JPH0698528A - Gate power supply circuit - Google Patents

Gate power supply circuit

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JPH0698528A
JPH0698528A JP24247592A JP24247592A JPH0698528A JP H0698528 A JPH0698528 A JP H0698528A JP 24247592 A JP24247592 A JP 24247592A JP 24247592 A JP24247592 A JP 24247592A JP H0698528 A JPH0698528 A JP H0698528A
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裕通 田井
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、絶縁変圧器を用いることなく、主
回路側からエネルギを得て、自己消弧形素子のゲ―ト駆
動回路へエネルギを供給するゲ―ト電力供給回路を提供
することにある。 【構成】 電力変換回路を構成するスイッチング素子1
に並列接続される第1のコンデンサ6とリアクトル8か
ら成る直列回路と、前記リアクトル8に並列接続される
第1のダイオ―ド7と第2のコンデンサ9から成る直列
回路を具備し、前記第2のコンデンサ9に蓄えられたエ
ネルギを前記スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等10
に供給することを特徴とするゲ―ト電力供給回路。
(57) [Summary] [Object] The present invention provides a gate electric power for supplying energy to a gate drive circuit of a self-arc-extinguishing element by obtaining energy from the main circuit side without using an insulating transformer. It is to provide a supply circuit. [Configuration] Switching element 1 constituting a power conversion circuit
A series circuit composed of a first capacitor 6 and a reactor 8 connected in parallel with each other, and a series circuit composed of a first diode 7 and a second capacitor 9 connected in parallel to the reactor 8. The energy stored in the capacitor 9 of 2 is applied to the gate driving circuit 10 of the switching element.
A gate power supply circuit characterized in that the power is supplied to the gate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、自己消弧形素子等のス
イッチング動作を利用して主回路から自己消弧形素子の
ゲ―ト駆動回路にゲ―ト電力を供給するようにしたゲ―
ト電力供給回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention utilizes a switching operation of a self-arc-extinguishing element or the like to supply gate power from a main circuit to a gate driving circuit of the self-arc-extinguishing element. -
Power supply circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】インバ―タ装置などの電力変換装置に自
己消弧形素子を適用することで従来に比べて電源側及び
負荷側高調波の抑制、電源力率の改善、装置の小形化な
どの利点が得られる。これまでは高電圧、大電流に耐え
られる自己消弧形素子が得られなかったが、最近はGT
Oに代表されるような高電圧、大電流用途に適した自己
消弧形素子が製造できるようになったため、大電力分野
への自己消弧形素子の応用が活発となってきた。
2. Description of the Related Art By applying a self-arc-extinguishing element to a power converter such as an inverter device, harmonics on the power supply side and load side are suppressed, the power supply power factor is improved, and the device is downsized, etc. The advantages of Until now, we have not been able to obtain self-extinguishing elements that can withstand high voltage and large current, but recently GT
Since it has become possible to manufacture a self-arc-extinguishing element suitable for high-voltage, high-current applications such as O, application of the self-arc-extinguishing element to the field of high power has become active.

【0003】GTOのような自己消弧形素子を高電圧用
途に応用するときには、自己消弧形素子のゲ―ト駆動回
路の駆動電源の問題が無視できない。特に大電力分野で
おもに用いられているスイッチング素子であるGTOの
場合には大きな問題となる。なぜなら、GTOは電流制
御形素子であり、しかもタ―ンオフ時の電流増幅度が小
さいので、タ―ンオフ時には主回路電流の数分の一とい
う、非常に大きな電流をGTOのゲ―トに流さなければ
ならない。又、GTOはオン時にも、導通損失を低減す
るためにゲ―トに電流を流し続ける必要がある。そのた
めGTOのゲ―ト駆動回路の消費電力は、GTOの品種
にもよるが、ひとつのGTOにつき100W以上にも達
する。
When a self-turn-off device such as a GTO is applied to a high voltage application, the problem of the drive power supply of the gate drive circuit of the self-turn-off device cannot be ignored. In particular, in the case of GTO, which is a switching element mainly used in the high power field, this is a serious problem. This is because the GTO is a current-controlled element and has a small current amplification factor at turn-off, so a very large current, which is a fraction of the main circuit current at turn-off, is applied to the GTO gate. There must be. Further, even when the GTO is turned on, it is necessary to keep the current flowing in the gate in order to reduce the conduction loss. Therefore, the power consumption of the GTO gate drive circuit reaches 100 W or more per GTO, depending on the type of GTO.

【0004】GTOのゲ―ト駆動回路は駆動対象となる
GTOのカソ―ド及びゲ―トに直接つながるため、電気
的には駆動対象のGTOのカソ―ドと同じ電位に置かれ
る。GTOを直列接続する場合には、各々のGTOのゲ
―ト駆動回路はそれぞれ異る電位に置かれるため、各々
のゲ―ト駆動回路の電源もまた、それぞれ電位が異って
いなければならない。即ち、ゲ―ト駆動回路の電源は、
それぞれのGTO毎に互いに絶縁されなければならな
い。
Since the GTO gate drive circuit is directly connected to the GTO cathode and gate to be driven, it is electrically placed at the same potential as the GTO cathode to be driven. When the GTOs are connected in series, the gate drive circuits of the respective GTOs are placed at different potentials, so the power supplies of the respective gate drive circuits must also have different potentials. That is, the power supply for the gate drive circuit is
Each GTO must be isolated from each other.

【0005】従来使用されているGTOのゲ―ト駆動回
路の例を図12に示す。図12では電力変換回路を構成
する複数のGTOの中の一個のGTOとそれに付随する
スナバ回路及びゲ―ト駆動回路を示している。
FIG. 12 shows an example of a GTO gate drive circuit which has been conventionally used. FIG. 12 shows one GTO among a plurality of GTOs constituting the power conversion circuit, and a snubber circuit and a gate drive circuit associated therewith.

【0006】図12において、GTO1が主スイッチン
グ素子であり、ダイオ―ド2とコンデンサ3とはGTO
1のスナバ回路をなし、GTO1の電圧上昇率を抑え、
タ―ンオフ時のGTOの損失を抑える。ダイオ―ド4は
フリ―ホイリングダイオ―ドであって回生モ―ドにおい
て主回路電流の通路となる。抵抗5は直流バランス抵抗
であり、多数個直列接続されるGTOの各々の直流分担
電圧を、各GTOの特性の僅かなバラツキに影響されな
いようにバランスさせる働きをする。
In FIG. 12, GTO 1 is the main switching element, and diode 2 and capacitor 3 are the GTO.
1 snubber circuit to suppress the voltage rise rate of GTO1,
Reduce GTO loss at turn-off. The diode 4 is a freewheeling diode and serves as a main circuit current path in the regenerative mode. The resistor 5 is a DC balance resistor, and has a function of balancing the DC sharing voltage of each of the GTOs connected in series so as not to be affected by slight variations in the characteristics of the GTOs.

【0007】GTO1のゲ―トはゲ―ト駆動回路10に
よって駆動される。ゲ―トのオン・オフ信号は光フファ
イバ11によって、光信号で伝送されてゲ―ト駆動回路
10内の図示しない光受信モジュ―ルによって電気信号
に変換される。光信号を用いるので、ゲ―トのオン、オ
フ信号については各GTO1ごとの絶縁は自動的に達成
される。ゲ―ト駆動回路10の電源は、絶縁変圧器13
を経由して高周波交流電源14から供給される高周波電
力を、整流器12によって整流して直流電力とすること
で得ている。高周波交流電源14は低電位部に置かれて
各GTOで共通に使用され、各GTO1間での電位の差
は、各々のGTO1に相対する絶縁変圧器13によって
絶縁されている。
The gate of the GTO 1 is driven by the gate drive circuit 10. The on / off signal of the gate is transmitted as an optical signal by the optical fiber 11 and converted into an electric signal by an optical receiving module (not shown) in the gate drive circuit 10. Since an optical signal is used, isolation for each GTO 1 is automatically achieved for the gate on / off signal. The gate drive circuit 10 is powered by the isolation transformer 13
The high frequency power supplied from the high frequency AC power supply 14 via the rectifier 12 is rectified by the rectifier 12 to obtain DC power. The high frequency AC power supply 14 is placed in a low potential part and is commonly used by each GTO 1. The potential difference between the GTOs 1 is insulated by the insulation transformer 13 facing each GTO 1.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、GTOを多数
直列接続し、直流母線電圧が数十KVを超える変換器に
従来技術を応用するには大きな問題がある。即ち、低電
位部から絶縁変圧器を介して高周波電力を送り込むため
には、数十KVの高電圧を絶縁することができる、極端
に絶縁耐圧の大きな絶縁変圧器が多数個必要となるから
である。このような絶縁変圧器は、大きなスペ―スを必
要とするのみならず、はなはだしく高価なものとなって
しまう。そのため、スペ―ス及びコストの面で、従来技
術ではGTOを多数直列接続して高電圧用途に応用する
には問題があった。
However, there is a big problem in applying the prior art to a converter in which a large number of GTOs are connected in series and the DC bus voltage exceeds several tens of KV. That is, in order to send the high frequency power from the low potential portion through the insulation transformer, a large number of insulation transformers having an extremely large withstand voltage that can insulate a high voltage of tens of KV are required. is there. Such an isolation transformer not only requires a large space, but also becomes extremely expensive. Therefore, in terms of space and cost, the prior art has a problem in connecting a large number of GTOs in series and applying them to high voltage applications.

【0009】従って、本発明の目的は、絶縁変圧器を省
略し、自己消弧形素子のオン・オフ動作を利用してゲ―
ト駆動回路へ供給する電力を主回路から得るようにした
ゲ―ト電力供給回路を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to omit the insulating transformer and utilize the on / off operation of the self-arc-extinguishing element to obtain the gain.
It is an object of the present invention to provide a gate power supply circuit in which the power supplied to the gate drive circuit is obtained from the main circuit.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項(1)に係るゲ―ト電力供給回路
は、電力変換回路を構成するスイッチング素子に並列接
続される第1のコンデンサとリアクトルから成る直列回
路と、前記リアクトルに並列接続される第1のダイオ―
ドと第2のコンデンサから成る直列回路を具備し、前記
第2のコンデンサに蓄えられるエネルギを前記スイッチ
ング素子のゲ―ト駆動回路等に供給するものである。
In order to achieve the above object, a gate power supply circuit according to claim (1) of the present invention is a first power supply circuit connected in parallel to a switching element constituting a power conversion circuit. Series circuit composed of the capacitor and the reactor, and a first diode connected in parallel to the reactor.
A series circuit including a battery and a second capacitor is provided, and energy stored in the second capacitor is supplied to a gate drive circuit of the switching element and the like.

【0011】又、本発明の請求項(2)に係るゲ―ト電
力供給回路は、電力変換回路を構成するスイッチング素
子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルと第
2のダイオ―ドから成る直列回路と、前記リアクトルと
第2のダイオ―ドの直列回路に並列接続される第1のダ
イオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路を具備
し、前記第2のコンデンサに蓄えられるエネルギを前記
スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等に供給するもので
ある。
A gate power supply circuit according to claim (2) of the present invention comprises a first capacitor, a reactor and a second diode which are connected in parallel to a switching element which constitutes a power conversion circuit. And a series circuit composed of a first capacitor and a second capacitor connected in parallel to the series circuit of the reactor and the second diode, and the energy stored in the second capacitor. Is supplied to the gate drive circuit of the switching element.

【0012】更に、本発明の請求項(3)に係るゲ―ト
電力供給回路は、電力変換回路を構成するスイッチング
素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルか
ら成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第
3のコンデンサと、前記リアクトルと第3のコンデンサ
の並列回路に並列接続される第1のダイオ―ドと第2の
コンデンサから成る直列回路を具備し、前記第2のコン
デンサに蓄えられるエネルギを前記スイッチング素子の
ゲ―ト駆動回路等に供給するものである。
Further, a gate power supply circuit according to claim (3) of the present invention includes a series circuit including a first capacitor and a reactor connected in parallel with a switching element forming a power conversion circuit, and the reactor. A second capacitor connected in parallel with the second capacitor, and a series circuit including a first diode and a second capacitor connected in parallel with the parallel circuit of the reactor and the third capacitor. The energy stored in the gate drive circuit of the switching element is supplied to the gate drive circuit.

【0013】更に又、本発明の請求項(4)に係るゲ―
ト電力供給回路は、電力変換回路を構成するスイッチン
グ素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトル
から成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される
第1のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路
を具備し、前記第2のコンデンサに蓄えられるエネルギ
をチョッパ回路或いはDC/DCコンバ―タ回路を介し
て前記スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等に供給する
ものである。
Furthermore, a game according to claim (4) of the present invention.
The power supply circuit includes a series circuit including a first capacitor and a reactor that are connected in parallel to a switching element that forms a power conversion circuit, and a first diode and a second capacitor that are connected in parallel to the reactor. The above-mentioned series circuit is provided, and the energy stored in the second capacitor is supplied to a gate drive circuit of the switching element or the like via a chopper circuit or a DC / DC converter circuit.

【0014】又、本発明の請求項(5)に係るゲ―ト電
力供給回路は、電力変換回路を構成するスイッチング素
子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルから
成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第1
のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路と、
前記第2のコンデンサに並列接続される半導体スイッチ
と抵抗とから成る直列回路を具備し、前記第2のコンデ
ンサに蓄えられるエネルギを前記スイッチング素子のゲ
―ト駆動回路等に供給し、且つ前記第2のコンデンサの
電圧が所定値に達した時に前記半導体スイッチをオンす
るようにしたものである。
A gate power supply circuit according to a fifth aspect of the present invention is a series circuit including a first capacitor and a reactor connected in parallel with a switching element forming a power conversion circuit, and the reactor. First connected in parallel to
A series circuit consisting of a diode and a second capacitor,
A series circuit including a semiconductor switch and a resistor connected in parallel to the second capacitor is provided, and energy stored in the second capacitor is supplied to a gate drive circuit of the switching element and the like. The semiconductor switch is turned on when the voltage of the second capacitor reaches a predetermined value.

【0015】更に、本発明の請求項(6)に係るゲ―ト
電力供給回路は、電力変換回路を構成するスイッチング
素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルか
ら成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第
1のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路
と、前記スイッチング素子の一端に一方の端子が接続さ
れ他方の端子が前記第1のダイオ―ドと第2のコンデン
サの直列接続点に接続される抵抗とを具備し、前記スイ
ッチング素子のオフ時前記抵抗を介して前記第2のコン
デンサを充電し、前記第2のコンデンサに蓄えられたエ
ネルギを前記スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等に供
給するものである。
Further, a gate power supply circuit according to claim (6) of the present invention is a series circuit including a first capacitor and a reactor connected in parallel with a switching element forming a power conversion circuit, and the reactor. A series circuit composed of a first diode and a second capacitor connected in parallel with each other, one terminal of which is connected to one end of the switching element and the other terminal of which is the first diode and the second capacitor. Connected to the series connection point of the switching element, the second capacitor is charged through the resistance when the switching element is off, and the energy stored in the second capacitor is charged by the switching element. -To supply to the drive circuit.

【0016】[0016]

【作用】請求項(1)に係る発明においては、スイッチ
ング素子がオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれるエ
ネルギは、スイッチング素子がオンの期間にリアクトル
を経由して第2のコンデンサに移るため、スイッチング
素子がスイッチング動作している時は第2のコンデンサ
に所定のエネルギを蓄えられるため、この第2のコンデ
ンサに蓄えられるエネルギをスイッチング素子のゲ―ト
駆動回路等に供給することができる。
In the invention according to claim (1), the energy stored in the first capacitor while the switching element is off is transferred to the second capacitor via the reactor while the switching element is on. Since the predetermined energy can be stored in the second capacitor when the switching element is performing the switching operation, the energy stored in the second capacitor can be supplied to the gate drive circuit of the switching element.

【0017】請求項(2)に係る発明においては、スイ
ッチング素子がオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれ
るエネルギは、スイッチング素子がオンの期間にリアク
トルを経由して第2のコンデンサに移るため、スイッチ
ング素子がスイッチング動作している時は第2のコンデ
ンサに所定のエネルギを蓄えることができ、この第2の
コンデンサに蓄えられるエネルギをスイッチング素子の
ゲ―ト駆動回路等に供給することができるが、この過程
においてリアクトルに振動電流が流れるため、この振動
電流はリアクトルに直列接続される第2のダイオ―ドに
よって除去できる。
In the invention according to claim (2), the energy stored in the first capacitor while the switching element is off is transferred to the second capacitor via the reactor while the switching element is on. The predetermined energy can be stored in the second capacitor during the switching operation of the switching element, and the energy stored in the second capacitor can be supplied to the gate drive circuit of the switching element. However, since an oscillating current flows through the reactor in this process, this oscillating current can be removed by the second diode connected in series with the reactor.

【0018】請求項(3)に係る発明においては、スイ
ッチング素子がオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれ
るエネルギは、スイッチング素子がオンの期間にリアク
トルを経由して第2のコンデンサに移るため、スイッチ
ング素子がスイッチング動作している時は第2のコンデ
ンサに所定のエネルギを蓄えることができ、この第2の
コンデンサに蓄えられるエネルギをスイッチング素子の
ゲ―ト駆動回路等に供給することができるが、この過程
においてリアクトルにスパイク電圧が現れるが、このス
パイク電圧はリアクトルに並列接続される第3のコンデ
ンサによって除去できる。
In the invention according to claim (3), the energy stored in the first capacitor while the switching element is off is transferred to the second capacitor via the reactor while the switching element is on. The predetermined energy can be stored in the second capacitor during the switching operation of the switching element, and the energy stored in the second capacitor can be supplied to the gate drive circuit of the switching element. However, a spike voltage appears in the reactor in this process, and this spike voltage can be removed by the third capacitor connected in parallel with the reactor.

【0019】請求項(4)に係る発明においては、スイ
ッチング素子がオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれ
るエネルギは、スイッチング素子がオンの期間にリアク
トルを経由して第2のコンデンサに移るため、スイッチ
ング素子がスイッチング動作している時は第2のコンデ
ンサに所定のエネルギを蓄えられるため、この第2のコ
ンデンサに蓄えられるエネルギをスイッチング素子のゲ
―ト駆動回路等に供給する場合、チョッパ回路或いはD
C/DCコンバ―タ回路を介して前記スイッチング素子
のゲ―ト駆動回路等に供給することによって、ゲ―ト駆
動回路等に高精度の安定した電力を供給することができ
る。
In the invention according to claim (4), the energy stored in the first capacitor while the switching element is off is transferred to the second capacitor via the reactor while the switching element is on. When the switching element is performing a switching operation, a predetermined energy can be stored in the second capacitor. Therefore, when the energy stored in the second capacitor is supplied to the gate drive circuit of the switching element, etc., the chopper circuit Or D
By supplying the power to the gate drive circuit of the switching element via the C / DC converter circuit, it is possible to supply highly accurate and stable power to the gate drive circuit.

【0020】請求項(5)に係る発明においては、スイ
ッチング素子がオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれ
るエネルギは、スイッチング素子がオンの期間にリアク
トルを経由して第2のコンデンサに移るため、スイッチ
ング素子がスイッチング動作している時は第2のコンデ
ンサに所定のエネルギを蓄えられるため、この第2のコ
ンデンサに蓄えられるエネルギをスイッチング素子のゲ
―ト駆動回路等に供給する場合、通常第2のコンデンサ
に蓄えられるエネルギよりゲ―ト駆動回路等で消費する
エネルギの方が少いようにしているため、第2のコンデ
ンサの電圧は徐々に上昇し過電圧にある恐れがある。こ
のため、第2のコンデンサの電圧が所定値に達した時に
第2のコンデンサに並列接続される半導体スイッチと抵
抗とから成る直列回路を構成する前記半導体スイッチを
オンすることによって第2のコンデンサのエネルギは前
記抵抗で消費されるため、第2のコンデンサの過電圧を
抑制出来る。
In the invention according to claim (5), the energy stored in the first capacitor while the switching element is off is transferred to the second capacitor via the reactor while the switching element is on. When the switching element is performing a switching operation, a predetermined energy can be stored in the second capacitor. Therefore, when the energy stored in the second capacitor is supplied to the gate drive circuit of the switching element, etc. Since the energy consumed by the gate drive circuit or the like is smaller than the energy stored in the second capacitor, the voltage of the second capacitor may gradually rise and may be overvoltage. Therefore, when the voltage of the second capacitor reaches a predetermined value, the semiconductor switch forming a series circuit including a semiconductor switch and a resistor connected in parallel to the second capacitor is turned on to turn on the second capacitor. Since energy is consumed by the resistance, overvoltage of the second capacitor can be suppressed.

【0021】請求項(6)に係る発明においては、スイ
ッチング素子がオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれ
るエネルギは、スイッチング素子がオンの期間にリアク
トルを経由して第2のコンデンサに移るため、スイッチ
ング素子がスイッチング動作している時は第2のコンデ
ンサに所定のエネルギを蓄えられることが出来る。しか
しスイッチング素子がスイッチング動作を開始する前の
オフ状態の時には第2のコンデンサに蓄えられるエネル
ギは非常に小さいため、スイッチング素子がオフ状態の
時に抵抗を介して第2のコンデンサを充電し、スイッチ
ング素子のスイッチング動作開始以前に第2のコンデン
サに予め所定のエネルギを蓄えておくことができる。
In the invention according to claim (6), the energy stored in the first capacitor while the switching element is off is transferred to the second capacitor via the reactor while the switching element is on. The predetermined energy can be stored in the second capacitor when the switching element is performing the switching operation. However, since the energy stored in the second capacitor is very small when the switching element is in the off state before starting the switching operation, when the switching element is in the off state, the second capacitor is charged through the resistor and the switching element is charged. Predetermined energy can be stored in advance in the second capacitor before the switching operation of 1. is started.

【0022】[0022]

【実施例】図1は本発明の一実施例を示す構成図であり
図において、1は主回路の自己消弧形素子(以下GTO
1と記す)であり、スナバダイオ―ド2とスナバコンデ
ンサ3の直列回路から成るスナバ回路及びフリ―ホイ―
リングダイオ―ド4及び直流バランス抵抗5をGTO1
に並列に接続する。第1のコンデンサ6の一端をGTO
1のアノ―ドに接続し、他端を第1のダイオ―ド7のア
ノ―ドに接続する。リアクトル8の一端を第1のダイオ
―ド7のアノ―ドに接続し、他端をGTO1のカソ―ド
に接続する。第2のコンデンサ9の一端と第1のダイオ
―ド7のカソ―ドを接続し、第2のコンデンサ9の他端
をGTO1のカソ―ドに接続する。GTO1のスイッチ
ング動作時に第2のコンデンサ9に蓄えられるエネルギ
をゲ―ト駆動回路10に供給する。ゲ―ト駆動回路10
は、光ファイバ11からの光信号によってゲ―ト信号を
発生し、GTO1のゲ―ト信号となる。前述のように構
成した図1のゲ―ト電力供給回路の動作を図2を参照し
て説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG.
1)), and a snubber circuit and a freewheeler which are composed of a series circuit of a snubber diode 2 and a snubber capacitor 3.
Set the ring diode 4 and DC balance resistor 5 to GTO1.
In parallel with. Connect one end of the first capacitor 6 to the GTO
1 and the other end is connected to the node of the first diode 7. One end of the reactor 8 is connected to the anode of the first diode 7, and the other end is connected to the cathode of the GTO 1. One end of the second capacitor 9 is connected to the cathode of the first diode 7, and the other end of the second capacitor 9 is connected to the cathode of the GTO 1. The energy stored in the second capacitor 9 during the switching operation of the GTO 1 is supplied to the gate drive circuit 10. Gate drive circuit 10
Generates a gate signal by the optical signal from the optical fiber 11 and becomes a gate signal of GTO1. The operation of the gate power supply circuit of FIG. 1 configured as described above will be described with reference to FIG.

【0023】GTO1がオフしている間に、第1のコン
デンサ6は第1のダイオ―ド7、第2のコンデンサ9を
通して、ほぼGTO1の直流分担電圧まで充電されてい
る。図2の時点Aにおいて、GTO1がタ―ンオンを開
始する。時点AからGTO1のアノ―ド・カソ―ド間電
圧VAKが下がり、これと共に第1のコンデンサ6の電荷
は第1のコンデンサ6→GTO1→リアクトル8→第1
のコンデンサ6の経路で放電し、第1のコンデンサ6の
電圧VC6は下がり始める。第1のコンデンサ6の放電が
終わって第1のコンデンサ6の電圧が零になり、リアク
トル8の電流IL8は最大値に達する。引き続きリアクト
ル8の電流が第1のコンデンサ6を逆方向に充電し、時
点Bに至る。時点Bで第1のコンデンサ6の電圧が第2
のコンデンサ9の電圧と等しくなり、第1のダイオ―ド
7が導通を開始し、第1のダイオ―ド7の電流ID7が立
ち上がる。第1のダイオ―ド7が導通すると、リアクト
ル8の電流は第2のコンデンサ9と第1のコンデンサ6
とに分流することになる。この状態で第2のコンデンサ
9と第1のコンデンサ6の電流の比は静電容量の比と等
しくなる。第2のコンデンサ9の容量は、ゲ―ト駆動回
路10への供給電圧の変動を抑えるために、第1のコン
デンサ6よりも非常に大きな値とするから、リアクトル
8の電流のほとんどは第2のコンデンサ9に流れ込む。
即ち、時点B以降、リアクトル8の持っているエネルギ
はほとんど第2のコンデンサ9に流れ込む。時点Cで第
1のダイオ―ド7の電流は零になる。
While the GTO1 is off, the first capacitor 6 is charged through the first diode 7 and the second capacitor 9 to the DC sharing voltage of the GTO1. At time point A in FIG. 2, the GTO 1 starts turning on. From time point A, the voltage VAK between the anode and cathode of GTO1 drops, and along with this, the charge of the first capacitor 6 changes from the first capacitor 6 → GTO1 → reactor 8 → first.
Is discharged in the path of the capacitor 6, and the voltage VC6 of the first capacitor 6 starts to drop. The discharge of the first capacitor 6 is finished, the voltage of the first capacitor 6 becomes zero, and the current IL8 of the reactor 8 reaches the maximum value. Then, the current of the reactor 8 charges the first capacitor 6 in the opposite direction, and the time point B is reached. At time B, the voltage of the first capacitor 6 becomes the second
Becomes equal to the voltage of the capacitor 9, the first diode 7 starts to conduct, and the current ID7 of the first diode 7 rises. When the first diode 7 is turned on, the current in the reactor 8 is the second capacitor 9 and the first capacitor 6.
It will be divided into In this state, the current ratio of the second capacitor 9 and the first capacitor 6 becomes equal to the electrostatic capacity ratio. The capacity of the second capacitor 9 is set to be much larger than that of the first capacitor 6 in order to suppress the fluctuation of the supply voltage to the gate drive circuit 10. Therefore, most of the current of the reactor 8 is the second value. Flows into the condenser 9 of.
That is, after time B, almost all the energy that the reactor 8 has flows into the second capacitor 9. At time point C, the current in the first diode 7 becomes zero.

【0024】時点Cにおいて、第1のコンデンサ6は逆
方向に充電されている。このエネルギは時点C以降、リ
アクトル8との間で振動的にやりとりされているうち
に、GTO1の導通損失等の形で徐々に消費され、時点
DでGTO1がタ―ンオフし、第1のコンデンサ6が再
び充電されるまで振動が続く。この損失の形で消費され
るエネルギElossは、第1のコンデンサ6の容量をC6
、第2のコンデンサ9の電圧の最高値をVc9とする
と、 Eloss=C6 ・(Vc9)2 /2 となる。通常、Vc9の値はゲ―ト駆動回路10の電源電
圧として好適な十数V程度の低い値である。第1のコン
デンサ6がGTO1の直流分担電圧VD まで充電されて
いるときに得たエネルギEc6は、 Ec6=C6 ・(VD)2 /2 である。これらの式より、第1のコンデンサ6が逆充電
されることで失われるエネルギの率が分る。代表的な値
として、VD =3000[V],Vc9=15[V]とす
れば、失われるエネルギのパ―センテ―ジは、 (Eloss/Ec6)×100=(Vc9/VD)2 ×100 =(15/3000)2 ×100 =0.0025[%] このように、エネルギロスとしては、ほとんど無視でき
るほど小さく、実用上問題になるものとは考えられな
い。
At time point C, the first capacitor 6 is charged in the reverse direction. This energy is gradually consumed in the form of conduction loss of the GTO 1 while being exchanged with the reactor 8 after the time point C in an oscillating manner, and at the time point D, the GTO 1 turns off and the first capacitor Vibration continues until 6 is recharged. The energy Eloss consumed in the form of this loss changes the capacitance of the first capacitor 6 to C6.
, And the maximum voltage of the second capacitor 9 is Vc9, Eloss = C6. (Vc9) 2 It becomes / 2. Usually, the value of Vc9 is a low value of about ten and several volts, which is suitable for the power supply voltage of the gate drive circuit 10. The energy Ec6 obtained when the first capacitor 6 is charged to the DC sharing voltage VD of GTO1 is: Ec6 = C6. (VD) 2 It is / 2. From these equations, the rate of energy lost when the first capacitor 6 is reversely charged is known. If VD = 3000 [V] and Vc9 = 15 [V] as typical values, the percentage of energy lost is (Eloss / Ec6) × 100 = (Vc9 / VD) 2 × 100 = (15/3000) 2 X100 = 0.0025 [%] As described above, the energy loss is almost negligibly small and is not considered to be a practical problem.

【0025】とはいえ、用途によっては、時点C以降に
第1のコンデンサ6とリアクトル8との間に流れる振動
電流が問題となる場合も考えられる。図3はこの点を考
慮して為された本発明の第2の実施例を示す構成図であ
る。この図3の実施例は、図1に示す実施例のリアクト
ル8に図示極性で第2のダイオ―ド15を直列に接続し
たものである。
However, depending on the application, the oscillating current flowing between the first capacitor 6 and the reactor 8 after the time point C may become a problem. FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention made in consideration of this point. In the embodiment shown in FIG. 3, a second diode 15 is connected in series to the reactor 8 of the embodiment shown in FIG.

【0026】以下、図3に示す第2の実施例の動作を図
4を参照して説明する。図4の時点Aから、時点Cまで
は、図1の実施例と全く同じ動作をする。時点Cより先
では第2のダイオ―ド15の作用によって動作が異って
くる。
The operation of the second embodiment shown in FIG. 3 will be described below with reference to FIG. From time A to time C in FIG. 4, the same operation as that of the embodiment in FIG. 1 is performed. After time C, the operation differs due to the action of the second diode 15.

【0027】即ち、第1のコンデンサ6は逆充電される
が、この電荷がリアクトル8を通って放電しようとして
も、リアクトル8に直列に接続されている第2のダイオ
―ド15によっ放電は阻止される。そのため、第1のコ
ンデンサ6の逆充電電荷はGTO1が再びオフし始める
時点Dまでそのまま保持され、振動電流は流れることは
ない。時点D以降、GTO1に流れていた電流が、第1
のコンデンサ6、第1のダイオ―ド7、第2のコンデン
サ9と流れて第1のコンデンサ6が再充電される際に、
逆充電電荷は第2のコンデンサ9に流れ込むことにな
る。
That is, although the first capacitor 6 is reversely charged, even if this charge is going to be discharged through the reactor 8, it is not discharged by the second diode 15 connected in series with the reactor 8. Be blocked. Therefore, the reverse charge of the first capacitor 6 is held as it is until the time D when the GTO 1 starts to turn off again, and the oscillating current does not flow. After time D, the current flowing in GTO1 is
When the first capacitor 6 is recharged by flowing with the first capacitor 6, the first diode 7 and the second capacitor 9,
The reverse charge will flow into the second capacitor 9.

【0028】さて、図1の実施例では、リアクトル8に
印加される電圧の最大値は、GTO1が分担する直流分
担電圧VD とほぼ等しい。このことは以下のように説明
できる。GTO1のタ―ンオン時間は10μs 程度と、
第1のコンデンサ6の放電回路の時定数と比べて短い。
そのためGTO1のタ―ンオンが完了した時点では、第
1のコンデンサ6の電圧はGTO1がオフしている間に
充電された値VD をそのまま保つと考えられる。しかる
に、リアクトル8に印加される電圧は、第1のコンデン
サ6の電圧からGTO1の電圧を差し引いたものである
から、GTO1のタ―ンオンが完了した時点では、第1
のコンデンサ6の電圧がそのままリアクトル8に印加さ
れることになる。従って、リアクトル8に印加される電
圧は、GTO1のタ―ンオンが完了した時点で最大とな
り、その値はGTO1の直流分担電圧VD とほぼ等し
い。直流分担電圧VD は、通常3000V程度の高電圧
であり、このような高電圧の印加に耐えられるようなリ
アクトルは、サイズ・コストとともに大きくならざるを
得ない。
In the embodiment of FIG. 1, the maximum value of the voltage applied to the reactor 8 is almost equal to the DC sharing voltage VD shared by the GTO 1. This can be explained as follows. The turn-on time of GTO1 is about 10 μs,
It is shorter than the time constant of the discharge circuit of the first capacitor 6.
Therefore, when the turn-on of GTO1 is completed, it is considered that the voltage of the first capacitor 6 maintains the charged value VD as it is while GTO1 is off. However, since the voltage applied to the reactor 8 is the voltage of the first capacitor 6 minus the voltage of the GTO1, the first voltage at the time when the turn-on of the GTO1 is completed.
The voltage of the capacitor 6 is directly applied to the reactor 8. Therefore, the voltage applied to the reactor 8 becomes maximum when the turn-on of the GTO 1 is completed, and its value is almost equal to the DC sharing voltage VD of the GTO 1. The DC shared voltage VD is usually a high voltage of about 3000 V, and the reactor that can withstand application of such a high voltage is inevitably large in size and cost.

【0029】そこで、リアクトル8に印加される電圧を
抑える工夫を施したのが、本発明の第3の実施例であ
る。図5は本発明の第3の実施例を示す構成図であり、
この実施例は、図1の実施例におけるリアクトル8に、
並列に第3のコンデンサ16を接続したものである。
Therefore, the third embodiment of the present invention has been devised to suppress the voltage applied to the reactor 8. FIG. 5 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.
In this embodiment, the reactor 8 in the embodiment of FIG.
The third capacitor 16 is connected in parallel.

【0030】以下、図5に示す第3の実施例の動作を図
6を参照して説明する。図6の時点Aにおいて、GTO
1はタ―ンオンを開始する。この時点Aにおいては第1
のコンデンサ6はGTO1の直流分担電圧まで充電され
ていて、第3のコンデンサ16の電荷は零である。時点
AからGTO1のアノ―ド・カソ―ド間電圧VAKが下が
りだし、これと共に第1のコンデンサ6の電荷はGTO
1を通って第3のコンデンサ16に移る。第1のコンデ
ンサ6の電圧と第3のコンデンサ16の電圧の差がGT
O1の電圧VAKと等しいのだから、時点EでGTO1の
電圧VAKがほぼ零と見做せるようになるときには第1の
コンデンサ6と第3のコンデンサ16の電圧とは相等し
くなり、従って、リアクトル8の電圧VL8もまた相等し
くなる。時点Eから第1のコンデンサ6の電荷はGTO
1を経由してリアクトル8を流れて放電し、第1のコン
デンサ6の電荷はそのまま並列接続されているリアクト
ル8を通って放電する。時点Bで第1のコンデンサ6及
び第3のコンデンサ16の放電は同時に終わり、第1の
コンデンサ6及び第3のコンデンサ16の電圧は零にな
る。時点Bにおいて、リアクトル8の電流IL8は最大値
に達する。時点Bにおいて、第1のコンデンサ6及び第
3のコンデンサ16の電圧は第2のコンデンサ9の電圧
と等しくなり、第1のダイオ―ド7が導通を開始する。
第1のダイオ―ド7が導通すると、リアクトル8の電流
は第2のコンデンサ9と第1のコンデサ6と第3のコン
デンサ16とに分流することになる。この状態での第2
のコンデンサ9と第1のコンデンサ6と第3のコンデン
サ16の電流の比は静電容量の比と等しくなる。第2の
コンデンサ9の容量は、ゲ―ト駆動回路10への供給電
圧の変動を抑えるために、第1のコンデンサ6及び第3
のコンデンサ16よりも非常に大きい値するのだから、
リアクトル8の電流のほとんどは第2のコンデンサ9に
流れ込む。即ち、時点B以降、リアクトル8の持ってい
るエネルギはほとんど第2のコンデンサ9に流れ込む。
時点Cで第1のダイオ―ド7の電流ID7は零になる。時
点Cにおいて、第1のコンデンサ6及び第3のコンデン
サ16は逆方向に充電されている。このエネルギは時点
C以降、リアクトル8との間で振動的にやりとりされる
うちにGTO1の導通損失などの形で徐々に消費され、
時点DでGTO1がタ―ンオフし、第1のコンデンサ6
が再び充電されるまで振動が続く。
The operation of the third embodiment shown in FIG. 5 will be described below with reference to FIG. At time point A in FIG. 6, the GTO
1 starts turn-on. At this time point A, the first
The capacitor 6 is charged up to the DC sharing voltage of the GTO 1, and the charge of the third capacitor 16 is zero. From time A, the voltage VAK between the anode and cathode of GTO1 starts to drop, and the charge of the first capacitor 6 is also GTO.
1 to the third capacitor 16. The difference between the voltage of the first capacitor 6 and the voltage of the third capacitor 16 is GT
Since the voltage VAK of O1 is equal to the voltage VAK of GTO1, when the voltage VAK of GTO1 becomes almost zero at the time point E, the voltages of the first capacitor 6 and the third capacitor 16 become equal to each other, and therefore the reactor 8 The voltages VL8 of the two are also equal to each other. From time point E, the charge of the first capacitor 6 is GTO
The electric charge of the first capacitor 6 is discharged as it is through the reactor 8 connected in parallel. At time point B, the discharging of the first capacitor 6 and the third capacitor 16 ends at the same time, and the voltages of the first capacitor 6 and the third capacitor 16 become zero. At time point B, the current IL8 of the reactor 8 reaches the maximum value. At time point B, the voltage of the first capacitor 6 and the third capacitor 16 becomes equal to the voltage of the second capacitor 9, and the first diode 7 starts conducting.
When the first diode 7 becomes conductive, the current of the reactor 8 is shunted to the second capacitor 9, the first capacitor 6 and the third capacitor 16. Second in this state
The current ratio of the capacitor 9, the first capacitor 6, and the third capacitor 16 is equal to the capacitance ratio. The capacitance of the second capacitor 9 is set to the first capacitor 6 and the third capacitor 9 in order to suppress the fluctuation of the supply voltage to the gate drive circuit 10.
Since it is much larger than the condenser 16 of
Most of the current in the reactor 8 flows into the second capacitor 9. That is, after time B, almost all the energy that the reactor 8 has flows into the second capacitor 9.
At time point C, the current ID7 of the first diode 7 becomes zero. At time point C, the first capacitor 6 and the third capacitor 16 are charged in opposite directions. After the time point C, this energy is gradually consumed in the form of conduction loss of the GTO 1 while being vibrationally exchanged with the reactor 8,
At time D, GTO1 turns off and the first capacitor 6
The vibration continues until is charged again.

【0031】ここで第3のコンデンサ16を付け加える
ことで、リアクトル8の電圧がどの程度に抑えられるか
を示す。リアクトル8に印加される電圧の最大値は、時
点Eでの第3のコンデンサ16電圧Vc16(E)と相等し
く、これは以下のようにして計算される。
Here, how the voltage of the reactor 8 can be suppressed by adding the third capacitor 16 will be shown. The maximum value of the voltage applied to the reactor 8 is equal to the voltage Vc16 (E) of the third capacitor 16 at the time point E, which is calculated as follows.

【0032】GTO1がタ―ンオンに要する時間は高々
10μs 程度と極短いので、この期間にリアクトル8に
流れる電流の影響は無視できる。そのため、第1のコン
デンサ6に蓄えられていた電荷がそのまま第3のコンデ
ンサ16に移動して、GTO1のタ―ンオンが完了した
時点Eで、第1のコンデンサ6の電圧と第3のコンデン
サ16の電圧とが相等しくなると考えてよい。従って、
時点Aでの第1のコンデンサ6の電荷をQc6(A) とし時
点Eでの第1のコンデンサ6の電荷をQc6(E)同じく第
3のコンデンサ16の電荷をQc16(E)とすれば、 Qc6(A) =Qc6(E) +Qc16(E)
Since the time required for the GTO 1 to turn on is extremely short at about 10 μs, the influence of the current flowing through the reactor 8 during this period can be ignored. Therefore, the electric charge stored in the first capacitor 6 moves to the third capacitor 16 as it is, and at the time E when the turn-on of the GTO 1 is completed, the voltage of the first capacitor 6 and the third capacitor 16 It may be considered that the voltages of the two become equal to each other. Therefore,
If the charge of the first capacitor 6 at time A is Qc6 (A) and the charge of the first capacitor 6 at time E is Qc6 (E), and the charge of the third capacitor 16 is Qc16 (E), Qc6 (A) = Qc6 (E) + Qc16 (E)

【0033】しかるに、コンデンサの電荷は電圧と静電
容量の積であるから、第1のコンデンサ6の時点Aでの
電圧を直流分担電圧VD とし、時点Eでの第1のコンデ
ンサ6の電圧をVc6(E) 、同じく第3のコンデンサ16
の電圧をVc16(E)とすれば、 VD ・C6 =Vc6(E) ・C6 +Vc16(E)・C16
However, since the charge of the capacitor is the product of the voltage and the electrostatic capacitance, the voltage of the first capacitor 6 at the time point A is set as the DC sharing voltage VD, and the voltage of the first capacitor 6 at the time point E is set. Vc6 (E), also the third capacitor 16
If the voltage of Vc16 (E) is Vd, C6 = Vc6 (E) .C6 + Vc16 (E) .C16

【0034】すでに述べた通り、第1のコンデンサ6の
電圧と第3のコンデンサ16の電圧の差はGTO1の電
圧に等しいのだから、時点Eにおいて、GTO1の電圧
VAKが零と見做せることを考えれば、 Vc6(E) =Vc16(E) これらの2つの式から Vc16(E)=[C6 /(C16+C6 )]・VD となる。即ち、リアクトル8に印加される電圧の最大値
は、図1に示す実施例に比較して、第3のコンデンサ1
6と第1のコンデンサ6とで分圧された値まで低減され
る。例えば、第3のコンデンサ16の値を第1のコンデ
ンサ6と相等しい値とするならば、リアクトル8に印加
される電圧の最大値は、図1の実施例に対して半分の値
となる。
As already mentioned, since the difference between the voltage of the first capacitor 6 and the voltage of the third capacitor 16 is equal to the voltage of GTO1, at time E, the voltage VAK of GTO1 can be regarded as zero. Considering this, Vc6 (E) = Vc16 (E) From these two equations, Vc16 (E) = [C6 / (C16 + C6)]. VD. That is, the maximum value of the voltage applied to the reactor 8 is the same as that of the embodiment shown in FIG.
It is reduced to a value divided by 6 and the first capacitor 6. For example, if the value of the third capacitor 16 is equal to that of the first capacitor 6, the maximum value of the voltage applied to the reactor 8 is half the value of the embodiment of FIG.

【0035】ただし、第3の実施例では、リアクトル8
の最大印加電圧を抑えることはできるが、そのかわりエ
ネルギ効率は低下する。さきほどの計算で求めたVc6
(E) およびVc16(E)の値より、時点Eにおける第1のコ
ンデンサ6及び第3のコンデンサ16に蓄えられている
エネルギの和は、 ETOT(E)=(C6 ・Vc6(E )2 /2)+(C16・Vc16(E)2 /2) =(C6 ・VD 2 )[C6 /(C16+C6 )] もともと、C6 に蓄えれていたエネルギが ETOT(A)=(C6 ・VD 2 /2) であることを考えれば、時点Aで蓄えられていたもとの
エネルギの内 [C6 /(C16+C6 )] だけしか残っていないことがわかる。それ以外のエネル
ギはGTO1で損失となっている。この損失は、電力変
換器ト―タルでの損失に比べれば、ごくわずかなもので
しかないが、GTO1の損失増加としては、その影響は
無視できない。このため、第3の実施例は、GTO1の
損失の多少の増加は問題ないが、リアクトル8の最大印
加電圧を抑えたい用途に適した実施例といえる。
However, in the third embodiment, the reactor 8
The maximum applied voltage can be suppressed, but the energy efficiency is reduced. Vc6 calculated by the previous calculation
From the values of (E) and Vc16 (E), the sum of the energy stored in the first capacitor 6 and the third capacitor 16 at time E is ETOT (E) = (C6.Vc6 (E) 2 / 2) + (C16 ・ Vc16 (E) 2 / 2) = (C6 · VD 2 ) [C6 / (C16 + C6)] Originally, the energy stored in C6 is ETOT (A) = (C6 · VD 2 / 2), it can be seen that only [C6 / (C16 + C6)] of the original energy stored at time A remains. Other energy is lost in GTO1. This loss is very small compared to the loss in the power converter total, but its effect cannot be ignored as the loss increase of GTO1. Therefore, the third embodiment can be said to be an embodiment suitable for an application in which the maximum applied voltage of the reactor 8 is desired to be suppressed, although there is no problem in that the loss of the GTO 1 is slightly increased.

【0036】これまでの実施例では、第2のコンデンサ
9の電圧をそのままゲ―ト駆動回路10の電源電圧とし
て用いているが、これに対して第2のコンデンサ9の電
圧を数百V程度の電圧として、ゲ―ト駆動回路10との
間にチョッパ回路或いはDC/DCコンバ―タ回路を設
けて、ゲ―ト駆動回路10の電源電圧として好適な十数
V程度の電圧の電源を得るようにしたのが、図7に示し
た本発明の第4の実施例である。
In the above embodiments, the voltage of the second capacitor 9 is used as it is as the power supply voltage of the gate drive circuit 10. However, the voltage of the second capacitor 9 is about several hundreds of volts. A chopper circuit or a DC / DC converter circuit is provided between the gate drive circuit 10 and the gate drive circuit 10 to obtain a power supply having a voltage of about a dozen V which is suitable for the power supply voltage of the gate drive circuit 10. This is the fourth embodiment of the present invention shown in FIG.

【0037】図7の実施例は、図1の実施例において、
第2のコンデンサ9とゲ―ト駆動回路10との間にDC
/DCコンバ―タ回路17を設けたもので、その他の構
成は図1の構成と同じものである。
The embodiment of FIG. 7 is the same as the embodiment of FIG.
DC between the second capacitor 9 and the gate drive circuit 10
A / DC converter circuit 17 is provided, and the rest of the configuration is the same as that of FIG.

【0038】DC/DCコンバ―タ回路17は、第2の
コンデンサ9の電圧が入力電圧として印加される制御回
路18、制御回路18によって駆動されるトランジスタ
19a ,19b は、トランジスタ19a がオンの時には
19b がオフ、トランジスタ19b がオンの時には19
a がオフとなるように交互にスイッチング動作を行っ
て、変圧器20の一次巻線に交流電圧を印加する。変圧
器20によって2つの適当な電圧に変圧された後に、整
流器21a ,21b によって直流に変換され、コンデン
サ22a ,22b によって平滑されて、ゲ―ト駆動回路
10に好適な2種類の絶縁された直流電源として供給す
る。
The DC / DC converter circuit 17 includes a control circuit 18 to which the voltage of the second capacitor 9 is applied as an input voltage, and transistors 19a and 19b driven by the control circuit 18 when the transistor 19a is on. 19b is off, 19 when transistor 19b is on
The switching operation is alternately performed so that a is turned off, and an AC voltage is applied to the primary winding of the transformer 20. After being transformed into two suitable voltages by the transformer 20, converted into direct current by the rectifiers 21a and 21b and smoothed by the capacitors 22a and 22b, two types of isolated direct current suitable for the gate drive circuit 10 are provided. Supply as power.

【0039】この際、制御回路18は、DC/DCコン
バ―タ回路17の出力電圧を監視し、常に定められた電
圧を維持するようにトランジスタ19a ,19b のそれ
ぞれのオン・オフ時間比を制御する機能を持っている。
At this time, the control circuit 18 monitors the output voltage of the DC / DC converter circuit 17 and controls the on / off time ratio of each of the transistors 19a and 19b so as to always maintain the predetermined voltage. Have the ability to

【0040】この第4の実施例では、これまでの実施例
とは異り、ゲ―ト駆動回路10に2つの直流電圧を供給
している。スイッチング素子の中でもGTOの場合は、
オン時にはゲ―トをカソ―ドに対して正側に、オフ時に
は負側に駆動するために、ゲ―ト駆動回路10が正負の
2つの電源を必要とする。第4の実施例はこのような用
途に好適なものである。
In the fourth embodiment, unlike the previous embodiments, two DC voltages are supplied to the gate drive circuit 10. Among the switching elements, in the case of GTO,
The gate drive circuit 10 requires two positive and negative power supplies to drive the gate to the positive side with respect to the cathode when on and to the negative side when off. The fourth embodiment is suitable for such an application.

【0041】又、DC/DCコンバ―タ回路17を設け
ることによって、電力変換器における異常事態に対処す
る能力が高められる効果がある。以下この理由を説明す
る。本発明のゲ―ト電力供給回路はコンデンサに蓄えら
れたスイッチング素子の直流分担電圧がおおもとの電力
源となっているため、なんらかの事故によって電力変換
器の直流母線電圧が失われた場合には、事故が復旧する
か或いは運転の継続を断念するまでは、ゲ―ト電力は第
2のコンデンサ9に蓄えられたエネルギだけから供給を
続けなければならない。このような異常事態に陥った場
合、第2のコンデンサ9の電圧は平常時に比べて大幅に
低下すると考えられる。第2のコンデンサ9の電圧をそ
のままゲ―ト駆動回路10に供給している場合には、第
2のコンデンサ9の電圧低下はゲ―ト駆動回路10の異
常動作を招く恐れが大きい。ところが、すでにDC/D
Cコンバ―タ回路17の動作を説明した時に述べたよう
に、DC/DCコンバ―タ回路17は、出力電圧を一定
とするように内部のトランジスタ19a ,19b のオン
・オフ時間比を制御するようになっている。そのため、
DC/DCコンバ―タ回路17を経由してゲ―ト駆動回
路10に電力を供給しているならば、たとえ第2のコン
デンサ9の電圧が大幅に低下した場合でも、DC/DC
コンバ―タ回路17の出力電圧は平常時と変わらないレ
ベルを維持することが可能である。このように、DC/
DCコンバ―タ回路17の出力電圧調整能力によって、
ゲ―ト電力供給回路が異常事態に対処する能力は高めら
れる。 本発明の第4の実施例では、第2のコンデンサ
9とゲ―ト駆動回路10との間にDC/DCコンバ―タ
回路17を設けているが、同様の電圧変換機能を果すこ
とができるならば、DC/DCコンバ―タ回路17に限
らずチョッパ回路等を用いても同様の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
Further, by providing the DC / DC converter circuit 17, there is an effect that the ability to cope with an abnormal situation in the power converter is enhanced. The reason for this will be described below. In the gate power supply circuit of the present invention, the DC shared voltage of the switching element stored in the capacitor serves as the original power source, so if the DC bus voltage of the power converter is lost due to some accident, The gate power must be supplied only from the energy stored in the second capacitor 9 until the accident is recovered or the operation is abandoned. When such an abnormal situation occurs, it is considered that the voltage of the second capacitor 9 is significantly reduced as compared with the normal state. When the voltage of the second capacitor 9 is supplied as it is to the gate drive circuit 10, the voltage drop of the second capacitor 9 may cause an abnormal operation of the gate drive circuit 10. However, it is already DC / D
As described when the operation of the C converter circuit 17 is described, the DC / DC converter circuit 17 controls the on / off time ratio of the internal transistors 19a and 19b so that the output voltage is kept constant. It is like this. for that reason,
If power is supplied to the gate drive circuit 10 via the DC / DC converter circuit 17, even if the voltage of the second capacitor 9 drops significantly, the DC / DC
The output voltage of the converter circuit 17 can be maintained at the same level as in normal times. Thus, DC /
By the output voltage adjusting ability of the DC converter circuit 17,
The ability of the gate power supply circuit to cope with abnormal situations is enhanced. In the fourth embodiment of the present invention, the DC / DC converter circuit 17 is provided between the second capacitor 9 and the gate drive circuit 10, but the same voltage conversion function can be achieved. Then, it goes without saying that the same effect can be obtained by using not only the DC / DC converter circuit 17 but also a chopper circuit or the like.

【0042】第2のコンデン9の電圧は第1のコンデン
サ6より供給される電力とゲ―ト駆動回路10の消費す
る電力とがバランスしている限り、平均的には一定の電
圧となる。しかし、実際には、第1のコンデンサ6より
供給される電力はスイッチング素子の直流分担電圧の変
動、部品定数の誤差や経年変化などの要因よって変動す
るし、ゲ―ト駆動回路10の消費する電力も同様に変動
する。そのため、第1のコンデンサ6より供給される電
力はさまざまな変動要因を考慮した上で、余裕を見込ん
で、ゲ―ト駆動回路10の消費電力よりもやや多めに設
定することになる。なぜならば、もしも第1のコンデン
サ6より供給される電力が不足すれば、第2のコンデン
サ9の電圧は低下していき、やがてはゲ―ト駆動回路1
0が誤動作するからである。このような理由で、第1の
コンデンサ6より供給される電力はゲ―ト駆動回路10
が消費する電力よりも平均的には大きく設定されるの
で、そのままでは第2のコンデンサ9の電圧は徐々に上
昇していき、やがてはゲ―ト駆動回路10の電源電圧と
して好適な範囲を逸脱してしまう。
The voltage of the second capacitor 9 is a constant voltage on average as long as the power supplied from the first capacitor 6 and the power consumed by the gate drive circuit 10 are balanced. However, in practice, the power supplied from the first capacitor 6 fluctuates due to fluctuations in the DC sharing voltage of the switching element, errors in component constants, aging, etc., and is consumed by the gate drive circuit 10. Electric power also varies. Therefore, the power supplied from the first capacitor 6 is set to be a little higher than the power consumption of the gate drive circuit 10 in consideration of various fluctuation factors and a margin. This is because if the power supplied from the first capacitor 6 is insufficient, the voltage of the second capacitor 9 will drop, and eventually the gate drive circuit 1
This is because 0 malfunctions. For this reason, the electric power supplied from the first capacitor 6 is supplied to the gate drive circuit 10
Is set to be larger on average than the power consumed by, the voltage of the second capacitor 9 will gradually rise as it is, and will eventually deviate from the range suitable as the power supply voltage of the gate drive circuit 10. Resulting in.

【0043】図8に示す本発明の第5の実施例は、第2
のコンデンサ9の過電圧を防止した実施例であり、この
実施例は、図1の実施例において、第2のコンデンサ9
に抵抗23とスイッチング素子24から成る直列回路を
並列に接続したものである。図8に示す第5の実施例に
おいて、第2のコンデンサ9の電圧が過電圧になったと
判断した時点において半導体スイッチ24をオンさせる
と、抵抗23によって第2のコンデンサ9に蓄えられた
エネルギが消費され、第2のコンデンサ9の電圧が下り
これによって第2のコンデンサ9の過電圧は抑制するこ
とができる。これまで述べてきた通り、本発明は、GT
O1の直流分担電圧まで充電されたコンデンサに蓄えら
れた高電圧の静電エネルギを、GTO1自身のスイッチ
ングによって、低い電圧のエネルギに変換してゲ―ト駆
動回路10の電力源とするものである。そのため、前述
実施例においては、GTO1がスイッチングを開始する
前は第2のコンデンサ9の電圧は非常に低い値である。
従って、GTO1がスイッチングを開始する前に、ある
程度の電圧を必要とする場合は、図9に示す本発明の第
6の実施例を用いれば良い。図9の実施例は、図1の実
施例においてGTO1のアノ―ドとカソ―ドの間に抵抗
25,26から成る分圧回路を設け、この分圧回路の分
圧点に第3のダイオ―ド27のアノ―ドを接続し、カソ
―ドを第2のコンデンサ9の一端に接続したものであ
る。
The fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 is the second embodiment.
This embodiment is an example in which overvoltage of the capacitor 9 is prevented. This example is the same as the second capacitor 9 in the embodiment of FIG.
A series circuit composed of a resistor 23 and a switching element 24 is connected in parallel. In the fifth embodiment shown in FIG. 8, when the semiconductor switch 24 is turned on at the time when it is determined that the voltage of the second capacitor 9 has become an overvoltage, the energy stored in the second capacitor 9 is consumed by the resistor 23. As a result, the voltage of the second capacitor 9 drops, whereby the overvoltage of the second capacitor 9 can be suppressed. As described above, the present invention provides GT
The high-voltage electrostatic energy stored in the capacitor charged to the DC sharing voltage of O1 is converted into a low-voltage energy by the switching of GTO1 itself to be used as the power source of the gate drive circuit 10. . Therefore, in the above-described embodiment, the voltage of the second capacitor 9 has a very low value before the GTO 1 starts switching.
Therefore, when the GTO 1 needs a certain voltage before starting switching, the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 9 may be used. In the embodiment shown in FIG. 9, a voltage divider circuit comprising resistors 25 and 26 is provided between the anode and cathode of the GTO 1 in the embodiment shown in FIG. 1, and the third diode is provided at the voltage dividing point of this voltage divider circuit. The anode of the lead 27 is connected, and the cathode is connected to one end of the second capacitor 9.

【0044】このように構成することによって、電力変
換回路の直流母線に電圧が印加されると、抵抗25,2
6から成る分圧回路にも電圧が印加され、初期状態では
分圧回路から第3のダイオ―ド27を介して第2のコン
デンサ9が充電されることになる。第3のダイオ―ド2
7はGTO1がオンしている状態で、分圧抵抗25によ
って、第2のコンデンサ9の電力を消費することがない
ように入れられているが、この分圧抵抗25の抵抗値は
極めて高いため省略しても良い。
With this configuration, when a voltage is applied to the DC bus of the power conversion circuit, the resistors 25, 2
The voltage is also applied to the voltage dividing circuit constituted by 6, and the second capacitor 9 is charged from the voltage dividing circuit through the third diode 27 in the initial state. Third diode 2
In the state where the GTO 1 is turned on, 7 is inserted by the voltage dividing resistor 25 so as not to consume the power of the second capacitor 9, but the resistance value of the voltage dividing resistor 25 is extremely high. You may omit it.

【0045】なお、図1の実施例ではGTO1に並列に
入っている直流バランス抵抗5が、図9の本発明の第6
の実施例では入っていない。これは、分圧回路の抵抗2
5,26が直流バランス抵抗5の働きをなすためであ
る。むろん、抵抗25,26とは別に直流バランス抵抗
5を設けてもかまわないが、部品点数を削減することで
スペ―ス及びコストの点で有利となり、信頼性が向上す
ることを考えれば、直流バランス抵抗5を削減する方が
より有利であると考えられる。
In the embodiment of FIG. 1, the DC balance resistor 5 that is connected in parallel with the GTO 1 is the sixth embodiment of the present invention of FIG.
It is not included in the example. This is the resistance 2 of the voltage divider.
This is because 5 and 26 function as the DC balance resistor 5. Of course, the DC balance resistor 5 may be provided separately from the resistors 25 and 26, but if the number of parts is reduced, it becomes advantageous in terms of space and cost, and if the reliability is improved, the DC balance resistor 5 is considered. It is considered more advantageous to reduce the balance resistance 5.

【0046】図10は、本発明の第7の実施例を示す構
成図であり、この実施例は図8の本発明の第5の実施例
と、図9に示す本発明の第6の実施例を組合わせたもの
で、この場合は分圧回路の抵抗26を省略することがで
き、図8の本発明の第5の実施例の効果と、図9に示す
本発明の第6の実施例の効果を合せ持つものである。こ
の場合も、前述同様に第3のダイオ―ド27は省略して
も良い。
FIG. 10 is a block diagram showing a seventh embodiment of the present invention. This embodiment is the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 and the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. In this case, the resistor 26 of the voltage dividing circuit can be omitted, and the effect of the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 8 and the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 9 can be obtained. It also has the effect of the example. Also in this case, the third diode 27 may be omitted as described above.

【0047】図11は、本発明の第8の実施例を示す構
成図で、この実施例は図7の本発明の第4の実施例と、
図9に示す本発明の第6の実施例を組合わせたものであ
り、この場合も図7の本発明の第4の実施例の効果と、
図9に示す本発明の第6の実施例の効果を合せ持つもの
である。
FIG. 11 is a block diagram showing an eighth embodiment of the present invention, which is the same as the fourth embodiment of the present invention shown in FIG.
It is a combination of the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 9, and in this case also, the effect of the fourth embodiment of the present invention of FIG.
It also has the effects of the sixth embodiment of the present invention shown in FIG.

【0048】尚、以上の説明では、スイッチング素子と
してGTOを用いた例を述べているが、本発明はスイッ
チング素子をGTOに限定するものではなく、他の自己
消弧形素子であっても良い。
In the above description, an example in which a GTO is used as a switching element has been described, but the present invention does not limit the switching element to GTO, and other self-turn-off type element may be used. .

【0049】更に、前述説明ではスイッチング素子をG
TOとしているため10をゲ―ト駆動回路としている
が、スイッチング素子がトランジスタ等の場合にも適用
できるものであるから本発明が適用出来る回路をゲ―ト
駆動回路等とする。
Further, in the above description, the switching element is G
Although the gate drive circuit is 10 because it is TO, the circuit to which the present invention can be applied is a gate drive circuit or the like because it can be applied to the case where the switching element is a transistor or the like.

【0050】更に又、本発明の名称をゲ―ト電力供給回
路としているが、前述と同様に本発明はスイッチング素
子がトランジスタ等の場合にも適用できるものであるか
ら、ゲ―ト電力供給回路はトランジスタ等のようなスイ
ッチング素子を制御する回路も含まれるものとする。
Further, although the name of the present invention is a gate power supply circuit, the present invention can be applied to the case where the switching element is a transistor or the like as described above, and therefore, the gate power supply circuit. Also includes a circuit for controlling a switching element such as a transistor.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明のように、本発明による請求項
(1)に記載のゲ―ト電力供給回路によれば、主回路に
置かれるスイッチング素子のスイッチング動作を利用し
て、主回路側からエネルギを得るために、スイッチング
素子のオフの期間に第1のコンデンサに蓄えれるエネル
ギを、スイッチング素子がオンの期間にリアクトルを経
由して第2のコンデンサに移し、この第2のコンデンサ
に蓄えられるエネルギを利用するものであるから、従来
技術で必要としていた多数の高耐圧の絶縁変圧器が不要
となり、自己消弧形素子で構成される変換回路の小形
化、低コスト化が出来る。
As described above, according to the gate power supply circuit according to the first aspect of the present invention, the main circuit side is utilized by utilizing the switching operation of the switching element placed in the main circuit. In order to obtain energy from the, the energy stored in the first capacitor during the off period of the switching element is transferred to the second capacitor via the reactor during the on period of the switching element, and stored in this second capacitor. Since the energy used is utilized, a large number of high withstand voltage insulating transformers required in the prior art are not required, and the conversion circuit composed of self-arc-extinguishing elements can be downsized and the cost can be reduced.

【0052】又、本発明による請求項(2)に記載のゲ
―ト電力供給回路によれば、請求項(1)に係る発明の
効果のほかに、ゲ―ト電力供給回路を構成するリアクト
ルに流れる振動電流を抑制することができる。
According to the gate power supply circuit according to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of the invention according to the first aspect, a reactor forming the gate power supply circuit. It is possible to suppress the oscillating current flowing in the.

【0053】更に、本発明による請求項(3)に記載の
ゲ―ト電力供給回路によれば、請求項(1)に係る発明
の効果のほかに、ゲ―ト電力供給回路を構成するリアク
トルに発生するスパイク電圧を抑制することができる。
Further, according to the gate power supply circuit of the present invention according to claim (3), in addition to the effect of the invention according to claim (1), a reactor constituting the gate power supply circuit. It is possible to suppress the spike voltage generated in the.

【0054】更に又、本発明による請求項(4)に記載
のゲ―ト電力供給回路によれば、請求項(1)に係る発
明の効果のほかに、スイッチング素子のゲ―ト駆動回路
等に安定したエネルギを供給できる。
Furthermore, according to the gate power supply circuit of the present invention according to claim (4), in addition to the effect of the invention according to claim (1), a gate drive circuit for a switching element, etc. The stable energy can be supplied to.

【0055】又、本発明による請求項(5)に記載のゲ
―ト電力供給回路によれば、請求項(1)に係る発明の
効果のほかに、ゲ―ト電力供給回路を構成する第2のコ
ンデンサの過電圧を抑制することができる。
Further, according to the gate power supply circuit of the present invention according to claim (5), in addition to the effect of the invention according to claim (1), a gate power supply circuit is constructed. The overvoltage of the second capacitor can be suppressed.

【0056】更に、本発明による請求項(6)に記載の
ゲ―ト電力供給回路によれば、請求項(1)に係る発明
の効果のほかに、ゲ―ト電力供給回路を構成する第2の
コンデンサにスイッチング素子のスイッチング動作開始
以前に、予め所定のエネルギを蓄えておくことができ
る。
Further, according to the gate power supply circuit of claim 6 of the present invention, in addition to the effect of the invention of claim 1, a gate power supply circuit is constructed. Predetermined energy can be stored in advance in the second capacitor before the switching operation of the switching element is started.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のゲ―ト電力供給回路の一実施例を示す
構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図2】[図1]に示すゲ―ト電力供給回路の動作を説
明するための動作波形図。
FIG. 2 is an operation waveform diagram for explaining the operation of the gate power supply circuit shown in FIG.

【図3】本発明のゲ―ト電力供給回路の第2の実施例を
示す構成図。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a second embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図4】[図3]に示すゲ―ト電力供給回路の動作を説
明するための動作波形図。
FIG. 4 is an operation waveform diagram for explaining the operation of the gate power supply circuit shown in FIG.

【図5】本発明のゲ―ト電力供給回路の第3の実施例を
示す構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a third embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図6】[図5]に示すゲ―ト電力供給回路の動作を説
明するための動作波形図。
FIG. 6 is an operation waveform diagram for explaining the operation of the gate power supply circuit shown in FIG.

【図7】本発明のゲ―ト電力供給回路の第4の実施例を
示す構成図。
FIG. 7 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図8】本発明のゲ―ト電力供給回路の第5の実施例を
示す構成図。
FIG. 8 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図9】本発明のゲ―ト電力供給回路の第6の実施例を
示す構成図。
FIG. 9 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図10】本発明のゲ―ト電力供給回路の第7の実施例
を示す構成図。
FIG. 10 is a configuration diagram showing a seventh embodiment of a gate power supply circuit of the present invention.

【図11】本発明のゲ―ト電力供給回路の第8の実施例
を示す構成図。
FIG. 11 is a configuration diagram showing an eighth embodiment of the gate power supply circuit of the present invention.

【図12】従来のゲ―ト電力供給回路の構成図。FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional gate power supply circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ……自己消弧形素子、 2 ……スナバダイオ―ド、 3 ……スナバコンデンサ 4 ……フリ―ホイリングダイオ―ド、 5 ……直流バランス抵抗、 6 ……第1のコンデンサ、 7 ……第1のダイオ―ド、 8 ……リアクトル、 9 ……第2のコンデンサ、 10 ……ゲ―ト駆動回路、 11 ……光ファイバ、 12 ……整流器、 13 ……絶縁変圧器、 14 ……高周波交流電源、 15 ……第2のダイオ―ド、 16 ……第3のコンデンサ、 17 ……DC/DCコンバ―タ回路、 18 ……DC/DCコンバ―タ制御回路、 19 ……トランジスタ、 20 ……変圧器、 21 ……整流器、 22 ……コンデンサ、 23 ……抵抗、 24 ……半導体スイッチ、 25 ……分圧抵抗、 26 ……分圧抵抗、 27 ……第3のダイオ―ド、 1 ...... Self-extinguishing element, 2 ...... Snubber diode, 3 ...... Snubber capacitor 4 ...... Freewheeling diode, 5 ...... DC balance resistance, 6 ...... First capacitor, 7 ...... 1st diode, 8 ... reactor, 9 ... 2nd capacitor, 10 ... gate drive circuit, 11 ... optical fiber, 12 ... rectifier, 13 ... isolation transformer, 14 ... High-frequency AC power supply, 15 ... second diode, 16 ... third capacitor, 17 ... DC / DC converter circuit, 18 ... DC / DC converter control circuit, 19 ... transistor, 20 ... Transformer, 21 ... Rectifier, 22 ... Capacitor, 23 ... Resistor, 24 ... Semiconductor switch, 25 ... Dividing resistor, 26 ... Dividing resistor, 27 ... Third diode ,

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電力変換回路を構成するスイッチング
素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルか
ら成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第
1のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路を
具備し、前記第2のコンデンサに蓄えられるエネルギを
前記スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等に供給するこ
とを特徴とするゲ―ト電力供給回路。
1. A series circuit composed of a first capacitor and a reactor connected in parallel to a switching element constituting a power conversion circuit, and a first diode and a second capacitor connected in parallel to the reactor. A gate power supply circuit comprising a series circuit and supplying the energy stored in the second capacitor to a gate drive circuit of the switching element and the like.
【請求項2】 前記リアクトルに第2のダイオ―ドを
直列に接続したことを特徴とする請求項1に記載のゲ―
ト電力供給回路。
2. The gate according to claim 1, wherein a second diode is connected in series to the reactor.
Power supply circuit.
【請求項3】 前記リアクトルに第3のコンデンサを
並列に接続したことを特徴とする請求項1に記載のゲ―
ト電力供給回路。
3. The gate according to claim 1, wherein a third capacitor is connected in parallel to the reactor.
Power supply circuit.
【請求項4】 電力変換回路を構成するスイッチング
素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルか
ら成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第
1のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路を
具備し、前記第2のコンデンサに蓄えられるエネルギを
チョッパ回路或いはDC/DCコンバ―タ回路を介して
前記スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等に供給するこ
とを特徴とするゲ―ト電力供給回路。
4. A series circuit composed of a first capacitor and a reactor connected in parallel to a switching element forming a power conversion circuit, and a first diode and a second capacitor connected in parallel to the reactor. A gate having a series circuit and supplying the energy stored in the second capacitor to a gate drive circuit of the switching element or the like through a chopper circuit or a DC / DC converter circuit. Power supply circuit.
【請求項5】 電力変換回路を構成するスイッチング
素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルか
ら成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第
1のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路
と、前記第2のコンデンサに並列接続される半導体スイ
ッチと抵抗とから成る直列回路を具備し、前記第2のコ
ンデンサに蓄えられるエネルギを前記スイッチング素子
のゲ―ト駆動回路等に供給し、且つ前記第2のコンデン
サの電圧が所定値に達した時に前記半導体スイッチをオ
ンするようにしたことを特徴とするゲ―ト電力供給回
路。
5. A series circuit composed of a first capacitor and a reactor connected in parallel to a switching element forming a power conversion circuit, and a first diode and a second capacitor connected in parallel to the reactor. A series circuit including a series switch and a semiconductor switch connected in parallel to the second capacitor and a resistor is provided, and energy stored in the second capacitor is supplied to a gate drive circuit of the switching element. The gate power supply circuit is characterized in that the semiconductor switch is turned on when the voltage of the second capacitor reaches a predetermined value.
【請求項6】 電力変換回路を構成するスイッチング
素子に並列接続される第1のコンデンサとリアクトルか
ら成る直列回路と、前記リアクトルに並列接続される第
1のダイオ―ドと第2のコンデンサから成る直列回路
と、前記スイッチング素子の一端に一方の端子が接続さ
れ他方の端子が前記第1のダイオ―ドと第2のコンデン
サの直列接続点に接続される抵抗を具備し、前記スイッ
チング素子のオフ時前記抵抗を介して前記第2のコンデ
ンサを充電し、前記第2のコンデンサに蓄えられるエネ
ルギを前記スイッチング素子のゲ―ト駆動回路等に供給
することを特徴とするゲ―ト電力供給回路。
6. A series circuit composed of a first capacitor and a reactor connected in parallel to a switching element forming a power conversion circuit, and a first diode and a second capacitor connected in parallel to the reactor. The switching element is provided with a series circuit and a resistor having one terminal connected to one end of the switching element and the other terminal connected to a series connection point of the first diode and the second capacitor. A gate power supply circuit, wherein the second capacitor is charged through the resistor and the energy stored in the second capacitor is supplied to a gate drive circuit of the switching element or the like.
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