JPH07100748A - ウェーハ外周部の研磨装置 - Google Patents

ウェーハ外周部の研磨装置

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JPH07100748A
JPH07100748A JP5268096A JP26809693A JPH07100748A JP H07100748 A JPH07100748 A JP H07100748A JP 5268096 A JP5268096 A JP 5268096A JP 26809693 A JP26809693 A JP 26809693A JP H07100748 A JPH07100748 A JP H07100748A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 研磨速度の向上と、テープの効率的利用が図
れる、ウェーハ外周部の研磨装置を提供する。 【構成】 表面に固定砥粒が担持されたテープと、この
テープが巻回保持され当該テープを繰り出しする繰出し
用リールと、この繰出し用リールによって繰り出された
テープを巻き取る巻取り用リールと、この両リールが内
部に着脱可能に設置される回転ドラムと、前記回転ドラ
ムを回転させる第１のモータと、前記巻取り用リールを
回転させる第２のモータとを備え、前記繰出し用リール
と前記巻取り用リールとに掛けられた前記テープの途中
部分が、前記回転ドラムの外周に螺旋状に巻き掛けられ
るように構成されるとともに、前記回転ドラムの中心軸
と交差する面内にウェーハ主面が位置するように、ウェ
ーハを保持した状態でウェーハ外周部を研磨するように
構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの研磨装置に
関するもので、さらに詳しくは、ウェーハ外周部の面取
り部を研磨するための研磨装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶ウェーハあるいは化合物
半導体ウェーハなど（以下ウェーハと言う）において
は、その外周部を研削加工することによって、面取り部
を形成することが行われている。このようにウェーハに
面取り部を形成した場合には、ハンドリング時あるいは
位置合わせ時において、その面取り部からの割れや欠け
は防止することができるものの、微粉の発生は防止でき
ない。そのため、この微粉に起因して半導体デバイスの
製造の歩留りおよび信頼性の低下を招く危険性がある。
そこで、従来、ウェーハの面取り後に、その面取り部を
研磨することが行われている。
【０００３】この研磨にあっては、一般的に、研磨バフ
を回転させながらウェーハの面取り部へ押し付けること
によって研磨を行っており、また、その際に、アルカリ
液中にコロイダルシリカ等を分散させた研磨剤（遊離砥
粒）を研磨部に供給するようにしている。
【０００４】ところが、研磨剤を研磨部に供給する場
合、研磨部以外（例えばウェーハの表面および裏面）に
も研磨剤がかかってしまい、アルカリの蝕刻作用によっ
て、該部分に傷が付いてしまう。この傷は、研磨剤を洗
浄するための洗浄工程でも取り去ることはできない。そ
れでも、ウェーハの表面の傷は、その後に行われる鏡面
研磨によって取り除かれるので問題ないが、その裏面に
残された傷は、製品としてのウェーハにそのまま残り、
これが新たな微粉の発生源となり、これによって半導体
デバイス製造時の歩留りや、半導体デバイスの特性が劣
化してしまうなどの不都合が生じる。
【０００５】そこで、近年、研磨剤を用いずに研磨する
研磨装置として、固定砥粒を担持させたテープを用い
て、ウェーハの面取り部を研磨する装置が考えられてい
る。この装置では、アルカリを含む研磨剤を用いないた
め、ウェーハ裏面の傷の問題は生じない。しかし、この
装置では、テープの同一面を繰り返し使うと、遊離砥粒
研磨とは異なり砥粒が加工作用面にて入れ替わることが
ないので、固定砥粒のすり減りや目詰りの速度が速い。
したがって、面取り部を効率的に研磨するためには、次
々にテープの新面を面取り部に当ててゆく必要がある。
そのために、固定砥粒を担持させたテープを用いる研磨
装置では、繰出し用リールによってテープの新面を繰り
出し、この繰り出した新面によって研磨を行い、使用済
み部分を順次に巻取り用リールによって巻き取るなどの
工夫がなされている。
【０００６】図４には、この研磨装置の概略が示されて
いる。この研磨装置１０は、ウェーハＷを保持するウェ
ーハ保持手段１１と、テープ１４を繰り出す繰出し用リ
ール１２と、テープ１４の使用済み部分を巻き取る巻取
り用リール１３とを備えている。この装置１０では、繰
出し用リール１２によってテープ１４を繰り出し、この
繰り出したテープ１４の新面によって研磨を行い、使用
済み部分を順次に巻取り用リール１３によって巻き取る
ようになっており、この研磨中、テープ１４自体を幅方
向に揺動させ、テープ１４の固定砥粒面の幅方向を有効
に使用するとともに、ウェーハ保持手段１１に保持され
たウェーハＷを回転させて、ウェーハ面取り部とテープ
間の相対速度を与えようとするものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この研
磨装置においては下記のような問題があった。
【０００８】テープによって研磨を行う場合、テープ１
４の新面繰出し速度と、研磨部における面取り部とテー
プ間の相対速度とが、良好な研磨を行う上での重要な要
素となる。前記研磨装置では、テープの巻取り速度は任
意に変えられ、したがって、テープ１４の新面繰出し速
度は変えられはするものの、オリフラ部加工時には、研
磨部における面取り部とテープ間の相対速度の方は幅方
向振動によるため十分な相対速度が得られないという問
題があった。また、ウェーハ外周部（円周部）加工時に
は、ウェーハＷが僅かでも偏心して吸着されていると、
ウェーハＷの振動という問題が生じたり、テープ１４を
幅方向一杯に使用することができないという問題があっ
た。
【０００９】本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、研磨速度の向上と、テープの効率的利用が図れる、
ウェーハ外周部の研磨装置を提供することを目的として
いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、ウ
ェーハ外周部を研磨するための研磨装置であって、表面
に固定砥粒が担持されたテープと、このテープが巻回保
持され当該テープを繰り出しする繰出し用リールと、こ
の繰出し用リールによって繰り出されたテープを巻き取
る巻取り用リールと、この両リールが内部に着脱可能に
設置される回転ドラムと、前記回転ドラムを回転させる
第１のモータと、前記巻取り用リールを回転させる第２
のモータとを備え、前記繰出し用リールと前記巻取り用
リールとに掛けられた前記テープの途中部分が、前記回
転ドラムの外周に螺旋状に巻き掛けられるように構成さ
れるとともに、前記回転ドラムの中心軸と交差する面内
にウェーハ主面が位置するように、ウェーハを保持した
状態でウェーハ外周部を研磨するように構成されてい
る。
【００１１】
【作用】上記した手段によれば、回転ドラムに螺旋状に
テープが巻き掛けられており、しかも、そのテープは巻
取り用リールの回転によって回転ドラムに対し相対的に
移動するので、次々に新面が繰り出されることになると
ともに、回転ドラムの回転によって、十分に、面取り部
とテープ間の相対速度が得られることになる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明の実施例に係
る研磨装置について説明する。
【００１３】図１には実施例の研磨装置の外観斜視図が
示されている。この研磨装置１は、回転ドラム２と、こ
の回転ドラム２内に設置される繰出し用リール３（図
２）および巻取り用リール４（図２）と、前記回転ドラ
ム２を回転駆動するモータ（第１のモータ）５と、前記
巻取り用リール４を回転駆動するモータ（第２のモー
タ）６とを備えている。そして、繰出し用リール３から
繰り出されるテープ７は、前記回転ドラム２の外周面に
螺旋状に巻回された後、巻取り用リール４で巻き取られ
るようになっている。また、図２に示すように、回転ド
ラム２の外周部には軸受け９が付設されており、この軸
受け９によってテープ７の移動がスムーズに行われるよ
うになっている。
【００１４】ここで、テープ７について説明すれば、図
３に示すように、このテープ７は、例えば、テープ基材
７０の上に接着剤７１を介して固定砥粒７２を接着した
ものであり、固定砥粒７２の形成面が外側になるように
繰出し用リール３に巻回される。なお、このテープ７と
しては、図示はしないが、テープ基材の上に固定砥粒を
混ぜた塗料を塗布した型のものを用いることもできる。
【００１５】次に、回転ドラム２について説明すれば、
回転ドラム２は、図２に示すように、片側に端板２０ａ
が付いた筒体２０と、同じく片側に端板２１ａが付いた
筒体２１とによって構成されて一体となっている。この
うち筒体２０の周壁２０ｂの母線方向に沿う寸法は筒体
２１の周壁２１ｂのそれよりも大きくなっている。ま
た、筒体２０における周壁２０ｂは基端部側が大径とな
っており、この大径部の上に連らなる小径部の上半部が
筒体２１の内側に嵌合可能に構成され、小径部の下半部
の外側には、外輪の外側にゴム２２が接着された軸受け
９が嵌合可能となっている。さらに、筒体２０の底板２
０ａ上にはリール支持軸２３が立設され、このリール支
持軸２３には繰出し用リール３が空転可能かつ着脱可能
に取り付けられる。また、筒体２０の底板２０ａ下はモ
ータ５のモータ軸５ａに固定されている。一方、筒体２
１の上にはモータ６が設けられており、このモータ６の
モータ軸６ａは筒体２１の端板２１ａを貫通して筒体２
１内部に臨んでいる。このモータ軸６ａはリール支持軸
となっており、このモータ軸６ａの、筒体２１内部に臨
む部分には、巻取り用リール４が固定されている。な
お、筒体２０，２１の周壁には図１に示すように母線に
対して傾斜するスリット２４ａ，２４ｂがそれぞれ設け
られ、繰出し用リール３から繰り出されたテープ７を一
旦回転ドラム２の外側へ導いて螺旋状に巻き掛けた後、
再び回転ドラム２の内側へ導いて巻取り用リール４に巻
き取らせることができるようになっている。
【００１６】一方、図１で示すウェーハ保持機構８につ
いて説明すれば、このウェーハ保持機構８は、ウェーハ
Ｗを真空吸引する吸引部８０と、この吸引部８０に支持
されたウェーハＷを回転させるモータ（図示せず）と、
これら吸引部８０およびモータを支持するステージ８１
を動作させるエアシリンダ８２とを備えている。これら
吸引部８０、モータ、ステージ８１およびエアシリンダ
８２は平面形状が「Ｔ」字状に形成されたフレーム８３
に取り付けられている。このフレーム８３の中央には、
ステージ８１が回転ドラム２に対して接近・離反する方
向に摺動可能に取り付けられている。また、フレーム８
３の両翼先端部は起立しており、その起立部の一方が軸
受け８４に、他方がモータ８５に連結されている。な
お、軸受け８４とモータ８５は、ほぼ、ウェーハＷと回
転ドラム２の接点に接する接線上に存在する。このよう
なウェーハ保持機構８によれば、ウェーハ外周部をテー
プ７に確実に所定の間隔で押し付けることができる。
【００１７】次に、本実施例の研磨装置１の使用方法を
説明する。
【００１８】まず、筒体２０と筒体２１とを分離してお
き、筒体２０側に、テープ７が巻回された繰出し用リー
ル３をセットし、筒体２１側に巻取り用リール４をセッ
トする。そして、繰出し用リール３に巻回されているテ
ープ７の先を筒体２０のスリット２４ａから引き出し、
回転ドラム２に螺旋状に巻き掛けた後に、筒体２１のス
リット２４ｂを通して巻取り用リール４に取り付ける。
次いで、筒体２０と筒体２１とを嵌め合わせ、モータ６
を駆動させてテープ７の弛みを取る。
【００１９】一方、ウェーハ保持機構８の吸着部８０に
はウェーハＷを吸着させ、エアシリンダ８２によって、
ウェーハＷの面取り部を、回転ドラム２の外周に巻かれ
たテープ７に接触させる。この接触にあたっては、モー
タ５の駆動により回転ドラム２を、図示しないモータの
駆動によりウェーハＷを回転させておくとともに、モー
タ６の駆動によりテープ７の移動動作をさせておくこと
が好ましい。また、回転ドラム２の回転方向とテープ７
の移動方向は、特に限定はされないが、同じにしておく
ことが望ましい。
【００２０】このようにしてテープ７を面取り部に接触
させて研磨を行う。この場合、モータ８５によって軸８
６を中心にウェーハＷを旋回させるとともに、ウェーハ
Ｗの研磨部分をそのウェーハＷの円周方向へ移動させる
ため、ウェーハＷを回転させておく。
【００２１】このように構成された研磨装置１によれ
ば、回転ドラム２に螺旋状にテープ７が巻き掛けられて
おり、しかも、そのテープ７は巻取り用リール４の回転
によって移動するので、次々にテープ７の新面が繰り出
されることになるとともに、回転ドラム２の回転によっ
て、十分に、面取り部とテープ間の相対速度が得られる
ことになる。したがって、良好な研磨が安定して行える
ことになる。また、テープ７の幅一杯有効に使えるとい
う効果も有する。
【００２２】以上、本発明者がなした実施例について説
明したが、本発明は、かかる実施例に限定されず、その
要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能であ
ることは勿論である。
【００２３】例えば、前記実施例では、モータ８５によ
りウェーハＷ側を回転ドラム２に対して傾けるようにし
たが、回転ドラム２を傾けるようにしても良いことは勿
論である。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、回転ドラムに螺旋状に
巻き掛けられたテープは巻取り用リールの回転によって
回転ドラムに対し相対的に移動するので、次々にテープ
の新面が繰り出されることになるとともに、回転ドラム
の回転によって、十分に、面取り部とテープ間の相対速
度が得られることになる。したがって、面取り部の研磨
が良好かつ効率的に行えることになる。また、テープの
幅一杯有効に使えるという経済的効果も有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る研磨装置の構成部分を説
明する斜視図である。
【図２】本発明の実施例に係る研磨装置の回転ドラムの
構成を説明する縦断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るテープの概略構成図であ
る。
【図４】従来の研磨装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１ 研磨装置 ２ 回転ドラム ３ 繰出し用リール ４ 巻取り用リール ５，６ モータ ７ テープ Ｗ ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 辰夫 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 黒田 泰嘉 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 市川 浩一郎 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内 (72)発明者 稲田 安雄 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハ外周部を研磨するための研磨装
    置であって、表面に固定砥粒が担持されたテープと、こ
    のテープが巻回保持され当該テープを繰り出しする繰出
    し用リールと、この繰出し用リールによって繰り出され
    たテープを巻き取る巻取り用リールと、この両リールが
    内部に着脱可能に設置される回転ドラムと、前記回転ド
    ラムを回転させる第１のモータと、前記巻取り用リール
    を回転させる第２のモータとを備え、前記繰出し用リー
    ルと前記巻取り用リールとに掛けられた前記テープの途
    中部分が、前記回転ドラムの外周に螺旋状に巻き掛けら
    れるように構成されるとともに、前記回転ドラムの中心
    軸と交差する面内にウェーハ主面が位置するように、ウ
    ェーハを保持した状態でウェーハ外周部を研磨するよう
    に構成されていることを特徴とする、ウェーハ外周部の
    研磨装置。
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EP94306110A EP0646436B1 (en) 1993-09-30 1994-08-18 An apparatus for polishing the periphery portion of a wafer
DE69410204T DE69410204T2 (de) 1993-09-30 1994-08-18 Vorrichtung zum Polieren des Umfangs eines Wafers
MYPI94002215A MY111302A (en) 1993-09-30 1994-08-24 An apparatus for polishing the periphery portion of a wafer.
US08/306,439 US5476413A (en) 1993-09-30 1994-09-19 Apparatus for polishing the periphery portion of a wafer

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990045683A (ko) * 1997-11-28 1999-06-25 수기모토 모리히로 반도체 웨이퍼의 경면가공장치
US6685539B1 (en) 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
JPH0885051A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体シリコン基板の面取り部研磨方法
JPH08168946A (ja) * 1994-12-13 1996-07-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ外周部の研磨装置
TW303487B (ja) * 1995-05-29 1997-04-21 Shinetsu Handotai Co Ltd
KR100189970B1 (ko) * 1995-08-07 1999-06-01 윤종용 웨이퍼 연마장치
US5928066A (en) * 1995-12-05 1999-07-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for polishing peripheral portion of wafer
US5861066A (en) * 1996-05-01 1999-01-19 Ontrak Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning edges of contaminated substrates
JP3336866B2 (ja) * 1996-08-27 2002-10-21 信越半導体株式会社 気相成長用シリコン単結晶基板の製造方法
JP3620679B2 (ja) * 1996-08-27 2005-02-16 信越半導体株式会社 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
JPH11320363A (ja) * 1998-05-18 1999-11-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置
US6475070B1 (en) * 1999-02-04 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
US6241583B1 (en) 1999-02-04 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a plurality of polishing sheets
US6244935B1 (en) 1999-02-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet
US6491570B1 (en) 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
US6135859A (en) * 1999-04-30 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a polishing sheet and a support sheet
US6419554B2 (en) 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
US6626744B1 (en) 1999-12-17 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Planarization system with multiple polishing pads
US6358851B1 (en) * 2000-04-04 2002-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Sputter PM procedures with polish tool to effectively remove metal defects from target surface nodules (residue)
JP2001308039A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Speedfam Co Ltd 積層膜除去装置及びその使用方法
US6419559B1 (en) 2000-07-10 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Using a purge gas in a chemical mechanical polishing apparatus with an incrementally advanceable polishing sheet
US6520841B2 (en) 2000-07-10 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an incrementally advanceable polishing sheet
US6561884B1 (en) * 2000-08-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Web lift system for chemical mechanical planarization
US6592439B1 (en) 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
US6503131B1 (en) 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US7115023B1 (en) * 2005-06-29 2006-10-03 Lam Research Corporation Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer
JP5147417B2 (ja) * 2008-01-08 2013-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの研磨方法および研磨装置
DE102009030294B4 (de) * 2009-06-24 2013-04-25 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe
US9857680B2 (en) * 2014-01-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning module, cleaning apparatus and method of cleaning photomask
CN106670938A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 有研半导体材料有限公司 一种硅片边缘抛光装置
USD834075S1 (en) 2016-08-05 2018-11-20 Ebara Corporation Pressing member for substrate polishing apparatus
CN117655898B (zh) * 2023-12-07 2024-12-17 佛山市顺德区顺崇机械制造有限公司 一种靶材侧边自动抛光装置及其使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114718U (ja) * 1974-07-22 1976-02-03
JPH01101758U (ja) * 1987-12-28 1989-07-10
JPH0590234A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Emutetsuku Kk 半導体ウエーハの端面研摩方法及び装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2258733A (en) * 1940-08-30 1941-10-14 Gen Motors Corp Sanding machine
US3806956A (en) * 1970-06-19 1974-04-30 Norton Co Process for using coated abrasive products
FR2321981A1 (fr) * 1975-08-26 1977-03-25 Emain Jean Perfectionnement aux roues de polissage
JPS5925443B2 (ja) * 1976-08-31 1984-06-18 東洋紡績株式会社 レ−ザ光による加撚走行糸条の撚角測定法
JPS57184662A (en) * 1981-05-09 1982-11-13 Hitachi Ltd Chamfering method and device of wafer
US5148639A (en) * 1988-07-29 1992-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Surface roughening method for organic electrophotographic photosensitive member
US5117590A (en) * 1988-08-12 1992-06-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of automatically chamfering a wafer and apparatus therefor
US5209027A (en) * 1989-10-13 1993-05-11 Tdk Corporation Polishing of the rear surface of a stamper for optical disk reproduction
JP2571477B2 (ja) * 1991-06-12 1997-01-16 信越半導体株式会社 ウエーハのノッチ部面取り装置
US5185965A (en) * 1991-07-12 1993-02-16 Daito Shoji Co., Ltd. Method and apparatus for grinding notches of semiconductor wafer
JP2559650B2 (ja) * 1991-11-27 1996-12-04 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部研磨装置
JP2628424B2 (ja) * 1992-01-24 1997-07-09 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部の研磨方法及び装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114718U (ja) * 1974-07-22 1976-02-03
JPH01101758U (ja) * 1987-12-28 1989-07-10
JPH0590234A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Emutetsuku Kk 半導体ウエーハの端面研摩方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990045683A (ko) * 1997-11-28 1999-06-25 수기모토 모리히로 반도체 웨이퍼의 경면가공장치
US6685539B1 (en) 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
DE69410204T2 (de) 1999-02-11
JP2832138B2 (ja) 1998-12-02
US5476413A (en) 1995-12-19
EP0646436A1 (en) 1995-04-05
DE69410204D1 (de) 1998-06-18
EP0646436B1 (en) 1998-05-13
MY111302A (en) 1999-10-30

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