JPH0696768B2 - 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉 - Google Patents

平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉

Info

Publication number
JPH0696768B2
JPH0696768B2 JP60239253A JP23925385A JPH0696768B2 JP H0696768 B2 JPH0696768 B2 JP H0696768B2 JP 60239253 A JP60239253 A JP 60239253A JP 23925385 A JP23925385 A JP 23925385A JP H0696768 B2 JPH0696768 B2 JP H0696768B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
substrate
deposition
film
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60239253A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61179872A (ja
Inventor
フオスター ロバート
ニン コー ワン デイヴイツド
ソメク サツソン
メイダン ダン
Original Assignee
アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド filed Critical アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
Publication of JPS61179872A publication Critical patent/JPS61179872A/ja
Publication of JPH0696768B2 publication Critical patent/JPH0696768B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3327—Coating high aspect ratio workpieces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一面では、マグネトロン増速プラズマ補助に
よる化学的蒸着（CVD）反応炉とそれに関連して誘導
体、半導体ならびに導体の膜の高率蒸着を行うための方
法に関する。
更に、同技術は、低温窒化と酸化に対しても使用するこ
とができる。更に別の面から見ると、本発明は、現場多
重集積回路処理工程を行うための装置と方法、ならびに
相似被膜と平面化を行う蒸着法に関する。
半導体集積回路は製造に適用されてきた初期の気体化学
蒸着法は、気体から加熱基体上へ蒸着するために熱によ
って活性化される化学反応を使用してきた。このように
固体を表面上に化学的に蒸着する方法（CVD）は、表面
上に吸着するガス分子の不均質な表面反応を伴う。薄膜
の成長率と品質は表面温度と利用可能なガス分子に依存
している。
最近ではプラズマ増速による低温蒸着（およびエッチン
グ）法が開発されてアルミニウムやタングステンのよう
な金属を含む各種材料、シリコン窒化物二酸化シリコン
の如き誘電性膜、およびシリコンのような半導体を蒸着
してきた。
プラズマ補助式CVD法で使用されるプラズマは、RF（高
周波）分野で開発された低圧反応ガス放電によるもので
ある。プラズマは定義によって、その内部に等しい密度
の電子とイオンが存在するような電気的に中性のイオン
化ガスである。プラズマ補助式CVD法で使用される相対
的に低圧の状態の下では、放電は、“グロー”領域で行
われ、電子エネルギーは重粒子エネルギーに対してすこ
ぶる高くすることができる。非常に高い電子温度は（基
体のような）付近の表面上に蒸着させるために利用され
るプラズマ内の電離ガス分子の密度を増加させる。反応
性遊離基の供給を増大させると純粋に熱活性化方法を使
用する場合に可能（一分あたり100〜200オングストロー
ム）なよりも低温かつ高速の蒸着率（一分あたり300〜4
00オングストローム）で密度の高い良質の膜を蒸着させ
ることが可能になる。しかしながら、プラズマ増速法を
使用することによって手にすることのできる蒸着率は依
然相対的に低いものである。更に、その他に化学的蒸着
法とプラズマ増速によるCVD法に関連した種々な困難が
ある。これらの困難は、以下に論ずる通りである。
プラズマ補助による化学蒸着法を使用するとシラン、窒
素およびアンモニア反応物質から窒化シリコンが以下の
ようにして形成される。
SiH4＋NH3＋N2→SixNyHz ・・・（１） 不都合なことに、蒸着した窒化シリコン内の水素濃度
は、25−35原子パーセントの高さとなる可能性がある。
IC製造工程で比較的初期に形成された構造内における水
素の存在とそれに続く高温製造段階中に生じる水素の拡
散は、不均一な電気特性を生じさせる虞れがある。殊
に、層厚と間隔を小さくしていっそう高密度の集積回路
構造を作るために、水素に関連した高温キヤリヤを注入
する問題はかかる高い水素含有量を受入容れ難くしてい
る。最終的なパッシベーション膜の場合でさえも水素の
存在は種々な問題をつくり出す虞れがある。
更に大きなデバイス密度と小さな最小特徴寸法とVLSI集
積回路の小さな間隔は、マスキング（蒸着もしくは成長
法による）薄膜形成、ドーピングおよびエッチングとい
った基本的なIC製造段階に対して益々厳格な要求を課す
るようになっている。例えば段階状の表面に相似被膜を
形成したり、レベル間誘電体層を平面化することは、た
といプラズマ増速によるCVD膜を使用する場合にもます
ます困難になりつつある。第１図は、ICステップで、そ
の内部で導電層11の如き第一番目の膜が、部分的に完成
した集積回路（図示せず）の現存ステップ上に形成され
終って二酸化シリコンの如き層間誘電層12の蒸着を受け
ている場合の典型的な断面を示したものである。以上の
操作は第二レベルの導電層（図示せず）を形成する準備
として行われるものである。蒸着する活性ガス分子の平
均自由行程がステップ寸法と比較して長い場合には、
（また急速な表面移動が見られない場合には）ステップ
の底部13、側部14、および頂部15における蒸着率はそれ
に伴う到達角に比例する。
底面到達角は溝の深さと幅と関数であるから、溝の底部
13に蒸着した層の厚さは側部14における層厚よりも小さ
くなる傾向があり、後者自身は、今度は頂部15における
層厚よりも小さくなる傾向がある。蒸着工程において使
用される圧力を増大すると活性ガス分子の衝突率を増加
させ平均自由行程を減少させることになろう。このた
め、到達角の有効寸法が大きくなり、溝の側壁14と底部
13における蒸着率が大きくなることになろう。然しなが
ら、第2A図についてみるように、このことは同時にステ
ップ隅部16における到達角とそれに伴う蒸着率を大きく
することになるだろう。幅広い溝により隔離されたステ
ップのばあいには、その結果得られた内側に傾斜した薄
膜の形状とそれに関連した突起17は理想的な被覆度に満
たないものしか与えない。
にもかかわらず、膜の形は従来の平面化技法を用いて平
面形にすることができ、（続く第二レベルの導電層の形
成を容易にする。）逆に、ステップが、例えば高密度の
256キロビットVLSI構造において狭い溝によって隔離さ
れている第2B図についてみると、隅16における大きな蒸
着率がボイド18を包囲している。該ボイドは続く平面化
作業によって露出され、第二レベルの導体が該ボイドを
貫通し該ボイドに沿って走り、導体とデバイスが該ボイ
ドに沿ってショートすることを可能にする。かくしてプ
ラズマ補助によるCVD技術の現在の状況は、以下のよう
に要約することができよう。プラズマ補助によるCVD反
応炉はほぼ300〜400オングストロームの最大蒸着率を与
える。しかしながら、将来のプラズマ蒸着技術の必要を
満たす上で、例えば、プラズマCVD窒化物膜における高
い水素不純物水準を除去もしくは減少させる問題とか、
小寸法のVLSIデバイスの形状に相似的なステップ被覆度
と有効な平面化を達成する際の困難さといった種々の問
題が存在する。
将来のプラズマ蒸着技術の成功のための条件は幾つかあ
る。低水素のシリコン窒化物を形成する能力と、ステッ
プ被覆度と平面化するうえでのステップ形状の条件につ
いてはすでに触れた。その他に、低水素含有の酸窒化物
膜と共にレベル間にプラズマ酸化物膜を形成する能力が
望まれる。酸窒化物膜は、酸化物と窒化物と異なった誘
電特性を持ち、揮発性および不揮発性IC技術の双方にお
いてゲート誘電体として使用されている。更に、珪化
物、アルミニウム、耐熱金属の如き材料を相互接合し金
属化する能力を備えることが望まれる。ますます、殊に
多レベルマスク導体と誘電体構造が実施されると、ウエ
ハを室から取除かずに単に反応ガス反応と作業条件を変
えることによって多数の行程を行うことができるような
現場工程を備えることが望まれることになる。以上の後
者の論点は以下の二つの例によって実証される。
まず、パッシベーション層としてシリコン窒化物を使用
する場合を考えてみよう。すでに述べたように、高温キ
ヤリヤの問題を除去するためには低水素含有の窒化物が
望ましいが低水素窒化物膜は高度に応力を加えられる虞
れがある。低水素窒化物のパッシベーション層を使用す
ることができる一つの方法は、まず珪酸燐ガラス（PS
G）を使用して応力を緩和して、その後、低水素含有の
窒化物を蒸着させることである。明らかに、処理能力は
増大し、もし以上の二つの蒸着行程を同じ反応炉内で行
うことができるならば欠陥密度は減少することになろ
う。
第二の例は、アルミニウムを使用することに関するもの
である。それに関連する問題点が幾つかあるにもかゝわ
らずスパッタ蒸着によるアルミニウムが、相互接合材と
して好ましい金属といえる。例えば、純粋のアルミニウ
ムはエレクトロマイグレーションを蒙り、そのために割
れ、ボイド等が発生する危険がある。また、アルミニウ
ムは、絶縁層を貫通するような柱状物を形成するおそれ
がある。アルミニウムを銅によってドーピングしてエレ
クトロマイグレーションを減らすことができるが、銅自
体はエッチングすることが非常に困難である。もっと良
い解決策は、アルミニウム／タングステン／アルミニウ
ムによる多層構造を形成することである。
更に、処理能力は、化学蒸着法を使用して以上の三層を
同じ反応炉内で蒸着させることによって大きくすること
ができよう。恐らく、何よりも重要なのはCVDアルミニ
ウムがスパッタ蒸着によるアルミ膜よりもずっとすぐれ
たステップ被覆度を有するということであろう。更に、
高密度の複雑なプロセス感度を備えた現在および将来の
集積回路構造を実施するうえでウエハをカセットから降
ろし処理室内へ入れて処理後に該ウエハをカセットへも
どすという両方の目的のために自動的にカセット間にウ
エハを取扱うことのできるプラズマ蒸着技術を有するこ
とが求められているし、また将来も求められるであろ
う。最後に、搭載ロック機構を使用することによって処
理能力と粒子の制御は補助されることになろう。搭載ロ
ック機構はポンプ作業時間と処理時間を減らすだけでな
く、非常に脆いVLSIの構造を汚染物質にさらす危険を小
さくする。
発明の目的 先に論じたところに従うと、本発明の目的は、誘電体膜
および金属膜および半導体膜の高率プラズマ蒸着のため
の装置と方法を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、同じ処理室内における多数
行程からなる処理順序の一部としてすでに述べた高率の
蒸着法を提供することである。
本発明の更にもう一つの目的は、ステップ構造の如き種
々の集積回路形上に相似形の薄膜被覆を形成するための
装置と方法を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、相似被覆と平面化を形成す
る能力の如き薄膜特性を選択的に最適にする目的で表面
にプラズマ蒸着とエッチングを同時に行うための装置と
方法を提供することである。
上記ならびにその他の目的は、磁界を付与してプラズマ
化学蒸着を補助し増速することによって達成される。磁
界を作業面に対して平行に付与する方法は、マグネトロ
ン固体スパッタリング技術と気体化学反応によるエッチ
ングにおいて効率的であるということが知られている
が、以上の方法は以前に気体化学による蒸着には応用さ
れていなかった。気体化学反応プロセスにおいて必要と
される低圧は、従来、低濃度のプラズマ反応ガス種と、
従ってそれに応じた低い蒸着率しかもたらさない。しか
しながら、我々は、今回磁界をプラズマCVD技術と結合
して適当に使用すると、非常に高い蒸着率の高密度で品
質の高い膜が、非常に低圧で低い基体温度でしかも優れ
た均質度でもって得られるということを発見した。同技
術は、高い蒸着率で低水素含有シリコン窒化物膜を形成
することを含めて、広範囲の金属、絶縁体および導体膜
組成物の蒸着に適用でき、相似膜の形成に無類に適して
いる。
ある特定の面から見ると、本発明は基体を真空処理室内
の陰極上に配置し、該陰極に隣接した反応ガスプラズマ
を確立し更に陰極に対してほぼ平行に室内に均一な磁界
を付与し電子の運動を封鎖し基体面に隣接する電子密度
を増大させることによって反応ガスプラズマから吸着さ
せることによって基体上に選択した膜を形成する方法に
具体化されている。
別の面では、本発明は、真空処理室内に基体を支持する
電極を備え、室内を排気し、該室内へ反応ガスを導入
し、高周波電力を室に付与し、蒸着気体からプラズマを
発生させ、更に変化する磁界を陰極に対してほぼ平行に
室に付与し、基体面が反応ガスプラズマと選択的化学反
応を行うようにすることからなるプラズマ蒸着法に関す
る。
更に別の面からみると、本発明は、磁界補助式真空蒸着
反応炉で、反応ガスを室内に供給するために装着した気
体入口を備えた真空室と、基体を支えるために設けた少
なくとも一つの面を備えた該真空室内の電極と、出口を
介して該真空室内を排気するための真空手段と、反応ガ
スから蒸着プラズマをつくり出し、基体面上に蒸着させ
るための電極に操作上接続された電源と、処理室内に指
向性磁界を与えるような形をして、基体に隣接して蒸着
ガスプラズマ反応ガス分子を濃縮し蒸着ガスプラズマか
らウエハ面上に衝突するイオンの運動エネルギーを制御
するための磁界発生手段とから成るものに関する。
本発明の以上の、またその他の局面を以下、図面と相俟
って説明する。
第３図は、本発明に従って構成したマグネトロン反応系
統30である。同系統30は、円筒形のステンレススチール
製の真空室31を備え、該室１内に帯状の陰極組成体32が
取付けられる。該陰極32は真空室31内に絶縁式に取付け
られ、取付柱33−33を隔離することによって該室31から
絶縁されている。望ましい態様の場合、陰極32は、中心
軸部分34と内側端部の反射板部分36−36から構成されて
おり、それらはアルミニウムその他の導電性の非磁性材
料から構成される。外側端部分37−37はMaycor （登録
商標）の如き絶縁材料により構成される。プラズマ作業
で行うためにRF電源と負荷整合網を備えるRF電源系統38
により給電され、それは、絶縁給電線39により陰極32に
接続される。
反応ガスはガス供給系統から入口シヤフト42を介して一
つもしくはそれ以上のガスアニホルド環41により真空室
31に加えられる。本系統は配管42を経て吸入マニホルド
環41にガスを供給する一連のガス貯蔵タンクもしくは容
器43−43を備えている。
同様に第４図に示した陰極34と吸入マニホルド環41の断
面図についてみると、例えばクリップの如き手段44によ
って陰極側部に半導体ウエハが位置決めされる。（ある
いは陰極内の凹所（図示せず）内に取付けもしくは保持
してもよい。）望ましい態様の場合、それぞれのウエハ
もしくは基体５に対してガス環41が設けられる。その代
りとして、該ガス環を陰極上に取付けることもできる。
ガス環41の直径は、それと関連する基体５の径よりも僅
かに大きく、ガス環の開口46は、リング内側方向へ形成
されているため、マニホルドは反応ガスを僅かな角度で
基体上へ向けることになる。このため、ガス環を経由し
て該ガス環とウエハと整合した室壁内の排気口47へと均
一なガスの流れが基体面を横切りかつ基体から去るよう
に供給されることになる。排気口47は真空バルブとルー
ツ型送風機を経て機械式ポンプ（図示せず）に接続され
る。以上の配置のために反応ガスによる基体の均一な被
覆と処理が容易になる。以上の配置によってまた、相対
的に冷たい内側室壁上に、基体上に汚染物質として再蒸
着される虞れがある沈着物質を形成する反応室の固有の
傾向もまた減殺されることになる。ノズルや開口の付い
た平坦状マニホルドの如きその他の入口手段を使用する
こともできるが、環形のものが均一なガス分布と室壁に
物質が沈着する傾向を抑止するという点からも望まし
い。系統の制御は圧力制御系統と直流モータを介して作
動し送風機の速度を制御する容量型圧力センサを介して
行われる。
第３図には図解しやすくするために一個の基体５、吸入
マニホルド41と排気口47だけが示されているけれども、
実際には第４図に示すようにそのうちの何れも２個（も
しくはそれ以上）使用することが望ましい。それらの使
用数は具体的に陰極32を取付ける場合に利用できるスペ
ースもしくは面の数による。典型的な場合としては陰極
は第３図と第４図に示すように二辺形から多角形であ
る。しかしながら、以下に述べるように、室内の磁界は
均一であり、その結果、その他の形の電極も使用するこ
とができる。
本系統30は、室温で、即ち、蒸着反応以外の手段で、基
体５を加熱しないで膜を蒸着させる働きを行う。しかし
ながら、第４図の断面図に示す通り、ある作業態様にお
いては、陰極体34はその内部に例えば電気抵抗フイラメ
ントの如き加熱手段52を備え、基体５を均一に加熱し膜
質を向上させる。最大限の加熱条件である250℃はプラ
ズマCVDにおいて使用される温度よりも低い。RFエネル
ギーを使用して基体支持材と基体を加熱することもでき
よう。例えば、窒素ガスの如き冷却液体もまた陰極体34
の内側に供給して基体温度の制御を容易にすることがで
きる。
典型的な場合として銅製コイル（図示せず）により形成
した電磁石54−54が真空室31周辺の頂部と底部付近に周
辺を取り巻くようにして位置決めされる。
該電磁石は、コイル電流を逆転することによって反転し
うるＮ極Ｓ極を構成する。殊に、室寸法とコイルはヘル
ムホルツ形状をしていて、直立材56−56を取付けること
によって正確に維持されるコイル間隔はコイル径のほぼ
２分の１となる。この形状の場合、電磁石は真空室の径
断面のほぼ全体にわたって均一な磁界を形成することに
なる。矢印Ｂ−Ｂにより示した平行な磁界線は円筒軸に
対してほぼ平行となる。陰極34と基体５をシリンダ軸に
対して平行に位置決めする場合（陰極は磁界線に対して
透過性をもつ）、磁界線は基体面に対して平行に形成さ
れる。
第４図と第５図について述べると、反応炉系統30の蒸着
作業中、選択されたガスが配管42を介してタンク43−43
から、また、そこから入口環マニホルド41を経て排気ポ
ンプ系統により排気される反応室30へ導入される。
電源38からRF電力を印加すると、低圧の反応ガス放電も
しくは電子、イオンおよび電離したガス種のプラズマが
基体５付近につくり出される。第５図に略示するよう
に、正電位のプラズマから電極部分34の表面方向へ向か
いプラズマシールドもしくは暗空間を横切って電界Ｅが
形成される。この電界はさやを横切り電極面から去る方
向に電子を加速し、正イオンをさやを横切り電極34方向
に加速する。同時に、基体５に平行にかつ電界に垂直に
均一な磁界が真空室に加えられる。電子が陰極34から陽
極31へ容易に移動することを磁界線が妨げるように、電
子は、磁界線によって封鎖される。同様にして、磁界と
電界は、×ドリフト速度を電子に付与するためにそ
れらは陰極面に沿い点間をドリフトしジャンプする傾向
をもつことになる。電子は陰極と基体に沿い正味ドリフ
ト速度を有する帯板内に集中する。×ドリフト速度
は、端部反射器36−36と相俟って電子をプラズマ内部に
とじ込める傾向を有する。電子を閉じ込める磁界の影響
の理論と解説はすでに知られている通りである。しかし
ながら、この原理を化学蒸着法に応用することはこれま
でまだ行われてはおらず、またそれが非常に低い系統圧
（最高ほぼ200ミリトル）（それが磁気補助式プラズマ
系統に固有の制約となっている）のもとで非常に高い蒸
着率で行うことができるという点についても今日、何ら
示唆されていない。
電子の密度数、従って基体５で反応させるために利用で
きる反応ガス分子の密度を増大させるうえで磁界と反応
炉30が驚く程有効であるという点については第6A図ない
し第6C図に明示されている。これらの数字は、異なる値
の磁界のもとで窒素プラズマ中に存在する活性窒素ガス
分子の分光反応の強さを示すものである。何れの場合に
も窒素プラズマは200ミリトルの圧力と500ワットのRF電
力とを用いて形成された。磁界の強さは、第6A図、第6B
図、および第6C図についてそれぞれ0G（ガウス）、125G
および250Gであった。0G、125Gと250Gの磁界値の場合に
窒素の分光強度を均等にするために必要とされた6.66、
3.02および1.6の計数逓減率は、それぞれ、利用できる
活性窒素ガス分子が第6A図に示した基礎値を超えて磁界
の増大に比例して増加したということを示唆している。
活性窒素ガス分子の使用する可能性が大きくなるとシリ
コン窒化物とシリコン酸窒化物を蒸着させるためにアン
モニアを使用せずとも窒素ガスを使用することができ
る。プラズマ窒化物／酸窒化物蒸着用に窒素を使用する
ことが望ましいのはそれが比較的低水素含有の膜を提供
することができるからである。しかしながら、窒素は相
対的に不活性であるため、従来プラズマCVD蒸着法にお
いては承認できない程の低さの蒸着率しか与えなかっ
た。そのため、窒化物／酸窒化物蒸着用には、そのため
に高水素含有の膜となるにもかゝわらず、アンモニアNH
3が使用されている。我々の知る限り、マグネトロン増
速プラズマによる蒸着法は、優れた膜質と相俟って低水
素含有膜と高蒸着率を与えてくれる唯一の気体化学反応
法である。
本発明のもう一つの利点は、低圧下での高い蒸着率と、
工程を最適にするうえでの可変磁界の利用可能性に関し
ている。これらは、例えば、第７図に示したシリコン窒
化物蒸着曲線71、72に示されている通りである。曲線7
1、72のデータ点は、それぞれ10％SiH4/90％N2と50％Si
H4/50％N2の流量比を用いて描かれた。使用した低い10
ミリトル圧にもかゝわらず、非常に高い蒸着率が得ら
れ、１分あたり０〜5,000オングストロームの蒸着率
は、それに関連する磁界範囲０〜500ガウスの漸近関数
となった。
第８図についてのべると、曲線81は、反応ガス流全体の
関数としてシリコン窒化物の蒸着率をプロットしたもの
である。この数字は、低圧のもとで反応ガス流の関数と
して高い蒸着率が得られるということを示すものであ
る。第８図のデータは50％SiH4/50％N2ガス流と10ミリ
トルの低圧を使用して500ワット、250G、300℃のもとで
得られたものである。１分あたりほぼ4,000オングスト
ロームの最大蒸着率は、ほぼ150SCCMの総ガス流量の場
合に達成され、１分あたり０〜4,000オングストローム
の蒸着率の範囲は反応ガス総流量範囲０〜150SCCMと関
連している。
マグネトロン増速プラズマ補助式本CVD技術のもう一つ
の有利な面は、圧力と関わりなく低い直流バイアスでし
かも蒸着膜内に欠陥密度が低い（先に述べた）高い蒸着
率を得ることができるという点である。以上の点を説明
するには、まず低い直流バイアスの結果イオン衝撃エネ
ルギーが相対的に低くなることは、基体と膜の欠陥密度
が低くなる結果をもたらすことになるという周知の事実
を考えられたい。
更に、磁界の関数としての直流バイアスに関する第９図
の曲線91は、（磁界を加えることにより生ずる）系統30
のバイアス電圧が磁界が増大するにつれてＢ150ガウ
スの場合相対的に一定の値にまで低下するということを
示している。かくして、高い蒸着率（第７図参照）を得
るために磁界を増すとそれに伴って直流バイアス電圧レ
ベルが低下し低欠陥の密度を得ることができるという利
益も得ることができる。更に、50、100、250および500
ガウスのもとでの圧力の関数として直流バイアスを描い
た第10図と第11図の曲線101、102、103、104は直流バイ
アスが調査した室圧範囲にわたって相対的に一定となる
ということを示している。そのため、本反応炉系統30と
蒸着技術により得られる相対的に高い蒸着率は低い直流
バイアスのもとでしかも低欠陥密度と共に得られ、圧力
から相対的に独立なものとなる。このことは高圧が望ま
しくないような状況において低圧を使用することを可能
にするものである。
蒸着 本発明により得られる高い蒸着率は、優れた膜質と優れ
た相似性を伴うものである。高品質の膜を得るために設
備設計に永久磁石を使用することができるが、特定の膜
その他の条件に合致した蒸着条件を作る能力を得るうえ
では電磁石54、55により得ることのできる可変磁界が重
要である。
以上の蒸着方法を実証するための実験計画が作成され
た。上述の一般的方法と後掲第１表に示したプロセス変
数を用いて単結晶シリコン膜上にシリコン窒化物（Six
Ny）、シリコン酸窒化物（SixOy Nz）、および二酸化シ
リコン（SiO2）が蒸着された。二つの異なる寸法の反応
炉30を使用したが結果は同じであった。その両方ともヘ
ルムホルツ磁石形を使用した。最初の反応室は径が12イ
ンチ、高さ12インチ、磁石寸法は径内がほぼ12インチで
６インチの間隔であった。第二番目の反応室30は、内径
が18インチ、高さ15インチで、磁石は内径がほぼ18イン
チ、間隔がほぼ９インチてあった。
先に述べた通り、アンモニアNH3を使用せずにSiH4/N2を
用いてシリコン窒化物膜が形成された。それぞれSiH4/N
2OとSiH4/N2Oを使用してシリコン酸窒化物と二酸化シリ
コンが形成された。酸窒化物蒸着には等流量のN2および
N2Oが使用されたが、当業者は酸窒化物組成を制御する
ために流量比N2/N2Oを変化させることができるというこ
とが理解できるはずである。
膜は下記の通りの特徴を備えることになった。すなわ
ち、楕円偏光測定器を用いて屈折率（Nf）を測定するこ
とによって膜の化学量の表示が得られた。膜厚は四点探
触測定法を用いて判定された。該膜厚値はその後、蒸着
するごとに蒸着率を得るために用いられた。膜応力の値
は蒸着後ウエハの正味曲率半径を測定することによって
判定された。同様にして膜は25℃の緩衝弗化水素（BH
F）エッチング溶液（13:2NH4:HF）中でウエットエッチ
ングされて膜密度と品質に関する間接的な評価を得た。
シリコン窒化物／二酸化シリコンの場合のそれぞれ一分
あたり約50/900オングストロームに及ぶ相対的に低いBH
Fエッチング率は、一般に高品質で高密度の膜を示すも
のと考えられる。
表２について述べると、蒸着されたシリコン窒化物、シ
リコン酸窒化物、および二酸化シリコン膜の場合、測定
された屈折率と膜組成値は十分に承認可能な範囲内にあ
る。
原子核反応とIR分析もまた、シリコン窒化物膜について
５〜13％という低い水素含有値を示した。更に、１分あ
たり20〜70オングストロームのBHFエッチング率は、高
密度、高品質のシリコン窒化物膜を表わす１分あたり50
オングストロームと首尾一貫している。１分あたり20〜
70オングストロームのエッチング率は、蒸着されたシリ
コン窒化物膜が非常に高品位で高密度である証拠と解釈
できる。更に、シリコン窒化物膜の付着度は良好であっ
た。シリコン窒化物膜の圧縮応力は１平方センチメート
ルにつきほぼ５×109〜１×1010ダインであった。この
値は、シリコン窒化物膜の高密度、高付着力、低水素含
有量を特徴づけるものであると考えられている。最後
に、蒸着実験は、電力を上げて補助加熱の不足を補償す
ることによって室温において良質のシリコン窒化物膜を
蒸着させることができるということを示している。30m
トル以下の圧力と、400ワット以上の電力水準の場合、
約100℃以下で高品質の膜が得られた。同様に、約100℃
以上で膜の高い品質はプロセス変数範囲にわたって温度
に対して不感応であった。
シリコン酸窒化物の場合、１分あたり400オングストロ
ームのエッチング率は、高密度膜に関する酸素含有量に
応じた１分あたり多分1,000〜2,500オングストロームの
値と比較しても更に相対的に低く、膜が高品質で高密度
であるということを再び示唆するものとなっている。蒸
着率は１分あたり1,000〜5,000オングストロームであっ
た。水素含有量は低く、約３〜８％で付着度は優秀であ
った。膜は割れやしわを示すことがなかった。
最後に、蒸着された二酸化シリコン膜は、１分あたり約
1,040〜1,140オングストロームのエッチング率を示し、
良質の高密度膜であることを示している。良質の加熱シ
リコン酸化膜（ゆっくりと形成され、長時間約800〜900
℃の比較的高温にIC構造をさらすことが必要である）の
BHFエッチング率は１分あたり約900オングストロームで
あるということは注目するに値する。本発明によるマグ
ネトロン増速プラズマ酸化物膜の熱酸化膜の質は低温と
極度に短い蒸着回数で得ることができる。（それは、１
分あたりほぼ1,000〜5,000オングストロームという非常
に高い蒸着率によるものである。）その結果、現在のIC
構造は、熱シリコン酸化物膜を形成する場合のように、
長時間高温にさらされることはない。
更に、シリコン酸化物膜の場合、膜は圧縮された。圧縮
応力値は１平方センチメートルにつき（4.5〜7.5）109
の範囲内にあって、全体的に膜割れやしわはみられなか
った。処理圧力がほぼ５ミリトルを下廻る場合に膜割れ
が幾分みられ、約50ミリトルの場合に気相反応の証拠が
みられたということに注意されたい。最初の問題点は磁
界を調節することによって避けることができるが後者は
室形状、重力および流量の関数となる。
窒化物、酸窒化物、および酸化物膜の場合の１分間あた
り約1,000〜5,000オングストロームの蒸着率範囲は磁界
強度とガス流量の関数となり、磁界値と（もしくは）ガ
ス流量が高ければそれだけ高い蒸着率が得られるという
点に注意されたい。更に、今日まで行われた研究は5,00
0オングストロームの最大値は上限値ではないというこ
とを示している。実験データは、所与の圧力のもとで磁
界を強化したりガス流量を増加させると更に高い良質薄
膜の蒸着率が得られるということを示唆している。
相似ステップ被覆 上記の通り、小寸法の高密度の形状上に相似の平面状の
薄膜を形成することができることは今日および将来のIC
蒸着技術によってすこぶる重要である。マグネトロン増
速プラズマによるシリコン窒化物と二酸化シリコンの薄
膜の相似性と平面度の質を調査する実験計画が作成され
た。第12図についてのべると、線幅が0.5〜２ミクロ
ン、ステップの高さが１ミクロンとして形成され1.5〜
２ミクロン幅の溝により隔離されたステップ状のシリコ
ン導体膜121上に１ミクロンの厚さの酸化膜と窒化物膜1
22が形成された。反応炉30は上に述べた方法に従って使
用された。シリコン窒化物とシリコン酸化膜を蒸着させ
るために表１の蒸着変数が用いられた。更に、NF3もし
くはCF4のエッチングガスを蒸着ガスと同時に室内に加
えることによってシリコン酸化膜が形成された。エッチ
ングと蒸着のプロセスの双方とも底壁123と側壁124上で
緩慢に進行する。そのため、相似膜の形成を増進するた
めに、すなわち、異なる面上における蒸着率の相異を相
殺することによって、したがって底部123、側壁124およ
び側面125上の膜厚を等しくすることによってステップ
被膜外形を制御するために蒸着と同時にエッチング法が
用いられた。それは蒸着率を制御するためにも使用され
た。
ステップ被覆率はSEM（走査電子顕微鏡写真図）を用い
て特徴づけられた。
第12図の、得られた蒸着シリコン窒化物膜およびシリコ
ン酸化膜122の略図に示す通り、ステップ被覆度は
（１）型の薄膜と（２）型の薄膜の両方とも全く相似的
であった。初期の２ミクロン成長過程では、底部123、
側壁124および頂面125における膜厚は点線126により示
した通り等しかった。従来のプラズマ蒸着膜に関係があ
るような底面の突起とボイドはみられなかった。要する
に、ステップ間の間隔が密接しているにもかゝわらず、
相似形のシリコン窒化膜と二酸化シリコン膜が得られた
わけである。その後、膜蒸着が継続されるにつれて、殆
んど平坦状のプレート状の上面127が形成された。
観察された均一な膜厚は高い表面移動度の結果であると
考えられる。所与の条件の場合のピーク間電圧と直流バ
イアスは、磁界を用いると零の磁界の場合よりも低いの
が典型的であり、その結果、基体５に衝突するイオンの
平均エネルギーも（基体と薄膜の欠陥密度と共に）同様
に低かった。にもかかわらず、基体面に到達する活性化
学ガス分子の非常に高い分子密度は、薄膜を均一に成長
させる高い表面移動度をもたらすものと考えられる。相
似ステップ被覆もまた促進される、すなわち、ステップ
の頂部、底部および底部上に均一な厚さの薄膜を形成す
る傾向は、圧力が少なくとも約５ミリトルの値まで低下
するにつれて増加する。圧力が変化することによって現
場で薄膜を物理的にスパッタリングすることにより蒸着
される膜の外形を制御することができる。基体面に到達
するガス分子の平均自由行程は圧力とともに変化し、低
圧のもとでより非指向的となり、物理的現場スパッタリ
ングによるステップ被覆のエッジと頂部上の膜厚を減少
させる。
先に論じた種々の変数を使用して膜成長度を制御する他
に、磁界を変化させることによって相似形被覆と各種膜
特性、膜応力を制御することができる。窒化物膜中の応
力に対して磁界の変化が及ぼす影響は、すでに調査済み
である。低周波磁界（約50〜450キロヘルツ）は、典型
的な場合付着度を増進させると共に、高周波磁界（約13
〜27メガヘルツ）の場合よりも高い膜応力を与えた。低
い応力の良好な付着度をもった窒化物膜は、低周波磁界
を用いて蒸着を開始し、その後高周波磁界に切換えるこ
とによって得られた。低周波数による最初の蒸着は下層
材質に対して優れた付着力を与えるが、応力は膜厚にも
とづいた加重平均となる。応力利得は初めに高周波を使
用し次いで低周波磁界に切換えることによって得ること
を期待できるが、その場合には恐らく付着力が若干低下
することになろう。
高周波磁界と低周波磁界を混成して加えることによって
もまた窒化物膜の付着度と応力は最適にされた。この場
合にも、良好な付着度が得られ、応力は電力にもとづく
加重平均となった。
上述のステップ被覆処理によって示唆した如く、マグネ
トロン増速プラズマによる膜と関連する高い蒸着率と、
蒸着とエッチングを同時に行い気体化学反応を変化させ
ることによって蒸着から反応イオンエッチングに変化さ
せることができるために、厚い誘電体の窒化物もしくは
酸化物の膜を成長させるという単純な方法により、また
更に同一平面化することが望まれる場合には、エッチン
グガスの組成に変え膜をなめらかなプレート状の頂面に
エッチングしもどすことによって同一平面化は容易に実
行することができる。
当業者は、反応室30に課せられる種々の要求の代わりと
なるものを可変磁界、高周波電力、圧力、流量および温
度によって与えられる工程の融通度を活用するために実
行することができよう。反応室30が平行なプレート電極
形や単一もしくは二重の基体とガス吸入マニホルドの構
成に限定されるものではないことは確かである。磁界が
反応室の径断面にわたってほぼ均一であるために、基体
を磁界に対して平行に配置するものであればどのような
陰極構成も使用できる。以上の構成は多数の面をもった
多角形の陰極構成一般を含むことになろう。その他に、
ガス分布特性と冷却特性の双方を備えた調節式陽極を使
用することができる。
先に述べたように、現在および将来のIC蒸着技術の必要
条件は、ステップ被覆（形）を制御して欠陥密度、粒子
密度、ピンホール密度の低い高品質膜を、小さな床面積
しかとらず多数ステップを現場処理することのできる能
力を備えた自動化されたカセット間搭載ロック系統内で
高収量にて蒸着することのできるという条件を含むもの
である。上述のマグネトロン増速プラズマ室と工程は、
以上の目的を達成するうえで必要な基本的条件である低
圧、単一ウエハ搭載、基体に制御可能な低イオンで衝突
させること、固有の高品質性、および工程の選択可能性
といった条件を満たすものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、ステップ状の面上に例えば誘電体の如き材料
層を蒸着させる到達角を表わす集積回路の概略図断面
図、 第2A図および第2B図は、溝幅が平面化に及ぼす影響を描
いた第１図に類似の概略断面図、 第３図は、本発明の原理に従って構成されたマグネトロ
ン反応系統を示す部分的に破断し且つ部分的に略示した
斜視図、 第４図は、第３図の反応炉の断面図、 第５図は、電極面に隣接する電子を閉じ込める磁界線を
略示した第４図の断面図の部分拡大図、 第6A図、第6B図および第6C図は、異なる磁界値のもとで
プラズマ内に存在する活性窒素分子の分光反応の強さを
示した図、 第７図および第８図は、第３図の反応炉の選定作業条件
の場合に磁界と総反応ガス流量の関数としてのシリコン
窒化物蒸率着を示すグラフ図、 第９図は、第３図の反応炉系統の選定作業条件の場合に
磁界の関数として直流バイアスを描いたグラフ、 第10図および第11図は、第３図の反応炉系統の選定作業
条件の場合に圧力の関数として直流バイアス電圧を描い
たグラフ、 第12図は、第１図と同じやり方で集積回路の表面形状の
断面図で、第３図の反応炉系統を使用して蒸着された酸
化物と窒化物の膜の相似度、平面度を描いた図である。 ５……基体、30……マグネトロン反応系統、31……真空
室、32……陰極、33−33……取付柱、34……中心軸、36
−36……反射板、38……RF電源系統、41……吸入マニホ
ルド環、43−43……ガス貯蔵タンク、47……排気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイヴイツド ニン コー ワン アメリカ合衆国 カリフオルニア州 95014 クーパーチノ サンタ テレサ ドライブ 10931 (72)発明者 サツソン ソメク アメリカ合衆国 カリフオルニア州 94065 レツドウツド シテイ コムパス ドライブ 524 (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国 カリフオルニア州 94022 ロス アルトス ヒルズ ムリエ ツタ レーン 12000 (56)参考文献 特開 昭57−56036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−161057（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−200956（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−9577（ＪＰ，Ａ)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】実質的に平坦な基体上に膜を付着させるた
    めのプラズマ反応炉において、反応ガス混合物を室内へ
    導入するためのガス入口を有した真空室と、該真空室内
    に取り付けられ、実質的に平坦な面を有し、RF電力源か
    らRFエネルギを受けて前記ガス混合物をプラズマ状態へ
    と励起し、該プラズマとの間に電界を作り出す電極と、
    前記基体を前記電極の前記面と平行に且つそれに近接さ
    せて取り付け、前記電界が前記基体の平面と垂直となる
    ようにする手段と、前記基体と平行で且つ該基体での電
    界に対して垂直である磁界を発生する磁石組立体とを備
    えており、前記磁石組立体は、等しい直径を有し且つ前
    記基体の横方向における対向端で互いに平行に配置され
    た第１および第２の環状の電磁石コイルを備えることを
    特徴とするプラズマ反応炉。
  2. 【請求項２】前記電極の対向端に隣接して取り付けられ
    且つ前記電極の面に対して垂直な向きとされた第１およ
    び第２の反射板を備え、該反射板は、導電性で非磁性の
    材料で形成されている特許請求の範囲第（１）項記載の
    プラズマ反応炉。
  3. 【請求項３】前記磁石組立体は、所望の磁界強度を選択
    できるように、前記電磁石コイルへ供給するための電流
    量を調整できる第２の電力源を備えている特許請求の範
    囲第（１）項記載のプラズマ反応炉。
  4. 【請求項４】前記磁石組立体は、前記電磁石コイルへ供
    給するための交流電流の周波数を調整できる第２の電力
    源を備えている特許請求の範囲第（１）項記載のプラズ
    マ反応炉。
  5. 【請求項５】前記第１および第２の電磁石コイルは、前
    記直径にほぼ等しい距離だけ離間されている特許請求の
    範囲第（１）項記載のプラズマ反応炉。
JP60239253A 1984-10-25 1985-10-25 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉 Expired - Lifetime JPH0696768B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US664657 1984-10-25
US06/664,657 US4668365A (en) 1984-10-25 1984-10-25 Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6147307A Division JPH07166360A (ja) 1984-10-25 1994-06-29 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61179872A JPS61179872A (ja) 1986-08-12
JPH0696768B2 true JPH0696768B2 (ja) 1994-11-30

Family

ID=24666897

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60239253A Expired - Lifetime JPH0696768B2 (ja) 1984-10-25 1985-10-25 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉
JP6147307A Pending JPH07166360A (ja) 1984-10-25 1994-06-29 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6147307A Pending JPH07166360A (ja) 1984-10-25 1994-06-29 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4668365A (ja)
EP (2) EP0179665B1 (ja)
JP (2) JPH0696768B2 (ja)
DE (1) DE3587964T2 (ja)

Families Citing this family (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US5780313A (en) 1985-02-14 1998-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
US6786997B1 (en) 1984-11-26 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JPH0752718B2 (ja) * 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US4797527A (en) * 1985-02-06 1989-01-10 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Electrode for electric discharge machining and method for producing the same
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US5512102A (en) * 1985-10-14 1996-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US4949671A (en) * 1985-10-24 1990-08-21 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US5300951A (en) * 1985-11-28 1994-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Member coated with ceramic material and method of manufacturing the same
US5366554A (en) * 1986-01-14 1994-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
US4974543A (en) * 1986-02-28 1990-12-04 Xerox Corporation Apparatus for amorphous silicon film
US4873605A (en) * 1986-03-03 1989-10-10 Innovex, Inc. Magnetic treatment of ferromagnetic materials
US4786361A (en) * 1986-03-05 1988-11-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Dry etching process
EP0246453A3 (en) * 1986-04-18 1989-09-06 General Signal Corporation Novel multiple-processing and contamination-free plasma etching system
US5308431A (en) * 1986-04-18 1994-05-03 General Signal Corporation System providing multiple processing of substrates
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
US6103055A (en) * 1986-04-18 2000-08-15 Applied Materials, Inc. System for processing substrates
US5102495A (en) * 1986-04-18 1992-04-07 General Signal Corporation Method providing multiple-processing of substrates
US5044314A (en) * 1986-10-15 1991-09-03 Advantage Production Technology, Inc. Semiconductor wafer processing apparatus
GB8629634D0 (en) * 1986-12-11 1987-01-21 Dobson C D Reactive ion & sputter etching
EP0272143B1 (en) * 1986-12-19 1999-03-17 Applied Materials, Inc. Bromine etch process for silicon
US5215619A (en) * 1986-12-19 1993-06-01 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US5277939A (en) * 1987-02-10 1994-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. ECR CVD method for forming BN films
US4793897A (en) * 1987-03-20 1988-12-27 Applied Materials, Inc. Selective thin film etch process
JPS63244619A (ja) * 1987-03-30 1988-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置
FR2614317B1 (fr) * 1987-04-22 1989-07-13 Air Liquide Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre.
US4912065A (en) * 1987-05-28 1990-03-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma doping method
DE3719616A1 (de) * 1987-06-12 1988-12-29 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats
ZA884511B (en) * 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
US4854263B1 (en) * 1987-08-14 1997-06-17 Applied Materials Inc Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films
KR910007384B1 (ko) * 1987-09-16 1991-09-25 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 초전도 산화물 형성방법 및 장치
WO1989003587A1 (fr) * 1987-10-14 1989-04-20 The Furukawa Electric Co., Ltd. Procede et dispositif de formation de films minces par depot de vapeur chimique au plasma
JP2512783B2 (ja) * 1988-04-20 1996-07-03 株式会社日立製作所 プラズマエッチング方法及び装置
FR2631346B1 (fr) * 1988-05-11 1994-05-20 Air Liquide Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications
JPH0223613A (ja) * 1988-07-12 1990-01-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ反応装置
WO1990004045A1 (en) * 1988-10-14 1990-04-19 Advantage Production Technology Inc. Semiconductor wafer processing method and apparatus
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
DE3902628A1 (de) * 1989-01-30 1990-08-02 Hauni Elektronik Gmbh Duennschichtmaterial fuer sensoren oder aktuatoren und verfahren zu dessen herstellung
US5421891A (en) * 1989-06-13 1995-06-06 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
JPH0784662B2 (ja) * 1989-12-12 1995-09-13 アプライドマテリアルズジャパン株式会社 化学的気相成長方法とその装置
US4971655A (en) * 1989-12-26 1990-11-20 Micron Technology, Inc. Protection of a refractory metal silicide during high-temperature processing using a dual-layer cap of silicon dioxide and silicon nitride
DE4010672A1 (de) * 1990-04-03 1991-10-10 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen
US5186594A (en) * 1990-04-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
CA2039109A1 (en) * 1990-04-23 1991-10-24 David B. Chang Selective emissivity coatings for interior temperature reduction of an enclosure
FR2661688B1 (fr) * 1990-05-02 1992-07-17 Air Liquide Revetement multicouche pour substrat polycarbonate et procede d'elaboration d'un tel revetement.
US5089442A (en) * 1990-09-20 1992-02-18 At&T Bell Laboratories Silicon dioxide deposition method using a magnetic field and both sputter deposition and plasma-enhanced cvd
US5274270A (en) * 1990-12-17 1993-12-28 Nchip, Inc. Multichip module having SiO2 insulating layer
JP3139031B2 (ja) * 1991-02-21 2001-02-26 日本板硝子株式会社 熱線遮蔽ガラス
WO1992020833A1 (en) 1991-05-17 1992-11-26 Lam Research Corporation A PROCESS FOR DEPOSITING A SIOx FILM HAVING REDUCED INTRINSIC STRESS AND/OR REDUCED HYDROGEN CONTENT
DE4118973C2 (de) * 1991-06-08 1999-02-04 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten und Verwendung dieser Vorrichtung
US5212118A (en) * 1991-08-09 1993-05-18 Saxena Arjun N Method for selective chemical vapor deposition of dielectric, semiconductor and conductive films on semiconductor and metallic substrates
US5204138A (en) * 1991-12-24 1993-04-20 International Business Machines Corporation Plasma enhanced CVD process for fluorinated silicon nitride films
JP2791525B2 (ja) * 1992-04-16 1998-08-27 三菱電機株式会社 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜
US5277751A (en) * 1992-06-18 1994-01-11 Ogle John S Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window
US5248371A (en) * 1992-08-13 1993-09-28 General Signal Corporation Hollow-anode glow discharge apparatus
EP0602595B1 (en) 1992-12-15 1997-07-23 Applied Materials, Inc. Vaporizing reactant liquids for CVD
JP2875945B2 (ja) * 1993-01-28 1999-03-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｃｖｄにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
JPH06326026A (ja) 1993-04-13 1994-11-25 Applied Materials Inc 半導体装置の薄膜形成方法
CH687987A5 (de) * 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer.
US5571571A (en) * 1993-06-16 1996-11-05 Applied Materials, Inc. Method of forming a thin film for a semiconductor device
US5851602A (en) * 1993-12-09 1998-12-22 Applied Materials, Inc. Deposition of high quality conformal silicon oxide thin films for the manufacture of thin film transistors
DE69433836D1 (de) * 1993-12-28 2004-07-15 Applied Materials Inc Verfahren zur plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidung von Silizium-Oxynitridschichten
JP3080843B2 (ja) * 1994-08-24 2000-08-28 松下電器産業株式会社 薄膜形成方法及び装置
EP0723944A1 (en) * 1995-01-26 1996-07-31 Optical Coating Laboratory, Inc. Wear resistant windows
JPH08203884A (ja) * 1995-01-31 1996-08-09 Mitsubishi Electric Corp オキシナイトライド膜およびその形成方法ならびにそのオキシナイトライド膜を用いた素子分離酸化膜の形成方法
US5571576A (en) * 1995-02-10 1996-11-05 Watkins-Johnson Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition
US6238533B1 (en) 1995-08-07 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer
US5962923A (en) * 1995-08-07 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches
JP3979687B2 (ja) 1995-10-26 2007-09-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法
US6144544A (en) * 1996-10-01 2000-11-07 Milov; Vladimir N. Apparatus and method for material treatment using a magnetic field
US6113731A (en) * 1997-01-02 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field
JP3343200B2 (ja) * 1997-05-20 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20050272254A1 (en) * 1997-11-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects
WO1999027579A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-03 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US7253109B2 (en) * 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
US6015476A (en) * 1998-02-05 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Plasma reactor magnet with independently controllable parallel axial current-carrying elements
US7378146B1 (en) * 1998-08-05 2008-05-27 International Business Machines Corporation Transparent hard coats for optical elements
US6217272B1 (en) 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
US6328858B1 (en) 1998-10-01 2001-12-11 Nexx Systems Packaging, Llc Multi-layer sputter deposition apparatus
US6579421B1 (en) 1999-01-07 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Transverse magnetic field for ionized sputter deposition
TW455912B (en) * 1999-01-22 2001-09-21 Sony Corp Method and apparatus for film deposition
US6251776B1 (en) * 1999-04-02 2001-06-26 Advanced Micro Devices, Inc. Plasma treatment to reduce stress corrosion induced voiding of patterned metal layers
JP4393677B2 (ja) 1999-09-14 2010-01-06 株式会社堀場エステック 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ
US6372668B2 (en) * 2000-01-18 2002-04-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming silicon oxynitride films
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US20070048882A1 (en) * 2000-03-17 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method to reduce plasma-induced charging damage
US8048806B2 (en) * 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US20020197402A1 (en) * 2000-12-06 2002-12-26 Chiang Tony P. System for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
JP4009087B2 (ja) * 2001-07-06 2007-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
WO2003025971A2 (en) * 2001-09-14 2003-03-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus with coil magnet system
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
WO2004022238A2 (en) * 2002-09-09 2004-03-18 Oster Magnetics, Inc. Apparatus for manipulating magnetic fields
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
US7458335B1 (en) 2002-10-10 2008-12-02 Applied Materials, Inc. Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils
KR101177127B1 (ko) * 2002-11-29 2012-08-24 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 기판의 제조 방법 및 이를 위한 장치
US7422654B2 (en) * 2003-02-14 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
US8470141B1 (en) * 2005-04-29 2013-06-25 Angstrom Sciences, Inc. High power cathode
US7967911B2 (en) * 2006-04-11 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical vapor deposition
WO2007139140A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Tokyo Electron Limited プラズマｃｖｄ方法、窒化珪素膜の形成方法および半導体装置の製造方法
JP2008071982A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 変圧器
US7496423B2 (en) * 2007-05-11 2009-02-24 Applied Materials, Inc. Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots
US20080279672A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080279658A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080292433A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-27 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US8154899B2 (en) 2009-02-10 2012-04-10 Shoto Technologies Llc Portable power supply for laboratory equipment
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
MX345403B (es) 2009-05-13 2017-01-30 Sio2 Medical Products Inc Revestimiento por pecvd utilizando un precursor organosilícico.
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
WO2012029709A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 株式会社島津製作所 非晶質窒化珪素膜およびその製造方法
JP5594773B2 (ja) * 2010-09-30 2014-09-24 国立大学法人九州大学 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US8697198B2 (en) * 2011-03-31 2014-04-15 Veeco Ald Inc. Magnetic field assisted deposition
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US20150297800A1 (en) 2012-07-03 2015-10-22 Sio2 Medical Products, Inc. SiOx BARRIER FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE AND COATING PROCESS
CA2890066C (en) 2012-11-01 2021-11-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
EP2738790A1 (en) * 2012-11-28 2014-06-04 Abengoa Solar New Technologies, S.A. Procedure for preparing one single barrier and/or dielectric layer or multilayer on a substrate and device for the implementation thereof
US9764093B2 (en) * 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
KR102211950B1 (ko) * 2012-11-30 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 의료용 주사기 카트리지 등의 pecvd 증착 균일성 제어
US20160015898A1 (en) 2013-03-01 2016-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9824881B2 (en) 2013-03-14 2017-11-21 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US9564309B2 (en) 2013-03-14 2017-02-07 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
US11066745B2 (en) 2014-03-28 2021-07-20 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US10151025B2 (en) * 2014-07-31 2018-12-11 Seagate Technology Llc Helmholtz coil assisted PECVD carbon source
US9576792B2 (en) 2014-09-17 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of SiN
CN108138316A (zh) 2015-08-18 2018-06-08 Sio2医药产品公司 具有低氧气传输速率的药物和其他包装
US10410857B2 (en) 2015-08-24 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiN thin films
US10006123B2 (en) * 2016-05-10 2018-06-26 The Boeing Company Species controlled chemical vapor deposition
US10580645B2 (en) 2018-04-30 2020-03-03 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) of SiN using silicon-hydrohalide precursors
TWI686106B (zh) * 2019-01-25 2020-02-21 國立清華大學 場發射手持式常壓電漿產生裝置
CN113496869A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 重庆超硅半导体有限公司 一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法
KR20220081905A (ko) 2020-12-09 2022-06-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 증착용 실리콘 전구체
CN122349316A (zh) * 2020-12-15 2026-07-07 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3558348A (en) * 1968-04-18 1971-01-26 Bell Telephone Labor Inc Dielectric films for semiconductor devices
US4155825A (en) * 1977-05-02 1979-05-22 Fournier Paul R Integrated sputtering apparatus and method
GB2009249B (en) * 1977-11-24 1982-06-30 Lysaght Australia Ltd Coating mass controll using magnetic field
US4265729A (en) * 1978-09-27 1981-05-05 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device
DE2941559C2 (de) * 1979-10-13 1983-03-03 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München Verfahren zum Abscheiden von Silizium auf einem Substrat
US4361472A (en) * 1980-09-15 1982-11-30 Vac-Tec Systems, Inc. Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source
JPS5756036A (en) * 1980-09-20 1982-04-03 Mitsubishi Electric Corp Plasma chemical vapor phase reactor
US4487162A (en) * 1980-11-25 1984-12-11 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic apparatus for the separation and deposition of materials
JPS57161057A (en) * 1981-03-30 1982-10-04 Mitsubishi Electric Corp Chemical vapor phase growth device using plasma
DE3280026D1 (en) * 1981-05-29 1989-12-21 Kanegafuchi Chemical Ind Process for preparing amorphous silicon semiconductor
US4512283A (en) * 1982-02-01 1985-04-23 Texas Instruments Incorporated Plasma reactor sidewall shield
IN160089B (ja) * 1982-07-14 1987-06-27 Standard Oil Co Ohio
JPS5944831A (ja) * 1982-09-07 1984-03-13 Toshiba Corp 薄膜堆積方法
US4500409A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter coating source for both magnetic and non magnetic target materials
US4500408A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Apparatus for and method of controlling sputter coating
JPS60200956A (ja) * 1984-03-23 1985-10-11 Anelva Corp 放電反応装置
JPS619577U (ja) * 1984-06-23 1986-01-21 ダイキン工業株式会社 スクロ−ル形流体機械

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61179872A (ja) 1986-08-12
US4668365A (en) 1987-05-26
DE3587964D1 (de) 1995-02-09
EP0179665B1 (en) 1994-12-28
JPH07166360A (ja) 1995-06-27
EP0179665A3 (en) 1989-02-08
EP0179665A2 (en) 1986-04-30
EP0612861A1 (en) 1994-08-31
DE3587964T2 (de) 1995-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0179665B1 (en) Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
US4668338A (en) Magnetron-enhanced plasma etching process
US6143128A (en) Apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof
TWI585834B (zh) A plasma processing method and a plasma processing apparatus
KR100232040B1 (ko) 플라즈마 cvd장치 및 방법과 드라이에칭장치 및 방법
US4599135A (en) Thin film deposition
KR100274306B1 (ko) 에칭방법
US6036878A (en) Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna
KR100672101B1 (ko) 개선된 피처 표면 커버리지를 향상시키는 구리 시드층을증착시키는 방법
JPH0740569B2 (ja) Ｅｃｒプラズマ堆積方法
US5880033A (en) Method for etching metal silicide with high selectivity to polysilicon
KR20140037202A (ko) 산화물 표면 대신 베어 실리콘 상의 폴리머 막들의 선택적 증착
CN100564590C (zh) 具有侧壁磁体的感应等离子体系统
US4461237A (en) Plasma reactor for etching and coating substrates
JP2003243378A (ja) 解離及びイオン化の空間的制御のためのプラズマ処理装置
JPH08236513A (ja) プラズマ中で基板をエッチングする方法
JPH09312297A (ja) 薄膜のプラズマアニール
JPS6136589B2 (ja)
JP3838397B2 (ja) 半導体製造方法
US6811831B1 (en) Method for depositing silicon nitride
CN113699495B (zh) 磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法
JP2003243365A (ja) プラズマエッチング方法
JP3220528B2 (ja) 真空処理装置
JP2515833B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理方法
JP3222615B2 (ja) 表面処理装置