JPH0697145A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0697145A JPH0697145A JP24750292A JP24750292A JPH0697145A JP H0697145 A JPH0697145 A JP H0697145A JP 24750292 A JP24750292 A JP 24750292A JP 24750292 A JP24750292 A JP 24750292A JP H0697145 A JPH0697145 A JP H0697145A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- back surface
- container
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、処理液の中に基板を浸漬して処理
する半導体製造装置に関し、特に基板の裏面に気泡が付
着するのを防止できる半導体製造装置の提供を目的とす
る。 【構成】 基板12を処理する処理液11を入れる容器21
と、基板12の裏面を保持して処理液11の中に浸漬する基
板保持手段31とを含んでなる半導体製造装置において、
基板保持手段31は、処理液11の中で基板12を水平面に対
して傾斜させた状態で保持させるように構成する。
する半導体製造装置に関し、特に基板の裏面に気泡が付
着するのを防止できる半導体製造装置の提供を目的とす
る。 【構成】 基板12を処理する処理液11を入れる容器21
と、基板12の裏面を保持して処理液11の中に浸漬する基
板保持手段31とを含んでなる半導体製造装置において、
基板保持手段31は、処理液11の中で基板12を水平面に対
して傾斜させた状態で保持させるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理液の中に基板を浸
漬して処理する半導体製造装置、特に基板の裏面に気泡
が付着するのを防止できる半導体製造装置に関する。
漬して処理する半導体製造装置、特に基板の裏面に気泡
が付着するのを防止できる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来の半導体製造装置、たとえば
透明な石英基板の表面に被着したクロム（Cr) 膜をその
エッチング液によりエッチングして除去する従来の半導
体製造装置について図３を参照して説明する。
透明な石英基板の表面に被着したクロム（Cr) 膜をその
エッチング液によりエッチングして除去する従来の半導
体製造装置について図３を参照して説明する。
【０００３】図３は、従来の半導体製造装置の説明図で
あって、図３(a) はエッチング液に石英基板を浸漬する
前の状態を模式的に示す要部側断面図、図３(b) はエッ
チング液に石英基板を浸漬中の状態を模式的に示す要部
側断面図、図３(c) は基板ホルダーの模式的な平面図で
ある。
あって、図３(a) はエッチング液に石英基板を浸漬する
前の状態を模式的に示す要部側断面図、図３(b) はエッ
チング液に石英基板を浸漬中の状態を模式的に示す要部
側断面図、図３(c) は基板ホルダーの模式的な平面図で
ある。
【０００４】図３において、11はクロム（Cr) を溶解す
るエッチング液、12は正方形をした透明な石英基板、13
は石英基板12の表面に被着したクロム膜、14はクロム膜
13の表面に被着して所定のパターンにされたレジスト、
21はエッチング液11を入れる容器、22は容器21内にエッ
チング液11を供給するエッチング液供給管、23は石英基
板12の裏面を保持してエッチング液11に浸漬する基板ホ
ルダーである。
るエッチング液、12は正方形をした透明な石英基板、13
は石英基板12の表面に被着したクロム膜、14はクロム膜
13の表面に被着して所定のパターンにされたレジスト、
21はエッチング液11を入れる容器、22は容器21内にエッ
チング液11を供給するエッチング液供給管、23は石英基
板12の裏面を保持してエッチング液11に浸漬する基板ホ
ルダーである。
【０００５】このような従来の半導体製造装置により、
石英基板12の表面に被着したクロム膜13をエッチングし
て半導体装置の製造等に使用する露光用のレチクルを製
作するには、まず石英基板12をその表面側 (クロム膜1
3) を上に向けて基板ホルダー23のヘッド23a に水平状
態でセットするとともに、エッチング液供給管22から所
定量のエッチング液11を空の容器21内に供給する。
石英基板12の表面に被着したクロム膜13をエッチングし
て半導体装置の製造等に使用する露光用のレチクルを製
作するには、まず石英基板12をその表面側 (クロム膜1
3) を上に向けて基板ホルダー23のヘッド23a に水平状
態でセットするとともに、エッチング液供給管22から所
定量のエッチング液11を空の容器21内に供給する。
【０００６】容器21内に所定量のエッチング液11の供給
を完了したら、昇降・回転装置（図示せず）に連結した
基板ホルダー23の昇降・回転軸23b を介してヘッド23ａ
を矢印Ｄに下降して石英基板12をエッチング液11の中に
浸漬し、レジスト14から露出したクロム膜13をエッチン
グして除去する。
を完了したら、昇降・回転装置（図示せず）に連結した
基板ホルダー23の昇降・回転軸23b を介してヘッド23ａ
を矢印Ｄに下降して石英基板12をエッチング液11の中に
浸漬し、レジスト14から露出したクロム膜13をエッチン
グして除去する。
【０００７】次いで、昇降・回転装置によりヘッド23ａ
と石英基板12とを矢印Ｕ方向に上昇させてエッチング液
11の中から取り出した後に、昇降・回転装置によりヘッ
ド23ａとともに矢印Ｒ方向に回転している石英基板12に
付着しているエッチング液11を水洗して落とす。
と石英基板12とを矢印Ｕ方向に上昇させてエッチング液
11の中から取り出した後に、昇降・回転装置によりヘッ
ド23ａとともに矢印Ｒ方向に回転している石英基板12に
付着しているエッチング液11を水洗して落とす。
【０００８】この後、この石英基板12からレジスト14を
レジスト剥離液（図示せず）により剥離することにより
上述のレチクルが完成することとなる。
レジスト剥離液（図示せず）により剥離することにより
上述のレチクルが完成することとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述したように従来の
半導体製造装置においては、エッチング液11の中に石英
基板12を水平な状態で浸漬している。
半導体製造装置においては、エッチング液11の中に石英
基板12を水平な状態で浸漬している。
【００１０】ところで、一辺の長さが１６０ｍｍ程度に
なるような大きな石英基板12を従来の半導体製造装置に
よりエッチング液11に浸漬すると、その裏面に大きな気
泡15が付着することが少なくない。
なるような大きな石英基板12を従来の半導体製造装置に
よりエッチング液11に浸漬すると、その裏面に大きな気
泡15が付着することが少なくない。
【００１１】そして大きな体積の気泡15にあっては、そ
の大きな浮力により基板ホルダー23のヘッド23a から石
英基板12を浮かし、ヘッド23a から石英基板12を離脱さ
せて容器21の底に落下させることが少なからずあった。
の大きな浮力により基板ホルダー23のヘッド23a から石
英基板12を浮かし、ヘッド23a から石英基板12を離脱さ
せて容器21の底に落下させることが少なからずあった。
【００１２】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は石英基板の裏面に
気泡が付着するのを防止できる半導体製造装置の提供を
目的とする。
になされたものであって、その目的は石英基板の裏面に
気泡が付着するのを防止できる半導体製造装置の提供を
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的は図１に示すよ
うに、基板12を処理する処理液11を入れる容器21と、基
板12の裏面を保持して処理液11の中に浸漬する基板保持
手段31とを含んでなる半導体製造装置において、基板保
持手段31は、処理液11の中で基板12を水平面に対して傾
斜させた状態で保持することを特徴とする半導体製造装
置により達成される。
うに、基板12を処理する処理液11を入れる容器21と、基
板12の裏面を保持して処理液11の中に浸漬する基板保持
手段31とを含んでなる半導体製造装置において、基板保
持手段31は、処理液11の中で基板12を水平面に対して傾
斜させた状態で保持することを特徴とする半導体製造装
置により達成される。
【００１４】
【作用】本発明の半導体製造装置においては、基板保持
手段31が基板12を水平面に対して傾斜させた状態で処理
液11の中に浸漬するように構成している。
手段31が基板12を水平面に対して傾斜させた状態で処理
液11の中に浸漬するように構成している。
【００１５】したがって、処理液11に浸漬直後の基板12
の裏面に気泡15 (図３の(b) 参照)が付着していたとし
ても、基板12の裏面は水平面に対して傾斜しているため
に気泡15は短時間の内に離脱することとなる。
の裏面に気泡15 (図３の(b) 参照)が付着していたとし
ても、基板12の裏面は水平面に対して傾斜しているため
に気泡15は短時間の内に離脱することとなる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の請求項１に係る実施例の半導
体製造装置について図を参照しながら説明する。図１
は、本発明の請求項１に係る実施例の説明図であって、
図１(a) はエッチング液に石英基板を浸漬前の状態を模
式的に示す要部側断面図、図１(b) はエッチング液に石
英基板を浸漬中の状態を模式的に示す要部側断面図であ
る。
体製造装置について図を参照しながら説明する。図１
は、本発明の請求項１に係る実施例の説明図であって、
図１(a) はエッチング液に石英基板を浸漬前の状態を模
式的に示す要部側断面図、図１(b) はエッチング液に石
英基板を浸漬中の状態を模式的に示す要部側断面図であ
る。
【００１７】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１(a) 及び(b) に示すように本発明の請求項１
に係る実施例の半導体製造装置は、図３を参照して説明
した従来の半導体製造装置の基板ホルダー23を、基板ホ
ルダー31に代えて構成したものである。
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１(a) 及び(b) に示すように本発明の請求項１
に係る実施例の半導体製造装置は、図３を参照して説明
した従来の半導体製造装置の基板ホルダー23を、基板ホ
ルダー31に代えて構成したものである。
【００１８】この基板ホルダー31は、従来の半導体製造
装置の基板ホルダー23のヘッド23aを水平面に対して傾
斜、たとえば３度傾斜させて構成されて、石英基板12を
水平面に対して傾斜させた状態でエッチング液11の中に
浸漬する。
装置の基板ホルダー23のヘッド23aを水平面に対して傾
斜、たとえば３度傾斜させて構成されて、石英基板12を
水平面に対して傾斜させた状態でエッチング液11の中に
浸漬する。
【００１９】したがって、基板ホルダー31により処理液
11の中に浸漬された直後の基板12の裏面に気泡15 (図３
の(b) 参照) が付着していたとしても、基板12の裏面は
水平面に対して傾斜しているために気泡15は短時間の内
に離脱することとなる。
11の中に浸漬された直後の基板12の裏面に気泡15 (図３
の(b) 参照) が付着していたとしても、基板12の裏面は
水平面に対して傾斜しているために気泡15は短時間の内
に離脱することとなる。
【００２０】斯くして本発明の一実施例の半導体製造装
置は、処理液11の中に浸漬された石英基板12の裏面に上
述のような気泡15を付着させることがない。また、以上
説明した本発明の請求項１に係る実施例の半導体製造装
置に、図２で示す如く容器21内のエッチング液11を攪拌
する攪拌手段、たとえば一端を容器21内に突っ込んだ汲
み上げ管32a と、この汲み上げ管32a の他端に連結した
噴流ポンプ32b と、一端を噴流ポンプ32b に連結して他
端を容器21内に突っ込んだ吐出管32c とで構成した攪拌
手段を付設し、容器21内のエッチング液11を攪拌できる
ようにしたものが本発明の請求項２に係る実施例の半導
体製造装置である。
置は、処理液11の中に浸漬された石英基板12の裏面に上
述のような気泡15を付着させることがない。また、以上
説明した本発明の請求項１に係る実施例の半導体製造装
置に、図２で示す如く容器21内のエッチング液11を攪拌
する攪拌手段、たとえば一端を容器21内に突っ込んだ汲
み上げ管32a と、この汲み上げ管32a の他端に連結した
噴流ポンプ32b と、一端を噴流ポンプ32b に連結して他
端を容器21内に突っ込んだ吐出管32c とで構成した攪拌
手段を付設し、容器21内のエッチング液11を攪拌できる
ようにしたものが本発明の請求項２に係る実施例の半導
体製造装置である。
【００２１】この本発明の請求項２に係る実施例の半導
体製造装置において噴流ポンプ32bを作動することによ
り、容器21内のエッチング液11は、汲み上げ管32a →噴
流ポンプ32b →吐出管32c を矢印のように経由して容器
21内に吐出し、石英基板12の裏面に付着している気泡15
をよりダイナミックに離脱することとなる。
体製造装置において噴流ポンプ32bを作動することによ
り、容器21内のエッチング液11は、汲み上げ管32a →噴
流ポンプ32b →吐出管32c を矢印のように経由して容器
21内に吐出し、石英基板12の裏面に付着している気泡15
をよりダイナミックに離脱することとなる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板の裏
面に気泡の付着するのを防止できる半導体製造装置の提
供を可能にする。
面に気泡の付着するのを防止できる半導体製造装置の提
供を可能にする。
【００２３】したがって、本発明の半導体製造装置を採
用すれば、半導体装置を歩留り良く製造できることとな
る。
用すれば、半導体装置を歩留り良く製造できることとな
る。
【図１】は、本発明の請求項１に係る実施例の説明図
【図２】は、本発明の請求項２に係る実施例の説明図
【図３】は、従来の半導体製造装置の説明図
11は、エッチング液 (処理液) 12は、石英基板 (基板) 13は、クロム膜 14は、レジスト 15は、気泡 21は、容器、 22は、エッチング液供給管 (処理液供給手段) 23は、基板ホルダー (基板保持手段) 23a は、ヘッド 23b は、昇降・回転軸 31は、基板ホルダー (基板保持手段) 32は、攪拌手段 32a は、汲み上げ管 32b は、噴流ポンプ 32c は、吐出管
Claims (2)
- 【請求項１】 基板(12)を処理する処理液(11)を入れる
容器(21)と、前記基板(12)の裏面を保持して前記処理液
(11)の中に浸漬する基板保持手段(31)とを含んでなる半
導体製造装置において、 前記基板保持手段(31)は、前記処理液(11)の中で前記基
板(12)を水平面に対して傾斜させた状態で保持すること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置に、前記
容器(21)内の前記処理液(11)を攪拌する攪拌手段(32)を
付設して構成したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750292A JPH0697145A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750292A JPH0697145A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697145A true JPH0697145A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17164429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24750292A Withdrawn JPH0697145A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184685A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Risotetsuku Japan Kk | 現像方法 |
| US7581551B2 (en) * | 2004-09-01 | 2009-09-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
| JP2010278094A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
| CN104275333A (zh) * | 2014-10-28 | 2015-01-14 | 芜湖东正汽车工业有限公司 | 一种工件除尘装置 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24750292A patent/JPH0697145A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184685A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Risotetsuku Japan Kk | 現像方法 |
| US7581551B2 (en) * | 2004-09-01 | 2009-09-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
| JP2010278094A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
| TWI384333B (zh) * | 2009-05-27 | 2013-02-01 | 東京威力科創股份有限公司 | Development processing device |
| CN104275333A (zh) * | 2014-10-28 | 2015-01-14 | 芜湖东正汽车工业有限公司 | 一种工件除尘装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |