JPH07101749A - カルコゲナイドガラス - Google Patents
カルコゲナイドガラスInfo
- Publication number
- JPH07101749A JPH07101749A JP27311893A JP27311893A JPH07101749A JP H07101749 A JPH07101749 A JP H07101749A JP 27311893 A JP27311893 A JP 27311893A JP 27311893 A JP27311893 A JP 27311893A JP H07101749 A JPH07101749 A JP H07101749A
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- Japan
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- glass
- mol
- rare earth
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- fiber
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のカルコゲナイドガラスの組成を改良
し、希土類元素の添加が可能なガラスを実現する。 【構成】 Ｇｅ系またはＧｅ−Ａｓ系のカルコゲナイド
ガラスにおいて、希土類元素を除いた組成が ０＜Ａ2-XＳaＳｅbまたはＡｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'
Ｓｅb'≦７５（モル％）、２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１０
０（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉの群より選択された一種または二種）であり、
Ａ2-XＳaＳｅb＋ＧｅＳa'Ｓｅb'＝１００モル％となる
範囲内にあることを特徴とする。 【効果】 格子振動エネルギーの小さなカルコゲナイド
ガラスを母体とした希土類添加ガラスを提供することが
でき、このガラスを希土類添加光ファイバのコア素材と
して用いれば、希土類元素の４ｆ殻内遷移の量子効果を
飛躍的に高めた高効率なファイバレーザまたはファイバ
増幅器を構成することができる。
し、希土類元素の添加が可能なガラスを実現する。 【構成】 Ｇｅ系またはＧｅ−Ａｓ系のカルコゲナイド
ガラスにおいて、希土類元素を除いた組成が ０＜Ａ2-XＳaＳｅbまたはＡｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'
Ｓｅb'≦７５（モル％）、２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１０
０（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉの群より選択された一種または二種）であり、
Ａ2-XＳaＳｅb＋ＧｅＳa'Ｓｅb'＝１００モル％となる
範囲内にあることを特徴とする。 【効果】 格子振動エネルギーの小さなカルコゲナイド
ガラスを母体とした希土類添加ガラスを提供することが
でき、このガラスを希土類添加光ファイバのコア素材と
して用いれば、希土類元素の４ｆ殻内遷移の量子効果を
飛躍的に高めた高効率なファイバレーザまたはファイバ
増幅器を構成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカルコゲナイドガラ
ス、さらに詳細には希土類元素が添加された光ファイバ
レーザまたは光ファイバ増幅器用のカルコゲナイド光フ
ァイバ材料に関するものである。
ス、さらに詳細には希土類元素が添加された光ファイバ
レーザまたは光ファイバ増幅器用のカルコゲナイド光フ
ァイバ材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバのコアに希土類イオン
を添加した光ファイバレーザや光ファイバ増幅器の研究
開発が盛んに行なわれている。これは希土類イオンの４
ｆ殻内遷移による誘導放出遷移を利用したものであり、
希土類添加石英ファイバやフッ化物ファイバが増幅媒体
として用いられてきた。４ｆ殻内遷移による誘導放出の
量子効率は、レーザ始準位のエネルギーレベルとそのレ
ベル直下の位置するエネルギーレベルとのエネルギー間
隔によって決まる。これは、希土類が添加された母体の
格子振動による多音子放出によるためである。すなわ
ち、そのエネルギー間隔が狭いと多音子放出によるため
である。すなわち、そのエネルギー間隔が狭いと多音子
放出によるレーザ始準位からその直下のレベルへの無軸
射遷移による緩和が起こりやすく量子効率が低下してし
まう。このような多音子放出緩和による量子効率の低い
量子効率を改善するには希土類が添加される母体として
格子振動エネルギーの低いものを用いればよい。
を添加した光ファイバレーザや光ファイバ増幅器の研究
開発が盛んに行なわれている。これは希土類イオンの４
ｆ殻内遷移による誘導放出遷移を利用したものであり、
希土類添加石英ファイバやフッ化物ファイバが増幅媒体
として用いられてきた。４ｆ殻内遷移による誘導放出の
量子効率は、レーザ始準位のエネルギーレベルとそのレ
ベル直下の位置するエネルギーレベルとのエネルギー間
隔によって決まる。これは、希土類が添加された母体の
格子振動による多音子放出によるためである。すなわ
ち、そのエネルギー間隔が狭いと多音子放出によるため
である。すなわち、そのエネルギー間隔が狭いと多音子
放出によるレーザ始準位からその直下のレベルへの無軸
射遷移による緩和が起こりやすく量子効率が低下してし
まう。このような多音子放出緩和による量子効率の低い
量子効率を改善するには希土類が添加される母体として
格子振動エネルギーの低いものを用いればよい。
【０００３】格子振動エネルギーの低いファイバ素材と
してカルコゲナイドガラスが知られている。カルコゲナ
イドガラスの格子振動エネルギーは３００〜４００ｃｍ
-1であり、石英ガラスの格子振動エネルギー（１１００
ｃｍ-1）と比較すると３分の１から４分の１に近い値を
もち、またフッ化物ガラス（５００ｃｍ-1）と比較して
も２０％から７０％程度小さい値であるため、多音子放
出緩和による量子効率の低い遷移の量子効率を上げるに
は適したファイバ素材といえる。
してカルコゲナイドガラスが知られている。カルコゲナ
イドガラスの格子振動エネルギーは３００〜４００ｃｍ
-1であり、石英ガラスの格子振動エネルギー（１１００
ｃｍ-1）と比較すると３分の１から４分の１に近い値を
もち、またフッ化物ガラス（５００ｃｍ-1）と比較して
も２０％から７０％程度小さい値であるため、多音子放
出緩和による量子効率の低い遷移の量子効率を上げるに
は適したファイバ素材といえる。
【０００４】しかし、これまでファイバ化できる素材と
して知られているＡｓＳ系ガラスやＧｅＳ系ガラスへの
希土類の溶解度は低く、希土類を添加したカルコゲナイ
ドガラスファイバは得られていないというのが現状であ
る。
して知られているＡｓＳ系ガラスやＧｅＳ系ガラスへの
希土類の溶解度は低く、希土類を添加したカルコゲナイ
ドガラスファイバは得られていないというのが現状であ
る。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、従来のカルコゲナイド
ガラスの組成を改良し、希土類元素の添加が可能なガラ
スを実現するとともに、希土類添加カルコゲナイド光フ
ァイバを提供することにある。
ガラスの組成を改良し、希土類元素の添加が可能なガラ
スを実現するとともに、希土類添加カルコゲナイド光フ
ァイバを提供することにある。
【０００６】
【発明の特徴と従来技術との差異】上述の問題点を解決
するため、本発明による希土類添加カルコゲナイドガラ
スは、Ｓ、Ｓｅ元素を陰イオンとし、Ｇｅを陽イオンと
し、かつＡｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉの一種又
は二種の元素と希土類元素の少なくとも一種類以上を含
んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素を除い
た組成が ０＜Ａ2-XＳaＳｅb≦７５（モル％） ２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉの群より選択された一種または二種）であり、
Ａ2-XＳaＳｅb＋ＧｅＳa'Ｓｅb'＝１００モル％となる
範囲内にあることを特徴とする。
するため、本発明による希土類添加カルコゲナイドガラ
スは、Ｓ、Ｓｅ元素を陰イオンとし、Ｇｅを陽イオンと
し、かつＡｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉの一種又
は二種の元素と希土類元素の少なくとも一種類以上を含
んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素を除い
た組成が ０＜Ａ2-XＳaＳｅb≦７５（モル％） ２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉの群より選択された一種または二種）であり、
Ａ2-XＳaＳｅb＋ＧｅＳa'Ｓｅb'＝１００モル％となる
範囲内にあることを特徴とする。
【０００７】また、本発明によるカルコゲナイドガラス
は、Ｓ、Ｓｅ元素を陰イオンとし、ＧｅおよびＡｓを陽
イオンとし、かつＡｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ
のいずれか元素と少なくとも一種類以上の希土類元素を
含んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素を除
いたガラス成分Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ、Ｓｅ、Ａの割合が ０＜Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'≦７５（モル
％） ２５≦ＧｅＳa"Ｓｅb"≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、１≦
ａ”＋ｂ”≦５、−０．２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、
Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉのいずれか）であり、Ａ
ｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'＋ＧｅＳa"Ｓｅb"＋＝
１００モル％となる範囲内にあることを特徴とする。
は、Ｓ、Ｓｅ元素を陰イオンとし、ＧｅおよびＡｓを陽
イオンとし、かつＡｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ
のいずれか元素と少なくとも一種類以上の希土類元素を
含んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素を除
いたガラス成分Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ、Ｓｅ、Ａの割合が ０＜Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'≦７５（モル
％） ２５≦ＧｅＳa"Ｓｅb"≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、１≦
ａ”＋ｂ”≦５、−０．２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、
Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉのいずれか）であり、Ａ
ｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'＋ＧｅＳa"Ｓｅb"＋＝
１００モル％となる範囲内にあることを特徴とする。
【０００８】すなわち、本発明は、Ａｓ−Ｓ系、Ｇｅ−
Ｓ系、Ｇｅ−Ｓ−Ｓｅ系のカルコゲナイドガラスまたは
これらの２つ以上のガラス系の混合ガラスにＩｎ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｂｉ等の周期律表上のIIIb族、
Vb族の元素を添加することを最も主要な特徴とする。
Ｓ系、Ｇｅ−Ｓ−Ｓｅ系のカルコゲナイドガラスまたは
これらの２つ以上のガラス系の混合ガラスにＩｎ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｂｉ等の周期律表上のIIIb族、
Vb族の元素を添加することを最も主要な特徴とする。
【０００９】従来のＡｓ−Ｓ系、Ｇｅ−Ｓ系、Ｇｅ−Ｓ
−Ｓｅ系等のカルコゲナイドガラスへの希土類元素の溶
解度は低く、希土類元素をこれらガラスに添加すると希
土類の析出や析出相が核となった結晶化が起こり、透明
ガラスが得にくいという欠点があった。しかし、III
b族、またはVb族の元素をガラス成分に加えることによ
りカルコゲナイドガラス中への希土類元素の溶解を増加
させることができ、透過性の良好なファイバ用ガラス素
材が得られた。これは、IIIb族、Vb族の硫化物にＬｎ3+
（Ｌｎ：希土類）が添加されるとガラス中でIIIb族、Vb
族元素と共有結合をもたないＳ2-イオンが生じ、ガラス
形成に適したＡＳ4（Ａ：IIIb族、またはVb族元素）構
造と希土類（Ｌｎ3+）の位置エネルギーが低くなるイオ
ンサイトが同時に形成される。したがって、IIIb族、ま
たはVb族の硫化物を上記のカルコゲナイドガラスに添加
するとガラスが安定化すると共に、希土類の溶解度が上
がることになる。また、本発明により、従来知られてい
ないファイバ化可能な熱安定性に優れた希土類添加カル
コゲナイドガラスを量産化に適した溶融法により作製す
ることが可能になった。
−Ｓｅ系等のカルコゲナイドガラスへの希土類元素の溶
解度は低く、希土類元素をこれらガラスに添加すると希
土類の析出や析出相が核となった結晶化が起こり、透明
ガラスが得にくいという欠点があった。しかし、III
b族、またはVb族の元素をガラス成分に加えることによ
りカルコゲナイドガラス中への希土類元素の溶解を増加
させることができ、透過性の良好なファイバ用ガラス素
材が得られた。これは、IIIb族、Vb族の硫化物にＬｎ3+
（Ｌｎ：希土類）が添加されるとガラス中でIIIb族、Vb
族元素と共有結合をもたないＳ2-イオンが生じ、ガラス
形成に適したＡＳ4（Ａ：IIIb族、またはVb族元素）構
造と希土類（Ｌｎ3+）の位置エネルギーが低くなるイオ
ンサイトが同時に形成される。したがって、IIIb族、ま
たはVb族の硫化物を上記のカルコゲナイドガラスに添加
するとガラスが安定化すると共に、希土類の溶解度が上
がることになる。また、本発明により、従来知られてい
ないファイバ化可能な熱安定性に優れた希土類添加カル
コゲナイドガラスを量産化に適した溶融法により作製す
ることが可能になった。
【００１０】上述の本発明の第一の発明において、Ａ
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉの群より選択
された一種または二種であることができ、その割合は０
＜Ａ2- XＳaＳｅb≦７５（モル％）（したがって２５≦
ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００モル％）である。Ａ2-XＳaＳｅ
bが７５モル％を越えると、後述の実施例より明らかな
ように、ガラス化しにくい恐れを生じるからである。さ
らに、−０．２≦ｘ≦１．５の範囲である。この範囲を
逸脱すると、全体のガラスの安定性が悪化するからであ
る。
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉの群より選択
された一種または二種であることができ、その割合は０
＜Ａ2- XＳaＳｅb≦７５（モル％）（したがって２５≦
ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００モル％）である。Ａ2-XＳaＳｅ
bが７５モル％を越えると、後述の実施例より明らかな
ように、ガラス化しにくい恐れを生じるからである。さ
らに、−０．２≦ｘ≦１．５の範囲である。この範囲を
逸脱すると、全体のガラスの安定性が悪化するからであ
る。
【００１１】またＳ、Ｓｅの割合は、１≦ａ＋ｂ≦５、
１≦ａ’＋ｂ’≦５であるが、この範囲を逸脱すると、
同様に、全体のガラスの安定性が損なわれる恐れがあ
る。
１≦ａ’＋ｂ’≦５であるが、この範囲を逸脱すると、
同様に、全体のガラスの安定性が損なわれる恐れがあ
る。
【００１２】本発明における第二の発明においては、Ｇ
ｅ−Ａｓ系のガラスを対象とするものであり、この発明
においてはＡは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ
のいずれかであることができ、その割合は、Ａｓとの関
係において０＜Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'≦７
５（モル％）（したがって２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１０
０モル％）である。Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'
が７５モル％を越えると、後述の実施例より明らかなよ
うに、ガラス化しにくい恐れを生じるからである。さら
に、−０．２≦ｘ≦１．５の範囲である。この範囲を逸
脱すると、全体のガラスの安定性が悪化するからであ
る。
ｅ−Ａｓ系のガラスを対象とするものであり、この発明
においてはＡは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ
のいずれかであることができ、その割合は、Ａｓとの関
係において０＜Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'≦７
５（モル％）（したがって２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１０
０モル％）である。Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'
が７５モル％を越えると、後述の実施例より明らかなよ
うに、ガラス化しにくい恐れを生じるからである。さら
に、−０．２≦ｘ≦１．５の範囲である。この範囲を逸
脱すると、全体のガラスの安定性が悪化するからであ
る。
【００１３】またＳ、Ｓｅの割合は、１≦ａ＋ｂ≦５、
１≦ａ’＋ｂ’≦５、１≦ａ”＋ｂ”≦５であるが、こ
の範囲を逸脱すると、同様に、全体のガラスの安定性が
損なわれる恐れがある。
１≦ａ’＋ｂ’≦５、１≦ａ”＋ｂ”≦５であるが、こ
の範囲を逸脱すると、同様に、全体のガラスの安定性が
損なわれる恐れがある。
【００１４】希土類元素としては、Ｌａ、Ｐｒ、Ｃｅ、
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｙｂのうちの一種以上を挙げることができ
る。
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｙｂのうちの一種以上を挙げることができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により説明するが、本発明は実
施例により限定されるものではない。
施例により限定されるものではない。
【００１６】
【実施例１】 ０＜Ａ2-XＳaＳｅb≦７５（モル％） ２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉのいずれか）（各成分の合計は１００モル％）
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉのいずれか）（各成分の合計は１００モル％）
【００１７】の組成範囲に混合した原料にＰｒ2Ｓ3を加
え、石英アンプル中で１０００℃で４時間溶融した後、
空気中で石英アンプルを放冷してガラスを作製した。Ｐ
ｒの添加量（ｃ）が、０＜ｃ≦１重量％のときに均一度
の高いガラスが得られた。
え、石英アンプル中で１０００℃で４時間溶融した後、
空気中で石英アンプルを放冷してガラスを作製した。Ｐ
ｒの添加量（ｃ）が、０＜ｃ≦１重量％のときに均一度
の高いガラスが得られた。
【００１８】Ｐｒの添加原料としては、ＰｒＣｌ3、Ｐ
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてもガラス化することができ
た。また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＣｅ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔ
ｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１（ｃ：希土類元素添加量、以下同
じ）添加した場合でも透明ガラスを得ることができた。
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてもガラス化することができ
た。また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＣｅ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔ
ｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１（ｃ：希土類元素添加量、以下同
じ）添加した場合でも透明ガラスを得ることができた。
【００１９】
【実施例２】Ｓｂ2Ｓ3（２０）−ＧｅＳ2.5（８０モル
％）をコアガラスとしてＰｒを５００ｐｐｍ添加し、Ｓ
ｂ2Ｓ3（１０）−ＧｅＳ2.5（９０モル％）をクラッド
ガラスとして、ルツボ線引き法により、単一モード光フ
ァイバを作製し、１．３１μｍでの光増幅実験を行なっ
たところ、励起光２０ｍＷ（波長１．０２μｍ）で２０
ｄＢの利得が得られた。
％）をコアガラスとしてＰｒを５００ｐｐｍ添加し、Ｓ
ｂ2Ｓ3（１０）−ＧｅＳ2.5（９０モル％）をクラッド
ガラスとして、ルツボ線引き法により、単一モード光フ
ァイバを作製し、１．３１μｍでの光増幅実験を行なっ
たところ、励起光２０ｍＷ（波長１．０２μｍ）で２０
ｄＢの利得が得られた。
【００２０】実施例１で述べたようにＳｂの代わりにＡ
ｌ．Ｔｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｂｉ等をガラス成分として用い
てもファイバは実施例１で述べた組成範囲において作製
可能であり、利得を確認することができた。
ｌ．Ｔｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｂｉ等をガラス成分として用い
てもファイバは実施例１で述べた組成範囲において作製
可能であり、利得を確認することができた。
【００２１】
【実施例３】実施例２においてＰｒの代わりＤｙを添加
して単一モードファイバを作製し、波長１．０９μｍで
励起したところ、１００ｍＷの励起で１．３４μｍにお
いて１０ｄＢの利得が得られた。
して単一モードファイバを作製し、波長１．０９μｍで
励起したところ、１００ｍＷの励起で１．３４μｍにお
いて１０ｄＢの利得が得られた。
【００２２】
【実施例４】０＜（Ｇａ2Ｓ3＋Ｓｂ2Ｓ3）または（Ｓｂ
2Ｓ3＋Ｉｎ2Ｓ3）または（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｇａ2Ｓ3）または
（Ｓｂ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）または（Ｇａ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）
または（Ｉｎ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）または（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｔｌ
2Ｓ3）または（Ｇａ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）または（Ｇａ2Ｓ3
＋Ｔｌ2Ｓ3）または（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）または（Ｓ
ｂ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）または（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｇａ2Ｓ3）また
は（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）≦７５（モル％）
2Ｓ3＋Ｉｎ2Ｓ3）または（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｇａ2Ｓ3）または
（Ｓｂ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）または（Ｇａ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）
または（Ｉｎ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）または（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｔｌ
2Ｓ3）または（Ｇａ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）または（Ｇａ2Ｓ3
＋Ｔｌ2Ｓ3）または（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）または（Ｓ
ｂ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）または（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｇａ2Ｓ3）また
は（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）≦７５（モル％）
【００２３】２５≦ＧｅＳa'≦１００（モル％） （１
≦ａ’≦５）
≦ａ’≦５）
【００２４】の組成範囲に混合した原料（各成分の合計
は１００モル％）にＰｒ2Ｓ3を加え、石英アンプル中で
１０００℃で４時間溶融した後、空気中で石英アンプル
を放冷してガラスを作製した。Ｐｒの添加量（ｃ）が、
０＜ｃ≦１重量％のときに均一度の高いガラスが得られ
た。
は１００モル％）にＰｒ2Ｓ3を加え、石英アンプル中で
１０００℃で４時間溶融した後、空気中で石英アンプル
を放冷してガラスを作製した。Ｐｒの添加量（ｃ）が、
０＜ｃ≦１重量％のときに均一度の高いガラスが得られ
た。
【００２５】Ｐｒの添加原料としては、ＰｒＣｌ3、Ｐ
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてもガラス化することができ
た。また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＬａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１添加した場合でも透明ガラ
スを得ることができた。
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてもガラス化することができ
た。また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＬａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１添加した場合でも透明ガラ
スを得ることができた。
【００２６】
【実施例５】Ｓｂ2Ｓ3（１０）−Ｇａ2Ｓ3（１０）−Ｇ
ｅＳ2.5（８０モル％）をコアガラスとしてＰｒを５０
０ｐｐｍ添加し、Ｓｂ2Ｓ3（１０）−ＧｅＳ2.5（９０
モル％）をクラッドガラスとして、ルツボ線引き法によ
り、単一モード光ファイバを作製し、１．３１μｍでの
光増幅実験を行なったところ、励起光２０ｍＷ（波長
１．０２μｍ）で２０ｄＢの利得が得られた。
ｅＳ2.5（８０モル％）をコアガラスとしてＰｒを５０
０ｐｐｍ添加し、Ｓｂ2Ｓ3（１０）−ＧｅＳ2.5（９０
モル％）をクラッドガラスとして、ルツボ線引き法によ
り、単一モード光ファイバを作製し、１．３１μｍでの
光増幅実験を行なったところ、励起光２０ｍＷ（波長
１．０２μｍ）で２０ｄＢの利得が得られた。
【００２７】実施例４で述べたように、ＧｅＳa'以外の
成分としては（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｉｎ2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｇ
ａ2Ｓ3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）、（Ｇａ2Ｓ3＋Ａｌ
2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｔｌ2
Ｓ3）、（Ｇａ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ
3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｂｉ
2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）をガラス成分として加
えても、ファイバは実施例４で述べた組成範囲において
作製可能であり、利得を確認することができた。
成分としては（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｉｎ2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｇ
ａ2Ｓ3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）、（Ｇａ2Ｓ3＋Ａｌ
2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｔｌ2
Ｓ3）、（Ｇａ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ
3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）、（Ｓｂ2Ｓ3＋Ｂｉ
2Ｓ3）、（Ｉｎ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）をガラス成分として加
えても、ファイバは実施例４で述べた組成範囲において
作製可能であり、利得を確認することができた。
【００２８】
【実施例６】実施例１において、ＧｅＳa'の代わりにＧ
ｅＳa'Ｓｅb'を用いて、
ｅＳa'Ｓｅb'を用いて、
【００２９】０＜Ａ2-XＳaＳｅb≦７５（モル％） ２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉのいずれか）
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉのいずれか）
【００３０】の組成範囲に混合した原料（各成分の合計
は１００モル％）にＰｒ2Ｓ3を加え、石英アンプル中で
１０００℃で４時間溶融した後、空気中で石英アンプル
を放冷してガラスを作製した。Ｐｒの添加量（ｃ）が０
＜ｃ≦１重量％のときに均一度の高いガラスが得られ
た。
は１００モル％）にＰｒ2Ｓ3を加え、石英アンプル中で
１０００℃で４時間溶融した後、空気中で石英アンプル
を放冷してガラスを作製した。Ｐｒの添加量（ｃ）が０
＜ｃ≦１重量％のときに均一度の高いガラスが得られ
た。
【００３１】Ｐｒの添加原料としては、ＰｒＣｌ3、Ｐ
