JPH0697510B2 - 光記憶装置 - Google Patents
光記憶装置Info
- Publication number
- JPH0697510B2 JPH0697510B2 JP59181294A JP18129484A JPH0697510B2 JP H0697510 B2 JPH0697510 B2 JP H0697510B2 JP 59181294 A JP59181294 A JP 59181294A JP 18129484 A JP18129484 A JP 18129484A JP H0697510 B2 JPH0697510 B2 JP H0697510B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- recording
- medium
- optical storage
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜技術範囲＞ 本発明は、レーザ光を利用して情報を記憶する光記憶装
置、特にそのレーザ制御方式に関するものである。
置、特にそのレーザ制御方式に関するものである。
＜従来技術＞ 近年、光記憶装置は、高密度化，大容量化及び高速アク
セス化が可能なメモリ装置として、広く研究されてい
る。
セス化が可能なメモリ装置として、広く研究されてい
る。
これらは、コンパクトディスク，ビデオディスク等の再
生専用メモリ、追加記録が可能なadd onメモリ、記録・
再生・消去が可能なrever sibleメモリに大別できる。a
dd onメモリとしては、Te合金薄膜，有機膜等を記憶媒
体に用い、該媒体にレーザ光照射によって微細なビット
あるいはバブルを形成して情報を記憶するものがある。
またreversibleメモリとしては、非晶質磁性薄膜を用い
て、磁化方向を微細に反転させて記憶するものが代表的
である。
生専用メモリ、追加記録が可能なadd onメモリ、記録・
再生・消去が可能なrever sibleメモリに大別できる。a
dd onメモリとしては、Te合金薄膜，有機膜等を記憶媒
体に用い、該媒体にレーザ光照射によって微細なビット
あるいはバブルを形成して情報を記憶するものがある。
またreversibleメモリとしては、非晶質磁性薄膜を用い
て、磁化方向を微細に反転させて記憶するものが代表的
である。
ところで、これらadd onメモリ,reversibleメモリにお
いては、一般に、微小に絞られたレーザビームにより媒
体温度を局部的に昇温させ、媒体を変形あるいは変態さ
せる方法が用いられる。従って、媒体の温度分布によっ
て、記録されるビットの大きさ，形状が変化することに
なる。このため、従来は記憶装置の環境温度が変化した
際のS/Nあるいはビット誤りが劣化することを防止する
ため、装置温度あるいは周囲温度を検出して、記録レー
ザパワーあるいはパルス長を変化させて記録条件が一定
となる様な対策を施した。
いては、一般に、微小に絞られたレーザビームにより媒
体温度を局部的に昇温させ、媒体を変形あるいは変態さ
せる方法が用いられる。従って、媒体の温度分布によっ
て、記録されるビットの大きさ，形状が変化することに
なる。このため、従来は記憶装置の環境温度が変化した
際のS/Nあるいはビット誤りが劣化することを防止する
ため、装置温度あるいは周囲温度を検出して、記録レー
ザパワーあるいはパルス長を変化させて記録条件が一定
となる様な対策を施した。
この手法は、記憶装置に記憶媒体を固定した、いわゆる
リジットタイプでは有効であるが、記憶容量のアップあ
るいは情報の個人管理を目的として、一つの装置で複数
の記憶媒体を交換して利用する場合には、装置温度と媒
体温度とが必らずしも一致しないため、記録条件にズレ
が発生して不都合を生じることがあった。
リジットタイプでは有効であるが、記憶容量のアップあ
るいは情報の個人管理を目的として、一つの装置で複数
の記憶媒体を交換して利用する場合には、装置温度と媒
体温度とが必らずしも一致しないため、記録条件にズレ
が発生して不都合を生じることがあった。
＜発明の目的＞ 本発明は、上記の様な従来問題に鑑みなされたものであ
り、記録条件の管理により、環境温度の変化によってS/
N,ビット誤り率等が劣化することを防止するためのもの
である。
り、記録条件の管理により、環境温度の変化によってS/
N,ビット誤り率等が劣化することを防止するためのもの
である。
＜実施例＞ 以下、本発明に係る光記憶装置の一実施例について図面
を用いて詳細な説明する。
を用いて詳細な説明する。
第１図は本発明に係る光記憶装置のうち、光磁気型記憶
装置の概略構成説明図である。
装置の概略構成説明図である。
１は希土類金属と遷移金属のアモルファス合金薄膜を記
録材料とする、垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体で
ある。２は所定の強度のレーザ光を射出できるレーザ装
置を搭載した記録・再生・消去光学ヘッドである。
録材料とする、垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体で
ある。２は所定の強度のレーザ光を射出できるレーザ装
置を搭載した記録・再生・消去光学ヘッドである。
３は所定の磁界を磁気記録媒体１に印加する磁界発生装
置、４は磁気記録媒体１の温度を非接触にて検出する赤
外線検出装置等の温度センサーである。５は磁気記録媒
体１を所定のスピードで回転させるモーター、６はレー
ザー装置の出力を温度センサー４からの情報を元に補正
する制御装置である。
置、４は磁気記録媒体１の温度を非接触にて検出する赤
外線検出装置等の温度センサーである。５は磁気記録媒
体１を所定のスピードで回転させるモーター、６はレー
ザー装置の出力を温度センサー４からの情報を元に補正
する制御装置である。
次に、レーザ装置からの光出力の補正の重要性ならびに
手法について説明する。
手法について説明する。
まず、アモルファス磁性薄膜を用いる場合の記録手法に
ついて説明する。周知の様に、アモルファス磁性薄膜へ
の情報の記録は、微小な磁化反転を連ねて行われる。そ
して、この微小な磁化反転領域を得るために、レンズに
よって微小なスポットに絞り込まれたレーザ光と、補助
磁界が利用される。第２図は、アモルファス磁性薄膜の
一例である、GdTbFe材料の媒体温度と保磁力の関係を定
性的に示す図である。図示に明らかな様に、媒体温度の
上昇によって保持力Hcは減少する。
ついて説明する。周知の様に、アモルファス磁性薄膜へ
の情報の記録は、微小な磁化反転を連ねて行われる。そ
して、この微小な磁化反転領域を得るために、レンズに
よって微小なスポットに絞り込まれたレーザ光と、補助
磁界が利用される。第２図は、アモルファス磁性薄膜の
一例である、GdTbFe材料の媒体温度と保磁力の関係を定
性的に示す図である。図示に明らかな様に、媒体温度の
上昇によって保持力Hcは減少する。
第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）に記録前，記録時，記録後に
おける媒体の磁化変化状態を示す。媒体温度と保持力の
関係は上記の通りであり、従って、第３図に示す様に一
方向に磁化された媒体（同図（ａ））を、レーザ加熱し
かつ逆方向の補助磁界HBを与えた場合（同図（ｂ））、
HB以下の保磁力となった領域は磁化反転して、記録ある
いは消去が達成される（同図（ｃ））。この磁化反転領
域の大きさは、記録手法から容易に推察される様に、媒
体の温度上昇分布Tc、補助磁界HBの大きさによって決定
される。補助磁界HBの大きさ，アモルファス磁性薄膜の
種類，組成によっても異るが、磁化反転の温度レベルTw
は一般に100〜150℃に設定されている。
おける媒体の磁化変化状態を示す。媒体温度と保持力の
関係は上記の通りであり、従って、第３図に示す様に一
方向に磁化された媒体（同図（ａ））を、レーザ加熱し
かつ逆方向の補助磁界HBを与えた場合（同図（ｂ））、
HB以下の保磁力となった領域は磁化反転して、記録ある
いは消去が達成される（同図（ｃ））。この磁化反転領
域の大きさは、記録手法から容易に推察される様に、媒
体の温度上昇分布Tc、補助磁界HBの大きさによって決定
される。補助磁界HBの大きさ，アモルファス磁性薄膜の
種類，組成によっても異るが、磁化反転の温度レベルTw
は一般に100〜150℃に設定されている。
従って、光記憶装置が０〜50℃の環境の下で使用される
ことを想定した場合に、安定な記録あるいは消去を達成
するためには、環境温度，媒体温度に対して、記録条件
の補正が不可欠となる。この点は、光磁気型に特有な現
象ではなく、他のビット形成，バブル形成あるいは変態
によるビット形成を行う様な光記憶装置であっても、レ
ーザ光による温度上昇を利用して記録あるいは消去を行
う場合には同様な事がいえる。
ことを想定した場合に、安定な記録あるいは消去を達成
するためには、環境温度，媒体温度に対して、記録条件
の補正が不可欠となる。この点は、光磁気型に特有な現
象ではなく、他のビット形成，バブル形成あるいは変態
によるビット形成を行う様な光記憶装置であっても、レ
ーザ光による温度上昇を利用して記録あるいは消去を行
う場合には同様な事がいえる。
さて、前述した様に温度に対する記録条件の補正は、装
置温度（環境温度）を元にしてコントロールしても良い
が、特に記録媒体を交換自在とする場合や、より安定な
条件を設定するには、媒体そのものの温度を検出するこ
とが良い。また、この補正は実時間（装置活動中）に行
う必要があるため、媒体が移動する様な光記憶装置で
は、非接触で温度モニターしてフィードバックされなけ
ればならない。
置温度（環境温度）を元にしてコントロールしても良い
が、特に記録媒体を交換自在とする場合や、より安定な
条件を設定するには、媒体そのものの温度を検出するこ
とが良い。また、この補正は実時間（装置活動中）に行
う必要があるため、媒体が移動する様な光記憶装置で
は、非接触で温度モニターしてフィードバックされなけ
ればならない。
これを実現する温度検出素子として赤外線検出器があ
る。その中でも、安定性の点からは焦電型の検出器が最
も適当である。
る。その中でも、安定性の点からは焦電型の検出器が最
も適当である。
第４図は焦電型の温度検出器からの電気信号により記録
（あるいは消去）時のレーザパワーを変化させる制御系
のブロック図である。制御系は、焦電型赤外線検出器
４、環境温度測定素子７、演算回路８、制御装置６から
なり、焦電型検出器の特性上媒体温度は検出器４の出力
からの環境温度測定素子７の出力を減算して得、これを
フィードパークする様にしている。
（あるいは消去）時のレーザパワーを変化させる制御系
のブロック図である。制御系は、焦電型赤外線検出器
４、環境温度測定素子７、演算回路８、制御装置６から
なり、焦電型検出器の特性上媒体温度は検出器４の出力
からの環境温度測定素子７の出力を減算して得、これを
フィードパークする様にしている。
尚、レーザパワーを変化させる量（係数）については、
媒体の致達温度ならびに分布がほぼ一定になる様較正さ
れている。
媒体の致達温度ならびに分布がほぼ一定になる様較正さ
れている。
＜発明の効果＞ 以上説明した本発明によれば、交換可能な記録媒体の放
射する電磁波を検出してその温度をモニターし、これに
よってレーザパワーを補正するので、記録媒体の交換直
後でも、もり安定な記録あるいは消去を達成することが
でき、環境温度の差によって発生するS/Nの劣化，デー
タ誤り率の悪化を防止することができる。
射する電磁波を検出してその温度をモニターし、これに
よってレーザパワーを補正するので、記録媒体の交換直
後でも、もり安定な記録あるいは消去を達成することが
でき、環境温度の差によって発生するS/Nの劣化，デー
タ誤り率の悪化を防止することができる。
尚、本発明を説明するために、温度検出素子として焦電
型赤外線検出器を例としてあげたが、検出素子としては
これを限定するものではなく、他のものが応用可能であ
る。また、補正対象はレーザパワーの強度としたが、記
録ビット長が重要なディジタル記録では、レーザパルス
長を変化させても十分有用な結果が得られる。さらに光
磁気型の装置では、補助磁界の強さをコントロールして
も同様な効果が得られる。
型赤外線検出器を例としてあげたが、検出素子としては
これを限定するものではなく、他のものが応用可能であ
る。また、補正対象はレーザパワーの強度としたが、記
録ビット長が重要なディジタル記録では、レーザパルス
長を変化させても十分有用な結果が得られる。さらに光
磁気型の装置では、補助磁界の強さをコントロールして
も同様な効果が得られる。
又、本発明は、記録可能な光メモリに適用すると有効で
あるが、特に消去可能なメモリにおいて有効である。何
故なら、光磁気のような消去可能メモリにおいては、記
録時の媒体温度と消去時のそれとが大きく異なることが
あり、その際媒体に最適となる条件が異なるからであ
る。
あるが、特に消去可能なメモリにおいて有効である。何
故なら、光磁気のような消去可能メモリにおいては、記
録時の媒体温度と消去時のそれとが大きく異なることが
あり、その際媒体に最適となる条件が異なるからであ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す光磁気型記憶装置の概
略構成図、第２図は記録媒体温度と保持力の関係を定性
的に示す図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は記録前，記録
時，記録後における媒体の磁気変化状態を示す図、第４
図は焦電型温度検出器を用いた場合の制御系を示すブロ
ック図である。 １……光磁気記録媒体、２……光学ヘッド、３……磁界
発生装置、４……温度センサー（赤外線検出装置）、６
……制御装置、７……環境温度測定素子。
略構成図、第２図は記録媒体温度と保持力の関係を定性
的に示す図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は記録前，記録
時，記録後における媒体の磁気変化状態を示す図、第４
図は焦電型温度検出器を用いた場合の制御系を示すブロ
ック図である。 １……光磁気記録媒体、２……光学ヘッド、３……磁界
発生装置、４……温度センサー（赤外線検出装置）、６
……制御装置、７……環境温度測定素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−177534（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−131516（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】記憶媒体の交換可能な光記憶装置であっ
て、レーザ光による記憶媒体の加熱により情報の記録あ
るいは消去を行うものにおいて、前記記憶媒体の放射す
る電磁波を検出してその温度をモニターする検出手段、
及び該検出手段からの情報を元にレーザパワーあるいは
レーザパルス長を制御する手段とを備えてなることを特
徴とする光記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181294A JPH0697510B2 (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 光記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181294A JPH0697510B2 (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 光記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157050A JPS6157050A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0697510B2 true JPH0697510B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=16098162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181294A Expired - Lifetime JPH0697510B2 (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 光記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697510B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124235A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録再生装置 |
| JPH01179224A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-17 | Sony Corp | 記録装置 |
| JP2804050B2 (ja) * | 1988-09-28 | 1998-09-24 | 株式会社東芝 | 光記録・再生パワー制御方式 |
| JPH04167230A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58177534A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的記録装置 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59181294A patent/JPH0697510B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157050A (ja) | 1986-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |