JPH0697080A - 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置 - Google Patents

化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置

Info

Publication number
JPH0697080A
JPH0697080A JP4241938A JP24193892A JPH0697080A JP H0697080 A JPH0697080 A JP H0697080A JP 4241938 A JP4241938 A JP 4241938A JP 24193892 A JP24193892 A JP 24193892A JP H0697080 A JPH0697080 A JP H0697080A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
reaction chamber
gas
vapor deposition
chemical vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4241938A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouichirou Tsutahara
晃一郎 蔦原
Toru Yamaguchi
徹 山口
Taizo Ejima
泰蔵 江島
Toshihiko Minami
利彦 南
Yoshinobu Kawada
良信 河田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4241938A priority Critical patent/JPH0697080A/ja
Priority to US08/082,868 priority patent/US5425812A/en
Priority to DE4330266A priority patent/DE4330266C2/de
Publication of JPH0697080A publication Critical patent/JPH0697080A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、一ウェハ毎に、均一で、かつ精度
の良い成膜が安定にできるように改良された化学気相成
長装置用反応室を得ることを最も主要な特徴とする。 【構成】 当該装置は、ウェハ１４を、その表面を下向
きにして保持し、かつ該ウェハ１４を加熱するためのウ
ェハ加熱用ステージ２８を備える。ウェハ加熱用ステー
ジ２８は、ステージ中央を中心に回転する。ウェハ加熱
用ステージ２８と対向する下方位置に、一定の空間領域
５３を形成するように、反応ガスをウェハ加熱用ステー
ジ２８に向けて供給するガス供給ヘッド３７が設けられ
ている。当該反応室は、ウェハ加熱用ステージ２８とガ
ス供給ヘッド３７との間にできる空間領域５３を横方向
から取囲み、該空間領域５３を密閉された反応室にする
ための反応室形成部材５４を備える。反応室形成部材５
４中であって、かつウェハ加熱用ステージ２８の全周に
沿って、反応室内のガスを斜め上方向に排気するよう
に、その形状が選ばれた排気口３３が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に化学気相成長
装置用反応室に関するものであり、より特定的には、１
ウェハ毎に、均一で、かつ精度の良い成膜が安定にでき
るように改良された化学気相成長装置用反応室に関す
る。この発明は、また、そのような反応室を用いた化学
気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】４ＭビットダイナミックＲＡＭなどの超
ＬＳＩ半導体素子の層間絶縁膜として、従来から、Ｓｉ
Ｏ2 膜が用いられている。また、超ＬＳＩ半導体素子の
微細化に伴って、燐（ＰＳＧ膜）や、燐とボロン（ＢＰ
ＳＧ膜）を微小量ドーピングする技術が発達してきた。
燐やボロンを微小量ドーピングする目的は、層間絶縁膜
を熱により軟化しやすくし、その表面を平坦化させるこ
とができるようにするためである。
【０００３】すなわち、図１（ａ）を参照して、ＳｉＨ
4 とＯ2 を用いて、基板１００の上に、Ｂ、Ｐを含むＢ
ＰＳＧ膜１０１を形成する。ＢＰＳＧ膜１０１を、高温
熱処理すると、層間絶縁膜１０１は軟化し、その表面が
平坦化する。
【０００４】しかし、ＳｉＨ4 とＯ2 ガスを用いる層間
絶縁膜の形成方法は、図２を参照して、集積度が増すと
（すなわち、パターン間の間隔が短くなると）、成膜後
の形状がオーバーハング状になるため、成膜後高温処理
をしても、下地パターン１００ａの谷部にボイド（気
泡）１０２が残存するという問題があった。
【０００５】このような問題点を解決するために、アル
コラート系液体ソースであるテトラエトキシシラン（以
下ＴＥＯＳと省略する）を用いる層間絶縁膜の形成方法
および装置が開発された。
【０００６】ＴＥＯＳ−Ｏ3 を用いる化学気相成長法に
よる層間絶縁膜の形成方法によれば、図３に示すよう
に、成膜後の形状がオーバハング状にならずに、フロー
形状になる。そのため、図３（ｂ）を参照して、集積度
が高くなっても、高温処理後、下地パターン１００ａの
谷部にボイド（気泡）が残存せず、その表面が平坦化さ
れ、かつ膜質の良好な層間絶縁膜１０１が得られる。
【０００７】図４は、ＴＥＯＳを用いる化学気相成長装
置の概略平面図であり、図５は、その概略断面図であ
る。通常、半導体装置の製造工程は、カセットと呼ばれ
る複数枚のウェハが挿入された容器単位で、行なわれ
る。図４および図５に示す装置は、そのようなカセット
単位でウェハを処理する装置である。図に示す装置で
は、たとえば、アルコラート系液体ソースとして、ＴＥ
ＯＳ、ドーピング用として正リン酸トリメチル（以下、
ＴＭＰＯと省略する）、硼酸トリエチル（以下、ＴＥＢ
と省略する）の３種類が用いられ、反応させるガスとし
てＯ3 ガス、キャリアガスにＮ2 ガスが用いられる。
【０００８】図４および図５を参照して、Ｋ１、Ｋ２
は、実際に処理される製品実カセットを載せるためのス
テージである。Ｋ３、Ｋ４は、成膜処理されたウェハが
収納される空カセットを載せるためのステージである。
ベルト式ローラ５は、カセットステージＫ１〜Ｋ４に載
せられたカセットから、ウェハを１枚ずつ引出し、また
は、挿入するためのものである。参照符号６は、ウェハ
ハンドリングロボットを示している。加熱ステージ７
は、その複数枚が、ベルトのように接続されており、こ
の従来例では、１８枚が接続されている。駆動モータ
（図示せず）により、駆動ドラム８が回転し、加熱ステ
ージ７は、Ｋ１（Ｋ２）から、Ｋ３（Ｋ４）に向かう方
向に、移動する。加熱ステージ７の下には、加熱ステー
ジ７を加熱するためのステージヒータ９が設けられてい
る。加熱ステージ７の上には、ガス供給ヘッド１０が設
けられており、ガス供給ヘッド１０は排気カバー１１に
よって覆われている。
【０００９】バブリング材料タンク１２ａには、液体Ｔ
ＥＯＳが収容されている。バブリング材料タンク１２ｂ
には、液体ＴＭＰＯが収容されている。バブリング材料
タンク１２ｃには、液体ＴＥＢが収容されている。それ
ぞれのバブリング材料タンク１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
は、ヒータ（図示せず）および液温を測定する熱電対
（図示せず）、温度コントローラ（図示せず）により、
加熱され、かつ保温されている。それぞれのバブリング
材料タンク１２ａ、１２ｂ、１２ｃには、Ｎ2 ガスが質
量流量計１３ａ、１３ｂ、１３ｃにより、その流量が制
御されて、供給される。バブリング材料タンク１２ａ、
１２ｂ、１２ｃから出る配管は、合流した後、ガス供給
ヘッド１０に接続されている。
【００１０】次に、動作について説明する。カセットス
テージＫ１、Ｋ２に、実際に処理される製品実カセット
を載せる。カセットステージＫ３、Ｋ４に、成膜処理さ
れたウェハを収納するための空カセットを載せる。
【００１１】ベルト式ローラ５が、カセットステージＫ
１に載せられたカセットから、ウェハ１４を１枚ずつ引
出す。ウェハハンドリングロボット６のベルヌイチャッ
ク６ａがウェハを、その表面を上向きにした状態で吸上
げ、ウェハ１４を加熱ステージ７の上に搬送する。ベル
ヌイチャック６ａは、図６のように、Ｎ2 ガスを吹出す
ことにより、負圧を作り、ウェハの表面に接触すること
なく、ウェハ１４を吸着する。同様にして、カセットス
テージＫ２の上に載せられたカセットのウェハ１４も、
加熱ステージ７に搬送される。２枚のウェハ１４が載せ
られた加熱ステージ７は、駆動ドラム８が回転すること
により、一定の速度で、カセットステージＫ１（Ｋ２）
からカセットステージＫ３（Ｋ４）へ向かう方向へ移動
する。ウェハ（１４）は、ステージヒータ９により加熱
されるとともに、ガス供給ヘッド１０の下を通過すると
き、成膜が行なわれる。ガス供給ヘッド１０は排気カバ
ー１１で覆われている。ガス供給ヘッド１０と排気カバ
ー１１との間には隙間が存在する。排気ファン１５に接
続されたダクト１６により、排気カバー１１内は負圧に
保たれ、これによって、反応ガスが外部に流出するのを
防がれる。ガス供給ヘッド１０の下を通過し、それによ
って成膜が完了したウェハは、カセットステージＫ３に
向かって移動し、ウェハハンドリングロボット６および
ベルト式ローラ５によって、カセットステージＫ３また
はＫ４の上に載せられたカセットに収納される。
【００１２】加熱ステージ７は、その複数枚がベルトの
ように接続されている。そのため、加熱ステージ７を移
動させることによって、次々と連続的に、ベルト式ロー
ラ５およびウェハハンドリングロボット６によって、ウ
ェハ１４を加熱ステージ７の上に載せることができ、ひ
いては、連続的に大量に、成膜することができる。
【００１３】ガス供給ヘッド１０には、以下のように反
応ガスが供給される。３種類の液体ソースのうち、液体
ＴＥＯＳの場合について説明する。Ｎ2 ガスは、質量流
量計１３ａにより、正確に計量された後、バブリング材
料タンク１２ａ内にに供給される。バブリング材料タン
ク１２ａ内には、一定温度に保たれた液体ＴＥＯＳが収
容されている。バブリング材料タンク１２ａ内にＮ2 ガ
スをバブリングさせることにより、液体ＴＥＯＳの温度
に応じた蒸気圧分だけのＴＥＯＳガス、を含んだＮ2 ガ
スが発生する。ＴＥＯＳガスを含んだＮ2 ガスは、配管
１７により、ガス供給ヘッド１０に送込まれる。なお、
配管１７は、気化したＴＥＯＳが再液化しないように、
加熱される（図示せず）。
【００１４】他の液体ソース（ＴＭＰＯ、ＴＥＢ）も、
同様にバブリングにより気化され、ガス供給ヘッド１０
に送込まれる。
【００１５】オゾン発生器１８には、質量流量計１９で
正確に計量されたＯ2 ガスが供給される。Ｏ2 ガスはオ
ゾン発生器１８によりその一部がＯ3 に変えられ、ガス
供給ヘッド１０に送込まれる。以上のようにして、ガス
供給ヘッド１２は、ＴＥＯＳ、ＴＭＰＯ、ＴＥＢを含ん
だＮ2 ガスと、Ｏ3 を含んだＯ2 ガスが供給され、混合
される。混合ガスは、加熱されながらガス供給ヘッド１
０の下を通過するウェハ１４に吹付けられ、ウェハ１４
の上に、化学気相成長により薄膜が形成される。ウェハ
１４の加熱温度は、３５０〜４５０℃程度である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＥＯＳガスを
用いる化学気相成長装置は以上のように構成されていた
が、以下に述べるように、膜の制御性、膜の安定性、膜
の均一性、費用、スペース、処理能力、メインテナンス
性など多くの点で問題があった。
【００１７】最初にウェハを搬送する場合における問題
点について説明する。 （１） 従来の装置においては、図５を参照して、加熱
ステージ７の複数枚がベルト状に接続されている。この
ような構成であるため、ウェハ１４が連続的にガス供給
ヘッド１０の下に供給され、連続的に成膜が行なわれて
いく。したがって、ウェハ毎に、異なった条件で、成膜
することが不可能であった。また、加熱ステージ７の上
に載せられた２枚のウェハ１４も、同一条件でしか処理
できなかった。また、成膜途中で、条件を変更すること
により、膜の厚さ方向の質を制御するということができ
なかった。
【００１８】（２） 処理用カセットを載せるカセット
ステージＫ１，Ｋ２が各レーン毎に１箇所しかない。そ
のため、ウェハの処理終了後、次のカセットをカセット
ステージＫ１，Ｋ２に載せるまでに、時間があくと、そ
の間ウェハが投入されず、ロスが生じる。また、従来の
装置では、定期的に成膜の状況を調べるためのモニタウ
ェハを収納しておくためのカセットステージがないた
め、作業者が、定期的にモニタウェハを投入しなければ
ならないという問題点があった。また、カセットを投入
するステージ（Ｋ１、Ｋ２）と成膜処理済のウェハを収
納するカセットステージ（Ｋ３，Ｋ４）が異なる位置に
あるため、作業性が悪いという問題点があった。
【００１９】（３） ベルト式ローラおよびベルヌイチ
ャック方式のウェハハンドリングロボットによって、ウ
ェハを搬送するため、ウェハの裏面のゴムベルトによる
汚染、ガス噴き出しによる異物の巻き上げという問題点
があった。
【００２０】（４） 従来の装置では、ウェハのオリエ
ンテーションフラットの方向および位置決めを行なわな
いため、加熱ステージの上のウェハの位置が不安定であ
り、成膜条件が安定しないという問題点があった。
【００２１】また、従来の装置では、反応チャンバにお
いても、次のような問題点があった。
【００２２】（１） 図５を参照して、反応部は密閉構
造ではない。すなわち、加熱ステージ７と排気カバー１
１との間には隙間が存在する。したがって、排気状態が
変動すると、外気の流入状態が変化し、さらに、反応部
のガス流れが変化し、成膜条件が安定しないという問題
点があった。
【００２３】（２） また、従来の装置では、加熱ステ
ージ７のウェハが置かれていない部分に余分な膜が付着
し、この膜が何重にも積層され、ひいては、この膜が厚
くなり、剥がれてしまう。剥がれた膜は、温度が低下し
ており、反応粉が非常に付着しやすい。このような反応
粉は、ウェハに付着し、歩留り低下の原因となってい
た。また、ステージに付着した反応粉は、拭き取り等で
は除去できないため、ステージ全体を取外して、弗酸等
でウェットエッチングすることによって、その反応粉を
除去しなければならなかった。そのため、メインテナン
ス性が悪いという問題点があった。
【００２４】（３） さらに、加熱ステージ７は、弗酸
によりウェットエッチングする必要があるため、ステン
レス鋼やニッケル合金で作られている。ステンレス鋼や
ニッケル合金は、熱伝導性が悪く、ひいては、ウェハを
均一に加熱することが困難であった。
【００２５】（４） ウェハ１４は、加熱ステージ７上
に載せられ、一方向に移動するだけであるため、ガス供
給ヘッド１０から供給されるガスの流れが不均一であっ
ても、是正されない。そのため、ウェハの上に形成され
る膜の膜厚分布が、一定にならないという問題点があっ
た。
【００２６】（５） 排気カバー１１は、ガス供給ヘッ
ド１０を覆うだけであり、ガスの流れをコントロールで
きない。したがって、排気ガスの偏流、巻戻りが発生
し、成膜条件が不安定であった。また、ベルト状に接続
されているそれぞれの加熱ステージ７の隙間より、反応
ガスが、加熱ヒータ９が存在する部分に流入し、ひいて
は加熱ヒータ９が汚染されるという問題点があった。
【００２７】（６） さらに、排気カバー１１の温度は
制御されていないため、低温部と高温部が混在してい
る。そのため、排気カバー１１に反応生成物や反応膜が
大量に付着し、その除去が困難であるという問題点があ
った。
【００２８】（７） さらに、ガス供給ヘッド１０の噴
出口の開口率は、各孔からの噴き出し速度を一定に保つ
ために、絞られている。そのため、ガスの流速が速く、
ウェハ表面の各孔に対応する位置に、膜が厚く形成され
てしまうという問題点があった。
【００２９】（８） さらに、従来の装置では、ＴＥＯ
Ｓ系反応ガスとＯ3 ガスは、ガス供給ヘッド１０の内部
の空洞部で混合される。すなわち、ＴＥＯＳ系反応ガス
とＯ 3 ガスが拡散によって混合されるだけであるので、
混合が不十分で、膜厚が不均一であった。
【００３０】（９） ガス供給ヘッド１０は、加熱ステ
ージ７、供給ガス、排気ガス、排気カバー１１を保温す
るための温度などの影響を受け、その内壁の温度を一定
に保つことができなかった。そのため、ＴＥＯＳ系反応
ガスとＯ3 ガスとの反応状態が変動する。その結果、ウ
ェハ毎に、その膜厚、ドーパント濃度が変化するという
問題点があった。
【００３１】従来の装置では、反応ガス供給部分におい
ても、次に述べるような問題点があった。
【００３２】（１） Ｎ2 ガスに含まれるＴＥＯＳガス
の量は、バブリングされる液体ＴＥＯＳの温度に応じた
蒸気圧分に相当する量である。しかし、一般的に、図７
に示すように、少しの温度変化に対しても、ＴＥＯＳの
蒸気圧は大きく変動する。たとえば、液温が６０℃にお
いて、その液温が５℃上昇すると、ＴＥＯＳの蒸気圧は
約１．３倍となり、ひいては、Ｎ2 ガスに含まれるＴＥ
ＯＳ濃度も約１．３倍になり、膜厚が大きく変動する。
【００３３】バブリング材料タンク１２ａ内の液体ＴＥ
ＯＳの温度は、熱電対および温度コントローラにより制
御されているが、キャリアガスを液体材料中に通すこと
により、気化時の蒸発潜熱により、液温の低下が起こ
る。さらに、バブリング材料タンク１２ａ、ヒータ、お
よび液体ＴＥＯＳを合わせたシステムは、比較的大き
い。そのため、温度の制御性が悪く、ひいては、液温の
低下に対して回復が遅れ、正確な温度制御が困難であっ
た。
【００３４】図８に、バブリング開始後、成膜終了まで
の、液温および蒸気圧の経時変化を示す。図８から明ら
かなように、目標温度に沿って、温度がコントロールさ
れておらず、蒸気圧も大きく変動している。したがっ
て、膜厚の安定は、期待できない。このような問題はＴ
ＭＰＯ、ＴＥＢの場合にも、同様に生じ、ウェハごとの
膜厚およびドーパント濃度が一定にならないという問題
点があった。
【００３５】（２） また、従来の装置では、バブリン
グ材料タンクは、材料の種類の数だけ必要であるため、
費用がかかり過ぎ、また広いスペースを必要とするとい
う問題点があった。
【００３６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、１ウェハ毎に、均一で、かつ精
度の良い成膜が安定にできるように改良された、化学気
相成長装置用反応室を提供することを目的とする。
【００３７】この発明の他の目的は、反応チャンバ内の
汚れを少なくすることができるように改良された化学気
相成長装置用反応室を提供することにある。
【００３８】この発明のさらに他の目的は、ウェハを均
一に加熱することができるように改良された化学気相成
長装置用反応室を提供することにある。
【００３９】この発明のさらに他の目的は、上述した特
徴を有する化学気相成長装置用反応室を用いた化学気相
成長装置を提供することにある。
【００４０】この発明のさらに他の目的は、費用のかか
らない化学気相成長装置を提供することにある。
【００４１】この発明のさらに他の目的は、スペースを
あまり取らない化学気相成長装置を提供することにあ
る。
【００４２】この発明の他の目的は、処理能力に優れた
化学気相成長装置を提供することにある。
【００４３】この発明のさらに他の目的は、メインテナ
ンス性に優れた化学気相成長装置を提供することにあ
る。
【００４４】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従う化学気相成長装置用反応室は、ウェハを、その表面
を下向きにして保持し、かつ該ウェハを加熱するための
ウェハ加熱用ステージを備える。上記ウェハ加熱用ステ
ージは、ステージ中央を中心に回転する。上記ウェハ加
熱用ステージと対向する下方位置に、一定の空間領域を
形成するように、反応ガスを上記ウェハ加熱用ステージ
に向けて供給するガス供給ヘッドが設けられる。上記ウ
ェハ加熱用ステージと上記ガス供給ヘッドとの間にでき
る上記空間領域を、該空間領域を密閉された反応室にす
るための反応室形成部材が、横方向から取囲んでいる。
上記反応室形成部材中であって、かつ上記加熱用ステー
ジの全周に沿って、上記反応室内のガスを斜め上方向に
排気するように、その形状が選ばれた排気口が設けられ
ている。
【００４５】この発明の第２の局面に従う化学気相成長
装置は、化学気相成長反応を行なわせるための少なくと
も２個の枚葉反応チャンバと、上記枚葉反応チャンバ内
に送込むウェハを収納しておくための少なくとも４個の
製品実カセットステージと、を備える。当該装置は、さ
らに、定期的に成膜の状況を調べるためのモニタウェハ
を収納しておくための第１のモニタカセットステージ
と、成膜した後のモニタウェハを収納するための第２の
モニタカセットステージと、を備える。当該装置は、さ
らに、上記カセットステージと上記枚葉反応チャンバと
の間に設けられ、これらの間でウェハのやり取りを行な
うためのウェハステージを備える。当該装置は、さら
に、上記カセットステージと上記ウェハステージとの間
でウェハのやり取りを行なう第１のウェハ搬送手段と、
上記ウェハステージと上記枚葉反応チャンバとの間で上
記ウェハのやり取りを行なうための第２のウェハ搬送手
段と、を備える。
【００４６】
【作用】第１の局面に従う化学気相成長装置用反応室に
よれば、反応室内のガスを斜め上方向に排気するよう
に、その形状が選ばれた排気口を備えているので、反応
室内に入った反応ガスは、ウェハ面に衝突した後、ウェ
ハ面に沿って水平方向に移動し、排気口より速やかに排
気される。したがって、反応ガスは反応室内に滞留する
ことなく、速やかに、排気口より排気される。
【００４７】この発明の第２の局面に従う化学気相成長
装置によれば、２個の枚葉反応チャンバと、４個の製品
実カセットステージと、を備えるので、最小限の面積
で、効率よく、ウェハを処理できる。また、モニタカセ
ットステージを備えるので、成膜状況を容易にチェック
できる。
【００４８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。
【００４９】図９は、本発明の一実施例に係る化学気相
成長装置の概念図である。通常、半導体装置の製造工程
は、カセットと呼ばれる複数枚のウェハが挿入された容
器によって運用される。本装置も、カセット単位でウェ
ハを処理する装置である。
【００５０】図９を参照して、当該装置は、チャンバユ
ニット２０と、ウェハハンドリングユニット２１と、カ
セットステーションユニット２２とからなる。チャンバ
ユニット２２は、ウェハを１枚ずつ成膜処理するための
２つの枚葉反応チャンバ２０ａ，２０ｂが配置される。
カセットステーションユニット２２には、枚葉反応チャ
ンバ２０ａ，２０ｂ内に送込むウェハを収納しておくた
めの４個の製品実カセットステージＫ１，Ｋ２，Ｋ３，
Ｋ４が配置される。カセットステーションユニット２２
には、また、定期的に成膜の状況を調べるためのモニタ
ウェハを収納しておくための第１のモニタカセットステ
ージＫ６と、成膜した後のモニタウェハを収納するため
の第２のモニタカセットステージＫ５が配置される。第
１のモニタカセットステージＫ６と第２のモニタカセッ
トステージＫ５は、２階建構造になっている。第２のモ
ニタカセットステージＫ５に収納されたモニタウェハ
は、膜厚などを測定するために供される。カセットステ
ーションユニット２２には、ウェハのオリエンテーショ
ンフラットの方向と位置を決めるための手段２４が配置
される。
【００５１】カセットステージＫ１〜Ｋ６の前方には、
図１０に示すような、ウェハ搬送用ロボットＷＡ５００
が配置される。図１０を参照して、ウェハ搬送ロボット
ＷＡ５００は、カセットステージＫ１〜Ｋ６の前を走行
する機能、上下方向（Ｚ方向）にウェハ１４を移動させ
る機能、矢印５０方向に回転する機能、前後方向（Ｘ方
向）にウェハを移動させる機能、ウェハを矢印５１方向
に回転させる機能を有する。
【００５２】ウェハハンドリングユニット２１には、カ
セットステージＫ１〜Ｋ６と枚葉反応チャンバ２０ａ，
２０ｂとの間でウェハのやり取りを行なうためのウェハ
ステージ２６ａ、２６ｂが配置される。ウェハハンドリ
ングユニット２１には、また、ウェハを枚葉反応チャン
バ２０ａ、２０ｂにハンドリングするための伸縮アーム
を持つウェハ搬送ロボットＷＢ５０１が設けられる。ウ
ェハ搬送ロボットＷＢ５０１は、２つの枚葉反応チャン
バ２０ａ、２０ｂとウェハステージ２６ａ、２６ｂとの
間でウェハをやり取りをするために、狭いロボット室内
で、回転ならびに方向転換できるように、図１１に示す
ように、平行リンクの原理を用いた伸縮アームを備え
る。ウェハを保持するためのウェハパン５９は、図１２
を参照して、ウェハの製品となる表面に接触することな
く、表面を下向きにして保持できるように、ウェハ１４
の周辺部を保持する。
【００５３】図９に戻って、２つのウェハステージ２６
ａ、２６ｂは、それぞれ、枚葉反応チャンバ２０ａ、２
０ｂへのウェハの搬入、枚葉反応チャンバ２０ｂ，２０
ｂからのウェハの搬出専用のバッファステージである。
このバッファステージ（２６ａ，２６ｂ）から枚葉反応
チャンバ２０ａ，２０ｂへのウェハの搬送においては、
ウェハは、常に、その表面を下向きにして搬送される。
ウェハステージ２６ａ、２６ｂも、図１２に示すような
構造と同一構造であり、ウェハの製品となる表面に接触
することなく、その表面を下向きにして、ウェハを保持
する。
【００５４】２つの枚葉反応チャンバ２０ａ、２０ｂ
は、それぞれ同じ構造をしている。図１３は、枚葉反応
チャンバ２０ａ、２０ｂの断面図である。枚葉反応チャ
ンバは、図に示すように、密閉構造を有している。枚葉
反応チャンバは、ウェハ１４をその表面を下向きにして
保持し、かつ該ウェハ１４を加熱するためのウェハ加熱
用ステージ２８を備える。ウェハ加熱用ステージ２８
は、ステージ中央を中心に回転する。ウェハ加熱用ステ
ージ２８と対向する下方位置に、一定の空間領域５３を
形成するように、反応ガスをウェハ加熱用ステージ２８
に向けて供給するガス供給ヘッド３７が設けられてい
る。当該枚葉反応チャンバは、ウェハ加熱用ステージ２
８とガス供給ヘッド３７との間にできる空間領域５３を
横方向から取囲み、該空間領域５３を密閉された反応室
にするための反応室形成部材５４を備える。反応室形成
部材５４中であって、かつウェハ加熱用ステージ２８の
全周に沿って、反応室内のガスを斜め上方向に排気する
ように、その形状が選ばれた排気口３３が設けられてい
る。反応室形成部材５４には、ウェハを出し入れするた
めのゲート５５が設けられる。ゲート５５の開閉は、ゲ
ートシャッタ２７により行なわれる。
【００５５】排気口３３は、空間領域５３の上部であっ
て、かつウェハ加熱用ステージ２８を取囲むように設け
られた排気上リング３１と、排気下リング３２により形
成される。排気上リング３１と排気下リング３２は、一
定の間隔を隔てて設けられている。排気下リング３２に
は、排気ガスの逆流を防止するための突起３４が設けら
れている。ウェハ加熱用ステージ２８の、ウェハ１４を
保持するための保持面は該ウェハ１４の主面と略同一の
大きさである。ウェハ加熱用ステージ２８は、熱伝導性
のよいモリブデン材料で作られている。それゆえ、ウェ
ハ加熱用ステージ２８は、ウェハ１４を均一に加熱でき
る。ウェハ加熱用ステージ２８は、ヒータを内蔵し、か
つ、ウェハを真空吸着によって保持するための吸着溝を
有する。参照番号２９で示す部材は、ステージを回転さ
せるためのベアリングであり、参照番号３０で示す部材
は、回転部の気密を保つためのシール材である。排気上
リング３１は、取外し可能な金属製カバー３５と、金属
製カバー３５を裏から加熱するための加熱ヒータ３６と
から構成される。反応生成物が金属製カバー３５に付着
すると、金属製カバー３５だけを取外し、エッチング等
によって洗浄をすることができる。ガス供給ヘッド３７
は、複数のガス噴出口６１ａを有する噴出板６１と、噴
出板６１を、該噴出板６１との間に部屋を形成するよう
に下から支える部屋形成部材６２と、を備える。上記部
屋は、隔壁リング３８によって、内室６３ａと、該内室
６３ａを取囲む外室６３ｂとに仕切られている。内室６
３ａには、反応性ガス（ＴＥＯＳ，Ｏ3 ）が供給され
る。外室６３ｂには、Ｎ2 ガスが供給される。ガス噴出
口６１ａは、図１４に示すように、ウェハ１４を十分に
覆う範囲に、細密の配置で、噴出板６１中に設けられて
いる。図１５は、図１４のＡ−Ａ線に沿う断面図の一部
である。噴出口６１ａの形状は、図１５に示すとおり、
各孔からの噴き出し流速を一定に保ちながら、かつウェ
ハ表面には十分に拡散したガスを供給し、さらに、横流
れを防止するために、小孔６４と大孔６５を組合せて形
成されている。孔６４，６５のピッチＰは６ｍｍであ
り、小孔６４の直径は１．５ｍｍであり、大孔６５の直
径は５．５ｍｍ程度が最適である。
【００５６】図１３を参照して、内室６３ａの中には、
該内室６３ａの中に導入される少なくとも２種の反応ガ
スを混合するためのミキサ３９が設けられている。
【００５７】図１６を参照して、ミキサ３９は、プレー
ト６６で形成されている。プレート６６には、２種の反
応ガスを導入するための少なくとも２つのガス導入口６
７ａ，６７ｂが設けられている。プレート６６には、さ
らに、２つのガス導入口６７ａ，６７ｂから別々に入っ
てきたガスが一緒になって通る曲がった通路６８が設け
られている。曲がった通路６８の最終端には、該通路６
８を通ってきたガスを内室に送込むための排出口６９が
設けられている。ミキサ３９内に入ってきたガスは、通
路６８を通過し、曲げられるときに発生する乱流によっ
て、十分に混合される。
【００５８】図１３を参照して、ミキサ３９により混合
された反応ガスは、拡散板４０により整流され、噴出口
６１ａを通って、ウェハ１４の上に供給される。
【００５９】部屋形成部材６２には、冷却水通路４１と
保温ヒータ４２が設けられており、これによって、部屋
形成部材６２の内壁が一定温度に保たれる。
【００６０】ウェハ加熱用ステージ２８とガス供給ヘッ
ド３７との距離は、ウェハ搬送ロボットＷＢの保持用パ
ンが挿入できるように、また成膜処理中、その間隔を変
更できるように、自由に変えられるようになっている。
これらの距離は、ガス供給ヘッド３７を上下方向に移動
すること、又は、ウェハ加熱用ステージ２８を上下方向
に移動することによって自由に変えられる。
【００６１】次に、ガス供給システムについて説明す
る。アルコラート系液体ソースとして、テトラエトキシ
シラン（ＴＥＯＳ）、ドーピング用として正リン酸トリ
メチル（ＴＭＰＯ）、硼酸トリエチル（ＴＥＢ）の３種
類を用い、キャリアガスにＮ2ガスを用いた場合につい
て、説明する。
【００６２】図１７は、ガス供給システムの概略図であ
る。材料タンク４３ａ内には、液体ＴＥＯＳが収容され
ている。液体マスフローコントローラ４４ａは、材料タ
ンク４３ａから送られて来た液体ＴＥＯＳの質量と流量
を正確に測定して、これを気化室４５へ送出すものであ
る。材料タンク４３ｂには、液体ＴＭＰＯが収容されて
いる。液体マスフローコントローラ４４ｂは、送られて
きた液体ＴＭＰＯの質量と流量を正確に測定して、これ
を気化室４５に送出すものである。材料タンク４３ｃ内
には液体ＴＥＢが収容されている。液体マスフローコン
トローラ４４ｃは、送られてきた液体ＴＥＢの質量と流
量を正確に測定して、これを気化室４５に送り出すもの
である。
【００６３】液体マスフローコントローラ４４ａ，４４
ｂ，４４ｃは、図１８に示すように、質量と流量に応じ
て熱が奪われる現象を利用して、液体ソースの微小の質
量と流量を正確に計量し、かつ供給する。ＴＭＰＯとＴ
ＥＢについては、実使用流量が液体状態で０．０１〜
０．０５ｃｃ／分であり、この値は液体マスフローコン
トローラのフルスケール（１ｃｃ／分）と比べ、少な過
ぎるため、エタノールで希釈し、液体マスフローコント
ローラにおける流量を増加させている。通常、ＴＥＰＯ
／エタノール＝１／５（重量比）、ＴＥＢ／エタノール
＝１／５（重量比）である。
【００６４】気化器４５は、液体マスフローコントロー
ラ４４ａ，４４ｂ，４４ｃから送出された液体ＴＥＯ
Ｓ、液体ＴＭＯＰおよび液体ＴＥＢを、熱とキャリアガ
スＮ2で気化するものである。
【００６５】気化器４５は、図１９を参照して、金属球
７０が充填された容器６９を備える。容器６９のまわり
には加熱用ヒータ７１が設けられている。容器６９に
は、液入口７２ａ，７２ｂ，７２ｃから３種類の液体ソ
ースが導入される。容器６９には、また、キャリアガス
入口７３より、キャリアガスが導入される。容器６９内
では、３種類の液体ソースが、まとめて気化される。
【００６６】図１７を参照して、まとめて気化された３
種類の液体ソースは、後に、さらにキャリアガスＮ2 が
加えられ、加熱されかつ保温された第１の配管７４よ
り、ガス供給ヘッド３７に送られる。第１の配管７４に
はベントライン７５が接続されている。第１の配管７４
にはエアバルブ４６が設けられ、ベントライン７５には
エアバルブ４７が設けられている。これらのエアバルブ
４６，４７の切替によって、成膜時はガス供給ヘッドに
ガスが供給され、それ以外は、ガスがベントライン７５
へ排気される。
【００６７】オゾン発生器１８にはＯ2 ガスが供給さ
れ、無声放電等により、その一部がＯ 3 に変えられる。
Ｏ3 を含むＯ2 ガスは質量流量計１９で正確に計量され
た後、さらにキャリアガスＮ2 が加えられ、第２の配管
７６を通ってガス供給ヘッド３７に送込まれる。第２の
配管７６にはベントライン７７が接続されている。第２
の配管７６にはエアバルブ４８が設けられ、ベントライ
ン７７にはエアバルブ４９が設けられている。ベントラ
イン７７にはＯ3 成分をＯ2 に変換する触媒式のオゾン
処理器５０が接続されている。エアバルブ４８，４９の
切替操作により、成膜時はガス供給ヘッド３７へオゾン
を含む酸素ガスが供給され、それ以外は、ガスがベント
ライン７７よりオゾン処理器５０を通って排気されるよ
うになっている。
【００６８】なお、オゾン発生器１８においては、その
中のガスの一部は濃度を測定するために、オゾンモニタ
（図示せず）に供給される。オゾンモニタにおいては、
光の吸収により、オゾン濃度が正確に測定される。
【００６９】次に、上述のように構成された化学気相成
長装置を用いて、ウェハの上に薄膜を形成する方法につ
いて説明する。図９を参照して、カセットステーション
ユニット２２内に配置されたカセットステージＫ１の上
に載せられたウェハカセットより、ウェハ搬送ロボット
ＷＡが、成膜すべきウェハを取出す。ウェハ搬送ロボッ
トＷＡは、真空吸着方式により、ウェハを保持し、オリ
エンテーションフラットを合わせるための手段２４（以
下、ＯＦ手段２４という）に搬送する。ＯＦ手段２４に
おいては、ウェハのオリエンテーションフラットの角度
と位置が正確に決められる。ＯＦ手段２４の位置決め
が、最終的なウェハ加熱用ステージ２８におけるウェハ
の吸着精度を決めるために非常に大切である。ＯＦ手段
２４においては、±０．２ｍｍ以下の精度で、オリエン
テーションフラットの角度と位置が決められる。
【００７０】オリエンテーションフラットの角度と位置
を正確に決められたウェハは、再び、ウェハ搬送ロボッ
トＷＡにより真空吸着され、枚葉反応チャンバ２０ａ，
２０ｂへウェハを搬入することを専門の役割とするウェ
ハステージ２６ａに運ばれる。このとき、ウェハは、ウ
ェハ回転（図１０において、矢印５１に示す方向の回
転）の機能により、その裏表が反転される。すなわち、
ウェハは、ウェハの製品となる表面に接触することな
く、表面を下向きにして、パン５９に保持される。ウェ
ハステージ２６ａに載せられたウェハは、枚葉反応チャ
ンバ２０ａ内に、平行リンクの原理を用いた伸縮アーム
を持つウェハ搬送ロボットＷＢにより、挿入され、ウェ
ハ加熱ステージ２８に搬送され、ウェハ加熱ステージ
に、真空吸着によって保持される。ウェハ搬送ロボット
ＷＢのウェハ保持用パン５９は、図１２のように、ウェ
ハの製品となる表面中央部に接触することなく、その表
面を下向きにして、保持できるような形状になってい
る。ウェハをウェハステージ２６ａよりすくい上げた
後、枚葉反応チャンバ２０ａ内に挿入するとき、ウェハ
加熱ステージ２８とガス供給ヘッド３７との距離は、ウ
ェハ搬送ロボットＷＢの保持用パン５９が挿入できるよ
うに、それらの間隔を開けておく。ウェハ加熱ステージ
２８は、ウェハ１４の主面と略同一の保持面を持つ。し
たがって、ウェハがウェハ加熱ステージ２８の保持面に
正確に吸着されると、高温のステージ面において、反応
ガスにさらされる部分はなくなる。ひいては、ウェハ加
熱ステージ２８に余分な膜が付着することはない。
【００７１】ウェハをウェハ加熱用ステージ２８に真空
吸着により保持させた後、ウェハ加熱ステージ２８とガ
ス供給ヘッド３７との間隔が成膜に必要な所定の距離に
縮められる。
【００７２】成膜は、高温加熱されたウェハ１４に、Ｔ
ＥＯＳ、ＴＭＰＯ、ＴＥＢを含んだＮ2 ガスおよびＯ3
ガスを供給することにより行なわれる。
【００７３】図１７を参照して、材料タンク４３ａ内の
液体ＴＥＯＳは、Ｈｅガスの圧力により、液体マスフロ
ーコントローラ４４ａに送られる。液体マスフローコン
トローラ４４ａは、液体ＴＥＯＳの質量と流量を正確に
計量し、これを気化器４５に送込む。本実施例では、Ｔ
ＥＯＳの必要量は、液体状態で、約０．２ｃｃ／分であ
る。材料タンク４３ｂ，４３ｃ内の、エタノールで希釈
された液体ＴＭＰＯおよびＴＥＢも、Ｈｅガスの圧力に
より、液体マスフローコントローラ４４ｂ，４４ｃに送
られ、液体マスフローコントローラ４４ｂ，４４ｃによ
り、その流量が、正確に計量され、気化器４５に供給さ
れる。液体ソースに圧力をかけるためにＨｅガスを用い
る理由は、液体ソースに溶け込む気体の量を最小限にし
て、液体マスフローコントローラ通過後において、気泡
が発生するのを最小限に食止めるためである。
【００７４】それぞれの液体マスフローコントローラ４
４ａ，４４ｂ，４４ｃにより測量され、かつ送出された
液体ＴＥＯＳ、液体ＴＭＰＯおよび液体ＴＥＢは、気化
器４５に送込まれた後、熱とキャリアガスＮ2 により、
まとめて気化される。
【００７５】まとめて気化された３種類の液体ソース
は、後に、さらにキャリアガスＮ2 が加えられ、加熱さ
れ、かつ保温された配管７４を通って、ガス供給ヘッド
３７に送られる。
【００７６】成膜時には、エアバルブ４７，４９を閉じ
るとともに、エアバルブ４６，４８を開ける。これによ
り、図１３を参照して、内室６３ａ内に、ＴＥＯＳを含
んだＮ2 ガスとＯ3 を含んだＯ2 ガスが供給される。こ
れらのガスは、ミキサ３９で十分に混合され、拡散板４
０により整流され、噴出口６１ａを通って、ウェハ１４
に供給される。外室６３ｂには、Ｎ2 ガスが、常時、供
給されている。
【００７７】成膜中のチャンバ内の様子を、図１３を用
いて、さらに詳しく説明する。ウェハ加熱用ステージ２
８は、ステージ中央を中心として回転し、それによっ
て、膜厚の均一化が促進される。ウェハ１４に供給され
た後の排気ガスは、ウェハ加熱用ステージ２８の全周に
沿って設けられ、かつ反応室（５３）内のガスを斜め上
方向に排気するように、その形状が選ばれた排気口３３
より、均一に、排出される。排気されたガスは、ウェハ
加熱用ステージ２８の全周に沿って設けられた突起３４
によって、チャンバ内に逆流しない。
【００７８】図２０は、反応室（５３）内におけるガス
の流れの様子を模式的に示した図である。ＴＥＯＳ＋Ｏ
2 ガスは、噴出口６１ａから反応室（５３）内に入り、
ウェハ１４面に衝突した後、ウェハ１４面に沿って水平
方向に移動し、排気口３３より排気される。噴出口６１
ａが設けられている領域を取り囲むように設けられたＮ
2 ガス供給口６３ｃから噴出されるＮ2 ガスは、ウェハ
１４面に沿って移動するＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガスを、ウェハ
１４面に向けて押し付ける。これにより、ＴＥＯＳ＋Ｏ
2 ガスは、ウエハ１４面に接触した後、反応室（５３）
内に滞留することなく、速やかに、排気口３３より排気
される。それゆえに、反応部におけるガスの流れは一定
となり、ひいては成膜条件が安定する。
【００７９】また、図１３に戻って、ウェハ加熱用ステ
ージ２８と排気上リング３１との隙間からは、不活性ガ
スが反応室（５３）内に均一に吹出すように、装置が構
成されている。そのため、ウェハ加熱ステージ２８と排
気上リング３１との隙間部分に反応ガスが流れ込まず、
ひいてはウェハ１４の裏面に成膜は行なわれない。
【００８０】成膜工程が終了すると、図１７および図１
３を参照して、エアバルブ４６，エアバルブ４８を閉じ
るとともに、エアバルブ４７，４９を開ける。これによ
りＴＥＯＳを含んだＮ2 ガスおよびＯ3 ガスの、枚葉反
応チャンバへの供給が停止される。Ｏ3 を運ぶキャリア
ガスは流し続け、かつガス供給ヘッド３７の外室６３ｂ
にも、Ｎ2 ガスを供給し続ける。これによって、枚葉反
応チャンバ内が、不活性ガスで置換される。枚葉反応チ
ャンバ内を不活性ガスで置換した後、ウェハ加熱ステー
ジ２８とガス供給ヘッド３７との距離を広げるととも
に、ゲートシャッタ２７を開ける。ウェハ搬送ロボット
ＷＢのウェハ保持用パンをチャンバ内に挿入し、ウェハ
の真空吸着を解除する。ウェハ１４の表面を下向きにし
て、払い出し専用のウェハステージ２６ｂに搬送する。
ウェハステージ２６ｂにウェハを搬送されたウェハは、
しばらく放置されることにより、ウェハカセットが熱で
変形しない温度にまで、冷却される。冷却されたウェハ
は、ウェハ搬送ロボットＷＡにより、真空吸着方式によ
り保持され、カセットステーションユニット２２内に配
置されたカセットステージＫ１の上に置かれたカセット
の、元のスリットに挿入される。また、実施例にかかる
装置は、半導体ウェハを１枚毎に処理するので、ウェハ
毎に異なった条件で成膜することが可能となる。さら
に、成膜途中で条件を変更することにより、膜の厚さ方
向の質を自由に制御することができる。
【００８１】一方、ウェハが払い出された枚葉反応チャ
ンバには、次に処理されるウェハが、ウェハ搬送ロボッ
トＷＢにより、運び込まれ、成膜が行なわれる。
【００８２】以上のようにして、１ウェハ毎に、均一
で、精度の良い成膜が、安定に行なわれる。また、ウエ
ハを１枚ごとに処理する装置であるので、ウエハ毎に異
なった条件で、成膜することが可能となる。さらに、成
膜途中で条件を変更することにより、膜の厚さ方向の膜
質を制御することができる。
【００８３】なお、上記実施例では、材料の必要量が液
体状態で約０．０５ｃｃ／分、液体マスフローコントロ
ーラのフルスケールが１ｃｃ／分、精度がフルスケール
±２％としたため、液体ＴＥＯＳをアルコールで１０％
に希釈した。しかし、この希釈量は、必要に応じて変え
ることができる。要するに、液体マスフローコントロー
ラのフルスケール近くで使用できるように、液体反応材
料を希釈すればよいのである。
【００８４】また、上記実施例では、液体反応材料とし
てＴＥＯＳを用いた場合を例示したが、この発明はこれ
に限られるものでなく、気化して反応する液体材料であ
れば、いずれのものも使用できる。また、膜中に不純物
をドーピングするための液体材料には、正リン酸トリメ
チル、硼酸トリメチルを用いてもよい。
【００８５】さらに上記実施例では、希釈するアルコー
ルとしてエチルアルコールを例示したが、アルコラート
系液体材料は一般にアルコールに可溶であるため、いず
れのアルコールでも使用し得る。
【００８６】また、上記実施例では、キャリアガスにＮ
2 ガスを用いた場合を例示したが、この発明はこれに限
られるものでなく、化学気相成長に適した不活性ガスな
らば、いずれも使用できる。
【００８７】また、上記実施例では、反応材料と反応さ
せるガスとしてＯ3 ガスを例示したが、この発明はこれ
に限られるものでなく、液体ソースに応じて、Ｏ2 ガス
またはＮＯ2 なども使用できる。また、ウェハの温度に
よっては、これらのガスは不要の場合もある。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の第１の局
面に従う化学気相成長装置用反応室によれば、反応室
に、該反応室内のガスを斜め上方向に排気するようにそ
の形状が選ばれた排気口を設けているので、反応室内に
入った反応ガスは、ウェハ面に衝突した後、ウェハ面に
沿って、水平方向に移動し、排気口より速やかに排気さ
れる。したがって、反応ガスは反応室内に滞留すること
なく、速やかに、排気口より排気される。その結果、反
応部におけるガスの流れは、一定となり、ひいては、成
膜条件が安定化する。また、１ウェハ毎に、均一で、か
つ精度の良い成膜が安定にできる。また、チャンバ内の
汚れが少なくなる。
【００８９】この発明の第２の局面に従う化学気相成長
装置によれば、２個の枚葉反応チャンバと４個の製品カ
セットステージを備えているので、最小限の面積で、効
率良くウェハを処理できる。また、モニタカセットステ
ージを備えるので、成膜状況を、簡単にチェックでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳｉＨ4 −Ｏ2 ガスを用いてＢＰＳＧ膜を基板
の上に形成する工程を示す断面図である。
【図２】ＳｉＨ4 −Ｏ2 ガスを用いてＢＰＳＧ膜を形成
するときの、問題点を示す図である。
【図３】ＴＥＯＳを用いて絶縁膜を形成する工程を示す
断面図である。
【図４】ＴＥＯＳを用いる、従来の化学気相成長装置の
概略平面図である。
【図５】図４に示す従来の化学気相成長装置の側面図で
ある。
【図６】従来の化学気相成長装置に用いられるベルヌイ
チャックの側面図である。
【図７】液体ＴＥＯＳの蒸気圧曲線である。
【図８】従来の化学気相成長装置のバブリングにおけ
る、時間と温度との関係図である。
【図９】本発明の一実施例にかかる化学気相成長装置の
概念図である。
【図１０】本発明の一実施例にかかる化学気相成長装置
に用いられるウェハ搬送ロボットＷＡの斜視図である。
【図１１】本発明の一実施例にかかる化学気相成長装置
に用いられるウェハ搬送ロボットＷＢの斜視図である。
【図１２】ウェハを保持するパンの断面図である。
【図１３】本発明の一実施例にかかる枚葉反応チャンバ
の断面図である。
【図１４】ガス供給ヘッドの噴出板の平面図である。
【図１５】図１４におけるＡ−Ａ線に沿う部分断面図で
ある。
【図１６】ガス供給ヘッド内に設けられるミキサの斜視
図である。
【図１７】本発明に用いられるガス供給システムの概念
図である。
【図１８】本発明に用いられる液体マスフローコントロ
ーラの原理を示す図である。
【図１９】本発明に用いられる気化器の部分切欠図であ
る。
【図２０】図１３に示す枚葉反応チャンバの、反応室近
傍の拡大図であり、反応室内におけるガスの流れの様子
を模式的に示した図である。
【符号の説明】
１４ ウェハ ２８ ウェハ加熱用ステージ ３３ 排気口 ３７ ガス供給ヘッド ５３ 空間領域 ５４ 反応室形成部材
フロントページの続き (72)発明者 南 利彦 福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号 三菱電機株式会社福岡製作所内 (72)発明者 河田 良信 福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号 三菱電機株式会社福岡製作所内

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハを、その表面を下向きにして保持
    し、かつ該ウェハを加熱するためのウェハ加熱用ステー
    ジと、 前記ウェハ加熱用ステージは、ステージ中央を中心に回
    転するものであり、 前記ウェハ加熱用ステージと対向する下方位置に、一定
    の空間領域を形成するように設けられ、反応ガスを前記
    ウェハ加熱用ステージに向けて供給するガス供給ヘッド
    と、 前記ウェハ加熱用ステージと前記ガス供給ヘッドとの間
    にできる前記空間領域を横方向から取囲み、該空間領域
    を密閉された反応室にするための反応室形成部材と、 前記反応室形成部材中であって、かつ前記ウェハ加熱用
    ステージの全周に沿って設けられ、前記反応室内のガス
    を斜め上方向に排気するように、その形状が選ばれた排
    気口と、を備えた化学気相成長装置用反応室。
  2. 【請求項２】 前記反応室形成部材に設けられ、前記ウ
    ェハを出し入れするためのゲートと、 前記ゲートの開閉を行なうゲートシャッターと、をさら
    に備えた、請求項１記載の化学気相成長装置用反応室。
  3. 【請求項３】 前記排気口は、前記空間領域の上部であ
    ってかつ前記ウェハ加熱用ステージを取囲むように設け
    られた排気上リングと、排気下リングと、により形成さ
    れ、 前記排気上リングと前記排気下リングは一定の間隔を隔
    てて設けられている、請求項１記載の化学気相成長装置
    用反応室。
  4. 【請求項４】 前記排気下リングには、排気ガスの逆流
    を防止するための逆流防止手段が設けられている、請求
    項３記載の化学気相成長装置用反応室。
  5. 【請求項５】 前記ウェハ加熱用ステージの前記ウェハ
    を保持するための保持面は、該ウェハの主面と略同一の
    大きさである、請求項１記載の化学気相成長装置用反応
    室。
  6. 【請求項６】 前記ウエハ加熱用ステージはモリブデン
    で形成される、請求項１記載の化学気相成長装置用反応
    室。
  7. 【請求項７】 前記排気上リングは、取外し可能な金属
    製カバーと、該金属製カバーを裏から加熱するための加
    熱ヒータと、を含む、請求項１記載の化学気相成長装置
    用反応室。
  8. 【請求項８】 前記ガス供給ヘッドは、 複数のガス噴出口を有する噴出板と、 前記噴出板を、該噴出板との間に部屋を形成するように
    下から支える部屋形成部材と、 前記部屋を、内室と、該内室を取囲む外室とに仕切る隔
    壁リングと、を備え、 前記内室には反応性ガスが供給され、 前記外室には不活性ガスが供給される、請求項１記載の
    化学気相成長装置用反応室。
  9. 【請求項９】 前記ガス噴出口は、その下部の径がその
    上部の径よりも小さくなるように、前記噴出板中に形成
    されている、請求項８記載の化学気相成長装置用反応
    室。
  10. 【請求項１０】 前記内室中には、該内室の中に導入さ
    れる少なくとも２種の反応ガスを混合するための混合手
    段が設けられている、請求項８記載の化学気相成長装置
    用反応室。
  11. 【請求項１１】 前記混合手段はプレートで形成されて
    おり、 前記プレートには、 前記２種の反応ガスを導入するための少なくとも２つの
    ガス導入口と、 前記２つのガス導入口から別々に入ってきた前記反応ガ
    スが一緒になって通る曲がった通路と、 前記曲がった通路の最終端に設けられ、該通路を通って
    きた前記反応ガスを前記内室に送込むための排出口と、
    が設けられている、請求項１０記載の化学気相成長装置
    用反応室。
  12. 【請求項１２】 前記内室中には、前記混合手段から該
    内室中に送込まれてきたガスを拡散させて、該ガスを前
    記噴出板に導くための拡散板が設けられている、請求項
    １０記載の化学気相成長装置用反応室。
  13. 【請求項１３】 前記部屋形成部材には、前記部屋形成
    部材の内壁を冷却するための冷却手段と、前記部屋形成
    部材の内壁を保温するための保温手段とが設けられてい
    る、請求項８記載の化学気相成長装置用反応室。
  14. 【請求項１４】 前記ウェハ加熱用ステージと前記ガス
    供給ヘッドとの間の距離は任意に変えられる得る、請求
    項１記載の化学気相成長装置用反応室。
  15. 【請求項１５】 前記ガス供給ヘッドには、 複数種のアルコラート系液体反応材料をまとめて気化す
    る気化器と、 酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給手段と、が接続さ
    れている、請求項１記載の化学気相成長装置用反応室。
  16. 【請求項１６】 前記気化器と前記ガス供給ヘッドと
    は、気化した前記アルコラート系液体反応材料が通過す
    る第１の管路で接続されており、 前記酸化性ガス供給手段と前記ガス供給ヘッドとは、酸
    化性ガスが通過する第２の管路で接続されており、 前記第１および第２の管路のそれぞれには、これらの管
    路内のガスを排気するためのベントラインが接続されて
    いる、請求項１５記載の化学気相成長装置用反応室。
  17. 【請求項１７】 化学気相成長反応を行なわせるための
    少なくとも２個の枚葉反応チャンバと、 前記枚葉反応チャンバ内に送込むウェハを収納しておく
    ための少なくとも４個の製品実カセットステージと、 定期的に成膜の状況を調べるためのモニタウェハを収納
    しておく第１のモニタカセットステージと、 成膜した後のモニタウェハを収納するための第２のモニ
    タカセットステージと、 前記カセットステージと前記枚葉反応チャンバとの間に
    設けられ、これらの間でウェハのやり取りを行なうため
    のウェハステージと、 前記カセットステージと前記ウェハステージとの間で、
    ウェハのやり取りを行なう、第１のウェハ搬送手段と、 前記ウェハステージと前記枚葉反応チャンバとの間で前
    記ウェハのやり取りを行なうための第２のウェハ搬送手
    段と、を備えた化学気相成長装置。
  18. 【請求項１８】 前記第１および第２のウェハ搬送手段
    は、 前記ウェハの表面を下向きにし、かつ該ウェハの周辺部
    を支えるようにして、該ウェハを搬送する、請求項１７
    記載の化学気相成長装置。
  19. 【請求項１９】 当該装置は、前記製品実カセットステ
    ージまたは前記モニタカセットステージから取出された
    前記ウェハのオリエンテーションフラットの角度と位置
    を正確に定めるための手段を、さらに備える、請求項１
    ７に記載の化学気相成長装置。
JP4241938A 1992-09-10 1992-09-10 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置 Pending JPH0697080A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4241938A JPH0697080A (ja) 1992-09-10 1992-09-10 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置
US08/082,868 US5425812A (en) 1992-09-10 1993-06-29 Reaction chamber for a chemical vapor deposition apparatus and a chemical vapor deposition apparatus using such a reaction chamber
DE4330266A DE4330266C2 (de) 1992-09-10 1993-09-07 Reaktionskammer für eine Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4241938A JPH0697080A (ja) 1992-09-10 1992-09-10 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0697080A true JPH0697080A (ja) 1994-04-08

Family

ID=17081804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4241938A Pending JPH0697080A (ja) 1992-09-10 1992-09-10 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5425812A (ja)
JP (1) JPH0697080A (ja)
DE (1) DE4330266C2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5712001A (en) * 1995-03-20 1998-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemical vapor deposition process for producing oxide thin films
JP2013118402A (ja) * 1997-09-11 2013-06-13 Applied Materials Inc 気化・堆積装置および方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595241A (en) * 1994-10-07 1997-01-21 Sony Corporation Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member
US5885356A (en) * 1994-11-30 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
US5996428A (en) * 1995-09-22 1999-12-07 Smithkline Beecham Corporation System to test thermal oxidizer efficiency
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
US5895530A (en) * 1996-02-26 1999-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber
US5906683A (en) * 1996-04-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Lid assembly for semiconductor processing chamber
DE19622402C1 (de) * 1996-06-04 1997-10-16 Siemens Ag Vorrichtung zum Behandeln wenigstens eines Substrats sowie Verwendung der Vorrichtung
DE19622403C1 (de) * 1996-06-04 1997-11-20 Siemens Ag Vorrichtung zum Erzeugen einer Schicht auf der Oberfläche wenigstens eines Substrats durch CVD
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5862057A (en) * 1996-09-06 1999-01-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for tuning a process recipe to target dopant concentrations in a doped layer
DE19813523C2 (de) * 1998-03-26 2000-03-02 Aixtron Ag CVD-Reaktor und dessen Verwendung
KR19990076407A (ko) * 1998-03-31 1999-10-15 윤종용 반도체장치의 제조공정에 있어서의 박막 형성방법
US6300255B1 (en) * 1999-02-24 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing semiconductive wafers
KR100332314B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 박막증착용 반응용기
JP3828821B2 (ja) * 2002-03-13 2006-10-04 株式会社堀場エステック 液体材料気化供給装置
US7144459B2 (en) * 2002-07-19 2006-12-05 Semitool, Inc. Centrifugal swing arm spray processor
KR100487556B1 (ko) * 2002-12-30 2005-05-03 삼성전자주식회사 반도체 박막 증착장치
DE102007022431A1 (de) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Behandlungssystem für flache Substrate
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
FR2946184B1 (fr) * 2009-05-27 2011-07-01 Commissariat Energie Atomique Enceinte, dispositif et procede de recuit d'un materiau semi-conducteur du type ii-vi
TWI470105B (zh) * 2013-06-03 2015-01-21 Adpv Technology Ltd Gas Reaction Continuous Cavity and Gas Reaction
WO2016027186A1 (en) * 2014-08-19 2016-02-25 Koninklijke Philips N.V. Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
JP6807334B2 (ja) * 2015-05-13 2021-01-06 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ダイレベルのリフトオフの最中におけるメカニカルダメージを低減するためのサファイアコレクタ
JP6756853B2 (ja) * 2016-06-03 2020-09-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ チャンバ内部の流れを拡散させることによる低い粒子数及びより良好なウエハ品質のための効果的で新しい設計
US12054826B2 (en) * 2019-09-22 2024-08-06 Applied Materials, Inc. ALD cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02271627A (ja) * 1989-04-13 1990-11-06 Mitsubishi Electric Corp 常圧ｃｖｄ装置
JPH02283696A (ja) * 1989-04-25 1990-11-21 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
DE4142877A1 (de) * 1990-12-28 1992-07-02 Mitsubishi Electric Corp Cvd-verfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63186875A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Tadahiro Omi 表面反応成膜装置
US5304247A (en) * 1990-09-21 1994-04-19 Fujitsu Limited Apparatus for depositing compound semiconductor crystal
US5166856A (en) * 1991-01-31 1992-11-24 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with diamond coating
JP2505318B2 (ja) * 1991-03-25 1996-06-05 日本碍子株式会社 セラミックハニカム押出成形用口金の製造方法
JP2763222B2 (ja) * 1991-12-13 1998-06-11 三菱電機株式会社 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02271627A (ja) * 1989-04-13 1990-11-06 Mitsubishi Electric Corp 常圧ｃｖｄ装置
JPH02283696A (ja) * 1989-04-25 1990-11-21 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
DE4142877A1 (de) * 1990-12-28 1992-07-02 Mitsubishi Electric Corp Cvd-verfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5712001A (en) * 1995-03-20 1998-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemical vapor deposition process for producing oxide thin films
US5876504A (en) * 1995-03-20 1999-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Process for producing oxide thin films and chemical vapor deposition apparatus used therefor
JP2013118402A (ja) * 1997-09-11 2013-06-13 Applied Materials Inc 気化・堆積装置および方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE4330266C2 (de) 1997-06-19
US5425812A (en) 1995-06-20
DE4330266A1 (de) 1994-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0697080A (ja) 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置
KR100372956B1 (ko) 성막장치
EP0409603B1 (en) Process and apparatus for chemical vapour deposition
CN101061253B (zh) 使用批式制程腔室的基材处理装置
US20160273101A1 (en) Raw material gas supply apparatus and film forming apparatus
KR20010009968A (ko) 반도체 박막 증착 장치
KR20080027164A (ko) 기판 처리 장치
JPH01283376A (ja) 大気圧化学蒸着装置および方法
EP0884407A1 (en) Method and apparatus for producing thin films using colliding currents of process gas and inert gas
US20110207302A1 (en) Semiconductor device manufacturing method, and substrate processing method and apparatus
TWI709434B (zh) 包含廢氣分解模組之基板處理設備與廢氣之處理方法
TW201631204A (zh) 電漿輔助原子層沉積中之射頻補償用方法及設備
US10876204B2 (en) Substrate processing apparatus, exhaust pipe coating method and substrate processing method
JP6221932B2 (ja) 成膜装置
CN101019213A (zh) 衬底处理装置以及半导体设备的制造方法
JP2003234270A (ja) 熱処理装置
US20060216948A1 (en) Substrate processing system and method for manufacturing semiconductor device
JP2022108026A (ja) 連続処理装置
WO2012120991A1 (ja) 基板処理装置、及び、基板の製造方法
JP2010056565A (ja) 薄膜製造装置
KR20030074418A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
US11613811B2 (en) Film forming apparatus and method of operating film forming apparatus
JP4874984B2 (ja) 基板処理装置
JP2012009744A (ja) 基板処理装置
JP2009224457A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19961126