JPH07101499B2 - 磁気記録体 - Google Patents
磁気記録体Info
- Publication number
- JPH07101499B2 JPH07101499B2 JP61005803A JP580386A JPH07101499B2 JP H07101499 B2 JPH07101499 B2 JP H07101499B2 JP 61005803 A JP61005803 A JP 61005803A JP 580386 A JP580386 A JP 580386A JP H07101499 B2 JPH07101499 B2 JP H07101499B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- magnetic recording
- floppy disk
- recording medium
- magnetic
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、フロッピーディスク、ハードディスク等の
磁気記録体に関するものである。
磁気記録体に関するものである。
「従来の技術」 上記の磁気記録体は、図面に示すように、ポリエステル
等のプラスチックフィルムあるいはアルミニュウム等の
金属板の基板１の両面に、下地層2,2を形成した後、磁
性体層3,3を被着し、さらにその磁性体層3,3の表面に保
護膜4,4を形成した構成とされている。
等のプラスチックフィルムあるいはアルミニュウム等の
金属板の基板１の両面に、下地層2,2を形成した後、磁
性体層3,3を被着し、さらにその磁性体層3,3の表面に保
護膜4,4を形成した構成とされている。
保護膜４は、磁性体層３が磁気ヘッド（図示せず）との
衝突や摺接によって摩耗することを防止するためのもの
であり、極めて薄い膜でありながら充分な堅固さを備え
ていることが要求される。このため、従来一般にはＣ
（炭素）あるいはSiO2（二酸化珪素）のスパッタ膜によ
り保護膜４を形成している。
衝突や摺接によって摩耗することを防止するためのもの
であり、極めて薄い膜でありながら充分な堅固さを備え
ていることが要求される。このため、従来一般にはＣ
（炭素）あるいはSiO2（二酸化珪素）のスパッタ膜によ
り保護膜４を形成している。
「発明が解決しようとする問題点」 ところが、上記のＣあるいはSiO2のスパッタ膜によって
形成した保護膜４では、その硬度や耐摩耗性が未だ充分
ではなく、したがって、従来の磁気記録体の機械的耐久
性も充分とはいえないものであった。
形成した保護膜４では、その硬度や耐摩耗性が未だ充分
ではなく、したがって、従来の磁気記録体の機械的耐久
性も充分とはいえないものであった。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、さらに
堅固な保護膜を形成することにより、機械的耐久性を向
上させた磁気記録体を提供することを目的とする。
堅固な保護膜を形成することにより、機械的耐久性を向
上させた磁気記録体を提供することを目的とする。
「問題点を解決するための手段」 この発明は、基板に被着した磁性体層の表面に保護膜を
形成してなる磁気記録体において、前記保護膜は、 Si（6-x）AlxOxN（8-x） ｘ＝0.1〜4.2 の組成からなるセラミックスにより形成されていること
を特徴としている。ここで、上記ｘの値の範囲を0.1〜
4.2と限定した理由を説明する。
形成してなる磁気記録体において、前記保護膜は、 Si（6-x）AlxOxN（8-x） ｘ＝0.1〜4.2 の組成からなるセラミックスにより形成されていること
を特徴としている。ここで、上記ｘの値の範囲を0.1〜
4.2と限定した理由を説明する。
ｘの値が0.1未満では、得られる保護膜の粒子径が大き
くなるために、該保護膜の緻密性が低下しまた摩擦係数
も大きくなり不適当である。また、ｘの値が4.2を越え
ると、得られる保護膜の機械的強度が低下するために、
該保護膜の寿命が短くなり不適当である。
くなるために、該保護膜の緻密性が低下しまた摩擦係数
も大きくなり不適当である。また、ｘの値が4.2を越え
ると、得られる保護膜の機械的強度が低下するために、
該保護膜の寿命が短くなり不適当である。
前記保護膜の緻密性及び機械的強度を考慮すると、ｘの
値のより好ましい範囲は0.3〜2.0である。
値のより好ましい範囲は0.3〜2.0である。
「実施例」 以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
この発明の磁気記録体においては、その保護膜４が、 Si（6-x）AlxOxN（8-x） ｘ＝0.1〜4.2 の組成からなるセラミックス（以下サイアロンと称す
る）により形成されている。このサイアロンは、従来よ
り保護膜として用いられているＣ、SiO2等に比して硬度
や強度が強く、耐摩耗性に極めて優れているとともに、
摩擦係数は小さいものである。なお、ｘの値が上記の範
囲から外れるとその物性が低下する。
る）により形成されている。このサイアロンは、従来よ
り保護膜として用いられているＣ、SiO2等に比して硬度
や強度が強く、耐摩耗性に極めて優れているとともに、
摩擦係数は小さいものである。なお、ｘの値が上記の範
囲から外れるとその物性が低下する。
したがって、このサイアロンを保護膜４として用いるこ
とにより、磁気記録体の耐摩耗性を従来のものに比して
著しく向上させることができ、長寿命とすることができ
る。この保護膜４の厚みは100〜1,000Åとすることが望
ましいが、必ずしもその範囲内に限ることはない。
とにより、磁気記録体の耐摩耗性を従来のものに比して
著しく向上させることができ、長寿命とすることができ
る。この保護膜４の厚みは100〜1,000Åとすることが望
ましいが、必ずしもその範囲内に限ることはない。
なお、この磁気記録体における磁性体層３は、従来と同
様にCo−Ni−Cr合金やCo−Cr合金等を用いて形成すれば
良く、あるいは磁性体層３を２層に重ねた構成としても
良い。また、基板１も従来のものと同様で良い。
様にCo−Ni−Cr合金やCo−Cr合金等を用いて形成すれば
良く、あるいは磁性体層３を２層に重ねた構成としても
良い。また、基板１も従来のものと同様で良い。
次に、実験例を挙げてこの発明の効果を明確にする。
（実験例１） 直径5.25インチ、厚さ約50μのディスク状のポリエステ
ルフィルム基板に、Fe−Ni合金からなる下地層を3,000
Åの厚さで形成した後、その表面にCo−Cr合金からなる
磁性体層を2,000Åの厚さで形成し、さらにその表面に
サイアロンの保護膜を200Åの厚さで形成してフロッピ
ーディスクを作製した。上記の下地層、磁性体層、保護
膜はいずれもスパッタリング法により形成した。保護膜
については、ｘの値が0.1〜4.2の範囲内であるターゲッ
トを５種、ｘの値が0.1〜4.2の範囲外であるターゲット
を２種それぞれ作製し、これらのターゲットを用いてス
パッタリングにより各フロッピーディスクを作製し、実
施例（No.1〜５）及び比較例（No.6,7）とした。
ルフィルム基板に、Fe−Ni合金からなる下地層を3,000
Åの厚さで形成した後、その表面にCo−Cr合金からなる
磁性体層を2,000Åの厚さで形成し、さらにその表面に
サイアロンの保護膜を200Åの厚さで形成してフロッピ
ーディスクを作製した。上記の下地層、磁性体層、保護
膜はいずれもスパッタリング法により形成した。保護膜
については、ｘの値が0.1〜4.2の範囲内であるターゲッ
トを５種、ｘの値が0.1〜4.2の範囲外であるターゲット
を２種それぞれ作製し、これらのターゲットを用いてス
パッタリングにより各フロッピーディスクを作製し、実
施例（No.1〜５）及び比較例（No.6,7）とした。
そして、保護膜を200Å厚のSiO2により形成した他は上
記と全く同様に構成した従来のフロッピーディスクを従
来例（No.8）とした。次いで、これらの各フロッピーデ
ィスク（No.1〜８）の耐摩耗性をピンオンディスク法に
より比較した。ピンオンディスク法は、磁気ヘッドを約
0.1gの荷重で接触させた状態でフロッピーディスクを回
転させて信号を読み取り、その読み取り信号のレベルが
原信号のレベルの1/2に減衰するまでの回転回数により
耐摩耗性を評価するものである。
記と全く同様に構成した従来のフロッピーディスクを従
来例（No.8）とした。次いで、これらの各フロッピーデ
ィスク（No.1〜８）の耐摩耗性をピンオンディスク法に
より比較した。ピンオンディスク法は、磁気ヘッドを約
0.1gの荷重で接触させた状態でフロッピーディスクを回
転させて信号を読み取り、その読み取り信号のレベルが
原信号のレベルの1/2に減衰するまでの回転回数により
耐摩耗性を評価するものである。
この結果、本実施例のフロッピーディスク（No.1〜５）
では回転回数が400,000回以上であるのに対し、比較例
のフロッピーディスク（No.6,7）では回転回数が高々30
0,000回、従来例のフロッピーディスク（No.8）では回
転回数が200,000回であり、従来のものの約２倍または
それ以上の耐摩耗性を有することが確認された。
では回転回数が400,000回以上であるのに対し、比較例
のフロッピーディスク（No.6,7）では回転回数が高々30
0,000回、従来例のフロッピーディスク（No.8）では回
転回数が200,000回であり、従来のものの約２倍または
それ以上の耐摩耗性を有することが確認された。
（実験例２） 直径5.25インチ、厚さ約1.5mmのディスク状のアルミニ
ュウム基板に、メッキ法によりNi−Ｐメッキを約40μの
厚さに形成した後、その表面にCo−Ni−Cr合金からなる
磁性体層を1,500Åの厚さで形成し、さらにその表面に
サイアロンの保護膜を150Åの厚さで形成してハードデ
ィスクを調製した。上記の磁性体層、保護膜はいずれも
スパッタリング法により形成した。保護膜については、
ｘの値が0.1〜4.2の範囲内であるターゲットを５種、ｘ
の値が0.1〜4.2の範囲外であるターゲットを２種それぞ
れ作製し、これらのターゲットを用いてスパッタリング
により各フロッピーディスクを作製し、実施例（No.11
〜15）及び比較例（No.16,17）とした。
ュウム基板に、メッキ法によりNi−Ｐメッキを約40μの
厚さに形成した後、その表面にCo−Ni−Cr合金からなる
磁性体層を1,500Åの厚さで形成し、さらにその表面に
サイアロンの保護膜を150Åの厚さで形成してハードデ
ィスクを調製した。上記の磁性体層、保護膜はいずれも
スパッタリング法により形成した。保護膜については、
ｘの値が0.1〜4.2の範囲内であるターゲットを５種、ｘ
の値が0.1〜4.2の範囲外であるターゲットを２種それぞ
れ作製し、これらのターゲットを用いてスパッタリング
により各フロッピーディスクを作製し、実施例（No.11
〜15）及び比較例（No.16,17）とした。
そして、保護膜を150Å層のＣにより形成した他は上記
と全く同様に構成した従来のハードディスクを従来例
（No.18）とした。次いで、これらの各フロッピーディ
スク（No.11〜18）の耐摩耗性をCSS法（コンスタントス
タートストップ法）により比較した。CSS法は、磁気ヘ
ッドをハードディスクに離接させ、膜が破壊されるまで
の磁気ヘッドとディスクの接触回数（CSS値）により耐
摩耗性を評価するものである。
と全く同様に構成した従来のハードディスクを従来例
（No.18）とした。次いで、これらの各フロッピーディ
スク（No.11〜18）の耐摩耗性をCSS法（コンスタントス
タートストップ法）により比較した。CSS法は、磁気ヘ
ッドをハードディスクに離接させ、膜が破壊されるまで
の磁気ヘッドとディスクの接触回数（CSS値）により耐
摩耗性を評価するものである。
この結果、本実施例のフロッピーディスク（No.11〜1
5）ではCSS値が30,000回以上であるのに対し、比較例の
フロッピーディスク（No.16,17）ではCSS値が高々20,00
0回、従来例のフロッピーディスク（No.18）ではCSS値
が12,000回であり、従来のものの約2,5倍またはそれ以
上の耐摩耗性を有することが確認された。
5）ではCSS値が30,000回以上であるのに対し、比較例の
フロッピーディスク（No.16,17）ではCSS値が高々20,00
0回、従来例のフロッピーディスク（No.18）ではCSS値
が12,000回であり、従来のものの約2,5倍またはそれ以
上の耐摩耗性を有することが確認された。
「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明の磁気記録体は、
保護膜をSi(6-x)AlxOxN(8-x)（ｘ＝0.1〜4.2の組成から
なるセラミックスにより形成したので、耐摩耗性に優
れ、従来の磁気記録体に比して極めて長寿命であるとい
う効果を有する。
保護膜をSi(6-x)AlxOxN(8-x)（ｘ＝0.1〜4.2の組成から
なるセラミックスにより形成したので、耐摩耗性に優
れ、従来の磁気記録体に比して極めて長寿命であるとい
う効果を有する。
図面は磁気記録体の構成を示す断面図である。 １……基板、３……磁性体層、４……保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板に被着した磁性体層の表面に保護膜を
形成してなる磁気記録体において、前記保護膜は、 Si（6-x）AlxOxN（8-x） ｘ＝0.1〜4.2 の組成からなるセラミックスにより形成されていること
を特徴とする磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005803A JPH07101499B2 (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005803A JPH07101499B2 (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164207A JPS62164207A (ja) | 1987-07-20 |
| JPH07101499B2 true JPH07101499B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=11621237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61005803A Expired - Lifetime JPH07101499B2 (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101499B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2536819B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1996-09-25 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2008050128A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Daifuku Co Ltd | 荷保管用ラックの荷支持装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604077A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-10 | Fujitsu Ltd | サ−マルヘツド |
| JPS60197964A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP61005803A patent/JPH07101499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62164207A (ja) | 1987-07-20 |
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