JPH0697600B2 - サイクリック真空処理装置において熱伝達を制御するための装置 - Google Patents
サイクリック真空処理装置において熱伝達を制御するための装置Info
- Publication number
- JPH0697600B2 JPH0697600B2 JP60091327A JP9132785A JPH0697600B2 JP H0697600 B2 JPH0697600 B2 JP H0697600B2 JP 60091327 A JP60091327 A JP 60091327A JP 9132785 A JP9132785 A JP 9132785A JP H0697600 B2 JPH0697600 B2 JP H0697600B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- pressure
- heat transfer
- wafer
- platen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S269/00—Work holders
- Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems
Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、真空チェンバ内で半導体ウエーハを処理する
ことに関し、特に、伝達媒体としてガスを利用するイオ
ン注入装置において熱伝達するための方法及び装置に関
する。
ことに関し、特に、伝達媒体としてガスを利用するイオ
ン注入装置において熱伝達するための方法及び装置に関
する。
集積回路の製造において、多数の処理が、真空中の半導
体ウエーハ上の高エネルギービームの適用を含むように
設定されている。これらの処理は、イオン注入、イオン
ビームミリング（milling）及び反応性イオンエッチン
グを含む。各々の場合に、イオンビームが、イオン源で
発生して、ターゲットへ向かって加速度を変化させて進
む。イオン注入が、半導体ウエーハ中に不純物を導入す
るための標準的技術となっている。不純物が、半導体材
料の結晶格子中に不純物を埋め込む手段として活性イオ
ンの運動量を用いることによって半導体ウエーハの大部
分中に導入される。
体ウエーハ上の高エネルギービームの適用を含むように
設定されている。これらの処理は、イオン注入、イオン
ビームミリング（milling）及び反応性イオンエッチン
グを含む。各々の場合に、イオンビームが、イオン源で
発生して、ターゲットへ向かって加速度を変化させて進
む。イオン注入が、半導体ウエーハ中に不純物を導入す
るための標準的技術となっている。不純物が、半導体材
料の結晶格子中に不純物を埋め込む手段として活性イオ
ンの運動量を用いることによって半導体ウエーハの大部
分中に導入される。
活性イオンが半導体ウエーハ上に衝突してウエーハ中に
進むとき、熱が原子の衝突によって発生する。この熱
は、イオンビームのエネルギーレベル又は電流レベルが
増加するとき顕著となり、既定の限界を越えて不純物の
無制御の拡散をもたらし得る。デバイス形状がより小さ
くなるとき、この無制御の拡散は、容認できなくなって
くる。熱に伴うより重大な問題が、処理前に半導体ウエ
ーハに用いられる、比較的低い融点を有するパターン化
されたフォトレジスト層の劣化（degradation）であ
る。
進むとき、熱が原子の衝突によって発生する。この熱
は、イオンビームのエネルギーレベル又は電流レベルが
増加するとき顕著となり、既定の限界を越えて不純物の
無制御の拡散をもたらし得る。デバイス形状がより小さ
くなるとき、この無制御の拡散は、容認できなくなって
くる。熱に伴うより重大な問題が、処理前に半導体ウエ
ーハに用いられる、比較的低い融点を有するパターン化
されたフォトレジスト層の劣化（degradation）であ
る。
商業ベースの半導体処理で、大きな目的が、単位時間毎
に処理されるウエーハに基づいて高い処理量を達成する
ことである。イオンビーム装置で高い処理量を達成する
ための一つの方法が、比較的高電流のビームを用いるこ
とである。しかしながら、大量の熱が、ウエーハで発生
するであろう。従って、高温に達するのを防止するため
にウエーハを冷却することが必要である。
に処理されるウエーハに基づいて高い処理量を達成する
ことである。イオンビーム装置で高い処理量を達成する
ための一つの方法が、比較的高電流のビームを用いるこ
とである。しかしながら、大量の熱が、ウエーハで発生
するであろう。従って、高温に達するのを防止するため
にウエーハを冷却することが必要である。
ウエーハの温度を既定の限界以下に保つための技術が、
入射力が多数のウエーハ上に広がるバッチ処理、ビーム
の時分割走査及びウエーハと熱シンクとの間の間の固体
対固体直接接触による伝導冷却、を含んでいる。固体対
固体接触を使用する装置の冷却効率は、微細レベルで二
つの面の小さい領域（代表的に５％以下）しか実際には
接触していないので、ウエーハの裏面が熱伝導面と接触
する程度によって制限される。
入射力が多数のウエーハ上に広がるバッチ処理、ビーム
の時分割走査及びウエーハと熱シンクとの間の間の固体
対固体直接接触による伝導冷却、を含んでいる。固体対
固体接触を使用する装置の冷却効率は、微細レベルで二
つの面の小さい領域（代表的に５％以下）しか実際には
接触していないので、ウエーハの裏面が熱伝導面と接触
する程度によって制限される。
ガス伝導技術は、二つの向き合った面の間で熱結合を可
能にすることが周知であり、真空中での半導体処理に用
いられている。一つの方法で、ガスが、ウエーハと支持
プレートとの間の凹部内に導入される。しかしながら、
この方法を用いて達成できる熱伝達は、ウエーハの湾曲
が低いガス圧で起こるので制限される。
能にすることが周知であり、真空中での半導体処理に用
いられている。一つの方法で、ガスが、ウエーハと支持
プレートとの間の凹部内に導入される。しかしながら、
この方法を用いて達成できる熱伝達は、ウエーハの湾曲
が低いガス圧で起こるので制限される。
半導体ウエーハに関するガス補助の固体対固体熱伝達
が、1982年５月25日に出願の米国特許出願第381,669号
で開示されている。半導体ウエーハが、その周縁で成形
プラテン（platen）上へ締付けられる。圧力を加えられ
たガスが、プラテンとウエーハとの間の微細空隙内に導
入される。ガス圧力は、ウエーハとプラテンとの間隔を
少しも増加させることなく所定の荷重的締め付け圧力に
近づく。ガス圧はウエーハとプラテンとの間隙を全く増
加させることなく顕著に増加するので、熱残留は減少
し、ガス補助の固体対固体熱伝達が最適の結果を生じ
る。これらの二つの方法では、ガスは、圧力を調節する
ための手段を含みウエーハの裏側の熱伝達領域に結合し
たガス源から供給される。
が、1982年５月25日に出願の米国特許出願第381,669号
で開示されている。半導体ウエーハが、その周縁で成形
プラテン（platen）上へ締付けられる。圧力を加えられ
たガスが、プラテンとウエーハとの間の微細空隙内に導
入される。ガス圧力は、ウエーハとプラテンとの間隔を
少しも増加させることなく所定の荷重的締め付け圧力に
近づく。ガス圧はウエーハとプラテンとの間隙を全く増
加させることなく顕著に増加するので、熱残留は減少
し、ガス補助の固体対固体熱伝達が最適の結果を生じ
る。これらの二つの方法では、ガスは、圧力を調節する
ための手段を含みウエーハの裏側の熱伝達領域に結合し
たガス源から供給される。
処理量がより大きいイオン注入装置の需要の増加につ
れ、より大きい電流を利用することが必要となり、それ
によって、バッチ装置へガス冷却を使用することが必要
となるであろう。代表的に、バッチ装置で、多数の、例
えば25個のウエーハが、イオン注入中に回転する大きな
円盤（disc）上に取り付けられる。イオンビームが回転
する円盤を横切って走査され、或いは円盤が回転中に機
械的に並進運動して、ウエーハの表面上に一様なイオン
注入量をもたらすことができる。
れ、より大きい電流を利用することが必要となり、それ
によって、バッチ装置へガス冷却を使用することが必要
となるであろう。代表的に、バッチ装置で、多数の、例
えば25個のウエーハが、イオン注入中に回転する大きな
円盤（disc）上に取り付けられる。イオンビームが回転
する円盤を横切って走査され、或いは円盤が回転中に機
械的に並進運動して、ウエーハの表面上に一様なイオン
注入量をもたらすことができる。
バッチ処理装置内でガス冷却を使用することは、２つの
因子によって複雑化される。第１に、ウエーハの裏側の
熱伝達領域内にガスを導入するために必要な機械設備
は、各々のウェーハ取り付け場所に反復して設けられな
ければならない。このことは、装置の複雑さとコストと
を非常に増大させる。加えて、円盤外部の接続が、回転
軸に沿って回転式接続を通じて行なわれなければならな
い。従来技術の回転円盤は、回転するシールを通じて円
盤へ管によって送られる冷却水を用いて水冷されてい
る。ガス冷却のための接続を加えることは、この装置を
更に複雑にするであろう。
因子によって複雑化される。第１に、ウエーハの裏側の
熱伝達領域内にガスを導入するために必要な機械設備
は、各々のウェーハ取り付け場所に反復して設けられな
ければならない。このことは、装置の複雑さとコストと
を非常に増大させる。加えて、円盤外部の接続が、回転
軸に沿って回転式接続を通じて行なわれなければならな
い。従来技術の回転円盤は、回転するシールを通じて円
盤へ管によって送られる冷却水を用いて水冷されてい
る。ガス冷却のための接続を加えることは、この装置を
更に複雑にするであろう。
本発明の目的は、真空中の半導体ウエーハに関する熱伝
達のための新規な装置を提供することである。
達のための新規な装置を提供することである。
本発明の他の目的は、イオン注入装置内の半導体ウエー
ハに関するガス伝導熱伝達のための新規な方法及び装置
を提供することである。
ハに関するガス伝導熱伝達のための新規な方法及び装置
を提供することである。
本発明の他の目的は、複数のウエーハを取り付けるため
の可動支持体を利用するイオン注入装置内でガス伝導熱
伝達を行うための新規な方法及び装置を提供することで
ある。
の可動支持体を利用するイオン注入装置内でガス伝導熱
伝達を行うための新規な方法及び装置を提供することで
ある。
本発明の他の目的は、処理サイクルの一部分の間に通気
する真空チェンバ内で半導体ウエーハに関する熱伝達を
行うための方法及び装置を提供することである。
する真空チェンバ内で半導体ウエーハに関する熱伝達を
行うための方法及び装置を提供することである。
発明の概要 本発明に従って、これらのまた他の目的及び利点が、処
理サイクルの一部分中に大気に通じサイクルの他の部分
中に低圧に真空吸引される真空処理チェンバ内で、被加
工物と熱シンク又は熱ソースとの間に熱伝達をもたらす
ための方法及び装置で達成される。この装置は、被加工
物と熱シンク又は熱ソースとの間の熱伝達領域を形成す
るために被加工物に対して密閉されるプラテンを含む。
このプラテンは、チェンバと熱伝達領域との間のガス流
のための通路を含む。更にこの装置は、通路を制御可能
に開いたり閉じたりするためのバルブ手段及びチェンバ
内の圧力が所定の中間圧力に達するときバルブ手段を閉
じるための制御手段を含む。中間圧力でのガスが、真空
処理中に熱伝達領域で閉じ込められて被加工物とプラテ
ンとの間の熱エネルギーを伝導する。
理サイクルの一部分中に大気に通じサイクルの他の部分
中に低圧に真空吸引される真空処理チェンバ内で、被加
工物と熱シンク又は熱ソースとの間に熱伝達をもたらす
ための方法及び装置で達成される。この装置は、被加工
物と熱シンク又は熱ソースとの間の熱伝達領域を形成す
るために被加工物に対して密閉されるプラテンを含む。
このプラテンは、チェンバと熱伝達領域との間のガス流
のための通路を含む。更にこの装置は、通路を制御可能
に開いたり閉じたりするためのバルブ手段及びチェンバ
内の圧力が所定の中間圧力に達するときバルブ手段を閉
じるための制御手段を含む。中間圧力でのガスが、真空
処理中に熱伝達領域で閉じ込められて被加工物とプラテ
ンとの間の熱エネルギーを伝導する。
本発明の一実施例で、そのような複数のプラテンが、中
心軸のまわりで回転するようにされた円盤上に配置され
る。各々のプラテンに結合されたバルブ手段は、所定の
回転速度以上における遠心力により閉じられる。制御手
段は、チェンバ内の圧力を感知するための手段及びチェ
ンバが中間圧力に達するとき所定の速度以上に円盤を回
転させるための手段を含む。
心軸のまわりで回転するようにされた円盤上に配置され
る。各々のプラテンに結合されたバルブ手段は、所定の
回転速度以上における遠心力により閉じられる。制御手
段は、チェンバ内の圧力を感知するための手段及びチェ
ンバが中間圧力に達するとき所定の速度以上に円盤を回
転させるための手段を含む。
好適実施例 バッチ処理イオン注入装置のための端部装置及びビーム
ライン（beamline）の近接部分が、第１図に簡単な形で
図示されている。回転円盤組立体は、回転円盤10、円盤
10の上に設置された複数の半導体ウエーハ12、チェンバ
ドア14及び回転円盤10のための駆動モータ16を有する。
回転円盤10は、チェンバドア14を介して駆動軸18によっ
てモータ16に接続されている。注入の間、チェンバドア
14は、注入チェンバ22を形成するためにハウジング20に
気密されている。ハウジング20はまた、ビームライン真
空チェンバ24も形成し、それはゲートバルブ26によって
注入チェンバ22から隔離される。イオンビーム28は、イ
オン源内で形成され、適切な質量分析及びイオン光学素
子（図示せず）を経て、ゲートバルブ26を通ってウエー
ハ12に適用される。真空ポンプ30は、隔離バルブ32を介
して注入チェンバ22に連結されている。注入チェンバ22
はまた、通気の目的のために、隔離バルブ34を介して外
部環境に連結されている。ビームライン真空チェンバ24
は、真空ポンプ（図示せず）に連結されている。
ライン（beamline）の近接部分が、第１図に簡単な形で
図示されている。回転円盤組立体は、回転円盤10、円盤
10の上に設置された複数の半導体ウエーハ12、チェンバ
ドア14及び回転円盤10のための駆動モータ16を有する。
回転円盤10は、チェンバドア14を介して駆動軸18によっ
てモータ16に接続されている。注入の間、チェンバドア
14は、注入チェンバ22を形成するためにハウジング20に
気密されている。ハウジング20はまた、ビームライン真
空チェンバ24も形成し、それはゲートバルブ26によって
注入チェンバ22から隔離される。イオンビーム28は、イ
オン源内で形成され、適切な質量分析及びイオン光学素
子（図示せず）を経て、ゲートバルブ26を通ってウエー
ハ12に適用される。真空ポンプ30は、隔離バルブ32を介
して注入チェンバ22に連結されている。注入チェンバ22
はまた、通気の目的のために、隔離バルブ34を介して外
部環境に連結されている。ビームライン真空チェンバ24
は、真空ポンプ（図示せず）に連結されている。
動作中、第１図に示されたイオン注入装置は、サイクリ
ック（cyclic）方式で半導体ウエーハを処理する。その
サイクルは、概して、装置内でのウエーハの配置、それ
に続くイオン注入及びその後の装置からのウエーハの除
去を含む。より特徴的なことには、注入サイクルの最後
で、ビームライン真空チェンバ24を隔離するためにゲー
トバルブ26が閉じられ、バルブ32を閉じ、バルブ34を開
くことによって注入チェンバ22が通気される。これは注
入チェンバ22を大気圧まで上げる。チェンバドア14が開
かれ、ウエーハ12が取り除かれ、ウエーハの新しい組が
回転円盤10上に配置される。ウエーハ12の交換は、自動
又は手動で為される。次にチェンバドア14は、ハウジン
グ20を封口する。バルブ34が閉じられ、真空ポンプ30へ
のバルブ32が開かれる。注入チェンバ22の真空吸引は、
所望の圧力レベルが得られるまで続く。チェンバ22の真
空吸引の間に、円盤の回転が開始される。適切な圧力レ
ベルが得られるとゲートバルブ26が開かれ、ウエーハ12
の注入が始まる。第１図の実施例において、ウエーハ12
の一様なイオン注入量を確保するために、イオンビーム
28は、回転する円盤の一部分上に１次元的に走査され
る。従来技術で知られる他の装置において、イオンビー
ム28は固定して保持され、そして、回転円盤は、ウエー
ハの一様なイオン注入を達成するために回転するととも
に、一次元的に往復の運動をする。注入が完了した後、
注入チェンバ22は上記のように通気され、この処理が繰
り返される。
ック（cyclic）方式で半導体ウエーハを処理する。その
サイクルは、概して、装置内でのウエーハの配置、それ
に続くイオン注入及びその後の装置からのウエーハの除
去を含む。より特徴的なことには、注入サイクルの最後
で、ビームライン真空チェンバ24を隔離するためにゲー
トバルブ26が閉じられ、バルブ32を閉じ、バルブ34を開
くことによって注入チェンバ22が通気される。これは注
入チェンバ22を大気圧まで上げる。チェンバドア14が開
かれ、ウエーハ12が取り除かれ、ウエーハの新しい組が
回転円盤10上に配置される。ウエーハ12の交換は、自動
又は手動で為される。次にチェンバドア14は、ハウジン
グ20を封口する。バルブ34が閉じられ、真空ポンプ30へ
のバルブ32が開かれる。注入チェンバ22の真空吸引は、
所望の圧力レベルが得られるまで続く。チェンバ22の真
空吸引の間に、円盤の回転が開始される。適切な圧力レ
ベルが得られるとゲートバルブ26が開かれ、ウエーハ12
の注入が始まる。第１図の実施例において、ウエーハ12
の一様なイオン注入量を確保するために、イオンビーム
28は、回転する円盤の一部分上に１次元的に走査され
る。従来技術で知られる他の装置において、イオンビー
ム28は固定して保持され、そして、回転円盤は、ウエー
ハの一様なイオン注入を達成するために回転するととも
に、一次元的に往復の運動をする。注入が完了した後、
注入チェンバ22は上記のように通気され、この処理が繰
り返される。
回転円盤10及びチェンバドア14の部分断面斜視図が第２
図で図示されている。回転円盤10は駆動軸18に取り付け
られた滑車40及び駆動ベルト42を介して駆動モータに連
結されている。駆動軸18はフェロフルイディクシール
（ferrofluidic seal）44を通っており、それは回転運
動が注入チェンバ22の真空領域内に伝達されることを可
能にする。回転円盤10は複数のウエーハを締め付けて取
り付ける場所46を有し、それは後に詳細に記載される。
回転円盤10は、任意に水冷され得る。この特色が含まれ
るとき、水又は他の適切な冷却流体が、円盤10内の内部
通路を通って各々のウエーハを締め付けて取り付けてい
る場所46に循環される。円盤内の通路は、駆動軸18内の
同心の通路を介して外部の循環及び冷却装置50に接続さ
れている。
図で図示されている。回転円盤10は駆動軸18に取り付け
られた滑車40及び駆動ベルト42を介して駆動モータに連
結されている。駆動軸18はフェロフルイディクシール
（ferrofluidic seal）44を通っており、それは回転運
動が注入チェンバ22の真空領域内に伝達されることを可
能にする。回転円盤10は複数のウエーハを締め付けて取
り付ける場所46を有し、それは後に詳細に記載される。
回転円盤10は、任意に水冷され得る。この特色が含まれ
るとき、水又は他の適切な冷却流体が、円盤10内の内部
通路を通って各々のウエーハを締め付けて取り付けてい
る場所46に循環される。円盤内の通路は、駆動軸18内の
同心の通路を介して外部の循環及び冷却装置50に接続さ
れている。
回転円盤10上のウエーハを締め付けて取り付ける場所46
の１つの簡単な断面図が、第3A図及び第3B図に図示され
ている。円盤10に取り付けられたプラテン60及びプラテ
ン60に対してウエーハ12を締付けるための手段が含まれ
る。ウエーハ締付手段は締付リング62を有し、それは、
ウエーハの周囲の端をプラテン60に対して締付けるよう
にされている。締付リング62は、支柱64によってプラテ
ン60内の穴を通して円盤10の裏側のプレート66に連結さ
れている。ウェーハ12へと締付リング62を引き寄せ、適
所へそれを強固に締め付けるスプリング68が、プレート
66とプラテン60の背面との間に配置される。ウエーハ12
が取り去られると、プランジャ（図示せず）は、プレー
ト66を上方へ押し、それによってスプリング68を押し付
け、締付リング62を持ち上げる。ウエーハ12は、手動で
取り除くことができる。変形的に、ウエーハは、自動ウ
エーハ取り扱い装置のそばに近づけるために、一連の保
持支柱又は真空チャック（図示せず）によって持ち上げ
られてもよい。
の１つの簡単な断面図が、第3A図及び第3B図に図示され
ている。円盤10に取り付けられたプラテン60及びプラテ
ン60に対してウエーハ12を締付けるための手段が含まれ
る。ウエーハ締付手段は締付リング62を有し、それは、
ウエーハの周囲の端をプラテン60に対して締付けるよう
にされている。締付リング62は、支柱64によってプラテ
ン60内の穴を通して円盤10の裏側のプレート66に連結さ
れている。ウェーハ12へと締付リング62を引き寄せ、適
所へそれを強固に締め付けるスプリング68が、プレート
66とプラテン60の背面との間に配置される。ウエーハ12
が取り去られると、プランジャ（図示せず）は、プレー
ト66を上方へ押し、それによってスプリング68を押し付
け、締付リング62を持ち上げる。ウエーハ12は、手動で
取り除くことができる。変形的に、ウエーハは、自動ウ
エーハ取り扱い装置のそばに近づけるために、一連の保
持支柱又は真空チャック（図示せず）によって持ち上げ
られてもよい。
プラテン60の上面70は、ウエーハ12の裏側と対向してい
る。その上面70は、平坦でもよく又はその中央部分に空
胴を有してもよい。しかし、好適には上面70は、凸形状
を有する。ウエーハ12は、凸形状によって予め応力が与
えられ、上面70と本質的な接触がもたらされる。しかし
ながら、上面の形状にもかかわらず、ウエーハ12とプラ
テン60との間の接触は、微細規模で表面領域の５％を越
えない。接触点間の微細空隙が高真空であるとき、実際
の接触点を除いて殆んど熱伝達が起こらない。ウエーハ
12とプラテン60の上端面70との間の領域へのガスの導入
は、熱伝達を促進することが知られている。熱伝達領域
は空胴であってもよく、又は、ウエーハとプラテンとが
接触しているときは微細空隙であってもよい。圧力は、
ウエーハの湾曲を引き起こすことなく、可能な限り高く
すべきである。好適実施例において、ウエーハ12がプラ
テン60に対抗し予め応力が与えられることで、この圧力
は約５乃至100Torrであって、好適には約20乃至30Torr
である。他の実施例においては、ガス圧力は、0.5Torr
ほどに低くてもよい。
る。その上面70は、平坦でもよく又はその中央部分に空
胴を有してもよい。しかし、好適には上面70は、凸形状
を有する。ウエーハ12は、凸形状によって予め応力が与
えられ、上面70と本質的な接触がもたらされる。しかし
ながら、上面の形状にもかかわらず、ウエーハ12とプラ
テン60との間の接触は、微細規模で表面領域の５％を越
えない。接触点間の微細空隙が高真空であるとき、実際
の接触点を除いて殆んど熱伝達が起こらない。ウエーハ
12とプラテン60の上端面70との間の領域へのガスの導入
は、熱伝達を促進することが知られている。熱伝達領域
は空胴であってもよく、又は、ウエーハとプラテンとが
接触しているときは微細空隙であってもよい。圧力は、
ウエーハの湾曲を引き起こすことなく、可能な限り高く
すべきである。好適実施例において、ウエーハ12がプラ
テン60に対抗し予め応力が与えられることで、この圧力
は約５乃至100Torrであって、好適には約20乃至30Torr
である。他の実施例においては、ガス圧力は、0.5Torr
ほどに低くてもよい。
本発明に従って、ウエーハ12とプラテン60の最上面70と
の間の熱伝達領域は、通路74によって回転円盤10の裏面
に接続される。従って、ウエーハ12の裏側の熱伝達領域
と注入チェンバ22との間を直結する通路がある。熱伝達
領域全体がほぼ同一圧力であることを確実にするため
に、ウエーハ12より直径が小さい周回的溝76が、プラテ
ン60の上面70で設けられる。好適実施例で、通路74は、
溝76に接続される。更にプラテン60には、上面70上に配
置され及びウエーハ12より直径がわずかに小さいエラス
トマーＯリング88のような周回的シールが含まれる。Ｏ
リング88は、ウエーハ12の裏側の熱伝達領域を注入チェ
ンバ22から気密する。プラテン60は、第3A図及び第3B図
で、水のような冷却流体の通路のための導管92を有して
示される。
の間の熱伝達領域は、通路74によって回転円盤10の裏面
に接続される。従って、ウエーハ12の裏側の熱伝達領域
と注入チェンバ22との間を直結する通路がある。熱伝達
領域全体がほぼ同一圧力であることを確実にするため
に、ウエーハ12より直径が小さい周回的溝76が、プラテ
ン60の上面70で設けられる。好適実施例で、通路74は、
溝76に接続される。更にプラテン60には、上面70上に配
置され及びウエーハ12より直径がわずかに小さいエラス
トマーＯリング88のような周回的シールが含まれる。Ｏ
リング88は、ウエーハ12の裏側の熱伝達領域を注入チェ
ンバ22から気密する。プラテン60は、第3A図及び第3B図
で、水のような冷却流体の通路のための導管92を有して
示される。
本発明に従う装置は、更に、通路74を閉じ又は遮断する
ためのバルブ手段を含む。第3A図及び第3B図の例で、バ
ルブ手段は、遠心動作バルブ80である。イオン注入中の
円盤10の代表的回転速度は、1000rpmである。遠心動作
バルブ80は、最終回転速度の例えば80％の割合の所定の
速度で遠心力動作によって閉じるように設計される。バ
ルブ80は、軸84に関して一端で枢動し他端に平衡錘83を
取り付けたほぼＬ字形部材82を含む。Ｌ字形部材82は、
予定速度以上の円盤10の回転に対して、遠心力が平衡錘
83に作用して第3B図で示すように通路74を遮断する位置
へと部材82を移動するように、プラテン60の裏面に放射
上に取り付けられる。バルブ80は、更に、円盤10が回転
していないとき通路74が開いているのを確実にするバネ
86を含む。Ｏリング90が、バルブ80が閉じているとき通
路74を気密する。
ためのバルブ手段を含む。第3A図及び第3B図の例で、バ
ルブ手段は、遠心動作バルブ80である。イオン注入中の
円盤10の代表的回転速度は、1000rpmである。遠心動作
バルブ80は、最終回転速度の例えば80％の割合の所定の
速度で遠心力動作によって閉じるように設計される。バ
ルブ80は、軸84に関して一端で枢動し他端に平衡錘83を
取り付けたほぼＬ字形部材82を含む。Ｌ字形部材82は、
予定速度以上の円盤10の回転に対して、遠心力が平衡錘
83に作用して第3B図で示すように通路74を遮断する位置
へと部材82を移動するように、プラテン60の裏面に放射
上に取り付けられる。バルブ80は、更に、円盤10が回転
していないとき通路74が開いているのを確実にするバネ
86を含む。Ｏリング90が、バルブ80が閉じているとき通
路74を気密する。
第3A図及び第3B図で示される遠心動作バルブ80は遠心動
作バルブの多くの可能な実施例のほんの一例であること
を、当業者は理解するであろう。例えば、確実なスナッ
プ動作が、バルブを閉じるのに所望されてもよい。平衡
錘83は、バルブ80の動作を明確に説明するために図示さ
れる。しかしながら、Ｌ字形部材82は、遠心力によって
運動するようにされている如何なる形状をも有すること
ができる。バネ86は、円盤10が水平位置で荷重を加えら
れたり除かれたりして、重力がバルブを開くのに十分で
あるとき、除去することができる。
作バルブの多くの可能な実施例のほんの一例であること
を、当業者は理解するであろう。例えば、確実なスナッ
プ動作が、バルブを閉じるのに所望されてもよい。平衡
錘83は、バルブ80の動作を明確に説明するために図示さ
れる。しかしながら、Ｌ字形部材82は、遠心力によって
運動するようにされている如何なる形状をも有すること
ができる。バネ86は、円盤10が水平位置で荷重を加えら
れたり除かれたりして、重力がバルブを開くのに十分で
あるとき、除去することができる。
遠心動作バルブ80の動作を制御するための手段が、第１
図及び第２図で示される。ダイアフラム式のような圧力
センサ94は、回転円盤10の周辺で圧力を感知するために
注入チェンバ22内に配置される。圧力センサ94の出力
は、注入チェンバ内圧力が注入中の最終圧力（代表的に
1x10-3Torr以下）以上の所定のレベル（代表的に0.5か
ら100Torr）以下であるときに出力信号を与えるレベル
検知器96に接続される。第２図を参照すれば、レベル検
知器102からの出力信号は、モータ速度制御部98に印加
される。モータ速度制御部98は、駆動モータ16を制御す
る。
図及び第２図で示される。ダイアフラム式のような圧力
センサ94は、回転円盤10の周辺で圧力を感知するために
注入チェンバ22内に配置される。圧力センサ94の出力
は、注入チェンバ内圧力が注入中の最終圧力（代表的に
1x10-3Torr以下）以上の所定のレベル（代表的に0.5か
ら100Torr）以下であるときに出力信号を与えるレベル
検知器96に接続される。第２図を参照すれば、レベル検
知器102からの出力信号は、モータ速度制御部98に印加
される。モータ速度制御部98は、駆動モータ16を制御す
る。
本発明に従う熱伝達装置の動作は、第4A図を参照して説
明されており、注入チェンバ22内の圧力及びウエーハ12
の裏側の熱伝達領域中の圧力が時間の関数としてプロッ
トされている。チェンバドア14が閉じるとき、真空ポン
プ30は、注入チェンバ22を排気し始める。この時、注入
チェンバ22は、大気圧又は760Torrである。円盤10は回
転しておらず、遠心動作バルブ80は開いている。真空ポ
ンプ30の動作は、第4A図で曲線100によって示すように
注入チェンバ22内の圧力の減少を引き起こす。この例の
場合、ウエーハ12の裏側の熱伝達領域での所定の中間圧
力は20Torrであると仮定する。圧力センサ100が時間t0
で注入チェンバ22内の20Torrの圧力を感知するとき、レ
ベル検知器102は、制御信号をモータ速度制御部98へも
たらす。モータ速度制御部98は、駆動モータ16を付勢し
て円盤10を回転させる。円盤10の回転は、バルブ80を閉
じた位置へ動作せしめ、通路74を気密する。この時、20
Torrの中間圧力は、熱伝達領域で閉じ込められる。真空
ポンプ30は、動作し続け、第4A図で曲線102によって示
すように、更に注入チェンバ22内の圧力の減少を引き起
こす。注入チェンバ22の圧力がイオン注入のために適切
なレベル、例えば１×10-5Torrに達するとき、ゲートバ
ルブ26は開き、イオン注入が行なわれる。この間、円盤
10は回転し続け、20Torrの圧力は、第4A図で曲線104に
よって示されるように熱伝達領域内に閉じ込められてい
る。
明されており、注入チェンバ22内の圧力及びウエーハ12
の裏側の熱伝達領域中の圧力が時間の関数としてプロッ
トされている。チェンバドア14が閉じるとき、真空ポン
プ30は、注入チェンバ22を排気し始める。この時、注入
チェンバ22は、大気圧又は760Torrである。円盤10は回
転しておらず、遠心動作バルブ80は開いている。真空ポ
ンプ30の動作は、第4A図で曲線100によって示すように
注入チェンバ22内の圧力の減少を引き起こす。この例の
場合、ウエーハ12の裏側の熱伝達領域での所定の中間圧
力は20Torrであると仮定する。圧力センサ100が時間t0
で注入チェンバ22内の20Torrの圧力を感知するとき、レ
ベル検知器102は、制御信号をモータ速度制御部98へも
たらす。モータ速度制御部98は、駆動モータ16を付勢し
て円盤10を回転させる。円盤10の回転は、バルブ80を閉
じた位置へ動作せしめ、通路74を気密する。この時、20
Torrの中間圧力は、熱伝達領域で閉じ込められる。真空
ポンプ30は、動作し続け、第4A図で曲線102によって示
すように、更に注入チェンバ22内の圧力の減少を引き起
こす。注入チェンバ22の圧力がイオン注入のために適切
なレベル、例えば１×10-5Torrに達するとき、ゲートバ
ルブ26は開き、イオン注入が行なわれる。この間、円盤
10は回転し続け、20Torrの圧力は、第4A図で曲線104に
よって示されるように熱伝達領域内に閉じ込められてい
る。
第4A図の説明で、予定圧力レベルの感知とバルブ80の動
作との間で起こり得る遅延は、無視した。遅延は、主に
円盤10がバルブ80を閉じるのに必要な速度に達するのに
必要な時間のために起こる。この遅延は、所望の圧力が
ウエーハ12の裏側の領域内に閉じ込められるのを確実に
するために補償され又は減少され得る。一方法で、円盤
10は、バルブ80を動作するのに必要な速度のほんの僅か
だけ小さい速度で回転する。中間圧力レベルに達すると
き、必要とされる円盤10の速度は、より急速に達成され
得る。
作との間で起こり得る遅延は、無視した。遅延は、主に
円盤10がバルブ80を閉じるのに必要な速度に達するのに
必要な時間のために起こる。この遅延は、所望の圧力が
ウエーハ12の裏側の領域内に閉じ込められるのを確実に
するために補償され又は減少され得る。一方法で、円盤
10は、バルブ80を動作するのに必要な速度のほんの僅か
だけ小さい速度で回転する。中間圧力レベルに達すると
き、必要とされる円盤10の速度は、より急速に達成され
得る。
第２の方法で、真空ポンプの特性が予測できるとき、遅
延が、装置の動作に組み込まれ得る。例えば、円盤10
は、バルブ80を閉じる速度に達するのに20秒を要すると
仮定する。更に、真空ポンプ30は、圧力レベルを60Torr
から20torrまで減少させるのに20秒を要すると仮定す
る。そこで、レベル検知器102は、圧力レベルが60Torr
に達するとき駆動モータ16を付勢すべく準備される。回
転円盤がバルブ80を動作するのに必要な速度に達するま
でに、チェンバ内の圧力は20Torrまで減少している。事
実上、真空吸引が、円盤の回転速度が増加する間継続す
る。
延が、装置の動作に組み込まれ得る。例えば、円盤10
は、バルブ80を閉じる速度に達するのに20秒を要すると
仮定する。更に、真空ポンプ30は、圧力レベルを60Torr
から20torrまで減少させるのに20秒を要すると仮定す
る。そこで、レベル検知器102は、圧力レベルが60Torr
に達するとき駆動モータ16を付勢すべく準備される。回
転円盤がバルブ80を動作するのに必要な速度に達するま
でに、チェンバ内の圧力は20Torrまで減少している。事
実上、真空吸引が、円盤の回転速度が増加する間継続す
る。
第３の方法を、第4B図で図示する。真空ポンプ30は、注
入チェンバ22内の圧力を曲線108によって示すように大
気圧から20Torrまで減少する。時間t1で、真空吸引が例
えばバルブ32を閉じることによって一時的に停止し、駆
動モータ16の動作が開始する。回転円盤10がバルブ80を
動作するのに必要な速度に達したとき、真空吸引は時間
t2まで遅延する。時間t2で、真空吸引は継続し、注入チ
ェンバ22内の圧力は、第4B図で曲線110によって示すよ
うに更に減少する。20Torrの圧力は、第4B図で曲線112
によって示すように熱伝達領域で維持される。
入チェンバ22内の圧力を曲線108によって示すように大
気圧から20Torrまで減少する。時間t1で、真空吸引が例
えばバルブ32を閉じることによって一時的に停止し、駆
動モータ16の動作が開始する。回転円盤10がバルブ80を
動作するのに必要な速度に達したとき、真空吸引は時間
t2まで遅延する。時間t2で、真空吸引は継続し、注入チ
ェンバ22内の圧力は、第4B図で曲線110によって示すよ
うに更に減少する。20Torrの圧力は、第4B図で曲線112
によって示すように熱伝達領域で維持される。
以上で、熱伝達処理は、ウェーハの冷却として説明され
ている。本発明は、加熱されたプラテンによるウェーハ
の加熱が所望されるとき等しく適用できることが、理解
されるであろう。ウェーハ背面の熱伝達領域内で所定の
圧力でガスを閉じ込める技術は、遠心動作バルブを付す
多数のウェーハ設置場所をもつ回転円盤に応用されると
きに非常に有利である。しかしながら、この技術は、他
のタイプのバルブが利用されるとき１又はそれ以上のウ
エーハの設置場所に適用できることが、理解されるであ
ろう。必要とされることの全てが、真空処理チェンバサ
イクルが大気圧又は他の比較的高い圧力と低い処理圧力
との間にあって、ウエーハの裏側の熱伝達領域で中間圧
力を閉じ込めるのを可能にすることである。
ている。本発明は、加熱されたプラテンによるウェーハ
の加熱が所望されるとき等しく適用できることが、理解
されるであろう。ウェーハ背面の熱伝達領域内で所定の
圧力でガスを閉じ込める技術は、遠心動作バルブを付す
多数のウェーハ設置場所をもつ回転円盤に応用されると
きに非常に有利である。しかしながら、この技術は、他
のタイプのバルブが利用されるとき１又はそれ以上のウ
エーハの設置場所に適用できることが、理解されるであ
ろう。必要とされることの全てが、真空処理チェンバサ
イクルが大気圧又は他の比較的高い圧力と低い処理圧力
との間にあって、ウエーハの裏側の熱伝達領域で中間圧
力を閉じ込めるのを可能にすることである。
本発明の好適実施例と現在考えられるものを示して説明
しているが、特許請求の範囲によって画成される本発明
の範囲から逸脱することなく種々の変更及び変形が可能
であることは、当業者に明らかであろう。
しているが、特許請求の範囲によって画成される本発明
の範囲から逸脱することなく種々の変更及び変形が可能
であることは、当業者に明らかであろう。
第１図は、バッチ処理イオン注入端部装置の簡略断面図
である。 第２図は、ウエーハを取り付けるための回転円盤の断面
斜視図である。 第3A図及び第3B図は、第２図で示す回転円盤上のウエー
ハ位置の部分断面図である。 第4A図及び第4B図は、本発明の動作の変形的方式につい
ての圧力の時間の関数としてのグラフである。 〔主要符号〕 10……回転円盤、12……半導体ウエーハ 14……チェンバドア、16……駆動モータ 18……駆動軸、20……ハウジング 22……注入チェンバ、24……ビーム真空チェンバ 26……ゲートバルブ、28……イオンビーム 30……真空ポンプ、32,34……隔離バルブ 46……ウェーハを締め付けて取り付ける場所、50……循
環及び冷却装置 60……プラテン、62……締付リング 74……通路、76……溝 80……遠心動作バルブ、82……Ｌ字形部材 83……平衡錘、88,90……Ｏリング 92……導管、98……モータ速度制御部 94……圧力センサ、96……レベル検知器
である。 第２図は、ウエーハを取り付けるための回転円盤の断面
斜視図である。 第3A図及び第3B図は、第２図で示す回転円盤上のウエー
ハ位置の部分断面図である。 第4A図及び第4B図は、本発明の動作の変形的方式につい
ての圧力の時間の関数としてのグラフである。 〔主要符号〕 10……回転円盤、12……半導体ウエーハ 14……チェンバドア、16……駆動モータ 18……駆動軸、20……ハウジング 22……注入チェンバ、24……ビーム真空チェンバ 26……ゲートバルブ、28……イオンビーム 30……真空ポンプ、32,34……隔離バルブ 46……ウェーハを締め付けて取り付ける場所、50……循
環及び冷却装置 60……プラテン、62……締付リング 74……通路、76……溝 80……遠心動作バルブ、82……Ｌ字形部材 83……平衡錘、88,90……Ｏリング 92……導管、98……モータ速度制御部 94……圧力センサ、96……レベル検知器
Claims (9)
- 【請求項１】処理サイクルの一部分中に通気され及び前
記サイクルの他の部分中に低圧力に真空吸引される真空
処理チェンバ内で、被加工物に関して熱伝達をもたらす
ための装置であって、 前記被加工物との間に熱伝達領域を画成するために前記
被加工物の周囲に密接するプラテンであって、前記チェ
ンバと前記熱伝達領域との間にガス流れのための通路を
有するプラテンと、 前記通路を制御可能的に開閉するためのバルブ手段と、 前記チェンバ内の圧力が所定の中間圧力に達する時に前
記バルブ手段を閉じるための制御手段とから成り、 以て、前記中間圧力内のガスが、真空処理中に前記熱伝
達領域内に閉じ込められ前記被加工物と前記プラテンと
の間の熱エネルギーを伝達する、装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載された装置で
あって、 前記制御手段が、前記チェンバ内の圧力を感知し、前記
チェンバが前記中間圧力に達するとき制御信号を与える
ための手段から成る、装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項に記載された装置で
あって、 前記真空処理チェンバが、イオン注入チェンバである、
装置。 - 【請求項４】特許請求の範囲第３項に記載された装置で
あって、 前記チェンバが通気される時に前記バルブ手段を開くた
めの手段を更に含む、装置。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項に記載された装置で
あって、 前記被加工物が半導体ウェーハである、装置。 - 【請求項６】動作サイクルの一部分中に通気し、前記サ
イクルの他の部分中に低圧力に真空吸引する真空チェン
バを含むイオン注入装置で、半導体ウェーハに関して熱
伝達をもたらす装置であって、 中心軸に関して回転し、多数の半導体ウェーハの取り付
け場所が設けられた円盤であって、前記取り付け場所の
各々には熱伝達領域を画成するためにウェーハに密接す
るプラテンが含まれ、前記プラテンの各々は前記熱伝達
領域と前記チェンバとの間で熱流れをもたらす通路を含
み、前記取り付け場所の各々には前記プラテン内の前記
通路を制御可能的に開閉するためのバルブ手段が更に含
まれるところの円盤と、 前記チェンバ内の圧力が所定の中間圧力に到達する時に
前記バルブ手段の各々を閉じるための制御手段とから成
り、 以て、前記中間圧力のガスがイオン注入中に前記熱伝達
領域内に閉じ込められ、前記ウェーハと前記プラテンと
の間で熱エネルギーを伝導する、装置。 - 【請求項７】特許請求の範囲第６項に記載された装置で
あって、 前記チェンバが通気される時に前記バルブ手段を開くた
めの手段を更に含む、装置。 - 【請求項８】特許請求の範囲第７項に記載された装置で
あって、 前記バルブ手段の各々は、所定速度以上で回転する前記
円盤の遠心力の動作を通じて前記プラテン内の前記通路
を閉じる遠心動作バルブから成り、 前記制御手段は、前記チェンバ内の圧力が前記中間圧力
に到達する時に前記所定速度以上で前記円盤を回転させ
るための手段を含む、装置。 - 【請求項９】特許請求の範囲第８項に記載された装置で
あって、 前記制御手段が、前記チェンバ内の圧力を感知し、前記
チェンバが前記中間圧力に到達する時に前記円盤を回転
するための前記手段に対して制御信号を与えるための手
段を更に含む、装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/606,051 US4535834A (en) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
| US606051 | 1990-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240041A JPS60240041A (ja) | 1985-11-28 |
| JPH0697600B2 true JPH0697600B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=24426318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60091327A Expired - Lifetime JPH0697600B2 (ja) | 1984-05-02 | 1985-04-30 | サイクリック真空処理装置において熱伝達を制御するための装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4535834A (ja) |
| JP (1) | JPH0697600B2 (ja) |
| KR (1) | KR930008522B1 (ja) |
| GB (1) | GB2158288B (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4768763A (en) * | 1986-06-06 | 1988-09-06 | Gerber Scientific, Inc. | Sheet material cutting table |
| JPH0748486B2 (ja) * | 1987-03-02 | 1995-05-24 | 株式会社日立製作所 | 減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置 |
| US4955590A (en) * | 1988-12-08 | 1990-09-11 | Tokyo Electron Limited | Plate-like member receiving apparatus |
| US5065495A (en) * | 1987-06-10 | 1991-11-19 | Tokyo Electron Limited | Method for holding a plate-like member |
| JP2649519B2 (ja) * | 1987-07-21 | 1997-09-03 | キヤノン株式会社 | 平板状物体移送位置決め装置 |
| KR940011708B1 (ko) * | 1990-04-09 | 1994-12-23 | 니찌덴 아네루바 가부시끼가이샤 | 기판온도제어기구 |
| US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
| US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
| US5230741A (en) * | 1990-07-16 | 1993-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| US5578532A (en) * | 1990-07-16 | 1996-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Wafer surface protection in a gas deposition process |
| US5843233A (en) * | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| JPH04358071A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 真空処理装置 |
| KR960002534A (ko) * | 1994-06-07 | 1996-01-26 | 이노우에 아키라 | 감압·상압 처리장치 |
| US5985089A (en) * | 1995-05-25 | 1999-11-16 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
| US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| US6053982A (en) * | 1995-09-01 | 2000-04-25 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| US5881208A (en) * | 1995-12-20 | 1999-03-09 | Sematech, Inc. | Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core |
| JPH09326385A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板冷却方法 |
| US6033478A (en) * | 1996-11-05 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer support with improved temperature control |
| US6046116A (en) * | 1997-11-19 | 2000-04-04 | Tegal Corporation | Method for minimizing the critical dimension growth of a feature on a semiconductor wafer |
| JP5054874B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2012-10-24 | ティーガル コーポレイション | リアクタ内でプラチナエッチングを行う方法 |
| US6580082B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-06-17 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter |
| US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
| US7055229B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-06 | Intel Corporation | Support system for semiconductor wafers and methods thereof |
| US20060096857A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Ilya Lavitsky | Physical vapor deposition chamber having a rotatable substrate pedestal |
| US20070261726A1 (en) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Rye Jason A | Multiple workpiece processor |
| US8092606B2 (en) * | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
| US8698104B2 (en) * | 2009-11-09 | 2014-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for handling multiple workpieces for matrix configuration processing |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3566960A (en) * | 1969-08-18 | 1971-03-02 | Robley V Stuart | Cooling apparatus for vacuum chamber |
| US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
| US4282924A (en) * | 1979-03-16 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface |
| US4261762A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-14 | Eaton Corporation | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum |
| US4453080A (en) * | 1981-07-20 | 1984-06-05 | Varian Associates, Inc. | Temperature control of a workpiece under ion implantation |
| US4458746A (en) * | 1982-05-25 | 1984-07-10 | Varian Associates, Inc. | Optimum surface contour for conductive heat transfer with a thin flexible workpiece |
| US4457359A (en) * | 1982-05-25 | 1984-07-03 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer |
| US4491173A (en) * | 1982-05-28 | 1985-01-01 | Temptronic Corporation | Rotatable inspection table |
-
1984
- 1984-05-02 US US06/606,051 patent/US4535834A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-04-24 GB GB08510436A patent/GB2158288B/en not_active Expired
- 1985-04-30 KR KR1019850002925A patent/KR930008522B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1985-04-30 JP JP60091327A patent/JPH0697600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60240041A (ja) | 1985-11-28 |
| KR930008522B1 (ko) | 1993-09-09 |
| GB2158288A (en) | 1985-11-06 |
| US4535834A (en) | 1985-08-20 |
| KR850008041A (ko) | 1985-12-11 |
| GB8510436D0 (en) | 1985-05-30 |
| GB2158288B (en) | 1987-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4567938A (en) | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system | |
| JPH0697600B2 (ja) | サイクリック真空処理装置において熱伝達を制御するための装置 | |
| US4527620A (en) | Apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system | |
| US4671204A (en) | Low compliance seal for gas-enhanced wafer cooling in vacuum | |
| US8450193B2 (en) | Techniques for temperature-controlled ion implantation | |
| US4261762A (en) | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum | |
| US7655933B2 (en) | Techniques for temperature-controlled ion implantation | |
| JP3507795B2 (ja) | 回転する基板を備えた急速熱処理（ｒｔｐ）システム | |
| US5753923A (en) | Ion injection device and method therefor | |
| TWI413168B (zh) | 低溫離子植入技術 | |
| JPH0230128A (ja) | 基板移送及び冷却方法、並びにその方法を実施するための装置 | |
| US4634331A (en) | Wafer transfer system | |
| JPH0232745B2 (ja) | ||
| US4672210A (en) | Ion implanter target chamber | |
| US4514636A (en) | Ion treatment apparatus | |
| US4997606A (en) | Methods and apparatus for fabricating a high purity thermally-conductive polymer layer | |
| US4717829A (en) | Platen and beam setup flag assembly for ion implanter | |
| JP2000003879A (ja) | 基板冷却機構 | |
| JPH0323631B2 (ja) | ||
| JP4241513B2 (ja) | 基板処理装置および処理方法 | |
| JP3427868B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP2006049489A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH09129569A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61214345A (ja) | イオン注入装置のためのプラテンおよびビーム設定フラグ組立体 | |
| KR20240011383A (ko) | 도어부 및 이를 포함하는 반도체 기판 처리장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |