JPH0697492B2 - 薄膜変換器用基板のラツプ仕上げ位置の測定方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁器変換器の製造方法に関するものであ
る。さらに具体的に言えば、変換器の磁極端を最終的な
スロート高までラツプ仕上げする際の基板のラツプ仕上
げ位置を決定するための方法に関するものである。

〔従来の技術〕

磁気デイスク構造の読取り用の薄膜変換器は、薄膜付着
法でバツチ製造される。典型的な場合、変換器は１つの
基板上に行列状に形成される。次に、変換器の磁極端が
基板列の端部まで延び且つ複数列の変換器が並置するよ
うに、その基板が切断される。変換効率を最大にするた
め、極端の長さをラツプ仕上げして、スロート高と呼ば
れる仕上げ寸法にしなければならない。現状技術のデー
タ記録密度を処理できる変換効率をもたらすために、所
与の薄膜変換器の仕上げスロート高は、最小公差の範囲
内に納めなければらない。

空気軸受面を形成する磁極端のラツプ仕上げは、電気的
ラツプ仕上げガイド（ELG）装置によつて測定される。
ラツプ仕上げガイドは、基板列の各末端上で変換器列の
各末端の位置に置く。ELGはラツプ仕上げする表面に隣
接し、ラツプ仕上げ表面の位置を識別する電気信号を与
える。ELG装置は、ラツプ仕上げ表面が仕上げスロート
高位置まで進んだとき、ラツプ仕上げ装置に信号を送る
のに使われる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

スロート高制御のためには、ラツプ仕上げされた基板表
面の平坦度が維持されることが必要である。必要な平坦
度を達成し、ラツプ仕上げ過程の結果として変換器の磁
極片の後退量を減らすために、仕上げスロート高にする
最終的ラツプ仕上げは、最終洗浄サイクル中に実施す
る。この洗浄サイクルは、非常に精密な磁極端のラツプ
仕上げをもたらすように計算した洗浄サイクル時間の
間、ラツプ仕上げするように決められている。先行技術
の最終ラツプ仕上げ間隔は、現在のELG装置が最終ラツ
プ仕上げ過程中にラツプ仕上げされる最終間隔を測定す
るのに充分な解像力をもたないので、予め定めたラツプ
仕上げ時間とラツプ仕上げされる間隔の関係にもとづく
推定値である。本発明は、仕上げスロート高を得るため
に最終的精密ラツプ仕上げサイクル中ならびに粗ラツプ
仕上げ段階中にラツプ仕上げを監視することができるEL
G装置を提供するものである。

ラツプ仕上げエツジの位置の正確な監視を実現すること
が、本発明の目的である。

本発明のもう１つの目的は、バツチ製造薄膜磁気変換器
のスロート高の正確な監視を実現することである。

本発明のより具体的な目的は、バツチ製造薄膜磁気変換
器のスロート高を定義するラツプ仕上げエツジの反対側
の両端の位置を測定することである。

〔問題を解決するための手段〕

上記の目的は、本発明にもとづく方法により達せられ
る。１列の薄膜磁気変換器を支持する基板の好ましくは
反対側の２つの末端に、電気的ラツプ仕上げガイド装置
を設ける。基板を１つのエツジに沿つて仕上げスロート
高寸法にまでラツプ仕上げする。電気的ラツプ仕上げガ
イド装置を使つて、ラツプ仕上げエツジの位置を、その
両端で監視する。

電気的ラツプ仕上げガイドに、少くとも１つのスイツチ
接合を設ける。このスイツチ接合は、基板のラツプ仕上
げ中に状態を変更するものである。スイツチ接合は、並
列抵抗素子を含んでいる。スイツチ接合は、明確なスイ
ツチ平面を備えているが、これは所期の仕上げスロート
高寸法からの既知の間隔である。ラツプ仕上げエツジが
このスイツチ平面と合致すると、スイツチ平面の両端間
で抵抗のはつきした段階的変化が検出される。

本発明の良好な実施例では、各ラツプ仕上げガイドは、
複数のスイツチ接合および直列回路として作られた分路
抵抗素子を含んでいる。一連の各スイツチ接合は、スイ
ツチ平面の仕上げスロート高寸法からの間隔が既知の値
となり、残りのスイツチ接合とは異なるように配置され
る。ラツプ仕上げの進行につれて直列回路は、段階的な
抵抗変化を受ける。したがつて、各スイツチ平面のラツ
プ仕上げされた基板エツジの位置は分散したスイツチ平
面で検出できる。

良好な実施例の方法は、さらに、各ラツプ仕上げガイド
毎に基板上に抵抗素子を設けることを含んでいる。この
抵抗素子は、ラツプ仕上げの進行につれて抵抗変化をも
たらす構造になつている。抵抗素子の抵抗変化とラツプ
仕上げ間隔の関係は、各スイツチ接合の状況変化によつ
て検出される各ラツプ仕上げ位置を、測定された抵抗素
子の抵抗と比較することによつて求められる。すなわ
ち、ラツプ仕上げエツジが仕上げスロート高位置に近づ
くにつれて、抵抗素子の固有抵抗変化とラツプ仕上げ間
隔特性の関係が正確にわかる。

各電気的ラツプ仕上げガイドは、ラツプ仕上げエツジの
各末端の位置測定をもたらす。すなわち、ラツプ仕上げ
エツジのレベルを決定し、変換器列の仕上げスロート高
寸法に対するラツプ仕上げエツジの相対的レベルを維持
するために、基板に矯正力を加えることができる。

〔実施例〕

ここで第１図を参照すると、基板11の表面23をラツプ仕
上げして、複数の薄膜磁気変換器30に対する精密なスロ
ート高を確定するための装置の全体的ブロツク・ダイア
グラムが示してある。第１図の装置は、基板11をラツプ
仕上げ板20上の位置に保持するためのラツプ仕上げ用固
定治具12を含んでいる。ラツプ仕上げ平面20は、表面23
を仕上げ寸法まで正確にラツプ仕上げするための研磨面
である。

ラツプ仕上げ用固定治具12に加える力は、第１および第
２の圧力アクチユエータ15と16から得られる。アクチユ
エータ15と16が基板11に加える力を変えると、ラツプ仕
上げ表面23の水準調節が制御できる。

ある水準面からの偏差の測定は、電気的ラツプ仕上げガ
イド21と22によつて実現される。電気的ラツプ仕上げガ
イド21と22は、所期の変換器仕上げ寸法に対するラツプ
仕上げ表面23の相対的平面位置を識別する。ラツプ仕上
げ距離を示す信号をもたらす。これらの電気的測定値
が、マルチプレクサ26に印加される。デジタル・オーム
計25が、マルチプレクサ26を介して、各電気的ラツプ仕
上げガイド21と22の抵抗を測定する。デイジタル・オー
ム計25の出力をコントローラ27に送ることにより、得ら
れた抵抗測定値から基板11の左右末端に対するラツプ仕
上げ表面23の相対位置が決まる。コントローラ27は、ア
クチユエータ15と16を活動化して、基板行11をラツプ仕
上げ板20に対して水準調節し、それによつてすべての変
換器30のスロート高を同じ長さにする。

次に第２図を参照すると、ラツプ仕上げ表面23に対する
電気的ラツプ仕上げガイド構造21の平面図、およびラツ
プ仕上げを終るべき仕上げスロート高さである仕上げ寸
法がより詳細に示してある。もちろん、左側の電気的ラ
ツプ仕上げガイド22は右側の電気的ラツプ仕上げガイド
21の鏡像であり、したがつてこれ以上説明しない。

薄膜変換器30に隣接して、電気的ラツプ仕上げガイド構
造21がある。このガイド構造は、電気的ラツプ仕上げガ
イド抵抗器31を含んでいる。表面23ラツプ仕上げ板20で
ラツプ仕上げされるとき、端子21aと21bの間の抵抗測定
値は、次の関係式にもとづいて変化する。

ただし、 Ｒ＝ラツプ仕上げガイド抵抗器31の抵抗 ｐ＝抵抗31を構成する材料の抵抗率 ｌ＝抵抗31の長さ ｗ＝抵抗31の幅 ｔ＝抵抗31の厚さ 表面23がラツプ仕上げされると、抵抗31の幅Ｗが減少
し、抵抗31の抵抗Ｒが増加する。この抵抗を測定する
と、仕上げスロート高に近づくときのラツプ仕上げ表面
23の位置変化を監視することができる。

電気的ラツプ仕上げガイド21と22は、各薄膜変換器30の
製造中に薄膜付着法で付着される。抵抗31の長さｌと抵
抗率ｐと厚さｔは、製造中に制御されているもと仮定す
る。厚さは、基板11上に変換器エレメントを付着中に制
御される。抵抗率は、抵抗器31として使われる金属層に
よつて決まる。クロムが好ましいが、ニツケル−鉄など
他のどんな金属も極片として使用できる。抵抗31の長さ
と幅は、抵抗31を形成する際に使うマスクで決まる。抵
抗の長さは、好ましくは約51マイクロメートルである。
電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器の抵抗率、長さおよび
初期幅は、典型的な場合、次の寸法および値である。

ｐ＝0.55マイクロメートル ｔ＝0.25マイクロメートル ｌ＝500 便宜上、方程式（１）の をｋと表すことができるが、良好な実施例ではこれは11
00となる。

電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31と電気的ラツプ仕上
げガイド構造21の一部分に隣接して複数のスイツチ32−
35がある。第２図には、４個示してあるが、各薄膜変換
器30の列の末端に隣接する基板上に、合計６個のスイツ
チが組み込まれている。

各スイツチ32−35には、仕上げスロート高から特定間隔
の所にスイツチ接合32a−35aが設けられている。スイツ
チは、変換器30を基板11に付着する際に、基板11に付着
される。薄膜変換器30の付着中にスイツチ素子32−35を
付着することにより、スイツチ接合が状態を変える平面
が、仕上げスロート高に対して正確に位置決めされる。
単一分路抵抗38−41が、各スイツチ接合と並列に接続さ
れている。分路抵抗38−41は、抵抗器31と同時に同じ材
料で形成できる。スイツチ接合は直列に接続され、端子
21aと21cの間で直列回路を形成する。

電気的ラツプ仕上げガイド21及び22のもう１つの実施例
が第５図に示される。この装置の動作原理は第２図に示
された実施例のそれと同じである。この実施例では、ス
イツチ32−35が最後の薄膜変換器30に隣接して端子21
a′及び21c′の間で直列的電気回路で接続される。電気
的ラツプ仕上げガイド抵抗器31が端子21c′及び21b′の
間で電気回路の端部に配置される。この実施例は製造工
程における変化に影響され難いので、第５図に示された
実施例は好適な実施例である。

ラツプ仕上げ表面23がスイツチ接合32のスイツチ平面32
aと合致すると、スイツチ接合が状態を変える。好まし
くは、スイツチ接合32は、ラツプ仕上げが行われると
き、導電状態から非導電状態に変わり、徐々の抵抗変化
ではなく、はつきりした２進的抵抗変化を示す。すなわ
ち、端子21aと21cの間の電流経路は、必ず分路抵抗38を
通る。このとき、第１図のコントローラ27に接続された
デジタル・オーム計25が、端子21aと21cの間の抵抗の段
階変化を測定すると、ラツプ仕上げ表面23が仕上げスロ
ート高に対して正確にわかる。各スイツチ平面32a−35a
が仕上げスロート高に対して正確にわかると、端子21a
と21cの間に現われる抵抗測定値の各不連続性から、各
位置で仕上げスロート高に対するラツプ仕上げ表面23が
正確にチエツクできる。各分路抵抗は、ラツプ仕上げ中
にラツプ仕上げまたは切断されるのを防止するため、最
終的ラツプ仕上げエツジからある間隔の所に位置決めさ
れる。

端子21aと21cの間に現われる全抵抗として見られる、各
スイツチ接合32−35の状態変化の測定結果を使つて、電
気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31を校正することができ
る。電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31は、仕上げスロ
ート高に近づくと正確に校正され、ラツプ仕上げ表面23
を所期の仕上げスロート高に対して約１〜２ミクロンの
公称スロート高の範囲内に位置決めできる。

端子21aと21cの間に現われる電気抵抗の変化は、第４図
を参照するとすぐに理解できる。第４図は、各スイツチ
接合32−35の仕上げスロート高に対する位置を電気的に
表したものである。ラツプ仕上げ表面23が削られると、
スイツチ32−35が次々に開路状態になることは明らかで
ある。ラツプ仕上げ表面23が仕上げスロート高に向つて
前進することによつて生じる各開路状態は、端子21aと2
1cの間の直列回路に抵抗38−41を加えたものとみなされ
る。もちろん、接合32−35の切換え中、端子21aと21bの
間で測定されるアナログ抵抗は、上記の方程式にもとづ
いて変化する。

第５図の端子21a′、21b′、21c′の間に生ずる電気的
抵抗の変化は第６図を参照することにより決定可能であ
る。この抵抗の変化は第２図及び第４図を参照して述べ
たものと対応素子に関して同じである。

上記の計算を使うと、ラツプ仕上げ表面の両側の２つの
ELG装置によつて、変換器アレイの仕上げスロート高に
対してラツプ仕上げ表面の水準を維持するために必要な
力の差を求めることができる。その上、各電気的ラツプ
仕上げガイド抵抗器31毎に、所期のスロート高を指定す
る端部抵抗を決めることができる。次に所期のスロート
高でラツプ仕上げを終了することができる。すなわち、
抵抗器31はラツプ仕上げ工程のこの段階で精密なラツプ
仕上げ点を決定するのに充分に正確であり、その幅はラ
ツプ仕上げ工程の終りに近いので、予め定めた洗浄サイ
クル時間をセツトすることによつて洗浄サイクル中に精
密ラツプ仕上げを行う先行技術の方法を避けることがで
きる。別法として、最後のスイツチであるスイツチ35が
状態を変えたとき、ラツプ仕上げを終了することもでき
る。

第２図に示した電気的ラツプ仕上げガイド構造の透視図
が、第３図に出ている。第３図は、各スイツチ接合32−
35と仕上げスロート高THの関係を説明したものである。
変換器30の極片30aと30bの間に、絶縁磁気ギヤツプ層30
cを付着する。導電コイル層などの図示していない別の
層がおよび他の絶縁層30dを、基板11上の極片30aと30b
の間に付着し、変換器30の一部とする。極片30aと30bの
間の絶縁層30dによつて、変換器のスロート高が決ま
る。極片30aと30bの付着中、スイツチ接合32−35、たと
えば導体35cと35bを含む各半分を基板に付着する。スイ
ツチ接点32d−35d以外の所で、スイツチ接合を絶縁層で
分離する。すなわち、スイツチ接合32−35の導体エレメ
ントと絶縁層を付着することにより、変換器のそれに対
応する構造エレメント、すなわち極片30aと30bおよび絶
縁層30dが基板11に付着される。対応するスイツチ平面
の位置決めは、スイツチング素子の導体を分離する絶縁
層の前端で画定される。こうして、仕上げスロート高に
対するスイツチ接合32−35の位置決めが維持される。変
換器エレメント30を設けるのと同時に、電気的ラツプ仕
上げガイド抵抗器31も基板11に付着する。こうして、変
換器アレイの製造中に、スイツチ接合32−35の接点を含
む電気的ラツプ仕上げガイド・コンポーネントと電気的
ラツプ仕上げガイド抵抗器31の間で位置決めが維持され
る。抵抗器38−41は、抵抗100オームのクロム薄膜とし
て付着する。この100オームのクロム抵抗器は、約１オ
ームの閉路抵抗をもつスイツチ接合の間に現われる。ス
イツチ接合35dを画定するため、導体エレメント35cと35
bの間に、絶縁材を付着する。スロート高THを決定する
変換器エレメント30用の絶縁層を付着するのと同時に、
各スイツチ35−32用の絶縁層を付着して、仕上げスロー
ト高に対するスイツチ接合の正確な制御を維持する。ま
た各スイツチ接合の導体エレメントの形状は、これらの
エレメントがすべて同じ工程で付着されるため、極片30
a、30bの形状と合同となるように保たれる。絶縁層と導
体の形状が普通に形成されるため、仕上げスロート高に
対するスイツチ平面の精密な全体的位置が改善される。

第５図に示された電気的ラツプ仕上げガイドの構造は第
３図に示され且つ上述したものと同様に製造される。上
述のように、第５図に示された電気的ラツプ仕上げガイ
ドの実施例は製造工程における変化に影響され難い。各
スイツチ接合の導体エレメントの厚さの変化及び絶縁層
の厚さの変化は変換器エレメント30の最終的なスロート
高さにおける所望の値から変化を生じさせ得るものであ
る。絶縁層の厚さの変化及び導体エレメントの厚さの変
化は基板11の中心付近よりもその基板の端部付近にずつ
と生じ易い。第５図の実施例はスイツチ接合のうちの最
後のもの即ちその列における最後の変換器30の近くにあ
るスイツチ35である。これはスロート高に関する最終的
なスイツチ制御であるスイツチ接合であり、最も近いも
のは最後の変換器30の位置と最後のスイツチ接合35の位
置の間に絶縁層又は導体エレメントの厚さの実質的な差
の変化を減少させる。電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器
31は厚さの変化が更に生じ易いことがわかつたその基板
の端部近くであるが、これは抵抗器31がラツプ仕上げ動
作中相対的な位置に目盛をつけられるので最終的なスロ
ート高の精度に関する大きなインパクトに対し小さい変
化を生じさせる。

電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31は第２図の実施例に
おいて端子21a及び21bを形成する２つの導体の間、又は
第５図の実施例において端子21b′及び21c′を形成する
２つの導体の間に示される。電気的ラツプ仕上げガイド
抵抗器31も好ましくはクロム製で、抵抗38−41を基板11
に付着するのと同時に付着する。

ラツプ仕上げ表面23の基板11の左右末端に対する相対位
置を測定することにより、基板11上の変換器30アレイの
全体について、仕上げスロート高に対するラツプ仕上げ
表面23の水準を維持することができる。コントローラ27
は、水準調節エラーを訂正するための変換器15と16の力
差を決定するアルゴリズムでプログラミングされたコン
ピユータとすることができる。力差は、次式で求められ
る。

ただし、R₃₁Lは、左側の電気的ラツプ仕上げガイド抵抗
器31の抵抗 R₃₁Rは、右側の電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31の抵
抗 △Ｗは、各電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31のオフセ
ツト間隔の差である。

オフセツト間隔は、第２図と第３図に、抵抗器31の後端
からスロート高寸法までの距離として示してある。

ラツプ仕上げ表面23を水準調節するのに必要な力差を連
続的に決定し、その力差をアクチユエータ15−16で加え
ると、ほぼ同水準の状態が達成される。

電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31の仕上げスロート高
抵抗の計算値は、次式で表せる。

ただし、各ラツプ仕上げ抵抗器のオフセツト間隔は、 で求められ、Ddは所与のスイツチ接合の切換え位置であ
る。

コンピユータ27は、各ラツプ仕上げガイドの左右の各水
準調整抵抗器および６つのスイツチ接合の直列配置の抵
抗を測定するようにプログラミングされている。ラツプ
仕上げ表面23の水準状態を決定するのに利用される、抵
抗器とスイツチ接合のパラメータは、第３図に示すよう
に各水準調整抵抗器のオフセツトを含んでいる。オフセ
ツトは、所期のスロート高からラツプ仕上げ表面23と平
行な抵抗器の後端までの距離を表す。スロートから所与
の検出器スイツチ平面までの距離Ddn′および所期のス
ロート高THを使つて、下記の計算値を求める。

次式を使つて各水準調整抵抗器についてオフセツトを計
算する。

左右の水準調整抵抗器のオフセツトの差は、次式で表さ
れる。

△Ｗ＝オフセツト_Ｒ左−オフセツト_Ｒ右 このオフセツトの差を使うと、アクチユエータ15と16の
力差を求めて、平らでないラツプ仕上げ表面を矯正する
ことができる。

上式にもとづいて力差を計算することにより、コンピユ
ータ27は下記の決定式にもとづいて、アクチユエータ15
と16の力差を設定する。

Fd＜０ 左側の力＜右側の力 Fd＝０ 左側の力＝右側の力 Fd＞０ 左側の力＞右側の力 この力の決定式は、下記のプログラミング・ステツプの
サブルーチンであり、コンピユータ27は、基板11に当該
の力差を与えて水準調整エラーを矯正する。

システムの最終的基本計算として、前記の関係式にもと
づいて、変換器基板列の各側で電気的ラツプ仕上げガイ
ド抵抗器31から仕上げスロート高抵抗を求める。

水準調整情報ならびにスロート高決定をもたらす上記の
基本計算のために、コンピユータ27に下記のプログラミ
ング・ステツプが組み込まれている。これらのプログラ
ミング・ステツプは擬似コードで記載されるが、前記の
６つのスイツチ接合を備えた電気的ラツプ仕上げガイド
装置にとつて有用である。もちろん、本発明を実施する
のに６個は必要でないが、６個あれば好ましい。この擬
似コードは、それぞれ１からｎまでの一連のd₀ループで
ある。ただし、ｎ＝電気的ラツプ仕上げガイド装置で使
用するスイツチ接合の数である。

ラツプ仕上げ工程を開始する前に、コンピユータ27にい
くつかの値を挿入する。最初のものは、以前に方程式Ｉ
に関して説明した、定数Ｋの値である。仕上げスロート
高から各スイツチ平面Dd₁〜Dd₆までの間隔をコンピユー
タ・プログラムに挿入する。このプログラムは、ユーザ
の任意選択により、コンピユータ・プログラムに挿入さ
れたスロート高計算値で、または仕上げスロート高に最
も近接したスイツチ接合の最後の状態変化でラツプ仕上
げを終了する。スロート高の計算値をラツプ仕上げ操作
を終了する終点として使う場合、このスロート高計算値
（TH）をコンピユータ・プログラムにロードする。粗ラ
ツプ仕上げの終わりに、当事者には周知のように、ラツ
プ仕上げ表面23をもたらすより精巧なラツプ仕上げに影
響を与える洗浄サイクルで、特定の間隔Wcの場合のラツ
プ仕上げができる。

各電気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31がもたらす左右の
抵抗を読み取るための追加サブルーチンをプログラミン
グで使用する。このサブルーチンは、測定値がプログラ
ムの実行に利用できるようになる前に、さらにリード抵
抗を差し引く。リード抵抗定数は、通常はサブルーチン
に含まれるが、オペレータが他のパラメータと一緒にそ
れを入力することもできる。

このプログラムは、DO LOOPSのような擬似コード・プ
ログラミング・フオーマツトによる３つの部分から構成
されている。

第１の部分は、最初のスイツチ接合のラツプ仕上げ中に
下記の各ステツプを実行する、プログラムのセクシヨン
からなる。

コードの最初の部分の結果は、力差を計算し、アクチユ
エータ15と16を介してそれを基板11に加えることであ
る。この力差は、基板の両側の擬似コード中の検出器と
呼ばれる最初のスイツチ接合の状態変化する前に、各電
気的ラツプ仕上げガイド抵抗器31と32の基板の両側で測
定した抵抗レベルを差し引くことによつて計算する。SE
T MECHANICS サブルーチンを呼び出して、アクチユエ
ータ15と16上でこの力差を確定する。

各電気的ラツプ仕上げガイド装置の対応する各スイツチ
接合が同時に状態変化すると、左右の各電気的ラツプ仕
上げガイド抵抗器の値が測定される。

１つの電気的ラツプ仕上げガイド装置の１つのスイツチ
接合だけが状態変化して非平坦状態を示す場合、基板の
両側の２つのELG抵抗器31が測定され、それぞれ１と０
にセツトされる。力差が計算され、SET MECHANICSがア
クチユエータ15と16に対する計算された力を加える。

向き合つた電気的ラツプ仕上げガイド装置の第２のスイ
ツチ接合が状態変化すると、左右のR₃₁抵抗の値が読み
取られて記憶される。

したがつて、異なるELG装置中の基板の両側の１対のス
イツチが状態変化すると、プログラミングの最初の部分
が完了する。

プログラミングの第２の部分は、活動化された最初のス
イツチ接合対から状態変化する３番目のスイツチ接合対
へとラツプ仕上げが進行する時に一連の計算を実行する
ことからなる。

左右のELG装置のオフセツトWsideが計算され、行列中に
記憶される。状態変化する最初のスイツチ接合体から状
態変化する３番目のスイツチ接合対へとラツプ仕上げが
進行するとき、オフセツト差Ｗも記憶される。

状態変化する最初のスイツチ接合対からラツプ仕上げが
進行するとき、方程式（４）にもとづいて力差が計算さ
れる。次にスイツチ接合対が各ELG装置中で１つずつ状
態変化するまで、この力差がセツト機構を通じてアクチ
ユエータ15と16に加えられる。

基板11の片側で１つのスイツチ接合だけが状態変化する
場合、もう一方の電気的ラツプ仕上げガイド装置の残り
のスイツチ接合が状態変化するまで、力差が以前と同じ
ように計算される。両方のスイツチ接合が状態変化する
と、２つの抵抗R₃₁が測定され、その抵抗値が記憶され
る。

第３のスイツチ接合対が状態変化するまで、上記のルー
チンが繰り返される。

上記のステツプが完了すると、オフセツトWsideおよび
オフセツト差△Ｗが計算される。

スイツチ接合３−６の間で基板11がラツプ仕上げされる
間に、コンピユータ27のコンピユータ・プログラムによ
つて、下記のステツプが実行される。

状態変化する第３のスイツチ接合対からラツプ仕上げが
進行すると、記憶されているオフセツト差△Ｗが検査さ
れ、最大オフセツト差が識別される。方程式（５）にも
とづいて、求められたオフセツトの平均が計算される。
基板11の両側の次のスイツチ接合対が状態変化すると、
各抵抗器31が測定され、力差が計算される。この力差が
セツト機構を介してアクチユエータ15と16に加えられ
る。

コンピユータ27のオペレータが、ラツプ仕上げを終了す
るスロート高の計算値を入力していた場合、コンピユー
タは求められた以前の最大のオフセツト値を決定し、方
程式（６）によつてオフセツト測定値の平均を出す。仕
上げスロート高抵抗が方程式（７）で計算され、基板11
の両側の各ELG抵抗器31の実際の抵抗測定値と比較され
る。仕上げスロート高抵抗の計算値が抵抗器31の実際の
抵抗測定値と等しいときは、方程式（８）がラツプ仕上
げを終了する。

前述のように典型的な場合、基板11のラツプ仕上げの際
に、洗浄サイクルで最終的ラツプ仕上げ間隔が得られ
る。この洗浄サイクルでは、典型的な場合、仕上げスロ
ート高の約５ミクロンの所から仕上げスロート高測定値
までラツプ仕上げされる。もちろん理想的なスロート高
として示される仕上げスロート高測定値は、この高さか
ら任意の距離に設定することができる。この仕上げスロ
ート高以外のストーロ高を選択する場合、方程式（９）
でこの名目スロート高を洗浄サイクルのラツプ仕上げ間
隔Wcと一緒に使つて、各ELG抵抗器31に対する最終的ラ
ツプ仕上げ抵抗RWが計算される。洗浄サイクルの抵抗
が、基板11の両側のELG抵抗器31の測定値と連続的に比
較される。洗浄サイクルの抵抗が抵抗測定値に等しい場
合、基板の最終的ラツプ仕上げのため洗浄サイクルが実
行される。

スロート高計算値でラツプ仕上げを終了せず、１つのス
イツチ接合の状態変化の際に終了する場合、プログラミ
ング・ステツプが方程式（10）にもとづいて洗浄サイク
ルの抵抗Rwを計算する。この洗浄サイクルの抵抗が抵抗
器31の各抵抗測定値と比較され、ラツプ仕上げをそこで
終了するスイツチ接合が監視される。

残りの検出器対の一方だけが活動化されるか、それとも
両方が活動化されるかに応じて、下記のステツプ・シー
ケンスが実行される。

ラツプ仕上げ中に状態変更する残りの各検出器対につい
て、以上の計算が繰り返される。オフセツトおよびオフ
セツト差△Ｗの値が連続的に決定され、オフセツト計算
値とオフセツト差計算値の平均が求められ、洗浄サイク
ルの抵抗が再度計算される。

以上、１つのプログラムについて、本発明の電気的ラツ
プ仕上げガイド装置から導かれた抵抗情報を減らす方法
を説明した。しかし、当業者なら認めるように、バツチ
製造薄膜磁気変換器の仕上げスロート高までの水準調整
およびラツプ仕上げを効果的に制御するためにこれらの
測定値を減らす方法は、他にもある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、基本エツジを仕上げ寸法にまでラツプ仕上げ
するための装置のブロツク図、第２図は、本発明の好適
な実施例を実施するための電気的ラツプ仕上げガイドの
平面図、第３図は、第２図の電気的ラツプ仕上げガイド
の等角投影図、第４図は、第２図および第３図のELG装
置の動作を示す電気的な概念図、第５図は、本発明の好
適な実施例を実施するための電気的ラツプ仕上げガイド
の平面図、第６図は、第５図の電気的ラツプ仕上げガイ
ドの動作を示す電気的な概念図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】薄膜磁気変換器をバツチ製造する工程にお
   いて、該変換器を支持する基板のラツプ仕上げされた端
   部の位置を測定する方法であつて、 各々が前記ラツプ仕上げされた端部に対する所望の位置
   に平行で且つ既知の距離だけ離れた別個のスイツチ面を
   有する複数のスイツチ接合を前記基板上に付着し、 ラツプ仕上げによる切断を避けるために、前記スイツチ
   接合の各々と平行に且つ前記ラツプ仕上げされた端部か
   ら離れて分路抵抗を付着し、 前記スイツチ接合の各々を直列に接続して成る直列回路
   を形成し、 前記基体の初期位置から前記ラツプ仕上げされた端部に
   対する前記所望の位置に向けて前記基板をラツプ仕上げ
   し、その場合、前記スイツチ接合の各々は前記ラツプ仕
   上げの面が前記スイツチ接合のスイツチ面と一致すると
   き閉状態から開状態に変り、それによつて、前記閉状態
   から開状態に変化した前記スイツチ接合と平行な前記分
   路抵抗が前記直列回路に接続され、 前記基板のラツプ仕上げ中前記直列回路における段階状
   の抵抗変化を検出し、前記変化の各々は前記スイツチ接
   合の１つの開閉状態の変化を表わし、それによつて、前
   記ラツプ仕上げされた端部の位置が、前記閉状態から開
   状態に変化した前記スイツチ接合の前記スイツチ面と一
   致したことを識別する、 ことを特徴とする薄膜変換器用基板のラツプ仕上げ位置
   の測定方法。