JPH07101667B2 - プロキシミティ露光装置 - Google Patents

プロキシミティ露光装置

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JPH07101667B2
JPH07101667B2 JP2185373A JP18537390A JPH07101667B2 JP H07101667 B2 JPH07101667 B2 JP H07101667B2 JP 2185373 A JP2185373 A JP 2185373A JP 18537390 A JP18537390 A JP 18537390A JP H07101667 B2 JPH07101667 B2 JP H07101667B2
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transfer
exposure
mask
scanning
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聖志 神谷
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Toshiba Corp
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はマスクと被転写体とを触れない程度の間隔をお
いて配置したプロキシミティ露光装置に関する。
(従来の技術) 露光技術には、例えば薄型液晶ディスプレイ(TFT-LC
D)やTFD、サーマルプリンタヘッドのような広い面積を
有する固体デバイスの製造プロセスに適用されるものが
ある。かかる露光技術にはレンズ投影方式、プロキシミ
ティ方式及び反射ミラープロジェクション方式がある。
第9図はレンズ投影方式を適用した露光装置の構成図で
ある。楕円鏡1の内側には超高圧水銀ランプ2が配置さ
れ、このランプ2から放射された光がミラー3で反射
し、レンズ4、フィルタ5、フライアイレンズ6を通っ
てミラー7に送られる。このミラー7はXYステージ8の
上方に配置され、このミラー7で反射して光はコンデン
サレンズ9からマスク10を通り、さらに投影レンズ11を
通ってXYステージ8上のプレート12に照射される。かく
して、マスク10に形成されたパターンがプレート12に転
写される。
次に第10図はプロキシミティ方式を適用した露光装置の
構成図である。この方式はマスク20とプレート21とを触
れない程度の間隔をおいて配置したものである。楕円鏡
22の内側には超高圧水銀ランプ23が配置され、このラン
プ23から放射された光がミラー24で反射し、さらにレン
ズ25、フィルタ26、フライアイレンズ27を通って凹面鏡
28に送られる。この凹面鏡28はマスク20、プレート21の
上方に配置されているので、凹面鏡28で反射した光はマ
スク20を通ってプレート21に照射される。かくして、マ
スク20に形成されたパターンがプレート21に転写され
る。
第11図は反射ミラープロジェクション方式を適用した露
光装置の構成図である。この方式は露光用光をマスク3
0、次に光学系31、レンズ32を通して凹面鏡33に送り、
さらにこの凹面鏡33からの反射光を光学系31によりプレ
ート34に導くようにしている。これにより、マスク30に
形成されたパターンがプレート34に転写される。
以上3方式について説明したが、これら方式では各プレ
ート12,21,34に各種プロセス、例えば半導体プロセスの
影響を受けて伸び、縮み、歪、曲りが生じる。このた
め、各プレート12,21,34にそれぞれ各マスク10,20,30の
パターンは何らかの補正をしなければ正確に転写されな
くなる。例えば、プレートを液晶ディスプレイに使用す
るガラスとすれば、このガラスへの転写では3〜8回の
重ね焼きが行われる。従って、プレートに上記伸び、縮
みなどが生じると、正確に重ね焼きができない。特に液
晶ディスプレイは大型なので、伸び、縮みなどの影響を
受けないことが要求される。
(発明が解決しようとする課題) 以上のようにプレートに伸び、縮み、歪、曲りが生じる
と、マスクのパターンが正確に転写されなくなる。
そこで本発明は、プレートに伸び、縮み、歪、曲りなど
の変形が生じてもマスクのパターンを正確に転写できる
プロキシミティ露光装置を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された被転写体に近接して配置さ
れかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して露光
用光を被転写体に対してY方向に1走査幅だけ移動する
ごとにX方向に1走査することを繰り返して被転写体に
走査し、露光パターンを被転写体に転写する露光用光走
査手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてXYテーブルを露光用光走査手段によるX方向
の1走査に同期して駆動し被転写体の変形量を補正する
被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
又、本発明は、被転写体に近接して配置されかつ露光パ
ターンが形成されたマスクを経由して露光用光を被転写
体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方向
に1走査することを繰り返して被転写体に走査し、露光
パターンを被転写体に転写する露光用光走査手段と、 マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてマスク支持手段を露光用光走査手段によるX
方向の1走査に同期して伸縮させ被転写体の変形量を補
正する被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
又、本発明は、マスク支持手段は、電歪素子又は磁歪素
子であるプロキシミティ露光装置である。
又、本発明は、被転写体に近接して配置されかつ露光パ
ターンが形成されたマスクを経由して露光用光を被転写
体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方向
に1走査することを繰り返して被転写体に走査し、露光
パターンを被転写体に転写する露光用光走査手段と、 マスクと露光用光走査手段との間に設けられ露光用光を
開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてシャッタ手段の開度を露光用光走査手段によ
るX方向の1走査に同期して調節し被転写体の変形量を
補正する被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
又、本発明は、被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された被転写体に近接して配置さ
れかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して露光
用光を被転写体に対してY方向に1走査幅だけ移動する
ごとにX方向に1走査することを繰り返して被転写体に
走査し、露光パターンを被転写体に転写する露光用光走
査手段と、 マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 マスクと露光用光走査手段との間に設けられ露光用光を
開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてXYテーブルを露光用光走査手段によるX方向
の1走査に同期して駆動し被転写体の変形量を補正する
第1の被転写体変形補正手段と、 変形量検出手段により検出された被転写体の変形量に基
づいてマスク支持手段を露光用光走査手段によるX方向
の1走査に同期して伸縮させ被転写体の変形量を補正す
る第2の被転写体変形補正手段と、 変形量検出手段により検出された被転写体の変形量に基
づいてシャッタ手段の開度を露光用光走査手段によるX
方向の1走査に同期して調節し被転写体の変形量を補正
する第3の被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
(作用) このような手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、第1の被転写体変形補正手段により被転写体の変形
量に基づいてXYテーブルを露光用光走査手段によるX方
向の1走査に同期して駆動し被転写体の変形量を補正す
るので、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオー
ダで補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り
等の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写
することができるようになり、その結果、製品歩留まり
が格段に向上し、コスト低減にも寄与できる。
又、上記手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、第2の被転写体変形補正手段により変形量検出手段
により検出された被転写体の変形量に基づいてマスク支
持手段を露光用光走査手段によるX方向の1走査に同期
して伸縮させ被転写体の変形量を補正するので、上記同
様に、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオーダ
で補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り等
の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写で
きる。
又、上記手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、第3の被転写体変形補正手段により変形量検出手段
により検出された被転写体の変形量に基づいてシャッタ
手段の開度を露光用光走査手段によるX方向の1走査に
同期して調節し被転写体の変形量を補正するので、上記
同様に、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオー
ダで補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り
等の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写
できる。
又、上記手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、上記第1、第2又は第3の被転写体変形補正手段の
いずれかにより被転写体の変形量を補正するので、上記
同様に、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオー
ダで補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り
等の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写
できる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図はプロキシミティ露光装置の構成図である。Yテ
ーブル40上にはXテーブル41が設けられ、このXテーブ
ル41上にZ・チルト・θ・上下・傾斜及び回転テーブル
(以下、テーブルと省略する)42が設けられている。そ
して、プレート43がテーブル42上に載置されている。こ
の場合、プレート43はテーブル42に設けられた真空又は
静電チャックにより吸着されている。
又、テーブル42の上方には架台系44が設けられている。
この架台系44はマスク45を保持すると共に集光レンズ46
を配置している。このマスク45は第2図に示すように吸
着パッド45aにより吸着されて支持されている。又、マ
スク45の周囲には伸縮パッド45bが設けられている。こ
の伸縮パッド45bは圧電素子から形成され、マスク45を
伸縮させるものとなっている。なお、伸縮パッド45bは
電歪素子、磁歪素子であれば適用できる。又、マスク45
とプレート43との間隔は10〜50μmに配置されている。
なお、マスク45とプレート43の隙間やマスク45の曲り等
を検出するためにレーザ発振器45c及びその受光器45dが
備えられている。これらレーザ発振器45c及び受光器45
はマスク45及びプレート43に対して所定角度でレーザビ
ームが入射、反射するように配置されている。
又、架台系44の上部にはシャッタ機構47が設けられてい
る。このシャッタ機構47は具体的には第3図(a)
(b)に示す構成となっている。同図(a)は上方から
見た図、同図(b)は横から見た図である。各スライド
支持体48,49が設けられ、これらスライド支持体48,49上
にそれぞれシャッタ体50,51が矢印(イ)方向、つまり
X方向に平行にスライド可能に設けられている。各シャ
ッタ体50,51は先端部の厚みが薄く形成され重なるよう
に配置され、かつスライド移動する。そして、各シャッ
タ体50,51が重なった場合、同図(a)に示すようにス
リット状の孔52が形成される。
ところで、プレート43及びマスク45には1例としてそれ
ぞれアライメントマーク53,54が形成されている。プレ
ート43にはアライメントマーク53がY方向に形成され、
マスク45にはアライメントマーク54がY方向に所定間隔
をおいて不連続にかつ2列にそれぞれ形成されている。
第4図はマスク45、プレート43の上から見たときに各ア
ライメントマーク53,54が重ね合わされた状態を示す図
である。なお、これらアライメントマーク53,54は図面
上片側だけ示してあるが、実際にはマスク45、プレート
43のX方向の両端側にそれぞれ形成されている。
又、アライメント検出系55が設けられている。このアラ
イメント検出系55は各アライメントマーク53,54の位置
を検出してマスク45とプレート43とのアイラメント状態
を検出するものである。具体的な構成は、アライメント
光源56が設けられ、このアライメント光源56から放射さ
れた光がミラー57,58で反射し、さらにハーフミラー59
を通ってプレート43に照射し、このプレート43からの反
射光をハーフミラー59で反射して受光素子60に導く構成
となっている。そして、受光素子60の前方にはスリット
60aが配置され、所定周期で振動している。つまり、振
動スリット方式によりアライメント信号を検出する構成
となっている。
一方、例えばレーザ発振器61が設けられている。このレ
ーザ発振器61のレーザ出力方向には位相板62、複眼レン
ズ63及びコリメータ64が配置されている。さらにコリメ
ータ64の平行光の出力方向にはポリゴンミラー65が配置
されている。このポリゴンミラー65は集光レンズ46の上
方に配置され、矢印(ロ)方向に所定の回転速度で回転
することによりレーザ光をX方向に走査して集光レンズ
46を通してマスク45、プレート43に照射するものであ
る。
さらに、Xテーブル41に近接してテーブル位置計測系66
が設けられている。このテーブル位置計測系66は、後述
するように、レーザ干渉計をその本体とするものであっ
て、Xテーブル41に立設された基準ミラー80に対してレ
ーザ光を照射し、その反射レーザ光に基づいてXテーブ
ル41の位置計測を行うものである。そして、このテーブ
ル位置計測系66からの位置計測信号はコントローラ67に
出力され、このコントローラ67は、Xテーブル41の位置
計測結果に基づいてXテーブル41の精密位置決めを行う
ようになっている。なお、図示しないが、テーブル位置
計測系66は、Xテーブル41と同様にして、Yテーブル40
の位置計測手段も有している。
このコントローラ67はプレート43の変形量を受け、この
変形量に基づいてXテーブル41を移動してプレート43の
変形を補正する第1補正機能、変形量に基づいて伸縮パ
ッド45bを伸縮してプレート43の変形に対する補正を行
う第2補正機能及び変形量に基づいてシャッタ機構47の
開閉を調整してプレート43の変形に対する補正を行う第
3補正機能を有している。このコントローラ67は上記各
補正機能のうちいずれか1つの補正機能を実行するもの
となっている。このコントローラ67の補正機能により求
められた補正駆動信号はドライバ68に送られる。
このドライバ68はYテーブル40の移動とポリゴンミミラ
ー56の回転とを同期させると共に、補正駆動信号を受け
てXテーブル41を動作させる、又は伸縮パッド45bを伸
縮動作させる、又はシャッタ機構47の開閉動作させるも
のである。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明す
る。
先ず、プレート43に伸び、縮み、歪、曲りなどの変形が
生じていない場合について説明する。
アライメント検出系55のアライメント光源56が点灯され
ると、この光源5から放射された光は反射ミラー57,58
で反射し、ハーフミラー59を透過してマスク45及びプレ
ート43に照射される。このプレート43に照射された光は
反射して再びハーフミラー59に戻り、このハーフミラー
59で反射し、スリット60aを通って受光素子60に到達す
る。このときスリット60aは振動しているので、プレー
ト43のアライメントマーク53がマスク45の各アライメン
トマーク54のずれ量を計測することができるので、その
量を補正できる。かくして、マスク45とプレート43との
アライメントがなされる。
アライメントが終了すると、コントローラ67はポリゴン
ミラー65を所定の回転速度で回転させる駆動制御信号を
ドライバ68に送り、これによりポリゴンミラー65は回転
する。これとともにレーザ発振器61はレーザを出力す
る。このレーザは図示しない光学系により平行光に成形
され、次の位相板62により位相がランダムにされる。つ
まりレーザはプレート43に照射されたときに干渉が発生
しないように整形される。位相板62を通過したレーザは
複眼レンズ63を透過することにより均一な光強度を有す
るものとなり、次のコリメータ64を透過することにより
平行ビームに成形される。この平行ビームはポリゴンミ
ラー65に送られ、このポリゴンミラー65によってX方向
に走査される。この走査された平行ビームは集光レンズ
46によりマスク45上でX方向に走査される。平行ビーム
の1走査が終了すると、コントローラ57はYテーブル40
に対して1走査幅だけY方向に移動させる駆動制御信号
を送出する。これにより、Yテーブル40は1走査幅だけ
Y方向に移動する。再び平行ビームはマスク45上のX方
向に走査される。以上の動作が繰り返されてマスク45全
面に平行ビームが走査され、この結果マスク45のパター
ンがプレート43に転写される。
次にプレート43に第6図に示すように伸び、縮み、歪、
曲りなどの変形が生じた場合について説明する。
マスク45及びプレート43にはX方向の両端側にそれぞれ
アライメントマーク54、53が形成されているが、このう
ち片側のアライメントマーク54、53、例えば図面上左側
に示す各アライメントマーク54、53によりアライメント
が行われる。テーブル位置計測系66は例えばレーザ干渉
計を用い、Xテーブル上の基準ミラー80によってレーザ
計測でき、コントローラ67で位置決めできる。このコン
トローラ67はアライメント計測によって算出されたずれ
量に応じた駆動制御信号をX及びYテーブル41,40に送
る。これにより、アライメントマーク53がアランメント
マーク54の中間に配置されて、マスク45とプレート43と
が片側において位置合わせされる。
次にアライメント検出系はマスク46とプレート43とにお
ける他方の片面において各アライメントマーク54,53の
位置関係を求める。各アライメントマーク54,53の位置
は第6図に示すようにプレート43が変形しているために
X方向にずれが生じている。テーブル位置計測系66でこ
のずれ、つまりマスク45に対するプレート43の相対的変
形量は計測される。なお、プレート43のX方向の変形量
の測定は、Y方向に沿って逐次行われ、それら変形量の
計測結果は、コントローラ67に格納される。しかして、
この状態にて、上記と同様にポリゴンミラー65が回転す
ると共にレーザ発振器61からレーザが出力される。従っ
て、ポリゴンミラー65により平行ビームが走査され、こ
の平行ビームがマスク45を通ってプレート43に照射され
る。そして、1走査されるごとにYテーブル40がY方向
に1走査幅だけ移動される。
ところで、コントローラ67はプレート43の変形量を記憶
しているので、1走査されるごとにXテーブル40を変形
量に応じた量だけX方向に補正移動する。この補正移動
は平行ビームの1走査と同期して行われる。例えば、プ
レート43が伸びていれば、この伸びの長さ分だけXテー
ブル40が移動する。これは通常のスキャン長よりも長く
スキャンされる。このように1走査ごとにX方向の補正
が行われ、プレート43全面への走査が終了すると、マス
ク45のパターンがプレート43に転写される。
次に別の補正技術について説明する。
上記の如くテーブル位置計測系66によりプレート43の変
形量が求められ、この変形量がコントローラ67に送られ
る。この状態に上記と同様にポリゴンミラー65が回転す
ると共にレーザ発振器61からレーザが出力され、このレ
ーザがポリゴンミラー65により平行ビームとして走査さ
れ、この平行ビームがマスク45を通ってプレート43に照
射される。そして、1走査されるごとにYテーブル40が
Y方向に1走査幅だけ移動される。
ところで、コントローラ67はプレート43の変形量を記憶
しているので、1走査されるごとに伸縮パッド45bを変
形量に応じた距離だけ極微動させる。この極微動は平行
ビームの1走査と同期して行われる。このように1走査
ごとにX方向の補正が行われ、マスク43全面への走査が
終了すると、マスク45のパターンがプレート43に転写さ
れる。
さらに別の補正技術について説明する。
上記の如くテーブル位置計測系66によりプレート43の変
形量が求められ、この変形量がコントローラ67に送られ
る。この状態に上記と同様にポリゴンミラー65が回転す
ると共にレーザ発振器61からレーザが出力され、このレ
ーザがポリゴンミラー65により平行ビームとして走査さ
れ、この平行ビームがマスク45を通ってプレート43に照
射される。そして、1走査されるごとにYテーブル40が
Y方向に1走査幅だけ移動される。
ところで、コントローラ67はプレート43の変形量を記憶
しているので、1走査されるごとにシャッタ機構47の各
シャッタ体50,51が1走査に同期して孔52の開度が変形
量に応じて調整される。このように1走査ごとにシャッ
タ機構47の開度が調整されて、マスク45のパターンがプ
レート43に転写される。
このように本発明は、プレート43の変形量を検出し、こ
の変形量に基づいてプレート43を載置するXテーブル41
を移動してプレート43の変形を補正するようにしたり、
又変形量に基づいて伸縮パッド45bによりプレート43の
変形を補正したり、さらに変形量に基づいてシャッタ機
構47の開閉を調整してプレート43の変形を補正したりす
るので、プレート43に伸び、縮み、歪、曲りなどの変形
が生じてもマスク45のパターンを正確に転写できる。例
えば、転写パターンの解像度はマスク45とプレート43と
の間隔を20〜50μmとすれば5μm程度にできる。又、
アライメントは0.5μmの分解能が可能となる。一方、
露光時間はプレート43の面積とレジスト感度力によるが
従来のプロキシミティ方式とほぼ同一となる。又、シャ
ッタ機構47の孔52の長手方向の長さを可変すれば、プレ
ート43の大きさに応じた転写ができる。従って、プロキ
シミティ方式の特徴である高スループット、低価格な光
学系を生かし、10μm以下の高解像度で10μm程度のプ
レート歪みを補正できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、レ
ーザ光の走査はポリゴンミラーに限らず、音響効果素子
やガルバノミラー等に変更しても良い。又、第7図に示
すように凹面鏡70をマスク45及びプレート43の上方に配
置するとともに、凹面鏡70とマスク45との間にシャッタ
機構47を配置する。露光用光は凹面鏡70を介してマスク
45の全面に照射するように投入し、この状態でシャッタ
機構47を移動させながらシャッタ機構47の孔52の長手方
向の長さをプレート43の変形量に応じて調整する。第8
図はシャッタ機構47の移動及びその孔52の長手方向の長
さを示している。一方、レーザ発振器61に限らず、又ア
ライメント検出系55の構成なども限定されるものでな
い。
[発明の効果] 以上のように本発明においては、被転写体の変形量に基
づいてXYテーブルを露光用光の走査に同期して駆動し被
転写体の変形量を補正する、被転写体の変形量に基づい
て露光用光の走査に同期してマスク支持手段を伸縮させ
被転写体の変形量を補正する、又は被転写体の変形量に
基づいて露光用光の走査に同期してシャッタ手段の開度
を調節し被転写体の変形量を補正するので、例えば露光
用光の1走査に同期して変形を補正できて被写体の変形
に起因する露光誤差をμmオーダで補正することが可能
となり、被転写体に伸び、歪み、曲り等の変形が生じて
も、被転写体のパターンを正確に転写することができ、
その結果として製品歩留まりが格段に向上し、コスト低
減にも寄与できるプロキシミティ露光装置を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第6図は本発明に係わるプロキシミティ露光
装置の一実施例を説明するための図であって、第1図は
構成図、第2図はマスクの周辺部材を示す図、第3図は
シャッタ機構の構成図、第4図はアライメントマークを
示す図、第5図はアライメントマークに対する走査を示
す図、第6図はプレートの伸縮を示す図、第7図及び第
8図は変形例を示す図、第9図乃至第11図は従来技術の
構成図である。 40……Yテーブル、41……Xテーブル、42……Zθ傾斜
テーブル、43……プレート、44……架台系、45……マス
ク、45a……吸着パッド、45b……伸縮パッド、が46……
集光レンズ、47……シャッタ機構、53,54……アライメ
ントマーク、55……アライメント検出系、61……レーザ
発振器、62……位相板、63……複眼レンズ、64……コリ
メータ、65……ポリゴンミラー、66……テーブル位置計
測系、67……コントローラ、68……ドライバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−158345(JP,A) 特開 昭56−88319(JP,A) 特開 昭55−48489(JP,A) 特開 昭62−122216(JP,A) 特開 昭58−118648(JP,A) 特開 昭63−283022(JP,A) 特開 昭62−69519(JP,A) 特開 昭56−55042(JP,A) 特公 昭51−5539(JP,B1)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された前記被転写体に近接して配
    置されかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して
    露光用光を前記被転写体に対してY方向に1走査幅だけ
    移動するごとにX方向に1走査することを繰り返して前
    記被転写体に走査し、前記露光パターンを前記被転写体
    に転写する露光用光走査手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
    る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
    形量に基づいて前記XYテーブルを前記露光用光走査手段
    によるX方向の1走査に同期して駆動し前記被転写体の
    変形量を補正する被転写体変形補正手段と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
  2. 【請求項2】被転写体に近接して配置されかつ露光パタ
    ーンが形成されたマスクを経由して露光用光を前記被転
    写体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方
    向に1走査することを繰り返して前記被転写体に走査
    し、前記露光パターンを前記被転写体に転写する露光用
    光走査手段と、 前記マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
    る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
    形量に基づいて前記マスク支持手段を前記露光用光走査
    手段によるX方向の1走査に同期して伸縮させ前記被転
    写体の変形量を補正する被転写体変形補正手段と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
  3. 【請求項3】マスク支持手段は、電歪素子又は磁歪素子
    であることを特徴とする請求項2記載のプロキシミティ
    露光装置。
  4. 【請求項4】被転写体に近接して配置されかつ露光パタ
    ーンが形成されたマスクを経由して露光用光を前記被転
    写体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方
    向に1走査することを繰り返して前記被転写体に走査
    し、前記露光パターンを前記被転写体に転写する露光用
    光走査手段と、 前記マスクと前記露光用光走査手段との間に設けられ前
    記露光用光を開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
    る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
    形量に基づいて前記シャッタ手段の開度を前記露光用光
    走査手段によるX方向の1走査に同期して調節し前記被
    転写体の変形量を補正する被転写体変形補正手段と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
  5. 【請求項5】被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された前記被転写体に近接して配
    置されかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して
    露光用光を前記被転写体に対してY方向に1走査幅だけ
    移動するごとにX方向に1走査することを繰り返して前
    記被転写体に走査し、前記露光パターンを前記被転写体
    に転写する露光用光走査手段と、 前記マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 前記マスクと前記露光用光走査手段との間に設けられ前
    記露光用光を開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
    る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
    形量に基づいて前記XYテーブルを前記露光用光走査手段
    によるX方向の1走査に同期して駆動し前記被転写体の
    変形量を補正する第1の被転写体変形補正手段と、 前記変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
    形量に基づいて前記マスク支持手段を前記露光用光走査
    手段によるX方向の1走査に同期して伸縮させ前記被転
    写体の変形量を補正する第2の被転写体変形補正手段
    と、 前記変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
    形量に基づいて前記シャッタ手段の開度を前記露光用光
    走査手段によるX方向の1走査に同期して調節し前記被
    転写体の変形量を補正する第3の被転写体変形補正手段
    と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
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