JPH0696864A - ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 グランド電極を各画素毎に個別電極とし、隣
接画素間でのグランド電極相互の接続をコンタクトホ−
ルを介して積層された絶縁層の最上部に形成したグラン
ド配線を用いて行うことで、ＩＴＯの透明電極とグラン
ド電極間を充分に隔てることにより、絶縁破壊を防止
し、歩留まりを向上できるディスプレイ装置及びその製
造方法を提供する。 【構成】 グランド電極８を各画素毎に個別電極として
形成し、絶縁層９、１２、２０にコンタクトホ−ル設け
て、これら積層された絶縁層の最上部にデータライン及
び配線層１７と同じアルミニウムから成るグランド配線
１８を用いて副走査方向に隣接画素のグランド電極８相
互を接続したディスプレイ装置及びその製造方法であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜ＥＬ素子をマトリ
クス状に配列して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて
駆動するＴＦＴ駆動アクティブマトリクス型のディスプ
レイ装置に係り、特に薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタ
を隔てるグランド電極を画素毎に個別電極とし、各グラ
ンド電極の接続構造を改良して、歩留まりを向上させた
ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜ＥＬ素子を用いたディスプレ
イ装置は、電極をＸ方向とＹ方向にマトリクス状に配置
し、Ｘ方向とＹ方向の電極に駆動回路から電圧を印加し
て画素発光を行う単純マトリクス構造のディスプレイ装
置が知られている。

【０００３】しかしながら、単純マトリクスのディスプ
レイ装置では、画素数が２０００×２０００と多くなる
と、クロストークの問題が大きくなり、多数の画素を発
光させるのが困難となり、また輝度の低い赤や青発光の
カラ−ＥＬ素子をディスプレイとして用いる場合には、
輝度の低い色に対応した周波数で駆動しなければなら
ず、ＥＬ素子を使ったディスプレイ装置のカラー化が困
難となっていた。

【０００４】そこで、各画素に薄膜トランジスタを用い
て画素のオン状態をフレ−ム・フレ−ム間も保持するこ
とのできるアクティブマトリクス駆動の方法が考えられ
ている。この方法の場合、各画素の駆動周波数とフレ−
ム周波数は独立して制御されるため、ＥＬ素子を高い周
波数で駆動することができ、比較的に輝度の低い赤や青
発光のカラ−ＥＬ素子でもディスプレイとして使うこと
ができる。

【０００５】このＴＦＴ駆動のアクティブマトリクス型
のディスプレイ装置について説明する。このディスプレ
イ装置は、一画素（１ビット）毎に画素が選択された信
号を保持する回路が備わったもので、マトリクス状に形
成された信号線によって各画素の発光・非発光を選択す
ることにより、ディスプレイ全体を駆動するものであ
る。

【０００６】次に、上記従来のディスプレイ装置の１ビ
ット分のＥＬ駆動回路について、図４のＥＬ駆動回路図
を使って説明する。このＥＬ駆動回路は、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）から成る第１のスイッチング素子Ｑ1
と、該スイッチング素子Ｑ1 のソ−ス端子Ｓ1 側に一方
の端子を接続する蓄積用コンデンサＣS と、ゲ−ト端子
Ｇ2 が前記第１のスイッチング素子Ｑ1 のソ−ス端子Ｓ
1 に接続され、且つソ−ス端子Ｓ2 が前記蓄積用コンデ
ンサＣS の他方の端子に接続されているＴＦＴから成る
第２のスイッチング素子Ｑ2 と、一方の端子が第２のス
イッチング素子Ｑ2 のドレイン電極Ｄ2 に接続され、且
つ他方の端子がＥＬ駆動電源Ｖa に接続されている薄膜
ＥＬ素子ＣELと、第２のスイッチング素子Ｑ2 と並列に
接続される分割コンデンサＣDVとから構成されている。

【０００７】第１のスイッチング素子Ｑ1 は、ゲート端
子Ｇ1 に印加されるスイッチング信号ＳＣＡＮに応じて
オンし、この第１のスイッチング素子Ｑ1 オン・オフに
より発光信号ＤＡＴＡに応じて蓄積用コンデンサＣS を
充放電するようになっている。第２のスイッチング素子
Ｑ2 は、蓄積用コンデンサＣS からの放電電圧がゲート
端子Ｇ2 に印加されることによりオンし、ＥＬ駆動電源
Ｖa により薄膜ＥＬ素子ＣELを発光させるようになって
いる。分割コンデンサＣDVは、第２のスイッチング素子
Ｑ2 のオフ時にＥＬ駆動電源Ｖa の電圧を薄膜ＥＬ素子
ＣELと分割コンデンサＣDVにより分割することにより、
第２のスイッチング素子Ｑ2 の耐圧を低く設計可能なよ
うに設けたものである。

【０００８】そして、薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタ
を組合わせて、アクティブマトリクス型のディスプレイ
を作成する場合には、薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタ
を平面的に並べる構造と薄膜ＥＬ素子の上に薄膜トラン
ジスタを形成する積層型の構造が考えられる。その場
合、ディスプレイ装置としての表示品質を考えると、非
発光部と発光部を含む全面積に対する発光部の面積の比
を表す開口率が高い程、表示品質が良くなるため、開口
率が高くなる積層型のアクティブマトリスクディスプレ
イが望まれている。

【０００９】次に、上記積層型のＴＦＴ駆動アクティブ
マトリスク型のディスプレイ装置の一ビット分について
の構成を図５及び図６を使って説明する。図５は、従来
のディスプレイ装置の平面説明図であり、図６は、図５
のＢ−Ｂ′部分の断面説明図である。

【００１０】図５に示すように、一ビット（一画素）内
には、第１のスイッチング素子Ｑ1と、第２のスイッチ
ング素子Ｑ2 と、蓄積用コンデンサＣS と、分割コンデ
ンサＣDVと、薄膜ＥＬ素子ＣELとを含むように構成され
ている。

【００１１】また、図６に示すように、ガラス等の透明
な基板１上に、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等から
成る透明電極２、シリコン窒化膜（ＳｉＮx ）の第１の
絶縁層３、硫化亜鉛マンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）の発光層
４、ＳｉＮx の第２の絶縁層５、クロム（Ｃｒ）等の金
属電極６から成る薄膜ＥＬ素子ＣELが形成されている。
金属電極６上には第３の絶縁層７を介してグランド（Ｇ
ＮＤ）レベルに接続するグランド（ＧＮＤ）電極８′が
形成され、この第３の絶縁層７を金属電極６とグランド
電極８′とで挟んだ部分が分割コンデンサＣDVを形成し
ている。

【００１２】更に、グランド電極８′上に第４の絶縁層
９を介して第１のスイッチング素子Ｑ1 と第２のスイッ
チング素子Ｑ2 の２つのＴＦＴと、蓄積用コンデンサＣ
S が形成されている。蓄積用コンデンサＣS は、第４の
絶縁層９をグランド電極８′と電極層１０とで挟んで構
成されている。

【００１３】２つのスイッチング素子ＱのＴＦＴは、第
４の絶縁層９上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１
２、半導体活性層１３、チャネル保護膜１４を順次積層
し、チャネル保護膜１４を挟んでオーミックコンタクト
層１５、拡散防止層１６が形成されている。ここで、分
割されたオーミックコンタクト層１５と拡散防止層１６
がソース・ドレイン電極を形成している。そしてスイッ
チング素子Ｑと蓄積用コンデンサＣS 等を接続する配線
層１７が形成されている。

【００１４】このようなディスプレイ装置の構成におい
て、薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタの間にはグランド
レベルに接続するグランド電極８′が設けられている。
このグランド電極８′は、薄膜ＥＬ素子にかかる２００
Ｖの交流電圧により、薄膜ＥＬ素子上部に設けられた薄
膜トランジスタのゲ−ト電圧等が影響を受けて、正常な
ＯＮ・ＯＦＦの駆動ができなくなるのを防ぐために、薄
膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタの間に配置してある。こ
のグランド電極８′により、デバイスの各信号をＥＬ駆
動の交流電圧からシ−ルドすることができる。

【００１５】そして、上記薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジ
スタの積層型１ビット分を図７の平面外観図に示すよう
に主走査方向及び副走査方向にマトリクス状に複数配列
すると薄膜トランジスタ駆動のアクティブマトリクス型
のディスプレイ装置が形成される。

【００１６】次に、上記従来のディスプレイ装置の概略
を図７を使って説明すると、画素選択用のデ−タライン
（ＤＡＴＡ ＬＩＮＥ）は画素の副走査方向に延びる形
状で、薄膜ＥＬ素子の発光部と発光部との間に配置する
ようにしており、また、ライン選択用のスキャンライン
（ＳＣＡＮ ＬＩＮＥ）は画素の主走査方向に延びる形
状で、薄膜ＥＬ素子の発光部と発光部の間に配置するよ
うにしていた。

【００１７】また、グランド電極８′は、薄膜ＥＬ素子
を駆動する交流電圧からＴＦＴの動作をシ−ルドするよ
うに、ＴＦＴ及びＤＡＴＡ ＬＩＮＥをＩＴＯの透明電
極２から遮断するように形成され、主走査方向に共通電
極となっている。更に、ＩＴＯの透明電極２も主走査方
向に帯状に形成されている。

【００１８】そして、上記従来のディスプレイ装置で
は、グランド電極８′と透明電極２との間には、第１の
絶縁層３、第２の絶縁層５、第３の絶縁層７を介して２
００Ｖの交流電圧がかかっており、グランド電極８′と
透明電極２との間の電界の強度が各絶縁層を構成するＳ
ｉＮx の絶縁耐圧特性である４ＭＶ／ｃｍ程度であれ
ば、絶縁層の耐圧が充分とれ、絶縁破壊を起こさないよ
うになっていた。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜トランジスタ駆動のアクティブマトリクス型の
ディスプレイ装置では、薄膜ＥＬ素子の上部電極となる
金属電極６及び発光層４は画素毎に個別に形成され、隣
接画素間では端部に段差を有しているので、絶縁層の積
層工程で、この段差部分の近辺での第２の絶縁層５の膜
厚と第３の絶縁層７の膜厚が、薄くなってしまう場合が
あり、また、ＩＴＯの透明電極２は凹凸状の表面性を有
するために第１の絶縁層３に膜厚が薄い箇所ができてし
まい、特に図６の矢印で示したグランド電極８′と透明
電極２の間の部分で絶縁破壊が起き易くなり、歩留まり
が悪いという問題点があった。

【００２０】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、グランド電極を各画素毎に個別電極として形成し、
隣接画素間でのグランド電極相互の接続を、コンタクト
ホ−ルを介して積層された絶縁層の最上層部にグランド
配線を用いて行うことで、ＩＴＯの透明電極とグランド
電極間を充分に隔てることにより、絶縁破壊を回避し、
歩留まりを向上できるディスプレイ装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記従来の問題点を解決
するための請求項１記載の発明は、マトリクス状に個別
に画素を配置して成る薄膜ＥＬ素子と、前記薄膜ＥＬ素
子を駆動し、前記薄膜ＥＬ素子上に一定電位の導電層を
介して積層して形成される薄膜トランジスタとを有する
ディスプレイ装置において、前記導電層が前記画素毎に
個別形状で形成され、前記導電層上部に積層された絶縁
層に形成されたコンタクトホ−ルを介して前記画素間の
前記導電層の接続を行う金属配線を設けたことを特徴と
している。

【００２２】上記従来の問題点を解決するための請求項
２記載の発明は、ディスプレイ装置の製造方法におい
て、薄膜ＥＬ素子をマトリクス状に個別の画素で配置
し、前記薄膜ＥＬ素子上に一定電位の導電層を前記画素
毎に個別形状で形成し、前記導電層上に絶縁層を積層
し、前記絶縁層にコンタクトホ−ルを形成し、前記コン
タクトホ−ルを介して前記画素間の前記導電層の接続を
行う金属配線を形成することを特徴としている。

【００２３】

【作用】請求項１記載の発明によれば、画素毎に薄膜Ｅ
Ｌ素子上に薄膜トランジスタを積層し、薄膜ＥＬ素子と
薄膜トランジスタの間に設けられた一定電位の導電層を
画素毎に個別形状とし、導電層上の絶縁層に形成された
コンタクトホ−ルを介して画素間の導電層の接続を金属
配線で行うディスプレイ装置としているので、金属配線
と薄膜ＥＬ素子との間には導電層上の絶縁層を介在させ
ることができるため、金属配線と薄膜ＥＬ素子の透明電
極との距離を充分とることができ、金属配線と薄膜ＥＬ
素子の透明電極との間の絶縁破壊を防止して歩留まりを
向上させることができる。

【００２４】請求項２記載の発明によれば、薄膜ＥＬ素
子をマトリクス状に個別の画素で配置し、薄膜ＥＬ素子
上に一定電位の導電層を画素毎に個別形状で形成し、導
電層上に絶縁層を積層して絶縁層にコンタクトホ−ルを
形成し、コンタクトホ−ルを介して画素間の導電層を接
続する金属配線を形成するディスプレイ装置の製造方法
としているので、絶縁層上に積層して形成される薄膜ト
ランジスタの電極に接続する配線及びディスプレイ装置
のデ−タラインと同じ工程で金属配線を製造できるた
め、絶縁破壊を防止できるディスプレイ装置を容易に製
造できる。

【００２５】

【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るディスプ
レイ装置の部分的な平面説明図であり、図２は、図１の
Ａ−Ａ′部分の断面説明図である。尚、図５及び図６と
同様の構成をとる部分については同一の符号を付して説
明する。

【００２６】本実施例のディスプレイ装置の一画素内に
は、図１に示すように、第１のスイッチング素子Ｑ1
と、第２のスイッチング素子Ｑ2 と、蓄積用コンデンサ
ＣS と、分割コンデンサＣDVと、薄膜ＥＬ素子ＣELとを
含むように構成されている。

【００２７】そして、画素選択用のデ−タライン（ＤＡ
ＴＡ ＬＩＮＥ）は画素の副走査方向に延びる形状で、
薄膜ＥＬ素子の発光部と発光部との間に配置するように
しており、また、ライン選択用のスキャンライン（ＳＣ
ＡＮ ＬＩＮＥ）は画素の主走査方向に延びる形状で、
薄膜ＥＬ素子の発光部と発光部の間に配置するようにし
ていた。

【００２８】次に、本実施例のディスプレイ装置の一画
素を構成する各部について、図２を使って説明する。図
２に示すように、薄膜ＥＬ素子ＣELは、ガラス等の透明
な基板１上に、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）の透明
電極２、シリコン窒化膜（ＳｉＮx ）の第１の絶縁層
３、硫化亜鉛マンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）の発光層４、Ｓ
ｉＮx の第２の絶縁層５、クロム（Ｃｒ）の金属電極６
を順次積層して形成されている。

【００２９】また、金属電極６上にはＳｉＮx の第３の
絶縁層７を介してグランド（ＧＮＤ）レベルに接続する
Ｃｒのグランド電極８が形成され、この第３の絶縁層７
を金属電極６とグランド電極８とで挟んだ部分が分割コ
ンデンサＣDVを形成している。

【００３０】更に、グランド電極８上にＳｉＮx の第４
の絶縁層９を介して第１のスイッチング素子Ｑ1 と第２
のスイッチング素子Ｑ2 の２つの薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）と、蓄積用コンデンサＣS が形成されている。蓄
積用コンデンサＣS は、第４の絶縁層９をグランド電極
８と電極層１０とで挟んで構成されている。

【００３１】２つのスイッチング素子ＱであるＴＦＴ
は、第４の絶縁層９上に、Ｃｒのゲート電極１１、Ｓｉ
Ｎx のゲート絶縁層１２、イントリンシックアモルファ
スシリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）の半導体活性層１３、Ｓｉ
Ｎx のチャネル保護膜１４を順次積層し、チャネル保護
膜１４を挟んでｎ+ のアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−
Ｓｉ）のオーミックコンタクト層１５、Ｃｒの拡散防止
層１６が形成される逆スタガ型の薄膜トランジスタとな
っている。ここで、分割されたオーミックコンタクト層
１５と拡散防止層１６がソース・ドレイン電極を形成
し、この薄膜トランジスタ上にＳｉＮx の第５の絶縁層
２０が積層され、そしてスイッチング素子Ｑと蓄積用コ
ンデンサＣS 等を接続する配線層１７がアルミニウム
（Ａｌ）等で第５の絶縁層２０上部に形成される構成と
なっている。

【００３２】また、上記ディスプレイ装置の構成におい
て、薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタの間には第３の絶
縁層７と第４の絶縁層９を介してグランドレベルに接続
するグランド（ＧＮＤ）電極８が設けられている。そし
て、このグランド電極８は、本実施例において薄膜ＥＬ
素子毎に分離形成され、更に副走査方向に各グランド電
極８を接続するために、積層された絶縁層の最上層（第
５の絶縁層２０上部）にＡｌ等のグランド（ＧＮＤ）配
線１８が副走査方向に形成されている。グランド配線１
８は、第４の絶縁層９、ゲート絶縁層１２による絶縁層
及び第５の絶縁層２０に設けられたコンタクトホ−ル
ａ、ｂを介して各画素のグランド電極８を接続するよう
になっている。

【００３３】ここで、各グランド電極８は、分割コンデ
ンサＣDVと蓄積用コンデンサＣS の一方の電極としての
役割を果たす他、薄膜ＥＬ素子にかかる２００Ｖの交流
電圧により、薄膜ＥＬ素子上部に設けられたＴＦＴのゲ
−ト電極１１に与えられるゲ−ト電圧等が影響を受け
て、正常なＯＮ・ＯＦＦの駆動ができなくなるのを防ぐ
ために、薄膜ＥＬ素子と薄膜トランジスタの間に配置さ
れている。このグランド電極８により、デバイスの各信
号をＥＬ駆動の交流電圧からシ−ルドすることができ
る。

【００３４】そして、薄膜トランジスタを積層した上記
薄膜ＥＬ素子１画素を図３の平面外観図に示すように主
走査方向及び副走査方向にマトリクス状に複数配列する
と、本実施例の薄膜トランジスタ駆動のアクティブマト
リクス型のディスプレイ装置が形成される。

【００３５】そして、本実施例のディスプレイ装置は、
図３に示すように、スキャンライン（ＳＣＡＮ ＬＩＮ
Ｅ）が薄膜ＥＬ素子の隣接画素間にＣｒ等で主走査方向
に形成されており、第４の絶縁層９上部に配置される構
成となっている。また、データライン（ＤＡＴＡ ＬＩ
ＮＥ）が隣接画素間に配置されており、積層された絶縁
層の最上層（第５の絶縁層２０上部）にＡｌ等で副走査
方向に形成され、スイッチング素子Ｑ1 のＴＦＴのドレ
イン電極に接続される構成となっている。そして、ＧＮ
Ｄ配線１８が画素毎のＧＮＤ電極８を副走査方向に接続
するようデータライン（ＤＡＴＡ ＬＩＮＥ）と同じＡ
ｌで形成されている。

【００３６】本実施例のディスプレイ装置によれば、Ｇ
ＮＤ電極８を接続するＧＮＤ配線１８が積層された絶縁
層の最上層に設けられているので、透明電極２の凹凸の
表面性や金属電極６、発光層４の段差による影響を直接
的に受けることなく、ＧＮＤ配線１８と透明電極２の間
を充分隔てており、かつＧＮＤ配線１８と透明電極２の
間には、第２の絶縁層５、第３の絶縁層７、第４の絶縁
層９、ゲ−ト絶縁層１２による絶縁層、第５の絶縁層２
０の５層の絶縁層が介在する構成となっているので、絶
縁層の耐圧が向上し、絶縁破壊を防止できる効果があ
る。

【００３７】次に、本実施例のディスプレイ装置の製造
方法について図２を使って説明する。ガラス基板１上に
スパッタ装置を用いて透明電極材料のＩＴＯを０．１μ
ｍ程度着膜し、フォトリソプロセスにより透明電極２を
形成する。次に、薄膜ＥＬ素子下部の絶縁層となる第１
の絶縁層３を形成するためにＳｉＮx をスパッタ装置を
用いて０．３μｍ程度着膜する。そして、発光層４であ
るＺｎＳ：ＭｎをＥＢ蒸着装置を用いて０．４μｍ程度
着膜し、フォトリソプロセスにより発光層４を形成す
る。次に、薄膜ＥＬ素子上部の絶縁層となる第２の絶縁
層５を形成するためにＳｉＮx をスパッタ装置を用いて
０．３μｍ程度着膜し、フォトリソプロセスにより第２
の絶縁層５と第１の絶縁層３の両方を同時にエッチング
し、透明電極２と駆動電源Ｖa からの配線とを接続する
ためのコンタクトホ−ル（図示せず）を形成する。そし
て、Ｃｒをスパッタ装置を用いて０．１μｍ程度着膜
し、フォトリソプロセスにより金属電極６を形成する。

【００３８】次に、ＳｉＮx をスパッタ装置を用いて
０．８μｍ程度着膜し、フォトリソプロセスを用いて第
３の絶縁層７を形成する。尚、金属電極６とスイッチン
グ素子Ｑ2 のＴＦＴのドレイン電極Ｄ2 とを接続するた
めのコンタクトホ−ル（図示せず）が第３の絶縁層７に
形成されるようにする。

【００３９】そしてＣｒをスパッタ装置を用いて０．１
μｍ程度着膜し、フォトリソプロセスによりＧＮＤ電極
８を形成する。ここで、ＴＦＴのゲ−ト電極等を透明電
極２から遮断する所定の形状となるようにＧＮＤ電極８
を形成し、更に、ＧＮＤ電極８の端部が薄膜ＥＬ素子の
金属電極６の端部よりはみ出さないようにするために、
金属電極６の内側で個別電極となるように形成する。

【００４０】次に、ＳｉＮx をスパッタ装置を用いて
０．４μｍ程度着膜し、フォトリソプロセスにより第４
の絶縁層９となるように所定の形状に形成する。ここ
で、第４の絶縁層９には、ＧＮＤ配線１８が各ＧＮＤ電
極８に接続するためのコンタクトホ−ルａ，ｂが形成さ
れ、更に、スイッチング素子Ｑ2 のＴＦＴのソース電極
Ｓ2 がＧＮＤ電極８と接続するためのコンタクトホ−ル
（図示せず）が形成される。

【００４１】スイッチング素子Ｑ1,Ｑ2 のＴＦＴのゲ−
ト電極１１、スキャンライン及びコンタクトホ−ルａ，
ｂでの接続用の金属層となるＣｒをスパッタ装置を用い
て０．０５μｍ程度着膜し、フォトリソプロセスにより
ゲ−ト電極１１、スキャンライン及びコンタクトホ−ル
ａ，ｂでの接続用の金属層を形成する。この時、スキャ
ンラインが薄膜ＥＬ素子の隣接画素の間を通るように配
置する。

【００４２】次に、ゲート絶縁層１２となるＳｉＮx 層
を０．３μｍ程度、半導体活性層１３となるｉ−ａ−Ｓ
ｉ層（ｉ層）を０．１μｍ程度、チャネル保護膜１４と
なるＳｉＮx 層を０．１５μｍ程度に、プラズマＣＶＤ
装置を用いて連続着膜する。そしてフォトリソプロセス
によりチャネル保護膜１４を形成する。

【００４３】次に、オーミックコンタクト層１６のｎ+
ａ−Ｓｉ層（ｎ+ 層）をプラズマＣＶＤ装置を用いて
０．１５μｍ程度着膜する。そしてフォトリソプロセス
によりｎ+ 層、ｉ層を同時にエッチングする。次にゲー
ト絶縁層１２をフォトリソプロセスによりエッチング
し、スキャンライン及びＧＮＤ電極８接続用のコンタク
トホ−ルａ，ｂを形成する。

【００４４】更に、ＴＦＴの拡散防止層１６となるＣｒ
をスパッタ装置を用いて０．１５μｍ程度着膜し、フォ
トリソプロセスによりソ−ス・ドレイン電極及びコンタ
クトホ−ルａ，ｂでの接続用の金属層を形成する。そし
て第５の絶縁層２０となるＳｉＮx 層を１．０μｍ程度
着膜して、フォトリソプロセスによりコンタクトホ−ル
ａ，ｂその他を形成した後に、デ−タライン及び配線層
１７、ＧＮＤ配線１８のＡｌをスパッタ装置を用いて
１．０μｍ程度着膜し、フォトリソプロセスによりデー
タライン、配線層１７、ＧＮＤ配線１８を形成する。こ
の時、デ−タラインが薄膜ＥＬ素子の隣接画素間を副走
査方向に配置し、更に、ＧＮＤ配線１８が同様に隣接画
素間で副走査方向にコンタクトホ−ルａ，ｂを介して各
ＧＮＤ電極８を接続するように配置する。このようにし
て本実施例のディスプレイ装置が製造される。

【００４５】本実施例のディスプレイ装置の製造方法に
よれば、データライン、配線層１７と共に個別電極のＧ
ＮＤ電極８をそれぞれ接続するＧＮＤ配線１８を同時に
形成できるので、絶縁破壊を防止できるディスプレイ装
置を容易に製造できる効果がある。

【００４６】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、画素毎に
薄膜ＥＬ素子上に薄膜トランジスタを積層し、薄膜ＥＬ
素子と薄膜トランジスタの間に設けられた一定電位の導
電層を画素毎に個別形状とし、導電層上の絶縁層に形成
されたコンタクトホ−ルを介して画素間の導電層の接続
を金属配線で行うディスプレイ装置としているので、金
属配線と薄膜ＥＬ素子との間には導電層上の絶縁層を介
在させることができるため、金属配線と薄膜ＥＬ素子の
透明電極との距離を充分とることができ、金属配線と薄
膜ＥＬ素子の透明電極との間の絶縁破壊を防止して歩留
まりを向上させることができる効果がある。

【００４７】請求項２記載の発明によれば、薄膜ＥＬ素
子をマトリクス状に個別の画素で配置し、薄膜ＥＬ素子
上に一定電位の導電層を画素毎に個別形状で形成し、導
電層上に絶縁層を積層して絶縁層にコンタクトホ−ルを
形成し、コンタクトホ−ルを介して画素間の導電層を接
続する金属配線を形成するディスプレイ装置の製造方法
としているので、絶縁層上に積層して形成される薄膜ト
ランジスタの電極に接続する配線及びディスプレイ装置
のデ−タラインと同じ工程で金属配線を製造できるた
め、絶縁破壊を防止できるディスプレイ装置を容易に製
造できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係るディスプレイ装置の
部分的な平面説明図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。

【図３】 本実施例のディスプレイ装置の平面外観図で
ある。

【図４】 従来のディスプレイ装置の１ビット分のＥＬ
駆動回路図である。

【図５】 従来のディスプレイ装置の部分的な平面説明
図である。

【図６】 図６のＢ−Ｂ′部分の断面説明図である。

【図７】 従来のディスプレイ装置の平面外観図であ
る。

【符号の説明】

１…基板、 ２…透明電極、 ３…第１の絶縁層、 ４
…発光層、 ５…第２の絶縁層、 ６…金属電極、 ７
…第３の絶縁層、 ８…グランド電極、 ９…第４の絶
縁層、 １０…電極層、 １１…ゲート電極、 １２…
ゲート絶縁層、１３…半導体活性層、 １４…チャネル
保護膜、 １５…オーミックコンタクト層、 １６…拡
散防止層、 １７…配線層、 １８…接続線、 ２０…
第５の絶縁層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に個別に画素を配置して成
   る薄膜ＥＬ素子と、前記薄膜ＥＬ素子を駆動し、前記薄
   膜ＥＬ素子上に一定電位の導電層を介して積層して形成
   される薄膜トランジスタとを有するディスプレイ装置に
   おいて、前記導電層が前記画素毎に個別形状で形成さ
   れ、前記導電層上部に積層された絶縁層に形成されたコ
   ンタクトホ−ルを介して前記画素間の前記導電層の接続
   を行う金属配線を設けたことを特徴とするディスプレイ
   装置。
2. 【請求項２】 薄膜ＥＬ素子をマトリクス状に個別の画
   素で配置し、前記薄膜ＥＬ素子上に一定電位の導電層を
   前記画素毎に個別形状で形成し、前記導電層上に絶縁層
   を積層し、前記絶縁層にコンタクトホ−ルを形成し、前
   記コンタクトホ−ルを介して前記画素間の前記導電層の
   接続を行う金属配線を形成することを特徴とするディス
   プレイ装置の製造方法。