JPH0697307A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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- JPH0697307A JPH0697307A JP4245383A JP24538392A JPH0697307A JP H0697307 A JPH0697307 A JP H0697307A JP 4245383 A JP4245383 A JP 4245383A JP 24538392 A JP24538392 A JP 24538392A JP H0697307 A JPH0697307 A JP H0697307A
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、半導体チップを封止するLSIパッケージ
に適用して有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique effective when applied to an LSI package encapsulating a semiconductor chip.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、QFP(Quad Flat Package) など
のLSIパッケージは、半導体チップを封止したパッケ
ージ本体の側面から多数のリード(アウターリード)を
突出させ、これらのリードを介して半導体チップと実装
基板との電気的接続を取る構造になっている。この場
合、半導体チップの電源用のパッドやGND用のパッド
と実装基板との電気的接続は、信号用のパッドと実装基
板との電気的接続と同様、上記リードを通じて行われ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, in an LSI package such as a QFP (Quad Flat Package), a large number of leads (outer leads) are projected from the side surface of the package body encapsulating the semiconductor chip, and the semiconductor chip is connected via these leads. It has a structure for electrical connection with the mounting board. In this case, the electrical connection between the power supply pad and the GND pad of the semiconductor chip and the mounting board is performed through the leads, similarly to the electrical connection between the signal pad and the mounting board.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】近年、論理LSIの高
機能化、高速化に伴ってQFPの多ピン化が進み、リー
ドの幅やピッチが微細化していることから、搬送時のリ
ード曲がり、基板実装時の半田ブリッジやリード浮きな
どの不良が生じ易くなっている。In recent years, the number of pins of the QFP has been increased along with the higher functionality and higher speed of the logic LSI, and the lead width and pitch have become finer. Defects such as solder bridges and lead floating during board mounting are likely to occur.
【0004】また、高機能化、高速化に伴って半導体チ
ップの発熱量が増大していることから、LSIパッケー
ジの放熱性の改善が重要な課題となっている。Further, since the amount of heat generated by the semiconductor chip is increasing with the increase in functionality and speed, it is an important issue to improve the heat dissipation of the LSI package.
【0005】さらに、多ピン化に伴ってパッケージ本体
の外形寸法が大きくなっているため、電気的にも半導体
チップから実装基板に至るリード長が長くなり、電源用
のリードやGND用のリードのインダクタンスが増大す
ることから、信号の同時切換えノイズが増大して誤動作
が生じ易くなっている。Furthermore, since the external dimensions of the package main body have become larger with the increase in the number of pins, the lead length from the semiconductor chip to the mounting substrate becomes long electrically, and the lead for power supply and the lead for GND are also increased. Since the inductance increases, the simultaneous switching noise of signals increases, and malfunctions are likely to occur.
【0006】そこで、本発明の目的は、LSIパッケー
ジの多ピン化を促進することのできる技術を提供するこ
とにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of promoting the increase in the number of pins of an LSI package.
【0007】本発明の他の目的は、LSIパッケージの
放熱性を向上させることのできる技術を提供することに
ある。Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving the heat dissipation of the LSI package.
【0008】本発明の他の目的は、電源用のリードやG
ND用のリードのインダクタンスに起因するノイズを低
減することのできる技術を提供することにある。Another object of the present invention is to provide leads for power supply and G
An object of the present invention is to provide a technique capable of reducing noise caused by the inductance of the ND lead.
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【0011】本発明のLSIパッケージは、パッケージ
本体の底面に半導体チップの電源用のパッドまたはGN
D用のパッドと電気的に接続された導電プレートを設
け、この導電プレートを介して前記電源用のパッドまた
はGND用のパッドと実装基板とを電気的に接続する構
造になっている。The LSI package of the present invention has a semiconductor chip power supply pad or GN on the bottom surface of the package body.
A conductive plate electrically connected to the D pad is provided, and the power supply pad or the GND pad and the mounting board are electrically connected via the conductive plate.
【0012】[0012]
【作用】上記した手段によれば、パッケージ本体の底面
に設けた導電プレートを介して半導体チップの電源用の
パッドやGND用のパッドと実装基板との電気的接続を
取ることにより、従来、パッケージ本体の側面に設けて
いた電源用のリードやGND用のリードが不要となり、
その分、信号用のリードの数を増やすことができるの
で、LSIパッケージの多ピン化を促進することができ
る。According to the above-mentioned means, by electrically connecting the pad for power supply of the semiconductor chip and the pad for GND to the mounting substrate through the conductive plate provided on the bottom surface of the package body, the conventional package is used. Power supply leads and GND leads on the side of the body are no longer required,
Since the number of signal leads can be increased accordingly, the number of pins of the LSI package can be increased.
【0013】上記した手段によれば、パッケージ本体の
底面に設けた導電プレートを介して半導体チップの電源
用のパッドやGND用のパッドと実装基板との電気的接
続を取ることにより、半導体チップの電源用のパッドや
GND用のパッドから実装基板に至る配線経路のインダ
クタンスを低減することができるため、このインダクタ
ンスに起因するノイズを低減することができる。According to the above-mentioned means, by electrically connecting the power supply pad of the semiconductor chip and the GND pad to the mounting board through the conductive plate provided on the bottom surface of the package body, Since the inductance of the wiring path from the power supply pad or the GND pad to the mounting substrate can be reduced, noise caused by this inductance can be reduced.
【0014】上記した手段によれば、パッケージ本体の
底面に設けた導電プレートを通じて半導体チップの熱を
外部に逃がすことができるため、LSIパッケージの放
熱性を向上させることができる。According to the above means, the heat of the semiconductor chip can be released to the outside through the conductive plate provided on the bottom surface of the package body, so that the heat dissipation of the LSI package can be improved.
【0015】[0015]
【実施例1】以下、本発明の一実施例であるLSIパッ
ケージの構成を図1を用いて説明する。[Embodiment 1] A configuration of an LSI package according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【0016】本実施例1のLSIパッケージ1は、合成
樹脂の成型体からなるパッケージ本体2の底面に導電プ
レート3が設けてある。この導電プレート3は、Cuな
どの金属板からなり、その下面のほぼ全体がパッケージ
本体2の外部に露出するようになっている。In the LSI package 1 of the first embodiment, a conductive plate 3 is provided on the bottom surface of a package body 2 made of a synthetic resin molded body. The conductive plate 3 is made of a metal plate such as Cu, and its lower surface is almost entirely exposed to the outside of the package body 2.
【0017】上記導電プレート3の上面中央には、接着
剤4などを介して半導体チップ5が搭載されており、こ
の半導体チップ5の素子形成面に設けられたGND用の
パッド6aと導電プレート3とがAuなどのワイヤ7を
介して電気的に接続されている。A semiconductor chip 5 is mounted on the center of the upper surface of the conductive plate 3 via an adhesive 4 or the like. The pad 6a for GND provided on the element forming surface of the semiconductor chip 5 and the conductive plate 3 are mounted. And are electrically connected via a wire 7 such as Au.
【0018】また、上記導電プレート3の下面には、半
田バンプ8が接合されており、この半田バンプ8を介し
て実装基板9のGND用のフットプリント10aと導電
プレート3とが電気的に接続されている。Solder bumps 8 are bonded to the lower surface of the conductive plate 3, and the GND footprint 10a of the mounting substrate 9 and the conductive plate 3 are electrically connected via the solder bumps 8. Has been done.
【0019】上記半田バンプ8は、予め半田ディップ法
により導電プレート3の下面に形成しておく。また、半
田ペーストを使用して半田バンプ8を形成してもよい。
導電プレート3の下面には、半田の拡散を防止するため
のソルダーレジスト11を設けておく。The solder bumps 8 are previously formed on the lower surface of the conductive plate 3 by the solder dipping method. Alternatively, the solder bumps 8 may be formed using a solder paste.
A solder resist 11 for preventing diffusion of solder is provided on the lower surface of the conductive plate 3.
【0020】一方、導電プレート3の上面周辺部には、
ポリイミド樹脂などの絶縁フィルム12を介して信号用
のリード13および電源用のリード13bが接合されて
いる。リード13,13bは、42アロイやCuなどの
リードフレーム材で構成されている。On the other hand, in the periphery of the upper surface of the conductive plate 3,
A signal lead 13 and a power supply lead 13b are joined via an insulating film 12 such as a polyimide resin. The leads 13 and 13b are made of a lead frame material such as 42 alloy or Cu.
【0021】上記信号用のリード13の一端(インナー
リード)は、ワイヤ7を介して半導体チップ5の信号用
のパッド6と電気的に接続され、パッケージ本体2の側
面から外方に突出した他端(アウターリード)は、実装
基板9の信号用のフットプリント10上に半田付けされ
ている。One end (inner lead) of the signal lead 13 is electrically connected to the signal pad 6 of the semiconductor chip 5 via the wire 7 and protrudes outward from the side surface of the package body 2. The ends (outer leads) are soldered onto the signal footprint 10 of the mounting substrate 9.
【0022】また、電源用のリード13bのインナーリ
ードは、ワイヤ7を介して半導体チップ5の電源用のパ
ッド6bと電気的に接続され、アウターリードは、実装
基板9の電源用のフットプリント10b上に半田付けさ
れている。The inner lead of the power supply lead 13b is electrically connected to the power supply pad 6b of the semiconductor chip 5 via the wire 7, and the outer lead of the power supply lead 13b is mounted on the mounting substrate 9 by the power supply footprint 10b. Soldered on.
【0023】このように、本実施例1のLSIパッケー
ジ1は、ワイヤ7、導電プレート3および半田バンプ8
を介して半導体チップ5のGND用のパッド6aと実装
基板9とを電気的に接続し、他方、信号用のパッド6や
電源用のパッド6bと実装基板9との電気的接続は、従
来通りワイヤ7およびリード13(13b)を介して行
っている。As described above, the LSI package 1 according to the first embodiment has the wires 7, the conductive plate 3, and the solder bumps 8.
The GND pad 6a of the semiconductor chip 5 and the mounting board 9 are electrically connected via the same, while the signal pad 6 and the power supply pad 6b are electrically connected to the mounting board 9 by the conventional method. It is performed via the wire 7 and the lead 13 (13b).
【0024】上記のように構成された本実施例1によれ
ば、次のような効果を得ることができる。According to the first embodiment configured as described above, the following effects can be obtained.
【0025】(1) パッケージ本体2の底面に設けた導電
プレート3を介して半導体チップ5のGND用のパッド
6aと実装基板9との電気的接続を取ることにより、従
来、パッケージ本体2の側面に設けていたGND用のリ
ードが不要となり、その分、信号用のリード13や電源
用のリード13bの数を増やすことができるので、LS
Iパッケージ1の多ピン化を促進することができる。(1) By electrically connecting the GND pad 6a of the semiconductor chip 5 and the mounting substrate 9 through the conductive plate 3 provided on the bottom surface of the package body 2, the side surface of the package body 2 is conventionally formed. Since the GND lead provided in the LS becomes unnecessary and the number of the signal lead 13 and the power supply lead 13b can be increased accordingly, the LS
The number of pins of the I package 1 can be promoted.
【0026】(2) パッケージ本体2の底面に設けた導電
プレート3を介して半導体チップ5のGND用のパッド
6aと実装基板9との電気的接続を取ることにより、半
導体チップ5のGND用のパッド6aから実装基板9に
至る配線経路のインダクタンスを低減することができる
ため、このインダクタンスに起因するノイズを低減する
ことができる。(2) By electrically connecting the GND pad 6a of the semiconductor chip 5 and the mounting substrate 9 through the conductive plate 3 provided on the bottom surface of the package body 2, the GND of the semiconductor chip 5 is connected. Since the inductance of the wiring path from the pad 6a to the mounting substrate 9 can be reduced, the noise caused by this inductance can be reduced.
【0027】(3) パッケージ本体2の底面に導電プレー
ト3を設けたことにより、この導電プレート3を通じて
半導体チップ5の熱を外部に逃がすことができるため、
LSIパッケージ1の放熱性を向上させることができ
る。(3) Since the conductive plate 3 is provided on the bottom surface of the package body 2, the heat of the semiconductor chip 5 can be released to the outside through the conductive plate 3.
The heat dissipation of the LSI package 1 can be improved.
【0028】(4) 導電プレート3の下面に半田を供給し
て半田バンプ8を形成する際の半田量を制御することに
より、半田バンプ8の収縮力を利用してリード13,1
3bをフットプリント10,10bに押し付けることが
できるので、リード13,13bとフットプリント1
0,10bの接続信頼性を向上させることができる。(4) By supplying solder to the lower surface of the conductive plate 3 to control the amount of solder when the solder bumps 8 are formed, the contraction force of the solder bumps 8 is used to make the leads 13, 1
Since 3b can be pressed against the footprints 10 and 10b, the leads 13 and 13b and the footprint 1
The connection reliability of 0 and 10b can be improved.
【0029】[0029]
【実施例2】図2に示すように、本実施例2のLSIパ
ッケージ1は、前記実施例1の導電プレート3を2分割
し、ワイヤ7を介してその一方(3a)を半導体チップ
5のGND用のパッド6aと電気的に接続すると共に、
もう一方(3b)を電源用のパッド6bと電気的に接続
した構成になっている。Second Embodiment As shown in FIG. 2, in an LSI package 1 of the second embodiment, the conductive plate 3 of the first embodiment is divided into two, and one side (3a) of a semiconductor chip 5 is connected via a wire 7. While being electrically connected to the GND pad 6a,
The other side (3b) is electrically connected to the power supply pad 6b.
【0030】また、一方の導電プレート3aは、半田バ
ンプ8を介して実装基板9のGND用のフットプリント
10aと電気的に接続され、もう一方の導電プレート3
bは、半田バンプ8を介して実装基板9の電源用のフッ
トプリント10bと電気的に接続されている。Further, one conductive plate 3a is electrically connected to the GND footprint 10a of the mounting substrate 9 via the solder bumps 8, and the other conductive plate 3a.
b is electrically connected to the footprint 10b for power supply of the mounting substrate 9 via the solder bump 8.
【0031】本実施例2によれば、従来、パッケージ本
体2の側面に設けていたGND用のリードおよび電源用
のリードがいずれも不要となるため、信号用のリード1
3の数をさらに増やすことができ、LSIパッケージ1
の多ピン化を一層促進することができる。According to the second embodiment, both the GND lead and the power supply lead, which have been conventionally provided on the side surface of the package body 2, are not required.
The number of 3 can be further increased, and the LSI package 1
It is possible to further promote the increase in the number of pins.
【0032】また、本実施例2によれば、半導体チップ
5のGND用のパッド6aから実装基板9に至る配線経
路のインダクタンスおよび電源用のパッド6bから実装
基板9に至る配線経路のインダクタンスをそれぞれ低減
することができるため、配線経路のインダクタンスに起
因するノイズを一層低減することができる。According to the second embodiment, the inductance of the wiring path from the GND pad 6a of the semiconductor chip 5 to the mounting board 9 and the inductance of the wiring path from the power supply pad 6b to the mounting board 9 are respectively set. Since the noise can be reduced, noise caused by the inductance of the wiring path can be further reduced.
【0033】[0033]
【実施例3】図3に示すように、本実施例3のLSIパ
ッケージ1は、ワイヤ7を介して半導体チップ5のGN
D用のパッド6aと電気的に接続された導電プレート3
aを実装基板9のGND用のフットプリント10aに直
接接続すると共に、ワイヤ7を介して半導体チップ5の
電源用のパッド6bと電気的に接続された導電プレート
3bを実装基板9の電源用のフットプリント10bに直
接接続した構成になっている。導電プレート3a,3b
とフットプリント10a,10bとの接続は、半田14
により行われる。Third Embodiment As shown in FIG. 3, the LSI package 1 of the third embodiment has a GN of a semiconductor chip 5 via a wire 7.
Conductive plate 3 electrically connected to D pad 6a
a is directly connected to the GND footprint 10a of the mounting board 9, and the conductive plate 3b electrically connected to the power supply pad 6b of the semiconductor chip 5 via the wire 7 is used for the power supply of the mounting board 9. It is configured to be directly connected to the footprint 10b. Conductive plates 3a, 3b
And the footprints 10a and 10b are connected by solder 14
Done by.
【0034】また、本実施例3のLSIパッケージ1
は、上金型を下金型よりも一回り小さくした金型を用い
てパッケージ本体2を成形することにより、パッケージ
本体2の側面から外方に突出した信号用のリード13の
上面をパッケージ本体2の側面で露出させている。Further, the LSI package 1 of the third embodiment
Is formed by molding the package main body 2 using a mold in which the upper mold is made smaller than the lower mold, so that the upper surfaces of the signal leads 13 protruding outward from the side surfaces of the package main body 2 are not covered by the package main body. It is exposed on the side of 2.
【0035】さらに、上記リード13は、パッケージ本
体2の側面近傍で短く切断され、その先端部と実装基板
9の信号用のフットプリント10とがワイヤ7を介して
電気的に接続されている。Further, the lead 13 is shortly cut in the vicinity of the side surface of the package body 2, and its tip end and the signal footprint 10 of the mounting substrate 9 are electrically connected via the wire 7.
【0036】本実施例3によれば、導電プレート3a,
3bをフットプリント10a,10b上に直接接続した
ことにより、半導体チップ5のGND用のパッド6aか
ら実装基板9に至る配線経路のインダクタンスおよび電
源用のパッド6bから実装基板9に至る配線経路のイン
ダクタンスをさらに低減することができるため、配線経
路のインダクタンスに起因するノイズをより一層低減す
ることができる。According to the third embodiment, the conductive plates 3a,
Since 3b is directly connected to the footprints 10a and 10b, the inductance of the wiring path from the GND pad 6a of the semiconductor chip 5 to the mounting board 9 and the inductance of the wiring path from the power supply pad 6b to the mounting board 9 Can be further reduced, so that noise caused by the inductance of the wiring path can be further reduced.
【0037】本実施例3によれば、導電プレート3a、
3bをフットプリント10a、10b上に直接接続した
ことにより、LSIパッケージ1の放熱性をさらに向上
させることができる。According to the third embodiment, the conductive plates 3a,
By directly connecting 3b onto the footprints 10a and 10b, the heat dissipation of the LSI package 1 can be further improved.
【0038】本実施例3によれば、リード13と信号用
のフットプリント10とをワイヤボンディング方式で電
気的に接続するため、実装基板9にLSIパッケージ1
を搭載する際の位置合わせ精度が不充分であっても、認
識機構付きのワイヤボンディング装置を使用することで
リード13と信号用のフットプリント10とを確実に接
続することが可能となる。According to the third embodiment, since the leads 13 and the signal footprints 10 are electrically connected by the wire bonding method, the LSI package 1 is mounted on the mounting substrate 9.
Even if the positioning accuracy is insufficient when mounting, the lead 13 and the signal footprint 10 can be reliably connected by using the wire bonding device with the recognition mechanism.
【0039】これにより、導電プレート3a,3bをフ
ットプリント10a,10b上に位置合わせする程度の
精度さえあれば、LSIパッケージ1を実装基板9に精
度良く実装することができるので、高精度の部品搭載装
置を必要としないという利点がある。As a result, the LSI package 1 can be mounted on the mounting board 9 with high accuracy if the conductive plates 3a, 3b are aligned with the footprints 10a, 10b with high accuracy. It has the advantage that no on-board equipment is required.
【0040】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0041】[0041]
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0042】(1) 本発明によれば、従来、パッケージ本
体の側面に設けていた電源用のリードやGND用のリー
ドが不要となり、その分、信号用のリードの数を増やす
ことができるので、LSIパッケージの多ピン化を促進
することができる。(1) According to the present invention, the power supply lead and the GND lead, which are conventionally provided on the side surface of the package body, are unnecessary, and the number of signal leads can be increased accordingly. It is possible to promote the increase in the number of pins of the LSI package.
【0043】(2) 本発明によれば、半導体チップの電源
用のパッドやGND用のパッドから実装基板に至る配線
経路のインダクタンスを低減することができるため、こ
のインダクタンスに起因するノイズを低減することがで
きる。(2) According to the present invention, the inductance of the wiring path from the power supply pad of the semiconductor chip or the pad for GND to the mounting substrate can be reduced, so that the noise caused by this inductance is reduced. be able to.
【0044】(3) 本発明によれば、パッケージ本体の底
面に設けた導電プレートを通じて半導体チップの熱を外
部に逃がすことができるため、LSIパッケージの放熱
性を向上させることができる。(3) According to the present invention, the heat of the semiconductor chip can be released to the outside through the conductive plate provided on the bottom surface of the package body, so that the heat dissipation of the LSI package can be improved.
【図1】本発明の一実施例であるLSIパッケージを示
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an LSI package that is an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施例であるLSIパッケージを
示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an LSI package which is another embodiment of the present invention.
【図3】本発明の他の実施例であるLSIパッケージを
示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an LSI package which is another embodiment of the present invention.
1 LSIパッケージ 2 パッケージ本体 3 導電プレート 3a 導電プレート 3b 導電プレート 4 接着剤 5 半導体チップ 6 パッド(信号用) 6a パッド(GND用) 6b パッド(電源用) 7 ワイヤ 8 半田バンプ 9 実装基板 10 フットプリント(信号用) 10a フットプリント(GND用) 10b フットプリント(電源用) 11 ソルダーレジスト 12 絶縁フィルム 13 リード(信号用) 13b リード(電源用) 14 半田 1 LSI Package 2 Package Main Body 3 Conductive Plate 3a Conductive Plate 3b Conductive Plate 4 Adhesive 5 Semiconductor Chip 6 Pad (for Signal) 6a Pad (for GND) 6b Pad (for Power Supply) 7 Wire 8 Solder Bump 9 Mounting Board 10 Footprint (For signal) 10a Footprint (for GND) 10b Footprint (for power supply) 11 Solder resist 12 Insulating film 13 Lead (for signal) 13b Lead (for power supply) 14 Solder
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 X 9272−4M Y 9272−4M R 9272−4M // H05K 1/18 H 9154−4E (72)発明者 窪薗 実 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 黒田 宏 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 白井 優之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 松永 俊博 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 坪井 敏宏 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 小作 浩 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 菊池 真之 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 23/50 X 9272-4M Y 9272-4M R 9272-4M // H05K 1/18 H 9154- 4E (72) Inventor Minoru Kubozono 2326 Imai, Ome, Tokyo Metropolitan area, Hitachi Device Development Center (72) Inventor Hiroshi Kuroda 2326, Imai, Ome city, Tokyo Metropolitan area Device Development Center, Hitachi (72) Inventor Hiroyuki Shirai 2326 Imai, Hitachi, Ltd., Ome-shi, Tokyo (72) Inventor, Toshihiro Matsunaga Toshihiro Matsunaga 2326 Imai, Ome, Tokyo, Tokyo (72) Device, Development Center, Hitachi, Ltd. (72) Toshihiro Tsuboi, Kodaira, Tokyo 5-20-1 Jousui, Honcho, Ichi-Hitate Cho-LS Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Kosaku 5-201-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Hirate RLS AI Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Masayuki Kikuchi 5 Sanmizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo Chome No. 20-1 Hitate Super LSI Engineering Co., Ltd.
Claims (5)
ジの底面に前記半導体チップの電源用のパッドまたはG
ND用のパッドと電気的に接続された導電プレートを設
け、前記導電プレートを介して前記電源用のパッドまた
はGND用のパッドと実装基板とを電気的に接続したこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。1. A power supply pad or G for the semiconductor chip on the bottom surface of an LSI package encapsulating the semiconductor chip.
A semiconductor integrated circuit characterized in that a conductive plate electrically connected to a pad for ND is provided, and the pad for power supply or the pad for GND is electrically connected to a mounting substrate via the conductive plate. apparatus.
載すると共に、前記導電プレートの周辺部に絶縁フィル
ムを介して信号用のリードを接合したことを特徴とする
請求項1記載の半導体集積回路装置。2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein a semiconductor chip is mounted on the upper surface of the conductive plate, and signal leads are bonded to the peripheral portion of the conductive plate via an insulating film. .
し、前記半田バンプを介して前記導電プレートと実装基
板とを電気的に接続したことを特徴とする請求項1また
は2記載の半導体集積回路装置。3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a solder bump is joined to the lower surface of the conductive plate, and the conductive plate and the mounting substrate are electrically connected via the solder bump. apparatus.
の一方と電源用のパッドとを電気的に接続すると共に、
他方とGND用のパッドとを電気的に接続したことを特
徴とする請求項1、2または3記載の半導体集積回路装
置。4. A conductive plate is divided into two or more parts, and one of them is electrically connected to a power supply pad, and
4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, 2 or 3, wherein the other side and a pad for GND are electrically connected.
用のリードと実装基板とをボンディングワイヤを介して
電気的に接続したことを特徴とする請求項1、2、3ま
たは4記載の半導体集積回路装置。5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the signal lead protruding from the side surface of the package body and the mounting substrate are electrically connected via a bonding wire. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245383A JPH0697307A (en) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245383A JPH0697307A (en) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697307A true JPH0697307A (en) | 1994-04-08 |
Family
ID=17132847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245383A Withdrawn JPH0697307A (en) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697307A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008841A1 (en) * | 1994-09-16 | 1996-03-21 | National Semiconductor Corporation | A high density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
| WO1996029737A1 (en) * | 1995-03-20 | 1996-09-26 | National Semiconductor Corporation | A high density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
| KR100221917B1 (en) * | 1996-12-16 | 1999-09-15 | 윤종용 | High radiating semiconductor package having double stage structure and method of making same |
| KR100337451B1 (en) * | 1995-12-30 | 2002-11-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor package |
| KR100421777B1 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package |
| JP2006344643A (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Pack battery |
| KR101011930B1 (en) * | 2008-07-11 | 2011-01-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor devices |
| WO2011021690A1 (en) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 日本電気株式会社 | Semiconductor device having power supply-side metal reinforcing member and ground-side metal reinforcing member insulated from each other |
-
1992
- 1992-09-16 JP JP4245383A patent/JPH0697307A/en not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008841A1 (en) * | 1994-09-16 | 1996-03-21 | National Semiconductor Corporation | A high density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
| US5569955A (en) * | 1994-09-16 | 1996-10-29 | National Semiconductor Corporation | High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
| KR100360077B1 (en) * | 1994-09-16 | 2003-01-15 | 내셔널 세미콘덕터 코포레이션 | High density integrated circuit assembly combining conductive traces and lead frame leads |
| WO1996029737A1 (en) * | 1995-03-20 | 1996-09-26 | National Semiconductor Corporation | A high density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces |
| KR100299560B1 (en) * | 1995-03-20 | 2001-11-22 | 클라크 3세 존 엠. | High density integrated circuit assembly combining lead frame leads and conductive traces |
| KR100337451B1 (en) * | 1995-12-30 | 2002-11-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor package |
| KR100221917B1 (en) * | 1996-12-16 | 1999-09-15 | 윤종용 | High radiating semiconductor package having double stage structure and method of making same |
| KR100421777B1 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package |
| JP2006344643A (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Pack battery |
| KR101011930B1 (en) * | 2008-07-11 | 2011-01-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor devices |
| WO2011021690A1 (en) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 日本電気株式会社 | Semiconductor device having power supply-side metal reinforcing member and ground-side metal reinforcing member insulated from each other |
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