JPH07100868B2 - 完全または部分的被覆金層の製造方法 - Google Patents
完全または部分的被覆金層の製造方法Info
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- JPH07100868B2 JPH07100868B2 JP3345158A JP34515891A JPH07100868B2 JP H07100868 B2 JPH07100868 B2 JP H07100868B2 JP 3345158 A JP3345158 A JP 3345158A JP 34515891 A JP34515891 A JP 34515891A JP H07100868 B2 JPH07100868 B2 JP H07100868B2
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
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-
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機金属化合物から、該
有機金属化合物の光分解を生じさせる特定の波長のＵＶ
光の照射によって基体に適用された完全または部分的被
覆金層を製造する方法に関する。
有機金属化合物の光分解を生じさせる特定の波長のＵＶ
光の照射によって基体に適用された完全または部分的被
覆金層を製造する方法に関する。
【０００２】本発明はさらにジエチルエーテルまたはア
ルコール中に溶解したテトラクロロ金酸(III) 三水化物
の使用に関する。
ルコール中に溶解したテトラクロロ金酸(III) 三水化物
の使用に関する。
【０００３】
【従来の技術】Appl.Phys.Lett. 51(25),21 December,1
987 p.2136〜2138にはＵＶ光への露出による完全または
部分被覆金層の製造方法が開示されている。この方法に
おいては金は薄いスピンオン膜から光分解的にデポジッ
トされる。該膜はニトロセルロース／アミルアセテート
混合物およびアンモニウムテトラクロロオーレート／ア
ルコール溶液から複雑な方法で製造される。該２つの溶
液の混合から製造される膜は、過剰の溶媒を除去するた
め３０分８０℃に熱処理しなければならない。
987 p.2136〜2138にはＵＶ光への露出による完全または
部分被覆金層の製造方法が開示されている。この方法に
おいては金は薄いスピンオン膜から光分解的にデポジッ
トされる。該膜はニトロセルロース／アミルアセテート
混合物およびアンモニウムテトラクロロオーレート／ア
ルコール溶液から複雑な方法で製造される。該２つの溶
液の混合から製造される膜は、過剰の溶媒を除去するた
め３０分８０℃に熱処理しなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複雑
なおよび時間のかかる工程を用いずに任意の所望の基体
表面に非常に簡単な方法で製造することができる完全に
または部分的被覆金層の製造方法を提供することであ
る。加えて、ジエチルエーテル中またはアルコール中に
溶解されたテトラクロロオーリック（III)アシドトリハ
イドレートの適当な使用にも言及する。
なおよび時間のかかる工程を用いずに任意の所望の基体
表面に非常に簡単な方法で製造することができる完全に
または部分的被覆金層の製造方法を提供することであ
る。加えて、ジエチルエーテル中またはアルコール中に
溶解されたテトラクロロオーリック（III)アシドトリハ
イドレートの適当な使用にも言及する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的はジエチルエー
テル中またはアルコール中に溶解したテトラクロロ金(I
II) 酸三水和物を基体に膜として適用すること、および
該溶液の膜の乾燥後ＵＶ光の照射により金層をデポジッ
トすることを特徴とする方法によって達成される。
テル中またはアルコール中に溶解したテトラクロロ金(I
II) 酸三水和物を基体に膜として適用すること、および
該溶液の膜の乾燥後ＵＶ光の照射により金層をデポジッ
トすることを特徴とする方法によって達成される。
【０００６】更に、本発明によれば完全または部分的被
覆金層の製造のための、ＵＶ光の照射による光分解が可
能であり基体上に適用可能な有機金属化合物としてのア
ルコールまたはジエチルエーテルに溶解したテトラクロ
ロ金(III)酸三水和物の使用が提供される。
覆金層の製造のための、ＵＶ光の照射による光分解が可
能であり基体上に適用可能な有機金属化合物としてのア
ルコールまたはジエチルエーテルに溶解したテトラクロ
ロ金(III)酸三水和物の使用が提供される。
【０００７】本発明により達成される効果は、特に、方
法が単純なことである。有利にジエチルエーテルまたは
アルコールがテトラクロロ金(III) 酸三水和物のための
溶媒として使用することができ、その結果、該溶液は該
方法において、例えばあるプラスチックでのクロロホル
ムの溶媒としての使用のように該プラスチックを高度に
溶解させることなくプラスチックに適用することができ
る。該方法は時間がかかるものではなくエコロジカルに
受容され経済的である。ＵＶ光照射前の膜の乾燥または
熱処理は不要である。全ての基体材料を等しく良質に被
覆することができる。金層は良好な接着強度と導電性を
有し半田でき困難なく接続できる。全ての工程が１００
℃以下の範囲で進行するので、感熱性の基体材料も被覆
することができる。
法が単純なことである。有利にジエチルエーテルまたは
アルコールがテトラクロロ金(III) 酸三水和物のための
溶媒として使用することができ、その結果、該溶液は該
方法において、例えばあるプラスチックでのクロロホル
ムの溶媒としての使用のように該プラスチックを高度に
溶解させることなくプラスチックに適用することができ
る。該方法は時間がかかるものではなくエコロジカルに
受容され経済的である。ＵＶ光照射前の膜の乾燥または
熱処理は不要である。全ての基体材料を等しく良質に被
覆することができる。金層は良好な接着強度と導電性を
有し半田でき困難なく接続できる。全ての工程が１００
℃以下の範囲で進行するので、感熱性の基体材料も被覆
することができる。
【０００８】
【実施例】本発明を図面に記載した好ましい実施例を参
照して説明する。
照して説明する。
【０００９】図１はコンタクトマスクを介しての被覆さ
れた基体の照射を示している。基体は、ジエチルエーテ
ルまたはアルコール中に溶解されたテトラクロロ金酸(I
II)三水化物（Ｈ（ＡｕＣｌ4 ）３Ｈ2 Ｏ）の膜2 によ
り完全に被覆されている。該溶液を調製するにはテトラ
クロロ金酸(III) 三水化物をジエチルエーテルまたはア
ルコール中に、例えばジエチルエーテルまたはアルコー
ル３０乃至１００ml当たり１ｇのテトラクロロ金酸(II
I) 三水化物を中に溶解する。この溶液は第１の工程
で、ディッピング、スプレー、スピニング−オン、ロー
ラーコーティングによりまたは筆記具を用いて適用され
る。
れた基体の照射を示している。基体は、ジエチルエーテ
ルまたはアルコール中に溶解されたテトラクロロ金酸(I
II)三水化物（Ｈ（ＡｕＣｌ4 ）３Ｈ2 Ｏ）の膜2 によ
り完全に被覆されている。該溶液を調製するにはテトラ
クロロ金酸(III) 三水化物をジエチルエーテルまたはア
ルコール中に、例えばジエチルエーテルまたはアルコー
ル３０乃至１００ml当たり１ｇのテトラクロロ金酸(II
I) 三水化物を中に溶解する。この溶液は第１の工程
で、ディッピング、スプレー、スピニング−オン、ロー
ラーコーティングによりまたは筆記具を用いて適用され
る。
【００１０】使用される基体は、例えば、セラミック基
体（Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ）、水晶、ガラスまたはケイ
素、軽質フレキシブルプラスチック（テフロン、ポリイ
ミド等）、ゴム、プラスチックまたはガラス不織布、セ
ラミック充填またはガラスファイバー強化フッ化プラス
チック、プレスボード及び紙または低熱抵抗を有するカ
ードボードである。
体（Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ）、水晶、ガラスまたはケイ
素、軽質フレキシブルプラスチック（テフロン、ポリイ
ミド等）、ゴム、プラスチックまたはガラス不織布、セ
ラミック充填またはガラスファイバー強化フッ化プラス
チック、プレスボード及び紙または低熱抵抗を有するカ
ードボードである。
【００１１】上記溶液から製造された膜2 （ディップコ
ーティング）はジエチルエーテルまたはアルコールの蒸
発後短時間後（室温で数分後）乾いており、第２の工程
においてＵＶ光4 の照射により光分解されることがで
き、その結果、金層がデポジットされる。
ーティング）はジエチルエーテルまたはアルコールの蒸
発後短時間後（室温で数分後）乾いており、第２の工程
においてＵＶ光4 の照射により光分解されることがで
き、その結果、金層がデポジットされる。
【００１２】この照射は非導電有機金属化合物の分解を
達成し、金層のデポジションを生じさせる（ＵＶに助け
られた基体表面上の有機金属吸着質からの触媒のデポジ
ション）。紫外線光は本質的に基体表面のアクチベータ
としか相互作用しないので、基体表面物質は影響を受け
ずに残る。基体物質の性質はデポジション法において重
要な役割をもたない。使用されるＵＶ源は好ましくはイ
ンコヒーレントイクサイマ光源−好ましくは所望の波長
好ましくは１７２ｎｍを有するキセノンイクサイマＵＶ
源−である。
達成し、金層のデポジションを生じさせる（ＵＶに助け
られた基体表面上の有機金属吸着質からの触媒のデポジ
ション）。紫外線光は本質的に基体表面のアクチベータ
としか相互作用しないので、基体表面物質は影響を受け
ずに残る。基体物質の性質はデポジション法において重
要な役割をもたない。使用されるＵＶ源は好ましくはイ
ンコヒーレントイクサイマ光源−好ましくは所望の波長
好ましくは１７２ｎｍを有するキセノンイクサイマＵＶ
源−である。
【００１３】そのような高パワー照射装置の詳細は欧州
公開明細書０，２５４，１１１に見ることができる。高
パワー照射装置は、一側において冷却された金属電極お
よび１または２の誘電体により分画され貴ガスまたはガ
ス混合物で満たされた放電空間からなる。該誘電体およ
び誘電体の該放電空間から離れた表面上に位置する第２
の電極は暗放電（dark electric discharge ）により生
ずる照射に対して透過性である。この構成および充填ガ
スの適切な選択が高効率の広面積ＵＶ高パワー照射を提
供する。１６０〜１９０ｎｍの間の波長のＵＶ照射は高
パワー照射装置を用いてキセノンガスの充填で製造さ
れ、この場合の最高は１７２ｎｍである。高パワー照射
装置は準パルスモードで操作する。
公開明細書０，２５４，１１１に見ることができる。高
パワー照射装置は、一側において冷却された金属電極お
よび１または２の誘電体により分画され貴ガスまたはガ
ス混合物で満たされた放電空間からなる。該誘電体およ
び誘電体の該放電空間から離れた表面上に位置する第２
の電極は暗放電（dark electric discharge ）により生
ずる照射に対して透過性である。この構成および充填ガ
スの適切な選択が高効率の広面積ＵＶ高パワー照射を提
供する。１６０〜１９０ｎｍの間の波長のＵＶ照射は高
パワー照射装置を用いてキセノンガスの充填で製造さ
れ、この場合の最高は１７２ｎｍである。高パワー照射
装置は準パルスモードで操作する。
【００１４】一般に約１００から３５０ｎｍの波長のイ
ンコヒーレントイクサイマＵＶ源を使用することができ
る。１９３ｎｍおよび／または２２２ｎｍおよび／また
は２４８ｍおよび／または３０８ｎｍおよび／または３
５１ｎｍの波長を有するＵＶレーザを用いることができ
る。
ンコヒーレントイクサイマＵＶ源を使用することができ
る。１９３ｎｍおよび／または２２２ｎｍおよび／また
は２４８ｍおよび／または３０８ｎｍおよび／または３
５１ｎｍの波長を有するＵＶレーザを用いることができ
る。
【００１５】被覆される基体がその表面全体に金層が設
けられるものであるとき、基体表面のサイズに対応した
照射フィールドの高パワー照射装置が使用される。
けられるものであるとき、基体表面のサイズに対応した
照射フィールドの高パワー照射装置が使用される。
【００１６】環境、適用厚さおよび基体表面とＵＶ高パ
ワー照射装置との間の距離により、照射は数秒から数分
好ましくは１分行うことができる。
ワー照射装置との間の距離により、照射は数秒から数分
好ましくは１分行うことができる。
【００１７】同時に、使用するＵＶ高パワー照射装置の
幾何は、被覆される基体の幾何に適合することができ
る。例えば、長方形の基体の被覆をコンベアベルト上の
適当なサイクル時間で行うことができる。この目的のた
めにＵＶ照射装置の幾何は被覆される基体の長方形の断
面に適合される。加えて、ＵＶ照射装置の基体からの距
離と基体が置かれるベルトの速度は、互いに個々の基体
がＵＶ照射装置の下をちょうどその表面上の金層の形成
に必要な時間移動するように適合することができる。所
望の製造速度は、上記パラメーターの選択により達成す
ることができる。基体1 を完全ではなく部分的におよび
構成された金層で被覆する場合、ＵＶ光の照射は適当に
形成されたマスクを介して行なう。場合により図１に見
られるように膜2 上に直接位置するコンタクトマスク3
または図２に見られるように基体の前に所定の距離を置
いて位置するコンタクトマスク6 の使用が可能である。
いずれの場合もマスクウインド5 の後ろに位置する膜2
のサブエリアのみがＵＶ光4 に照射され光分解する。微
細な構造がマスク技術により達成される。
幾何は、被覆される基体の幾何に適合することができ
る。例えば、長方形の基体の被覆をコンベアベルト上の
適当なサイクル時間で行うことができる。この目的のた
めにＵＶ照射装置の幾何は被覆される基体の長方形の断
面に適合される。加えて、ＵＶ照射装置の基体からの距
離と基体が置かれるベルトの速度は、互いに個々の基体
がＵＶ照射装置の下をちょうどその表面上の金層の形成
に必要な時間移動するように適合することができる。所
望の製造速度は、上記パラメーターの選択により達成す
ることができる。基体1 を完全ではなく部分的におよび
構成された金層で被覆する場合、ＵＶ光の照射は適当に
形成されたマスクを介して行なう。場合により図１に見
られるように膜2 上に直接位置するコンタクトマスク3
または図２に見られるように基体の前に所定の距離を置
いて位置するコンタクトマスク6 の使用が可能である。
いずれの場合もマスクウインド5 の後ろに位置する膜2
のサブエリアのみがＵＶ光4 に照射され光分解する。微
細な構造がマスク技術により達成される。
【００１８】前述したように光分解の結果として金層が
基体1 の上にデポジットする。図３において例えば、マ
スク技術により構成された金層7 が示されている。ＵＶ
光4で照射されない膜のサブエリアは、ガスジェットお
よび／または適当な溶媒例えばジエチルエーテルまたは
アルコールにより、基体1 の表面から除去することがで
きる。
基体1 の上にデポジットする。図３において例えば、マ
スク技術により構成された金層7 が示されている。ＵＶ
光4で照射されない膜のサブエリアは、ガスジェットお
よび／または適当な溶媒例えばジエチルエーテルまたは
アルコールにより、基体1 の表面から除去することがで
きる。
【００１９】部分的被覆金層の製造のためのさらなる可
能性は筆記具を用いる膜の適用である。使用される筆記
具はフェルトペン、ボールペン万年筆、ドゥローイング
ペンまたは溶液が圧電気トランスデューサによりノズル
から出される特別な器具であることができる。ドイツ特
許出願Ｐ４０３５０８０．０を参照することができる。
能性は筆記具を用いる膜の適用である。使用される筆記
具はフェルトペン、ボールペン万年筆、ドゥローイング
ペンまたは溶液が圧電気トランスデューサによりノズル
から出される特別な器具であることができる。ドイツ特
許出願Ｐ４０３５０８０．０を参照することができる。
【００２０】基体上に特別な構造の溶液の膜を適用する
ときは、適用の間、筆記具および基体を互いに所望のＸ
ＹＺ方向に移動することが好ましい。基体は例えば計算
機制御の座標テーブル上に載置することができる。
ときは、適用の間、筆記具および基体を互いに所望のＸ
ＹＺ方向に移動することが好ましい。基体は例えば計算
機制御の座標テーブル上に載置することができる。
【００２１】第３の工程において、カレントレス（curr
entless ）化学方法または直接電気めっき法を実祭の層
を建設するためにすなわち光分解によりデポジットされ
た金層を補強するために使用する。これらの場合多様な
金属例えばＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｒ，Ｓｎ等が構成された方法でデポジットされる。層厚
さを数１００ｎｍに高めることが可能である。図４は金
層7 が銅層8 で補強された一例を示している。
entless ）化学方法または直接電気めっき法を実祭の層
を建設するためにすなわち光分解によりデポジットされ
た金層を補強するために使用する。これらの場合多様な
金属例えばＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｒ，Ｓｎ等が構成された方法でデポジットされる。層厚
さを数１００ｎｍに高めることが可能である。図４は金
層7 が銅層8 で補強された一例を示している。
【００２２】活性化された領域は商業的浴でカレントレ
スにメタライズされる。代表的浴温度は室温から１００
℃の間である。最も広く普及された技術と比較して、真
空（vacuo)およびスパッタリング、化学メタライゼーシ
ョン方法は、厚い厚さの層を達成できることに加えて、
均一膜厚分布の複雑な形状のワークピースのメタライゼ
ーションが可能であるという重要な効果を有する。
スにメタライズされる。代表的浴温度は室温から１００
℃の間である。最も広く普及された技術と比較して、真
空（vacuo)およびスパッタリング、化学メタライゼーシ
ョン方法は、厚い厚さの層を達成できることに加えて、
均一膜厚分布の複雑な形状のワークピースのメタライゼ
ーションが可能であるという重要な効果を有する。
【００２３】ディップ金浴を用いて、例えば、優れた金
層（膜厚０．２ｎｍ）をデポジットすることができる。
特に、ジョイント技術（ボンディング）および装飾的層
のために重要である。さらなる適用は、オプトエレクト
ロニクス（例えばコンパクトディスク）の分野および医
学分野（アンプルのためのガス拡散閉鎖）においてのも
のである。
層（膜厚０．２ｎｍ）をデポジットすることができる。
特に、ジョイント技術（ボンディング）および装飾的層
のために重要である。さらなる適用は、オプトエレクト
ロニクス（例えばコンパクトディスク）の分野および医
学分野（アンプルのためのガス拡散閉鎖）においてのも
のである。
【図１】コンタクトマスクを介しての被覆された基体の
照射を示す図である。
照射を示す図である。
【図２】基体の前に所定の距離をおいて位置したマスク
を介しての被覆された基体の照射を示す図である。
を介しての被覆された基体の照射を示す図である。
【図３】構成された金層を有する基体を示す図である。
【図４】強化された構成された金層を有する基体を示す
図である。
図である。
1…基体、 2… 膜、3 …コンタクトマスク、 4…ＵＶ
光、 5…マスクウインド、 6…マスク、 7…金層、 8…
銅層。
光、 5…マスクウインド、 6…マスク、 7…金層、 8…
銅層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルリヒ・コーゲルシャッツ スイス国、ツェーハー − 5212 ハウゼ ン・バイ・ブルック、オーベレ・パルクシ ュトラーセ ８ (56)参考文献 特開 昭56−164595（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−196194（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−55385（ＪＰ，Ａ) 特表 昭58−500634（ＪＰ，Ａ) 特公 昭47−39819（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (17)
- 【請求項１】有機金属化合物から、該有機金属化合物の
光分解を起こさせる特定波長のＵＶ光の照射によって、
基体に適用された完全または部分的被覆金層を製造する
方法において、該基体上に該有機金属化合物としてジエ
チルエーテルまたはアルコールに溶解したテトラクロロ
金（ＩＩＩ）酸三水和物の溶液を膜として適用するこ
と、および該溶液の膜の乾燥後、該特定波長のＵＶ光と
して１００から３５０ｎｍの間の波長を有するインコヒ
ーレントイクサイマＵＶ源からのＵＶ光の照射により光
分解を行って金層をデポジットすることを特徴とする完
全または部分的被覆金層を製造する方法。 - 【請求項２】該膜をディッピングにより適用する請求項
１記載の方法。 - 【請求項３】該膜をスプレーにより適用する請求項１記
載の方法。 - 【請求項４】該膜をスピニング−オンにより適用する請
求項１記載の方法。 - 【請求項５】該膜をローラーコーティングにより適用す
る請求項１記載の方法。 - 【請求項６】該膜を筆記具を用いて適用する請求項１記
載の方法。 - 【請求項７】該膜の適用の間、該筆記具および基体が所
望により相互にＸＹＺ方向に可動である請求項６記載の
方法。 - 【請求項８】マスクを通して該ＵＶ光を照射する請求項
１ないし５のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】該適用された膜上に直接位置するコンタク
トマスクを使用する請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】該１００から３５０ｎｍの間の波長を有
するインコヒーレントイクサイマＵＶ源が１７２ｎｍの
キセノンイクサイマＵＶ源である請求項１ないし９のい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項１１】照射時間が１分間である請求項１ないし
１０のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸三水和物１
ｇをジエチルエーテルまたはアルコール３０ないし１０
０ｍｌに溶解する請求項１ないし１１のいずれか１項記
載の方法。 - 【請求項１３】デポジットされた金属をカレントレスま
たは電析メタライゼーションにより補強する請求項１な
いし１１のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１４】該補強にＣｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｎ等の金属を用いる請求項１３記載
の方法。 - 【請求項１５】該金層を有機または無機材料の基体の表
面に適用する請求項１ないし１４のいずれか１項記載の
方法。 - 【請求項１６】１００から３５０ｎｍの間の波長を有す
るインコヒーレントイクサイマＵＶ源からのＵＶ光の照
射により光分解を起こすことができ、かつ基体上に適用
可能である、完全または部分的被覆金層の製造のための
有機金属化合物として、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸三
水和物をアルコールに溶解して使用する方法。 - 【請求項１７】１００から３５０ｎｍの間の波長を有す
るインコヒーレントイクサイマＵＶ源からのＵＶ光の照
射により光分解を起こすことができ、かつ基体上に適用
可能である、完全または部分的被覆金層の製造のための
有機金属化合物として、テトラクロロ金（ＩＩＩ）酸三
水和物をジエチルエーテルに溶解して使用する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4042220:8 | 1990-12-29 | ||
| DE4042220A DE4042220C2 (de) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362178A JPH04362178A (ja) | 1992-12-15 |
| JPH07100868B2 true JPH07100868B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=6421676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3345158A Expired - Fee Related JPH07100868B2 (ja) | 1990-12-29 | 1991-12-26 | 完全または部分的被覆金層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0493709A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07100868B2 (ja) |
| DE (1) | DE4042220C2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5517338A (en) * | 1992-10-20 | 1996-05-14 | Monsanto Company | Composite mirrors |
| JPH06269726A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-27 | Ushio Inc | 光硬化性物質の硬化方法 |
| DE19723734C2 (de) * | 1997-06-06 | 2002-02-07 | Gerhard Naundorf | Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE19731346C2 (de) * | 1997-06-06 | 2003-09-25 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Leiterbahnstrukturen und ein Verfahren zu deren Herstellung |
| DE19835158A1 (de) * | 1998-08-04 | 2000-02-10 | Wolfgang Anger | Verfahren zur Erzeugung von Leiterplatten |
| GB0213925D0 (en) * | 2002-06-18 | 2002-07-31 | Univ Dundee | Metallisation |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2232276C3 (de) * | 1971-08-20 | 1980-10-23 | International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. (V.St.A.) | Verfahren zum Aktivieren von Oberflächen vor der stromlosen Metallisierung |
| JPS56164595A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing circuit board |
| US4359485A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Radiation induced deposition of metal on semiconductor surfaces |
| JPS6455385A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Formation of thin film |
| JPH01196194A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路描画装置 |
| EP0349882B1 (de) * | 1988-07-02 | 1994-03-16 | Heraeus Noblelight GmbH | Verfahren zur Herstellung von metallischen Schichten |
-
1990
- 1990-12-29 DE DE4042220A patent/DE4042220C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-12-10 EP EP19910121137 patent/EP0493709A3/de not_active Withdrawn
- 1991-12-26 JP JP3345158A patent/JPH07100868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0493709A3 (en) | 1992-10-14 |
| DE4042220C2 (de) | 1995-02-02 |
| JPH04362178A (ja) | 1992-12-15 |
| DE4042220A1 (de) | 1992-07-02 |
| EP0493709A2 (de) | 1992-07-08 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |