JPH0697172A - Semiconductor device cleaning method - Google Patents
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- JPH0697172A JPH0697172A JP4246164A JP24616492A JPH0697172A JP H0697172 A JPH0697172 A JP H0697172A JP 4246164 A JP4246164 A JP 4246164A JP 24616492 A JP24616492 A JP 24616492A JP H0697172 A JPH0697172 A JP H0697172A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露出する
橋歩に、水洗時のピット形成を完全に抑制することがで
き、ピット発生に起因する導通不良を防止することがで
き、また水洗を充分に行うことができるので残留有機物
やパーティクルも除去でき、歩留りの向上に有効な半導
体装置の洗浄方法の提供。
【構成】Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露出した
半導体装置を洗浄する方法であって、剥離液処理および
リンス処理を行った後、前記配線層の表面に保護酸化膜
を形成し、水洗を行う工程を有する半導体装置の洗浄方
法。
(57) [Abstract] [Purpose] It is possible to completely suppress pit formation at the time of washing on a bridge where the wiring layer made of an Al alloy containing Cu is exposed, and prevent conduction failure due to pit generation. Further, it is possible to remove the residual organic substances and particles because it can be sufficiently washed with water, and to provide a semiconductor device cleaning method effective for improving the yield. A method of cleaning a semiconductor device in which a wiring layer made of an Al alloy containing Cu is exposed, wherein a protective oxide film is formed on the surface of the wiring layer after a stripping solution treatment and a rinsing treatment, A method for cleaning a semiconductor device, the method including:
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の洗浄方法
に関し、特に、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露
出した半導体装置の洗浄方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor device, and more particularly to a method for cleaning a semiconductor device in which a wiring layer made of an Al alloy containing Cu is exposed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、配線層
として、Ａｌ合金からなる膜が多用されている。このＡ
ｌ合金からなる配線層を有する半導体装置の製造工程の
途中において、Ａｌ合金からなる配線層が露出したまま
で洗浄を行うと、配線層に欠陥が生起され、これが歩留
りの低下の原因となることがあった。このＡｌ合金から
なる配線が露出した半導体装置の洗浄工程における問題
を、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示すビアホール形成プロセス
における洗浄工程を例にとって説明する。このビアホー
ル形成プロセスは、第一Ａｌ合金配線層１１上に形成さ
れた層間絶縁膜１２に、第一Ａｌ合金配線層１１と、次
段の工程で層間絶縁膜１２上に形成する第二Ａｌ合金配
線層とを接続するためのビアホール１４を形成する工程
である。このプロセスでは、まず、通常のフォトエッチ
ング法によって、層間絶縁膜１２の所定の箇所にビアホ
ール１４を開口する。このフォトエッチングにおいて、
使用したレジストとエッチングガス、さらに下地の第一
Ａｌ合金配線層１１からスパッタされたものが主成分と
なって、図３（Ａ）に示すように、ビアホール１４の側
壁１５にポリマー状の付着物１６が形成される。このポ
リマー状の付着物１６は、レジスト除去のために行うア
ッシング処理では除去できず、側壁１５に残存する。こ
のポリマー状の付着物１６が残存すると、ビアホール１
４の開口に続いて行う第二Ａｌ合金配線層を形成するた
めのＡｌ合金のスパッタの際に、ビアホール内におい
て、第一Ａｌ合金配線層１１と第二Ａｌ合金配線層との
間に正常な界面が形成するのを妨げられ、導通不良の原
因となる。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a film made of an Al alloy is often used as a wiring layer. This A
If cleaning is performed while the wiring layer made of Al alloy is exposed in the process of manufacturing a semiconductor device having a wiring layer made of 1-alloy, defects may occur in the wiring layer, which may cause a decrease in yield. was there. The problem in the cleaning step of the semiconductor device in which the wiring made of Al alloy is exposed will be described by taking the cleaning step in the via hole forming process shown in FIGS. 3A to 3C as an example. This via-hole forming process is performed by forming the first Al alloy wiring layer 11 on the interlayer insulating film 12 formed on the first Al alloy wiring layer 11 and the second Al alloy formed on the interlayer insulating film 12 in the next step. This is a step of forming a via hole 14 for connecting to a wiring layer. In this process, first, a via hole 14 is opened in a predetermined portion of the interlayer insulating film 12 by a normal photoetching method. In this photo etching,
As a main component, the resist and the etching gas used, and the material sputtered from the underlying first Al alloy wiring layer 11 are used to deposit polymer deposits on the side wall 15 of the via hole 14, as shown in FIG. 16 is formed. The polymer-like deposit 16 cannot be removed by the ashing process for removing the resist, and remains on the side wall 15. When this polymer-like deposit 16 remains, the via hole 1
When the Al alloy is sputtered to form the second Al alloy wiring layer following the opening of No. 4, the normal Al alloy wiring layer 11 and the second Al alloy wiring layer are formed in the via hole. The formation of an interface is hindered, which causes poor conduction.
【０００３】そこで、このポリマー状の付着物１６を除
去するために、従来、第一Ａｌ合金配線層の上に層間絶
縁膜を形成した後、有機洗浄と呼ばれる洗浄処理が行わ
れている。この有機洗浄工程では、まず、加熱した剥離
液にウェーハを浸し、側壁に残存した付着物１６やレジ
ストの除去が行われる（図３（Ｂ））。この有機洗浄の
工程では、付着物１６の除去効果を向上させるために剥
離液としてアミンを主成分とするものが使用されること
が多い。このアミンを含む剥離液と水とが混合すると、
強アルカリ性となり、金属が腐食される。そのため、剥
離液による処理後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
等のリンス液で剥離液を除去してから、水洗・乾燥が行
われる。水洗にはＱＤＲ（クイックダンプリンス，Quic
k DumpRinse ）やオーバーフローリンス等が用いられ、
乾燥はスピンドライヤー等で行われる。Therefore, in order to remove the polymeric deposits 16, conventionally, after forming an interlayer insulating film on the first Al alloy wiring layer, a cleaning process called organic cleaning is performed. In this organic cleaning step, first, the wafer is immersed in a heated stripping solution to remove the deposits 16 and the resist left on the side walls (FIG. 3B). In this organic cleaning step, a stripper containing amine as a main component is often used in order to improve the effect of removing the deposit 16. When the stripping solution containing this amine and water are mixed,
Becomes strongly alkaline and corrodes metals. Therefore, IPA (isopropyl alcohol) after treatment with the stripper
After removing the stripping solution with a rinse solution such as the above, washing and drying are performed. QDR (quick dump rinse, Quic)
k DumpRinse) and overflow rinse are used,
Drying is performed with a spin dryer or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、素子
の微細化、高集積化に伴い、エレクトロマイグレーショ
ン、ストレスマイグレーションによる配線の断線が問題
になってきている。そのため、配線用金属材料として、
Ａｌ−Ｓｉ合金に代わり、よりマイグレーション耐性の
高い、Ａｌ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等のよ
うに銅を含むＡｌ合金が用いられるようになってきてい
る。さらにはＴｉＮやＴｉＷ等のバリアメタルを組み合
わせた積層構造の配線が用いられるようになってきてい
る。By the way, in recent years, with the miniaturization and high integration of elements, disconnection of wiring due to electromigration and stress migration has become a problem. Therefore, as a metal material for wiring,
In place of the Al-Si alloy, Al alloys containing copper, such as Al-Cu alloys and Al-Si-Cu alloys, which have higher migration resistance, are being used. Furthermore, wiring having a laminated structure in which barrier metals such as TiN and TiW are combined has been used.
【０００５】しかし、上述した従来の有機洗浄方法を、
銅を含むＡｌ合金からなる配線層の洗浄工程に適用する
と、剥離液処理、リンス処理後の水洗時に銅を含むＡｌ
合金表面にピット１７が発生するという問題があった
（図３（ｃ））。However, the conventional organic cleaning method described above is
When applied to a cleaning process of a wiring layer made of an Al alloy containing copper, Al containing copper is used during washing with water after stripping solution treatment and rinsing
There was a problem that pits 17 were generated on the surface of the alloy (Fig. 3 (c)).
【０００６】このピットの発生は、水洗の方法、時間や
乾燥方法に大きく依存し、水洗を短時間で行うことで、
ある程度はピット発生を抑制することができる。ところ
が、水洗を短時間にすると、充分な洗浄効果が得られ
ず、ウェーハ上に有機物が残存したり、パーティクルが
除去されずに後工程で歩留りを低下させる原因となると
いう問題があった。The occurrence of these pits largely depends on the washing method, time and drying method.
Pit generation can be suppressed to some extent. However, if the water washing is carried out for a short time, there is a problem that a sufficient washing effect cannot be obtained, and organic substances remain on the wafer, or particles are not removed and the yield is lowered in a subsequent process.
【０００７】また、Ａｌ2 Ｃｕの析出を防ぐためにＣｕ
濃度を減らすことも考えられるが、Ｃｕ濃度を減らすと
充分なマイグレーション耐性が得られないので、微細な
配線材料としては不適当で使用できない。In order to prevent precipitation of Al 2 Cu, Cu
Although it is conceivable to reduce the concentration, if the Cu concentration is reduced, sufficient migration resistance cannot be obtained, so it is not suitable as a fine wiring material and cannot be used.
【０００８】また、第一配線層の上に、Ｓｉの合有量が
０より大きく２（モル比）未満の高融点金属シリサイド
層を積層する方法も開示されている。（特開昭６４−８
００４５号公報）しかし、この方法では、高融点金属シ
リサイド層の成膜をスパッタ装置で行う必要があるた
め、プロセスが複雑になり、コストがかかり、また、第
一配線層と第二配線層の間に形設されるシリサイド膜に
よってビア抵抗が不安定になりやすい、などの問題があ
る。Also disclosed is a method of laminating a refractory metal silicide layer having a Si content of more than 0 and less than 2 (molar ratio) on the first wiring layer. (JP-A-64-8
However, in this method, since it is necessary to form the refractory metal silicide layer by the sputtering apparatus, the process becomes complicated and costly, and the first wiring layer and the second wiring layer are not formed. There is a problem that the via resistance is likely to be unstable due to the silicide film formed between them.
【０００９】そこで、本発明の目的は、Ｃｕを含むＡｌ
合金からなる配線層が露出する橋歩に、水洗時のピット
形成を完全に抑制することができ、ピット発生に起因す
る導通不良を防止することができ、また水洗を充分に行
うことができるので残留有機物やパーティクルも除去で
き、歩留りの向上に有効な方法を提供することにある。Therefore, the object of the present invention is to contain Al containing Cu.
In the bridge where the wiring layer made of alloy is exposed, it is possible to completely suppress the formation of pits during water washing, prevent conduction defects due to pit formation, and sufficiently perform water washing. It is an object of the present invention to provide a method capable of removing residual organic substances and particles and improving the yield.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露出した半導
体装置を洗浄する方法であって、剥離液処理およびリン
ス処理を行った後、前記配線層の表面に保護酸化膜を形
成し、水洗を行う工程を有する半導体装置の洗浄方法を
提供するものである。In order to solve the above problems, there is provided a method of cleaning a semiconductor device in which a wiring layer made of an Al alloy containing Cu is exposed, which comprises performing a stripping solution treatment and a rinsing treatment. A method of cleaning a semiconductor device, which comprises a step of forming a protective oxide film on the surface of the wiring layer and washing with water.
【００１１】前記保護酸化膜の形成を、Ｏ2 を含むガス
のプラズマ処理で行うと、好ましい。It is preferable that the protective oxide film is formed by plasma treatment of a gas containing O 2 .
【００１２】以下、本発明の半導体装置の洗浄方法（以
下、「本発明の方法」という）について詳細に説明す
る。The semiconductor device cleaning method of the present invention (hereinafter referred to as the "method of the present invention") will be described in detail below.
【００１３】本発明の方法は、半導体装置の製造工程に
おいて、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露出する
工程であれば、特に制限されず、いずれの工程にも適用
することができる。例えば、ビアホール形成プロセス、
パッドホール形成プロセス、配線形成プロセス等の工程
に適用することができる。The method of the present invention is not particularly limited as long as the wiring layer made of an Al alloy containing Cu is exposed in the manufacturing process of the semiconductor device, and can be applied to any process. For example, via hole formation process,
It can be applied to steps such as a pad hole forming process and a wiring forming process.
【００１４】また、本発明の方法において、剥離液処理
およびリンス処理は、常法にしたがって行えばよく、特
に制限されない。例えば、半導体装置を、剥離液に８０
〜１００℃程度で、１０分間程度、浸漬または剥離液を
シャワー状に吹きかけた後、リンス液に１０分間程度浸
漬またはリンス液をシャワー状に吹きかけて行うことが
できる。Further, in the method of the present invention, the stripping solution treatment and the rinsing treatment may be carried out according to a conventional method and are not particularly limited. For example, a semiconductor device may be used in a stripper
It can be performed by spraying the immersion or stripping solution in a shower shape at about -100 ° C. for about 10 minutes, and then dipping it in the rinse solution for about 10 minutes or spraying the rinse solution in a shower shape.
【００１５】用いられる剥離液としては、例えば、アル
キルピロリドン＋トリエタノールアミン、ジエチレング
リコールモノブチルエーテル＋モノエタノールアミン等
を主成分とする剥離液、あるいはＮ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）＋ジメチルスルホキシド等を主成分と
するものなどが挙げられる。The stripping solution used is, for example, a stripping solution containing alkylpyrrolidone + triethanolamine, diethylene glycol monobutyl ether + monoethanolamine as a main component, or N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) + dimethyl sulfoxide. And the like as a main component.
【００１６】また、リンス液としては、例えば、イソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）、メタノール、エタノール
等が挙げられる。Examples of the rinse liquid include isopropyl alcohol (IPA), methanol and ethanol.
【００１７】また、本発明の方法において、以上のとお
り、剥離液処理およびリンス処理を施され、Ｃｕを含む
Ａｌ合金からなる配線層が露出された半導体装置は、そ
の配線層に保護酸化膜が形成される。In the method of the present invention, as described above, the semiconductor device which has been subjected to the stripping solution treatment and the rinsing treatment and the wiring layer made of the Al alloy containing Cu is exposed has a protective oxide film on the wiring layer. It is formed.
【００１８】この保護酸化膜は、厚さ２０〜１００Å程
度に形成され、好ましくは５０〜８０Å程度に形成され
る。The protective oxide film is formed to have a thickness of about 20 to 100Å, preferably about 50 to 80Å.
【００１９】また、保護酸化膜の形成の方法は、熱酸化
による方法、Ｏ2 プラズマにより酸化膜を形成する方
法、Ｏ3 ガスを使用して酸化膜を形成する方法等のいず
れの方法にしたがっても行うことができる。Ｏ3 ガスを
使用して酸化膜を形成する場合は、Ｏ2 ガスを流した反
応容器内にウェーハを置き、低圧ＨｇランプのようなＵ
Ｖ光を照射し、Ｏ3 を発生させる。このＯ3 の生成、消
滅過程で発生する原子状の酸素によりＡｌ合金表面に保
護酸化膜を形成することができる。これらの方法の中で
も、Ｏ2 プラズマにより酸化膜を形成する方法が、緻密
で薄い保護酸化膜を形成し易い点で、好ましい。The protective oxide film can be formed by any method such as a method by thermal oxidation, a method by which an oxide film is formed by O 2 plasma, and a method by which an oxide film is formed by using O 3 gas. Can also be done. When an oxide film is formed using O 3 gas, the wafer is placed in a reaction vessel in which O 2 gas is flown, and a U-like lamp such as a low pressure Hg lamp is used.
Irradiate with V light to generate O 3 . A protective oxide film can be formed on the surface of the Al alloy by the atomic oxygen generated during the generation and disappearance of O 3 . Among these methods, the method of forming an oxide film by O 2 plasma is preferable because it is easy to form a dense and thin protective oxide film.
【００２０】本発明の方法において、Ｃｕを含むＡｌ合
金からなる配線層の上に保護酸化膜が形成された後、半
導体装置は、水洗される。水洗の処理は、２５℃の純水
で８分間、ＱＤＲ（クイックダンプリンス）やオーバー
フローリンス等が用いられ、乾燥はスピンドライヤー、
ＩＰＡベーパー、温水引き上げ等の方法にしたがって行
うことができる。In the method of the present invention, the semiconductor device is washed with water after the protective oxide film is formed on the wiring layer made of the Al alloy containing Cu. For the washing treatment, QDR (quick dump rinse) or overflow rinse is used for 8 minutes with pure water at 25 ° C., and a spin dryer is used for drying.
It can be carried out according to a method such as IPA vapor and hot water drawing.
【００２１】水洗後、保護酸化膜を除去して後段の工程
に付すことができる。例えば、ビアホール形成プロセス
において、本発明を適用した場合には、保護酸化膜の除
去後、第二配線層をスパッタ等により形成して、第一配
線層と第二配線層とが、ビアホールにおいて接続され
る。After washing with water, the protective oxide film can be removed and the subsequent steps can be carried out. For example, in the via hole forming process, when the present invention is applied, after removing the protective oxide film, the second wiring layer is formed by sputtering or the like, and the first wiring layer and the second wiring layer are connected in the via hole. To be done.
【００２２】保護酸化膜の除去は、逆スパッタによる方
法、プラズマエッチング等の方法にしたがって行うこと
ができる。特に、第一配線層と第二配線層を接続するた
めのビアホール形成時に、本発明を適用すると、第二配
線層をスパッタで形成する前に行う逆スパッタによって
第一配線層の表面の保護酸化膜を容易にスパッタ除去す
ることができ、安定な第一配線層と第二配線層の界面が
形成されるため、ビア抵抗を低く安定化させることがで
きる利点がある。The protective oxide film can be removed by a method such as reverse sputtering or plasma etching. In particular, when the present invention is applied at the time of forming a via hole for connecting the first wiring layer and the second wiring layer, by the reverse sputtering performed before forming the second wiring layer by sputtering, the protective oxidation of the surface of the first wiring layer is performed. Since the film can be easily removed by sputtering and a stable interface between the first wiring layer and the second wiring layer is formed, there is an advantage that the via resistance can be stabilized low.
【００２３】[0023]
【作用】本発明の方法においては、有機洗浄工程の水洗
前にＣｕを含むＡｌ合金からなる配線層の表面に保護酸
化膜を形成する。この保護酸化膜がバリアとなり、水洗
時にピットが発生する原因であるＡｌ2 ＣｕとＡｌが局
所電池効果を形成するのを防止し、ピット発生を抑制す
ることができる、と考えられる。In the method of the present invention, the protective oxide film is formed on the surface of the wiring layer made of an Al alloy containing Cu before water washing in the organic washing step. It is considered that this protective oxide film serves as a barrier and prevents Al 2 Cu and Al, which are the cause of pit formation during water washing, from forming a local cell effect and can suppress pit formation.
【００２４】[0024]
【実施例】以下、本発明の実施例により、本発明を具体
的に説明する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples of the present invention.
【００２５】（実施例）Ｓｉウェーハ１上に下地酸化膜
２（厚さ：６０００Å）、ならびにその上にＴｉ膜３
（厚さ：５００Å）およびＴｉＮ膜４（厚さ：１０００
Å）を積層した後、Ａｌ−０．５％Ｃｕ膜を５０００Ａ
の厚さにスパッタ蒸着し、フォト、エッチングプロセス
で配線パターンを成形して第一配線層５（厚さ：６５０
０Å）を形成した。次に、Ｐ−ＳｉＯ／ＳＯＧ／Ｐ−Ｓ
ｉＯの膜（厚さ：１００００Å）を積層して、層間絶縁
膜６を形成した後、フォトエッチング工程により、層間
絶縁膜６の所定の箇所に第一配線層５に達するビアホー
ル７を形成した。次に、Ｏ2を原料ガスとするアッシン
グによりレジストを除去したが、図１（ａ）に示すよう
に、ビアホール７の側壁にポリマー状の付着物８が残存
した。(Example) A base oxide film 2 (thickness: 6000 Å) on a Si wafer 1 and a Ti film 3 thereon.
(Thickness: 500Å) and TiN film 4 (thickness: 1000
After stacking Å), deposit an Al-0.5% Cu film at 5000A.
Of the first wiring layer 5 (thickness: 650
0 Å) formed. Next, P-SiO / SOG / PS
After an iO film (thickness: 10000Å) was laminated to form an interlayer insulating film 6, a via hole 7 reaching the first wiring layer 5 was formed at a predetermined position of the interlayer insulating film 6 by a photoetching process. Next, the resist was removed by ashing using O 2 as a raw material gas, but as shown in FIG. 1A, polymer deposits 8 remained on the sidewalls of the via holes 7.
【００２６】このポリマー状の付着物８を除去するため
に、ウェーハの有機洗浄を行った。有機洗浄はアミン系
の剥離液（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製、ＭＳ２００１（商品名））を満たした２槽にそれぞ
れ１００℃で５分間浸漬して処理した後、ＩＰＡを満た
した２槽にそれぞれ浸漬して５分間リンス処理して行っ
た。In order to remove this polymeric deposit 8, the wafer was organically cleaned. The organic cleaning is performed by immersing it in two tanks filled with an amine-based stripper (MS2001 (trade name) manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) at 100 ° C. for 5 minutes, and then immersing them in two tanks filled with IPA. And rinsed for 5 minutes.
【００２７】その後、Ｏ2 プラズマ処理を、枚葉式アッ
シャーを使用して、Ｏ2 流量：６５ｓｃｃｍ、圧力：
０．６Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー：８００Ｗで６０秒
処理を行い、図１（ｂ）に示すように、Ａｌ−Ｃｕ表面
に保護酸化膜９を形成した。しかる後にＱＤＲとオーバ
ーフローの組み合わせで水洗を行い、残留有機物、パー
ティクル除去を行いウェーハを乾燥した。保護酸化膜９
は、第二配線層をスパッタする前に行なう逆スパッタに
より除去した。After that, O 2 plasma treatment was performed using a single-wafer type asher, O 2 flow rate: 65 sccm, pressure:
The protective oxide film 9 was formed on the Al—Cu surface as shown in FIG. 1B by performing a treatment for 60 seconds at 0.6 Torr and a microwave power of 800 W. Then, the wafer was dried by washing with water by a combination of QDR and overflow to remove residual organic substances and particles. Protective oxide film 9
Was removed by reverse sputtering performed before the second wiring layer was sputtered.
【００２８】前記のウェーハを拡大倍率５００倍の顕微
鏡で観察し、１００μｍφの視野の中に見られる第一配
線層の表面のピット数を測定した。また、比較のため
に、水洗前に保護酸化膜を形成せずに、水洗を行った場
合についてもピット数の測定を行った。その結果、従来
例では、水洗時間２分からピットが発生し、水洗４分で
は１００個以上に達した。一方、本発明の実施例では、
水洗時間１０分まではピット発生が完全に抑制され、１
２分以上の水洗でピットが発生した。The above-mentioned wafer was observed with a microscope having a magnification of 500, and the number of pits on the surface of the first wiring layer observed in the field of view of 100 μmφ was measured. For comparison, the number of pits was also measured in the case of washing with water without forming a protective oxide film before washing with water. As a result, in the conventional example, pits were generated from the water washing time of 2 minutes, and reached 100 or more after the water washing of 4 minutes. On the other hand, in the embodiment of the present invention,
Pit generation was completely suppressed until the washing time was 10 minutes, and 1
A pit was formed by washing with water for 2 minutes or more.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明の方法によれば、Ｃｕを含むＡｌ
膜の有機洗浄剥離液処理、リンス処理後の水洗前に酸素
プラズマ処理を行うことにより、水洗時のピット形成が
完全に抑制され１０分間水洗を行ってもピットは発生し
ない。これにより、ピット発生に起因する第一配線層と
第二配線層の導通不良を防止することができ、また水洗
を充分に行うことができるので残留有機物やパーティク
ルも除去でき、歩留り低下が防げるという効果もある。According to the method of the present invention, Al containing Cu
By performing the oxygen plasma treatment before the water washing after the organic cleaning stripping solution treatment and the rinse treatment, the pit formation at the time of water washing is completely suppressed, and even if the water washing is performed for 10 minutes, no pit is generated. As a result, it is possible to prevent the conduction failure between the first wiring layer and the second wiring layer due to the pit generation, and it is possible to sufficiently wash with water, so that it is possible to remove the residual organic substances and particles and prevent the yield reduction. There is also an effect.
【図１】 本発明の一実施例における工程を順を追って
説明する模式断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for sequentially explaining the steps in one embodiment of the present invention.
【図２】 水洗前にＡｌ合金表面に保護酸化膜形成を行
わない従来例と水洗前に表面に保護酸化膜を形成する本
発明の方法でのピット発生数と水洗時間の関係を調べた
結果を示す図。FIG. 2 is a result of investigating the relationship between the number of pits and the washing time in the conventional example in which the protective oxide film is not formed on the surface of the Al alloy before washing with water and the method of the present invention in which the protective oxide film is formed on the surface before washing with water. FIG.
【図３】 従来例を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a conventional example.
１ Ｓｉウェーハ ２ 下地酸化膜 ３ Ｔｉ膜 ４ ＴｉＮ膜 ５ 第一配線層 ６ 層間絶縁膜 ７ ビアホール ８ ポリマー状の付着物 ９ 保護酸化膜 １１ 第一Ａｌ合金配線層 １２ 層間絶縁膜 １４ ビアホール １５ ビアホール１４の側壁 １６ ポリマー状の付着物 １７ ピット 1 Si Wafer 2 Underlying Oxide Film 3 Ti Film 4 TiN Film 5 First Wiring Layer 6 Interlayer Insulation Film 7 Via Hole 8 Polymer Deposit 9 Protective Oxide Film 11 First Al Alloy Wiring Layer 12 Interlayer Insulation Film 14 Via Hole 15 Via Hole 14 Side wall 16 Polymer deposit 17 Pit
Claims (2)
した半導体装置を洗浄する方法であって、剥離液処理お
よびリンス処理を行った後、前記配線層の表面に保護酸
化膜を形成し、水洗を行う工程を有する半導体装置の洗
浄方法。1. A method of cleaning a semiconductor device in which a wiring layer made of an Al alloy containing Cu is exposed, wherein a protective oxide film is formed on the surface of the wiring layer after performing a stripping solution treatment and a rinsing treatment. A method for cleaning a semiconductor device, the method including cleaning with water.
のプラズマ処理で行う請求項１に記載の半導体装置の洗
浄方法。2. The method for cleaning a semiconductor device according to claim 1, wherein the protective oxide film is formed by plasma treatment of a gas containing O 2 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4246164A JPH0697172A (en) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | Semiconductor device cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4246164A JPH0697172A (en) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | Semiconductor device cleaning method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697172A true JPH0697172A (en) | 1994-04-08 |
Family
ID=17144461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4246164A Withdrawn JPH0697172A (en) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | Semiconductor device cleaning method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697172A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369746B1 (en) * | 1998-11-26 | 2003-01-29 | 샤프 가부시키가이샤 | Method of fabricating semiconductor device |
| KR100415756B1 (en) * | 2001-07-11 | 2004-01-24 | 주식회사 한택 | Method of fabricating semiconductor device using a laser |
| KR100431433B1 (en) * | 1997-06-19 | 2004-07-30 | 삼성전자주식회사 | Method of forming a contact hole of semiconductor device |
-
1992
- 1992-09-16 JP JP4246164A patent/JPH0697172A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431433B1 (en) * | 1997-06-19 | 2004-07-30 | 삼성전자주식회사 | Method of forming a contact hole of semiconductor device |
| KR100369746B1 (en) * | 1998-11-26 | 2003-01-29 | 샤프 가부시키가이샤 | Method of fabricating semiconductor device |
| KR100415756B1 (en) * | 2001-07-11 | 2004-01-24 | 주식회사 한택 | Method of fabricating semiconductor device using a laser |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |