれぞれ出
力する。

【００３８】ＲＭＷ制御部３４は、フレームメモリ２６
上の処理すべき座標Ｙ，Ｘの画素に対応する画素の濃度
値Ｄｍ（読出データ）を読出してバッファ４５によりラ
ッチし、ＬＵＴ回路４２はラッチされた（フレームメモ
リ上の）濃度値Ｄｍとメモリ同期制御部３３から入力す
る（ＣＰＵから指示された）濃度値ＤＡＴＡ及び面積率
Ｋとを入力し、それらのデータからリード・モディファ
イ・ライト処理を行なった演算結果である新しい濃度値
をラッチ部４３の初段のバッファ４３ｃに出力する。

【００３９】ラッチ部４３の互に直列に接続された３個
のバッファ４３ａ〜４３ｃは多値データのシフトレジス
タとして作用するから、クロックＣＬＫによってバッフ
ァ４３ｃにラッチされたデータは、次のクロックＣＬＫ
でバッファ４３ｂに移り、さらに次のクロックＣＬＫで
バッファ４３ａに移ってそれぞれ保持されると共に、演
算部４４に出力される。

【００４０】したがって、バッファ４３ｂが出力する出
力Ｂが濃度値である対象画素を基準に考えれば、バッフ
ァ４３ａが出力する出力Ａはその１つ前（左隣り）の画
素の濃度値であり、バッファ４３ｃが出力する出力Ｃは
その１つ後（右隣り）の画素である。演算部４４は３個
の出力Ａ，Ｂ，Ｃを比較して、その結果に応じて、バッ
ファ４３ｂに保持された濃度値が出力Ｂである対象画素
の新しい濃度値を決定し、濃度値Ｄｎ（描画データ）と
してフレームメモリ２６に出力することにより、ライン
Ｙ上の各画素の描画が行なわれる。

【００４１】図５は、対象画素とそれに隣接する画素の
位置関係を示す説明図である。太い枠で示す対象画素Ｐ
がスキャンライン（Ｙ）の座標（Ｘ）の位置にあるとす
れば、一般に処理はスキャンラインを上から下へ、同一
スキャンライン上の画素は左から右へ進められるから、
スキャンライン（Ｙ−１）はリード・モディファイ・ラ
イト処理済でフレームメモリ２６に描画されており、斜
線を施した下側に含まれるスキャンライン（Ｙ＋１）は
未処理である。

【００４２】スキャンライン上の左隣りの画素Ｌ，対象
画素Ｐ，右隣りの画素Ｒはそれぞれリード・モディファ
イ・ライト処理されて、その濃度は図４の（Ｂ）に示し
た出力Ａ，Ｂ，Ｃになっている。したがって、対象画素
Ｐの濃度（出力Ｂ）を隣接する画素の濃度と比較する場
合に、下側の３個の画素ＬＬ，Ｌ，ＲＬと比較すること
は無意味であり、左右２個の画素Ｌ，Ｒ（出力Ａ，
Ｃ）、或いは更にフレームメモリ２６から読出可能な上
側の３個の画素ＬＵ，Ｕ，ＲＵを加えた５個の画素が比
較されることになる。

【００４３】この発明による実施例のルーチンを説明す
る前に、この発明の主要部を明らかにするために、図１
２に示す従来例のルーチンのフロー図について説明す
る。なお、以下各フローの説明において例えば「ステッ
プ３」は「Ｓ３」と略記する。

【００４４】図１２に示した従来例のルーチンがスター
トすると、Ｓ１で画像を構成するエッジを表示する多数
のベクトルをそれぞれ入力し、Ｓ２で入力したベクトル
が曲線であるか否かを判定し、否すなわち直線であれば
そのままＳ４にジャンプし、曲線であればＳ３に進んで
複数の近似直線に分解する直線近似を実行してからＳ４
に進む。

【００４５】Ｓ４で各直線ベクトルの始点，終点（の各
座標値）等を示すデータをエッジテーブル（以下「Ｅ
Ｔ」という）に登録する。ベクトル登録は直線ベクトル
の両端のうちＹ座標値の小さい方を始点とし、もしＹ座
標値が等しい場合はＸ座標値の小さい方を始点とする。
すべてのベクトルの登録を終了したら、Ｓ５で始点のＹ
座標値の小さい順にベクトルのソーティングを実行し、
ＥＴ内のデータを整理する。

【００４６】次に、１ライン毎に（例えばラインＹにつ
いて）ピクセルの濃度決定を行なうために、ライン及び
画素（ピクセル）を細分してサブライン及びサプピクセ
ルに分割する。Ｓ６で塗りつぶしを行なうサブライン毎
にアクティブ・エッジテーブル（以下「ＡＥＴ」とい
う）を更新する。

