JPH0697241B2 - ウェーハ検査装置 - Google Patents
ウェーハ検査装置Info
- Publication number
- JPH0697241B2 JPH0697241B2 JP62157167A JP15716787A JPH0697241B2 JP H0697241 B2 JPH0697241 B2 JP H0697241B2 JP 62157167 A JP62157167 A JP 62157167A JP 15716787 A JP15716787 A JP 15716787A JP H0697241 B2 JPH0697241 B2 JP H0697241B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- measurement chamber
- shutter
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンウェーハ，拡散層，エピタキシャル
層，イオン注入層などの比抵抗（抵抗率），シート抵抗
を測定する比抵抗測定器等のウェーハ検査装置に関す
る。
層，イオン注入層などの比抵抗（抵抗率），シート抵抗
を測定する比抵抗測定器等のウェーハ検査装置に関す
る。
測定の対象となるシリコンウェーハの比抵抗，シート抵
抗を測定する時、シリコンウェーハの一部に光が当たる
と光電流がウェーハに流れ、正確な測定値が得られな
い，測定値のばらつきが大きいなどの悪影響を受ける。
抗を測定する時、シリコンウェーハの一部に光が当たる
と光電流がウェーハに流れ、正確な測定値が得られな
い，測定値のばらつきが大きいなどの悪影響を受ける。
このためシリコンウェーハの比抵抗，シート抵抗を測定
する時は、シリコンウェーハ周辺を暗くする必要があ
る。そのためには、ウェーハを暗室の中へ入れて測定す
る方法と、ウェーハの周辺を測定時のみ暗室状態にして
やる方法がある。いずれの方法においても、最終的に完
全な暗室とするには何らかの機構が必要となる。
する時は、シリコンウェーハ周辺を暗くする必要があ
る。そのためには、ウェーハを暗室の中へ入れて測定す
る方法と、ウェーハの周辺を測定時のみ暗室状態にして
やる方法がある。いずれの方法においても、最終的に完
全な暗室とするには何らかの機構が必要となる。
従来は、ウェーハの比抵抗，シート抵抗を測定するた
め、測定室にウェーハを搬入し、測定後、搬出する機構
を，測定中の測定室を暗室状態に保つこと、ウェーハの
搬入，搬出が容易であること等の条件により簡単に得る
ことができないという問題点があった。
め、測定室にウェーハを搬入し、測定後、搬出する機構
を，測定中の測定室を暗室状態に保つこと、ウェーハの
搬入，搬出が容易であること等の条件により簡単に得る
ことができないという問題点があった。
本発明装置は上記の問題点を解決するため、光を遮断
し、ウェーハの電気的特性を検査するウェーハ検査装置
において、ウェーハ１をセットするステージ２と、この
ステージ２を水平方向へ移動させるステージ移動機構３
と、前記ステージ２の出入口８を有する，光を通さない
測定室６と、この測定室６内に設けられるウェーハ１の
電気特性検査用端子のプローブ７と、前記測定室６の出
入口８に鉛直方向に移動可能に設けられ該測定室と外部
を遮断するシャッタ４と、このシャッタ４を開閉するシ
ャッタ開閉機構５とよりなる構成としたものである。
し、ウェーハの電気的特性を検査するウェーハ検査装置
において、ウェーハ１をセットするステージ２と、この
ステージ２を水平方向へ移動させるステージ移動機構３
と、前記ステージ２の出入口８を有する，光を通さない
測定室６と、この測定室６内に設けられるウェーハ１の
電気特性検査用端子のプローブ７と、前記測定室６の出
入口８に鉛直方向に移動可能に設けられ該測定室と外部
を遮断するシャッタ４と、このシャッタ４を開閉するシ
ャッタ開閉機構５とよりなる構成としたものである。
まず、ウェーハ１をステージ２上にセットし、シャッタ
４をシャッタ開閉機構５により上動して開く。次にウェ
ーハ１をセットしたステージ２をステージ移動機構３に
より水平方向へ移動して測定室６内に搬入する。搬入
後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５により下動して閉
じ、測定室６を暗室状態にする。そしてステージ２上の
ウェーハ１の電気特性を検査用端子のプローブ７により
測定する。測定後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５に
より上動して開き、ウェーハ１をセットしたステージ２
をステージ移動機構３により水平方向へ移動して測定室
６より搬出する。
４をシャッタ開閉機構５により上動して開く。次にウェ
ーハ１をセットしたステージ２をステージ移動機構３に
より水平方向へ移動して測定室６内に搬入する。搬入
後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５により下動して閉
じ、測定室６を暗室状態にする。そしてステージ２上の
ウェーハ１の電気特性を検査用端子のプローブ７により
測定する。測定後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５に
より上動して開き、ウェーハ１をセットしたステージ２
をステージ移動機構３により水平方向へ移動して測定室
６より搬出する。
以下図面により本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明装置の一実施例を示す簡略斜視図、第２
図はその側面図である。
図はその側面図である。
第1,第２図において１はウェーハ、２はウェーハ１を上
面にセットするステージである。３はステージ移動機構
で、ウェーハ１をセットしたステージ２を水平方向へ移
動して測定室６の出入口８から室内に搬入したり、これ
より搬出したりするものである。
面にセットするステージである。３はステージ移動機構
で、ウェーハ１をセットしたステージ２を水平方向へ移
動して測定室６の出入口８から室内に搬入したり、これ
より搬出したりするものである。
６は測定室で、ステージ移動機構３により室内に搬入さ
れたステージ２上のウェーハ１の比抵抗，シート抵抗の
測定に用いる４探針プローブ７が内設されている。測定
室６は外部からの光を通さない材質・構造で構成されて
いる。４はシャッタで、この測定室６と外部を，換言す
れば出入口８を遮断したり、開放したりする役目を果た
すものである。５はシャッタ開閉機構で、このシャッタ
４を上下方向に移動して開閉するものである。
れたステージ２上のウェーハ１の比抵抗，シート抵抗の
測定に用いる４探針プローブ７が内設されている。測定
室６は外部からの光を通さない材質・構造で構成されて
いる。４はシャッタで、この測定室６と外部を，換言す
れば出入口８を遮断したり、開放したりする役目を果た
すものである。５はシャッタ開閉機構で、このシャッタ
４を上下方向に移動して開閉するものである。
９はステージ２を支えるステージ移動機構３の一部が搬
入，搬出時に邪魔にならず、ガイドとなるガイド溝であ
る。
入，搬出時に邪魔にならず、ガイドとなるガイド溝であ
る。
光遮断機構は、シャッタ4,ステージ移動機構３の一部及
び測定室６等により構成される。
び測定室６等により構成される。
まず、ウェーハ１を第１図，第３図示のようにステージ
２上にセットし、シャッタ４をシャッタ開閉機構５によ
り上動して測定室６の出入口８を開く（第１図，第３図
参照）。第２図はシャッタ４が開く途中，または閉じる
途中の状態を示している。次にウェーハ１をセットした
ステージ２をステージ移動機構３によりガイド溝９に沿
って水平方向へ移動して測定室６内に搬入する。搬入
後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５により下動して閉
じ測定室６の出入口８を閉じて測定室６を暗室状態にす
る（第４図参照）。そしてステージ２上のウェーハ１の
比抵抗，シート抵抗を４探針プローブ７により測定す
る。測定後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５により上
動して開き、測定室６の出入口８を開いてウェーハ１を
セットしたステージ２をステージ移動機構３によりガイ
ド溝９に沿って水平方向へ移動して測定室６より搬出す
る。
２上にセットし、シャッタ４をシャッタ開閉機構５によ
り上動して測定室６の出入口８を開く（第１図，第３図
参照）。第２図はシャッタ４が開く途中，または閉じる
途中の状態を示している。次にウェーハ１をセットした
ステージ２をステージ移動機構３によりガイド溝９に沿
って水平方向へ移動して測定室６内に搬入する。搬入
後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５により下動して閉
じ測定室６の出入口８を閉じて測定室６を暗室状態にす
る（第４図参照）。そしてステージ２上のウェーハ１の
比抵抗，シート抵抗を４探針プローブ７により測定す
る。測定後、シャッタ４をシャッタ開閉機構５により上
動して開き、測定室６の出入口８を開いてウェーハ１を
セットしたステージ２をステージ移動機構３によりガイ
ド溝９に沿って水平方向へ移動して測定室６より搬出す
る。
上述のように本発明によれば、測定時に測定室６内を暗
室状態にすることができ、外部からの光を遮断できるた
め、ウェーハ１に光電流が流れることがなく、ウェーハ
１の比抵抗，シート抵抗を正確に測定でき、測定値のば
らつきも少なくできるなど、ウェーハの電気特性を正確
に検査することができる。
室状態にすることができ、外部からの光を遮断できるた
め、ウェーハ１に光電流が流れることがなく、ウェーハ
１の比抵抗，シート抵抗を正確に測定でき、測定値のば
らつきも少なくできるなど、ウェーハの電気特性を正確
に検査することができる。
また、暗室状態をシャッタ4,ステージ移動機構３の一部
及び測定室６等により容易に保つことができ、ウェーハ
１の搬入・搬出もステージ移動機構３により簡単にでき
るものである。
及び測定室６等により容易に保つことができ、ウェーハ
１の搬入・搬出もステージ移動機構３により簡単にでき
るものである。
特に、ウェーハの径方向の検査をするとき、プローブを
水平移動させずに、ステージ移動機構によりウェーハを
水平方向移動させることで、ウェーハの径方向の検査が
できるので、プローブの水平移動機構を必要とせず、構
成を簡単に安価にできると共に、駆動部が少ないために
駆動制御が簡単になるばかりでなく、シャッタを上下方
向に移動させて開閉するようにしたので、周辺空気を掻
き乱すことが少なく、パーティクルを巻き上げることが
極めて少なく、良好な検査ができる。
水平移動させずに、ステージ移動機構によりウェーハを
水平方向移動させることで、ウェーハの径方向の検査が
できるので、プローブの水平移動機構を必要とせず、構
成を簡単に安価にできると共に、駆動部が少ないために
駆動制御が簡単になるばかりでなく、シャッタを上下方
向に移動させて開閉するようにしたので、周辺空気を掻
き乱すことが少なく、パーティクルを巻き上げることが
極めて少なく、良好な検査ができる。
第１図は本発明装置の一実施例を示す簡略斜視図、第２
図はその側面図、第３図及び第４図はその作用説明用側
面図である。 １……ウェーハ、２……ステージ、３……ステージ移動
機構、４……シャッタ、５……シャッタ開閉機構、６…
…測定室、７……４探針プローブ、８……出入口。
図はその側面図、第３図及び第４図はその作用説明用側
面図である。 １……ウェーハ、２……ステージ、３……ステージ移動
機構、４……シャッタ、５……シャッタ開閉機構、６…
…測定室、７……４探針プローブ、８……出入口。
Claims (3)
- 【請求項１】光を遮断し、ウェーハの電気的特性を検査
するウェーハ検査装置において、ウェーハをセットする
ステージと、このステージを水平方向へ移動させるステ
ージ移動機構と、前記ステージの出入口を有する，光を
通さない測定室と、この測定室内に設けられるウェーハ
の電気特性検査用端子のプローブと、前記測定室の出入
口に鉛直方向に移動可能に設けられ該測定室と外部を遮
断するシャッタと、このシャッタを開閉するシャッタ開
閉機構とよりなることを特徴とするウェーハ検査装置。 - 【請求項２】測定室底部に、ステージ移動機構をガイド
するガイド溝を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のウェーハ検査装置。 - 【請求項３】測定室底部に、ステージ移動機構をガイド
するガイド溝を有し、プローブは、ウェーハの比抵抗，
シート抵抗を測定する４探針のプローブである特許請求
の範囲第１項記載のウェーハ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62157167A JPH0697241B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | ウェーハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62157167A JPH0697241B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | ウェーハ検査装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS641972A JPS641972A (en) | 1989-01-06 |
| JPH011972A JPH011972A (ja) | 1989-01-06 |
| JPH0697241B2 true JPH0697241B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=15643653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62157167A Expired - Lifetime JPH0697241B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | ウェーハ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697241B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK1983082T3 (da) | 2006-02-06 | 2013-11-04 | Mitsui Chemicals Inc | Spindeklæbet fiberdug |
| JP6184088B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2017-08-23 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP7595604B2 (ja) * | 2022-01-12 | 2024-12-06 | ニデックプレシジョン株式会社 | シャッター機構及び検査装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS468806Y1 (ja) * | 1966-02-17 | 1971-03-29 | ||
| JPS496670Y1 (ja) * | 1968-04-11 | 1974-02-16 | ||
| JPS4990263U (ja) * | 1972-11-27 | 1974-08-05 |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP62157167A patent/JPH0697241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641972A (en) | 1989-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5910727A (en) | Electrical inspecting apparatus with ventilation system | |
| JPH0431173B2 (ja) | ||
| US7802536B2 (en) | Apparatus and method of forming an applied film | |
| JP3656337B2 (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JP2003218186A (ja) | 基板搬送装置における基板の受け渡し位置検知方法及びその教示装置 | |
| US6431769B1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| JP3589406B2 (ja) | 基板処理システム | |
| KR102424813B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JPH0697241B2 (ja) | ウェーハ検査装置 | |
| WO2016147535A1 (ja) | 電子部品搬送装置、電子部品検査装置、結露あるいは着霜の検査用試験片、および結露あるいは着霜の検査方法 | |
| US4963500A (en) | Method of monitoring semiconductor manufacturing processes and test sample therefor | |
| JPH011972A (ja) | ウェーハ検査装置 | |
| JP3138009B2 (ja) | 不純物吸着量の評価方法及びその評価用装置 | |
| JPH06229905A (ja) | 促進耐候性試験装置 | |
| JP2913962B2 (ja) | 板状試料測定用天びん | |
| US4520312A (en) | Method for determining the integrity of passivant coverage over rectifying junctions in semiconductor devices | |
| JP4018087B2 (ja) | 基板処理システム及び基板処理システムにおける膜厚測定用の装置の劣化検知方法 | |
| JP3270828B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| KR20050103390A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용되는 반도체 장비 | |
| JP3345373B2 (ja) | 濾紙への通気装置 | |
| KR20190081414A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN115735273B (zh) | 具有垂直排列结构的基板处理系统 | |
| KR20230034670A (ko) | 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법 | |
| JP2838178B2 (ja) | 半導体ウエハの帯電方法および装置 | |
| JP2690616B2 (ja) | 密着性試験方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071130 Year of fee payment: 13 |