【００４７】Ｓ７でサブライン上のすべてのベクトル
（Ｖ１，Ｖ２）との交点を求め、そのＸ座標値の小さい
方から順に配列して２個ずつエッジペアとし、その間の
サブピクセルを塗りつぶしてゆく。１本のサブライン上
の塗りつぶしを終れば、１本のラインが終了するまで繰
返す。

【００４８】Ｓ８では、各画素毎に塗りつぶされている
サブピクセルの数をカウントして画素の面積率Ｋを決定
する。例えば、２５個のうちＷ個のサブピクセルが塗り
つぶされていれば、ピクセルの面積率はＫ＝Ｗ／２５で
ある。

【００４９】Ｓ９で面積率Ｋ＝１であるか否かを判定
し、Ｋ＝１であればＳ１０に進んで入力された濃度ＤＡ
ＴＡを対象画素の新しい濃度Ｄｎと決定してＳ１２にジ
ャンプする。否（Ｋ＜１）であればＳ１１に進んでリー
ド・モディファイ・ライト処理した濃度を新しい濃度Ｄ
ｎと決定する。

【００５０】Ｓ１２で決定された新しい濃度Ｄｎをフレ
ームメモリ２６に書込む。１ライン分の書込みが終了し
たらＳ１３に進んで、すべてのスキャンラインの書込み
即ち１頁分の画像の書込みが終了したか否かを判定し、
否ならばＳ６に戻り、終了ならばエンドになる。

【００５１】図１は、第１の発明による画像処理装置
（コントローラ２０）の第１実施例のルーチンを示すフ
ロー図であり、図９に示した従来例と同一部分には同一
ステップ番号を付して説明を省略する。図１に示した第
１実施例のフロー図が従来例と異なる所は、Ｓ１１の代
りにＳ２１乃至Ｓ２６が加えられたことである。

【００５２】Ｓ９で面接率Ｋ＜１と判定されると、Ｓ２
１に進んでリード・モディファイ・ライト処理した濃度
を計算するが、従来例のＳ１１と異なり直ちに新しい濃
度Ｄｎと決定しないで、Ｓ２２に進んで計算された対象
画素Ｐの処理後の濃度が隣接画素（図５に示した画素
Ｌ，Ｒ，ＬＵ，Ｕ，ＲＵ）のうちの１個の濃度より小さ
いか否かの濃度比較を行なう。

【００５３】対象画素Ｐの濃度が小さければ、Ｓ２３に
進んで５個の隣接画素との比較がすべて終了するまでＳ
２２を繰返し、すべて終了すなわちいずれの隣接画素の
濃度よりも小さければ、Ｓ２４に進んで隣接画素のうち
のいずれかの画素の濃度を対象画素Ｐの新しい濃度Ｄｎ
と決定し、Ｓ１２ジャンプする。

【００５４】もし、Ｓ２２で対象画素Ｐの濃度が小さく
ない、即ち隣接画素のうち１個でも対象画素Ｐの濃度と
同じか小さい画素があれば、Ｓ２５に進んで対象画素Ｐ
の処理後の濃度を新しい濃度Ｄｎと決定する。次にＳ２
６に進んで、隣接画素のうち次に処理すべき画素Ｒにも
隣接する画素Ｕ，ＲＵと対象画素Ｐとのうち最低濃度の
画素の位置を位置記憶手段、例えばＲＡＭ２４に記憶さ
せてＳ１２に進む。

【００５５】このようにすれば、隣接画素のうちの最低
濃度をＭＩＮ，最高濃度をＭＡＸとして、Ｓ２４で最低
濃度を選択しても新しい濃度はＤｎ＝ＭＩＮであり、最
高濃度を選択してもＭＡＸである。また、Ｓ２５で決定
された濃度はＤｎ≧ＭＩＮであり、リード・モディファ
イ・ライト処理された濃度はエッジで接する２個の領域
のうち高い方の濃度を超えることはない。従って、決定
された対象画素の新しい濃度Ｄｎは２個の領域の濃度の
範囲内に収まり、それより明るい又は暗いエッジが発生
することはない。

【００５６】また、Ｓ２６で次に処理すべき画素Ｒに隣
接する画素Ｕ，ＲＵ，Ｐのうち最低濃度の画素の位置を
記憶することにより、画素Ｒを対象画素として処理する
時に、他の２個の画素と濃度比較をすることなく、記憶
した位置の画素と画素Ｒの右及び右上の画素とのみ比較
すればよいから、処理速度が速くなる。

【００５７】図６は濃度が連続的に変化する画像の一例
を示す説明図であり、図７は図６に示した画像の各エッ
ジ部近傍の各画素が濃度値としてフレームメモリ２６に
展開された状態をそれぞれ示す説明図である。以下、図
６及び図７を用いて、実際のリード・モディファイ・ラ
イト処理について説明する。

【００５８】図６に示したように、互に濃度の異なる領
域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれＸ座標値Ｘ１，Ｘ２，Ｘ
３の３個のエッジＸ１，Ｘ２，Ｘ３により境界を接し、
それらの濃度はそれぞれＤａ＝６４，Ｄｂ＝５０，Ｄｃ
＝３５，Ｄｄ＝１５である。説明に便なるためエッジは
共に垂直になっているから、それぞれのエッジＸ１，Ｘ
２，Ｘ３にかかる画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３は各ライ
ンに共通である。

【００５９】この例では、画素ＰＸ１における領域Ａの
面積率Ｋａ＝８０％、領域Ｂの面積率Ｋｂ＝（１−Ｋ
ａ）＝２０％であり、画素ＰＸ２における領域Ｂの面積
率Ｋｂ＝４０％、領域Ｃの面積率Ｋｃ＝（１−Ｋｂ）＝
６０％であり、画素ＰＸ３における領域Ｃの面積率Ｋｃ
＝９０％、領域Ｄの面積率Ｋｄ＝（１−Ｋｃ）＝１０％
であるとする。

【００６０】エッジ部にかかる各画素ＰＸ１，ＰＸ２，
ＰＸ３の濃度Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は本来は図７の（Ａ）に
示したように、それぞれ両側の濃度とその面積率との積
の和として求められるから、次の数１に示すようにＤ１
＝６１，Ｄ２＝４１，Ｄ３＝３３であることが望まし
い。

【００６１】

【数１】Ｄ１＝Ｄａ＊Ｋａ＋Ｄｂ＊Ｋｂ＝６４×０.８＋５０×０.２＝６１.２ ≒６１Ｄ２＝Ｄｂ＊Ｋｂ＋Ｄｃ＊Ｋｃ＝５０×０.４＋３５×０.６＝４１Ｄ３＝Ｄｃ＊Ｋｃ＋Ｄｄ＊Ｋｄ＝３５×０.９＋１５×０.１＝３３

【００６２】しかしながら、エッジの両側の領域の濃度
から計算するためには、ＣＰＵ２２から処理中の領域の
濃度ＤＡＴＡの他にその両側の領域の濃度ＤＡＴＡも入
力する必要があり、処理が複雑になるため、従来のリー
ド・モディファイ・ライト処理はフレームメモリ２６上
の対応する画素の濃度データＤｍを読出して、処理中の
領域外の濃度として処理している。

【００６３】すなわち、従来のリード・モディファイ・
ライト処理では処理中の領域の濃度をＤ、エッジにかか
る当該画素における面積率をＫ、読出された対応する画
素の濃度をＤｍとすれば、書込まれる新しい濃度Ｄｎ
は、数２に示すように計算し、決定していた。

【００６４】

【数２】Ｄｎ＝Ｄ×Ｋ＋Ｄｍ×（１−Ｋ）

【００６５】したがって、当初フレームメモリ２６はす
べてクリアされてＤｍ＝０であり、領域Ａ（Ｄａ＝６
４）の処理中は画素ＰＸ１より左側の画素の面積率はＫ
＝１であり、画素ＰＸ１の面積率はＫａ＝０. ８である
から、数３に示すように、画素ＰＸ１より左側の画素の
濃度Ｄｎ＝６４、画素ＰＸ１の濃度Ｄｎ１＝５１. ２と
してそれぞれフレームメモリ２６に書込まれる。

【００６６】

【数３】Ｄｎ＝６４×１＋０×０＝６４Ｄｎ１＝６４×０.８＋０×０.２＝５１.２

【００６７】次に、領域Ｂ（Ｄｂ＝５０）の処理を行な
うと、画素ＰＸ１については面積率はＫｂ＝０.２、読
出される濃度Ｄｍ１＝５１.２であり、画素ＰＸ１，Ｐ
Ｘ２に挾まれた画素の面積率はＫ＝１でＤｍ＝０であ
り、さらに、画素ＰＸ２については面積率はＫｂ＝０.
４、Ｄｍ＝０であるから、数４に示すように、画素ＰＸ
１の修正された濃度Ｄ１＝Ｄｎ１＝５１、画素ＰＸ１，
ＰＸ２に挾まれた画素の濃度Ｄｎ＝５０、及び画素ＰＸ
２の濃度Ｄｎ２＝２０になる。

【００６８】

【数４】Ｄｎ１＝５０×０.２＋５１.２×０.８＝５０.９６≒５１＝Ｄ１Ｄｎ＝５０×１＋０×０＝５０Ｄｎ２＝５０×０.４＋０×０.６＝２０

【００６９】領域Ｃ（Ｄｃ＝３５）についても同様に、
画素ＰＸ２の面積率はＫｃ＝０.６でＤｍ２＝２０であ
り、画素ＰＸ２，ＰＸ３に挾まれた画素の面積率はＫ＝
１でＤｍ＝０であり、画素ＰＸ３の面積率はＫｃ＝０.
９でＤｍ＝０であるから、数５に示すように、画素ＰＸ
２の修正された濃度Ｄ２＝Ｄｎ２＝２９、画素ＰＸ２，
ＰＸ３に挾まれた画素の濃度Ｄｎ＝３５、及び画素ＰＸ
３の濃度Ｄｎ３＝３１.５になる。

【００７０】

【数５】Ｄｎ２＝３５×０.６＋２０×０.４＝２９＝Ｄ２Ｄｎ＝３５×１＋０×０＝３５Ｄｎ３＝３５×０.９＋０×０.１＝３１.５

【００７１】最後に、領域Ｄ（Ｄｄ＝１５）の処理を行
なうと、画素ＰＸ３の面積率はＫｄ＝０.１でＤｍ３＝
３１.５であり、画素ＰＸ３より右側の画素の面積率は
Ｋ＝１でＤｍ＝０であるから、数６に示すように、画素
ＰＸ３の修正された濃度Ｄ３＝Ｄｎ３＝３０、画素ＰＸ
３より右側の画素の濃度Ｄｎ＝１５になる。

【００７２】

【数６】Ｄｎ３＝１５×０.１＋３１.５×０.９＝２９.８５≒３０＝Ｄ３Ｄｎ＝１５×１＋０×０＝１５

【００７３】上記のように処理され、フレームメモリ２
６に書込まれた濃度データを図７の（Ｂ）に示す。図７
の（Ｃ）に示した従来処理の例は、図７の（Ａ）に示し
た例に比べてエッジにかかる画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ
３の濃度Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の値が共に低くなっている。
それでも、画素ＰＸ１の濃度Ｄ１＝５１はＤａ＞Ｄ１＞
Ｄｂの関係にあり、画素ＰＸ３の濃度Ｄ３＝３０もＤｃ
＞Ｄ３＞Ｄｄにあるから、濃度誤差がそれぞれ１０及び
３であっても目立たず、画質低下と感じられる恐れはな
い。

【００７４】しかしながら、画素ＰＸ２の濃度Ｄ２＝２
９は、濃度誤差が１２あるということではなく、Ｄｂ＞
Ｄ２＜Ｄｃの関係にあるために、Ｄｃより濃度差が僅か
に６低いだけでも、そこに在るべきでない明るい細線と
して目立つから、画質を著しく損なう。一般に、濃度の
高い方の領域の面積率が（低い濃度／高い濃度）未満で
あれば、明るい細線が現れる。

【００７５】この実施例においても、以上説明したリー
ド・モディファイ・ライト処理は、図４の（Ｂ）に示し
たＲＭＷ制御部３４のＬＵＴ回路４２により行なわれ
る。ＬＵＴ回路４２は予め計算した結果を格納したＬＵ
Ｔ（ルックアップ・テーブル）を用いて、濃度ＤＡＴＡ
（Ｄ），面積率Ｋ，読出した濃度Ｄｍを入力して直ちに
新しい濃度Ｄｎをラッチ部４３に出力するから、処理は
瞬時に行なわれている。

【００７６】Ｋ＝１の時はＣＰＵ２２から入力した濃度
Ｄが、Ｋ＝０の時は読出した濃度Ｄｍが、それぞれ新し
い濃度Ｄｎとして出力されることは以上の説明から明ら
かである。

【００７７】この発明による実施例が従来例と異なる所
は、バッファ４３ａ〜４３ｃからなるラッチ部４３と、
濃度決定手段である演算部４４とを設けたことである。
例えば、ＬＵＴ回路４２から出力された画素ＰＸ１の濃
度Ｄｎが、ラッチ部４３のバッファ４３ｃを経てバッフ
ァ４３ｂに格納された時、バッファ４３ａ，４３ｂ，４
３ｃが演算部４４に出力する出力Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ
画素ＰＸ１を中心として連続した前後の画素すなわち左
隣りから右隣りの画素までのリード・モディファイ・ラ
イト処理した濃度である。

【００７８】すなわち、図６及び図７に示した例では、
画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３の各両隣り及びその上のラ
インの画素（図５に示した画素Ｌ，ＬＵ，Ｒ，ＲＵ）は
エッジ部にかからないから面積率Ｋ＝１であり、従って
出力Ａ，Ｃはそれぞれ領域Ａ，Ｂ又は領域Ｂ，Ｃ又は領
域Ｃ，Ｄの濃度である。

【００７９】図１にフロー図を示した第１実施例の演算
部４４は、対象画素（図５における画素Ｐ）のリード・
モディファイ・ライト処理された濃度（出力Ｂ）を、左
右に隣接する２個の画素（Ｌ，Ｒ）及び既に処理された
ライン（Ｙ−１）上の（フレームメモリ２６からＤｍと
して読出す）隣接する３個の画素（ＬＵ，Ｕ，ＲＵ）と
比較して、いずれの濃度よりも低い場合は隣接画素のう
ちのいずれかの濃度をフレームメモリ２６に書込む濃度
Ｄｎとし、それ以外は出力Ｂを濃度Ｄｎとする。

【００８０】前者のいずれの濃度よりも低い場合に、隣
接画素のうちのいずれの画素の濃度をＤｎとするかを予
め決めておけばよく、いずれをとっても、そのエッジ部
で隣接する２個の領域のうち高濃度の領域よりも暗いエ
ッジや、低濃度の領域よりも明るいエッジが現れること
はないから、画質の低下を招くことがない。ここでは、
最も簡単に左隣りの画素Ｌの濃度（出力Ａ）をＤｎとす
る例で説明する。

【００８１】図６及び図７に示した例において、画素Ｐ
Ｘ１（Ｄ＝５１）及び画素ＰＸ３（Ｄ＝３０）は、いず
れも右隣りの画素濃度Ｄ＝５０及びＤ＝１５よりも大き
いから、出力Ｂが新しい濃度Ｄｎとしてフレームメモリ
２６に書込まれる。

【００８２】画素ＰＸ２（Ｄ＝２９）の場合は、画素
Ｌ，ＬＵ（Ｄ＝５０）や画素Ｒ，ＲＵ（Ｄ＝３５）、及
び次に述べる処理により既にＤ＝５０になっている画素
Ｕのいずれよりも低いから、図７の（Ｂ）に示したよう
に、左隣りの画素Ｌの濃度Ｄ＝５０（出力Ａ）を新しい
濃度Ｄｎとしてフレームメモリ２６に書込む。画素Ｕの
濃度Ｄ＝５０は、ライン（Ｙ−１）を処理した時に同じ
ように決められたものである。

【００８３】もし、予め右隣りの画素Ｒの濃度（出力
Ｃ）をＤｎとすると決めていた場合でも、画素Ｕの濃度
はＤ＝３５になっているから、画素ＰＸ２の濃度Ｄ＝２
９がすべての隣接画素の濃度よりも低い関係は変ること
がない。

【００８４】図１に示したフロー図のＳ２６における処
理は、例えば画素ＰＸ１又はＰＸ３の場合、比較した隣
接画素のうち次に処理すべき画素Ｒにも隣接する画素
Ｕ，ＲＵ及び対象画素Ｐのうちの最低濃度（Ｄ＝５０又
は１５）の画素ＲＵの位置をＲＡＭ２４に記憶させてお
けば、次に画素Ｒが対象画素となった時に、画素Ｐ，Ｕ
との比較を行なう必要がなく、処理時間を短縮出来るこ
とは既に説明した通りである。

【００８５】図８は、第２の発明による画像処理装置の
第２実施例のルーチンを示すフロー図であり、図１に示
した第１実施例と同一部分には同一ステップ番号を付し
て説明を省略する。図８に示した第２実施例が第１実施
例と異なる所は、Ｓ２２乃至Ｓ２６の代りにＳ３２乃至
Ｓ３５を設けたことである。

【００８６】Ｓ２１で計算された対象画素Ｐの濃度すな
わち出力Ｂを、Ｓ３２とＳ３３とで順に左右の画素Ｌ，
Ｒの各濃度すなわち出力Ａ，Ｃと比較して、出力Ｂが出
力Ａ，Ｃのいずれよりも小さくなければＳ３５に進み、
出力Ｂを対象画素Ｐの新しい濃度Ｄｎと決定してＳ１２
に進む。もし、出力Ｂが出力Ａ，Ｃのいずれよりも小さ
ければＳ３４に進んで、左右に隣接する画素Ｌ，Ｒのい
ずれか又は両方の濃度に応じて新しい濃度Ｄｎを決定し
てＳ１２に進む。

【００８７】Ｓ３４における対象画素Ｐの新しい濃度Ｄ
ｎの決定は、（１）左側の画素Ｌの濃度すなわち出力
Ａ、（２）右側の画素Ｒの濃度すなわち出力Ｃ、（３）
出力Ａ，Ｃの大きい方の濃度、(４)出力Ａ，Ｃのうち小
さい方の濃度、（５）出力Ａ，Ｃの平均値のいずれを採
用してもよく、予め(１)乃至(５)のいずれかを決定して
おけばよい。

【００８８】以上説明したように、第２実施例において
は対象画素の濃度を左右２個の画素と比較するだけであ
るから、第１実施例のように５個の隣接画素と比較する
場合よりも処理時間が短縮される。また、図４の(Ｂ)に
示したように３個のバッファ４３ａ〜４３ｃを設けたこ
とにより、比較する度にフレームメモリ２６から読出す
必要がないから、処理時間を更に短縮することが出来
る。

【００８９】３個のバッファ４３ａ〜４３ｃは、その数
を減らしても同様な効果を得ることが出来る。即ち、図
４の(Ｂ)においてバッファ４３ｃを排し、ＬＵＴ回路４
２から直接にバッファ４３ｂに出力すると共に出力Ｃと
して演算部４４に入力させても作用は変らない。さら
に、バッファ４３ａも排して、バッファ４３ｂのみと
し、左側の画素Ｌの濃度である出力Ａをフレームメモリ
２６から読出して演算部４４内にラッチさせれば、バッ
ファは１個で済む。

【００９０】図９は、第３の発明による画像処理装置の
第３実施例のルーチンを示すフロー図であり、図１及び
図８に示した第１及び第２実施例と同一部分である「ス
タート」乃至Ｓ８及びＳ１３と「エンド」を省略してい
る。また、同一部分であり同一ステップ番号を付したＳ
９，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ２１は詳しい説明を省略する。
この第３実施例は、バッファが２個又は３個の場合も実
施出来ることはいうまでもないが、図９に示したフロー
図はバッファが１個の場合の例である。

【００９１】対象画素Ｐの面積率Ｋを決定したＳ８から
Ｓ９に入ると、面接率Ｋを判定してＫ＝１であれば、Ｓ
１０で入力した濃度ＤＡＴＡを画素濃度ＤｎとしてＳ１
２にジャンプする。Ｓ９でＫ≠０（Ｋ＜１）と判定され
ると、Ｓ２１に進んでリード・モディファイ・ライト処
理による濃度を計算した後、Ｓ４１に進む。

【００９２】Ｓ４１では、リード・モディファイ・ライ
ト処理のためにフレームメモリ２６から読出した対象画
素Ｐの濃度（リード値）が０か否かを判定して、０であ
ればＳ４５にジャンプし、否すなわち０でなければＳ４
２に進んで計算された対象画素Ｐの濃度をバッファ（例
えば４３ｂ）に格納し、Ｓ４３でＬＵＴ回路４２に次に
画素Ｒのリード・モディファイ・ライト処理を実行させ
る。これにより出力Ｂ，Ｃはそれぞれ対象画素Ｐ及び次
の画素Ｒの濃度を示すから、画素Ｌの濃度をフレームメ
モリ２６から読出せば、左右の画素との比較が可能にな
る。

【００９３】Ｓ４４（図８のＳ３２とＳ３３に対応）で
対象画素Ｐの濃度が左右の画素Ｌ，Ｒの濃度の範囲内す
なわち中間値であるか否かを判定し、左右の画素濃度の
中間値であればＳ４５に進んで対象画素Ｐのリード・モ
ディファイ・ライト処理した濃度すなわち出力Ｂを新し
い濃度ＤｎとしてＳ１２に進む。

【００９４】否すなわち対象画素Ｐの濃度が左右の画素
Ｌ，Ｒのいずれの濃度よりも大きいか又は小さければＳ
４６に進んで、左右の画素濃度の中間値のうちいずれか
の値を新しい濃度ＤｎとしてＳ１２に進む。濃度の中間
値は、左右の画素のいずれか高濃度の画素の濃度以下で
低濃度の画素の濃度以上の濃度値であり、採用する中間
値としては高濃度の値でも低濃度の値でもよいが、一般
的には両者の平均値を採用すれば、濃度の変化がよりス
ムースになる。

【００９５】Ｓ１２で決定された濃度Ｄｎをフレームメ
モリ２６に書込むと、Ｓ４７に進んで次の画素Ｒの濃度
を計算してあるか否か、即ちＳ４３を経由して来たか否
かを判定し、前者すなわちＬＵＴ回路４２の出力が画素
Ｒの濃度になっていればその濃度値をバッファに格納さ
せるためにＳ４２に戻り、否であればＳ１３に行き、全
てのスキャンラインが終了するまで繰返す。

【００９６】図９に示した第３実施例のフロー図によっ
て図形を処理する例について説明する。図１０の（Ａ）
はハッチングを施して示したベクトル図形と各画素との
相対位置を、図１０の（Ｂ）はそのベクトル図形が書込
まれたフレームメモリ２６の一部の各画素の濃度値をそ
れぞれ示す説明図であり、図示した部分は３本のライン
Ｙ−１，Ｙ，Ｙ＋１の各７個の画素Ｐ０乃至Ｐ６からな
っている。

【００９７】始めにクリアされて全画素が０になってい
たフレームメモリ２６に、図１０の（Ａ）に示した濃度
Ｄ＝６４の図形が書込まれると、各画素の濃度値は図１
０の（Ｂ）に示した値になる。例えばラインＹについて
説明すると、図形外の画素Ｐ０，Ｐ６の濃度は０のまま
であり、エッジ部にかかる画素Ｐ１，Ｐ５は面積率Ｋ＝
５０％，４７％で、図形内の画素Ｐ２〜Ｐ４は面積率Ｋ
＝１であり、入力する濃度ＤＡＴＡはそれぞれＤ＝６４
である。

【００９８】したがって、画素Ｐ１，Ｐ５はそれぞれＫ
＝０.５，０.４７即ちＫ≠１であるから、Ｓ９からＳ２
１に進む。数２に示した計算式において、Ｄｍ＝０であ
るから、画素Ｐ１，Ｐ５の濃度としてそれぞれ３２，３
０が得られる。次に、リード値（Ｄｍ）＝０であるから
Ｓ４１からＳ４５に進んで、得られた濃度をＤｎとした
後、Ｓ１２に進む。

【００９９】画素Ｐ２〜Ｐ４はそれぞれＫ＝１であるか
ら、Ｓ９からＳ１０に進んでＤｎ＝６４として、Ｓ１２
に進む。Ｓ１２でそれぞれのＤｎをフレームメモリ２６
に書込むから、図１０の（Ｂ）に示したように、ライン
ＹにはＰ１〜Ｐ５の濃度値３２，６４，６４，６４，３
０が形成される。他のラインＹ−１，Ｙ＋１も同様であ
る。

【０１００】この様に形成された図形を消去する場合
に、図１０の（Ａ）に示した図形の濃度を０としたもの
をオーバーライトする方法が行われるが、数２に示した
計算式のみによる従来例では、Ｋ＝１であるラインＹの
画素Ｐ２〜Ｐ４は０になるが、エッジ部にかかるＫ＜１
の画素においては濃度が図１０の（Ｂ）に示した各濃度
Ｄｍと（１−Ｋ）との積であるから０にならず、図１１
の（Ｂ）に示すように、枠が淡い濃度ではあるが残って
了う。

【０１０１】第３実施例によれば、Ｋ＝１である画素は
Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１２と進んでＤｎ＝ＤＡＴＡ＝０にな
る。また、エッジ部にかかるＫ＜１の画素、例えばライ
ンＹの画素Ｐ１は、Ｓ９からＳ２１に進んでＤＡＴＡ＝
０，Ｋ＝０.５，Ｄｍ＝３２から従来例と同様に濃度値
１６が得られる。次に、リード値Ｄｍ≠０であったか
ら、Ｓ４１からＳ４２に進んで画素Ｐ１の濃度１６をバ
ッファに格納した後、Ｓ４３で次の画素Ｐ２の濃度を計
算し、ＤＡＴＡ＝０，Ｋ＝１からＤｍ（＝６４）とは無
関係に濃度値０が得られる。

【０１０２】Ｓ４４で、画素Ｐ１濃度（１６）を左右の
画素Ｐ０，Ｐ２の濃度（いずれも０）と比較すると、左
右いずれよりも大きい即ち中間値ではないから、Ｓ４６
に進んで画素Ｐ０，Ｐ２の濃度の中間値をＤｎとする。
中間値として左右の画素Ｐ０，Ｐ２のいずれをとって
も、或いはその平均値をとっても０であるから、Ｄｎ＝
０となる。画素Ｐ５についても同様である。

【０１０３】したがって、第３実施例によれば、図１１
の（Ａ）に示すように、図形に関係するすべての画素の
濃度は０になって、図形は完全に消去される。すなわ
ち、図形の描画のみならず、その消去に際しても画質を
低下させることがない。

【０１０４】

【発明の効果】以上説明したように、この発明による画
像処理装置は、従来のアンチ・エイリアシング処理，リ
ード・モディファイ・ライト処理と同等の処理時間で画
質の低下を招くことなく画素の濃度を決定することが出
来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による画像処理装置の第１実施例のル
ーチンを示すフロー図である。

【図２】ホストマシンと画像処理装置を備えたプリンタ
との関係を示すブロック図である。

【図３】図２に示した画像処理装置の一実施例であるコ
ントローラの構成を示す回路図である。

【図４】図３に示した直線描画装置の構成の一例を示す
回路図である。

【図５】対象画素とそれに隣接する画素の位置関係を示
す説明図である。

【図６】濃度が連続的に変化する画像の一例を示す説明
図である。

【図７】図６に示した画像がフレームメモリ上に展開さ
れた状態の濃度値の例を示す説明図である。

【図８】第２実施例のルーチンを示すフロー図である。

【図９】第３実施例のルーチンを示すフロー図である。

【図１０】図形とその画像が展開された状態の一例を示
す説明図である。

【図１１】図１０に示した画像を消去した状態の例を示
す説明図である。

【図１２】従来例のルーチンを示すフロー図である。

【符号の説明】

１０ホストマシン１５プリンタ２０コントローラ（画像処理装置）２２ＣＰＵ２４ＲＡＭ（位置記憶手段）４３ａ〜４３ｃ
バッファメモリ４４演算部（濃度決定手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベクトルで表示されたエッジにより形成
された画像の前記エッジに囲まれた領域を塗りつぶすた
め、対象画素のアンチ・エイリアシング処理した濃度を
リード・モディファイ・ライト処理することによりフレ
ームメモリ上に書込む対象画素の濃度を決定する画像処
理装置において、リード・モディファイ・ライト処理された前記対象画素
の面積率が１未満であって、その濃度が前記フレームメ
モリ上の前記対象画素の左右に隣接する２個及び既にリ
ード・モディファイ・ライト処理されたスキャンライン
上の前記対象画素に隣接する３個の各画素のうちのいず
れの濃度よりも低い場合は、前記隣接する５個の画素の
うちのいずれかの濃度を前記対象画素のフレームメモリ
に書込む濃度とする濃度決定手段を設けたことを特徴と
する画像処理装置。
【請求項２】請求項１記載の画像処理装置において、
前記対象画素及び前記隣接する５個の画素のうち、次に
処理すべき画素に隣接する画素のうちの最低濃度の画素
の位置を記憶する位置記憶手段を設け、前記濃度決定手
段が前記次に処理すべき画素を処理する時に前記位置記
憶手段に記憶された位置の画素から濃度の比較を開始す
るようにしたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】ベクトルで表示されたエッジにより形成
された画像の前記エッジに囲まれた領域を塗りつぶすた
め、対象画素のアンチ・エイリアシング処理した濃度を
リード・モディファイ・ライト処理することによりフレ
ームメモリ上に書込む対象画素の濃度を決定する画像処
理装置において、リード・モディファイ・ライト処理された前記対象画素
の面積率が１未満であって、その濃度が前記フレームメ
モリ上の前記対象画素の左右に隣接する画素のいずれの
濃度よりも低い場合は、前記左右に隣接する画素のいず
れか又は両方の濃度に応じて前記対象画素のフレームメ
モリに書込む濃度を決定する濃度決定手段を設けたこと
を特徴とする画像処理装置。
【請求項４】ベクトルで表示されたエッジにより形成
された画像の前記エッジに囲まれた領域を塗りつぶすた
め、対象画素のアンチ・エイリアシング処理した濃度を
リード・モディファイ・ライト処理することによりフレ
ームメモリ上に書込む対象画素の濃度を決定する画像処
理装置において、リード・モディファイ・ライト処理された画素の濃度を
一時的に格納するバッファメモリと、リード・モディフ
ァイ・ライト処理された前記対象画素の面積率が１未満
であり且つ該対象画素の前記フレームメモリから読出し
た濃度が０でない時に、前記リード・モディファイ・ラ
イト処理された対象画素の濃度が前記フレームメモリ上
の前記対象画素の左右に隣接する画素のうちのいずれの
リード・モディファイ・ライト処理された濃度よりも低
い場合は、前記左右に隣接する画素の濃度の中間値を前
記対象画素のフレームメモリに書込む濃度とする濃度決
定手段とを設けたことを特徴とする画像処理装置。