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてもガラス化することができ
た。また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＬａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１添加した場合でも透明ガラ
スを得ることができた。
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてもガラス化することができ
た。また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＬａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１添加した場合でも透明ガラ
スを得ることができた。
【００３２】
【実施例７】Ｇａ2Ｓ3（２０）−ＧｅＳ3.5Ｓｅ0.5（８
０モル％）をコアガラスとしてＰｒを５００ｐｐｍ添加
し、Ｇａ2Ｓ3（１０）−ＧｅＳ3.5Ｓｅ0.5（９０モル
％）をクラッドガラスとしてルツボ線引き法により単一
モード光ファイバを作製し、１．３１μｍでの光増幅実
験を行なったところ、励起光２０ｍＷ（波長１．０２μ
ｍ）で２０ｄＢの利得が得られた。
０モル％）をコアガラスとしてＰｒを５００ｐｐｍ添加
し、Ｇａ2Ｓ3（１０）−ＧｅＳ3.5Ｓｅ0.5（９０モル
％）をクラッドガラスとしてルツボ線引き法により単一
モード光ファイバを作製し、１．３１μｍでの光増幅実
験を行なったところ、励起光２０ｍＷ（波長１．０２μ
ｍ）で２０ｄＢの利得が得られた。
【００３３】実施例６で述べたように、Ｇａの代わりに
Ａｌ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｒ等をガラス成分として用
いてもファイバは実施例６で述べた組成範囲において作
製可能であり、利得を確認することができた。
Ａｌ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｒ等をガラス成分として用
いてもファイバは実施例６で述べた組成範囲において作
製可能であり、利得を確認することができた。
【００３４】
【実施例８】０＜（Ａｓ2Ｓ3＋Ａｌ2Ｓ3）または（Ａｓ
2Ｓ3＋Ｇａ2Ｓ3）または（Ａｓ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）または
（Ａｓ2＋Ｉｎ2Ｓ3）または（Ａｓ2Ｓ3＋Ｓｂ2Ｓ3）ま
たは（Ａｓ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）≦７５（モル％）
2Ｓ3＋Ｇａ2Ｓ3）または（Ａｓ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）または
（Ａｓ2＋Ｉｎ2Ｓ3）または（Ａｓ2Ｓ3＋Ｓｂ2Ｓ3）ま
たは（Ａｓ2Ｓ3＋Ｂｉ2Ｓ3）≦７５（モル％）
【００３５】２５≦ＧｅＳa"またはＧｅ（Ｓa"Ｓｅb"）
ｘ≦１００（モル％） （１≦ａ”またはａ”＋ｂ”≦
５）
ｘ≦１００（モル％） （１≦ａ”またはａ”＋ｂ”≦
５）
【００３６】の組成範囲に混合した原料（各成分の合計
は１００モル％）にＰｒ2Ｓ3を加え、石英アンプル中で
１０００℃で４時間溶融した後、空気中で石英アンプル
を放冷してガラスを作製した。Ｐｒの添加量（ｃ）が、
０＜ｃ≦１重量％のときに均一度の高いガラスが得られ
た。
は１００モル％）にＰｒ2Ｓ3を加え、石英アンプル中で
１０００℃で４時間溶融した後、空気中で石英アンプル
を放冷してガラスを作製した。Ｐｒの添加量（ｃ）が、
０＜ｃ≦１重量％のときに均一度の高いガラスが得られ
た。
【００３７】Ｐｒの添加原料としては、ＰｒＣｌ3、Ｐ
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてガラス化することができた。
また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＬａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔ
ｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１添加した場合でも透明ガラスを得
ることができた。
ｒＢｒ3、ＰｒＩ3を用いてガラス化することができた。
また、希土類元素としては、Ｐｒ以外にＬａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔ
ｍ、Ｙｂを０＜ｃ≦１添加した場合でも透明ガラスを得
ることができた。
【００３８】以上の実施例では希土類添加濃度を１重量
％以下としたが、これに限定されるものではない。つま
り、ガラスを溶融後、急冷すれば１重量％以上の希土類
元素の添加も可能である。
％以下としたが、これに限定されるものではない。つま
り、ガラスを溶融後、急冷すれば１重量％以上の希土類
元素の添加も可能である。
【００３９】実施冷１、４、６、８で述べたカルコゲナ
イドガラスにＰｒを５００ｐｐｍ添加したガラスをコア
ガラスとし、クラッドガラスとしてＺｒＦ4系フッ化物
ガラス（"Fluoride glass fiber optics" l. Aggarwal
編集 Academic Press 1991参照）、リン酸ガラスまたは
鉛ガラス（”ガラスハンドブック”作花他編集、朝倉書
店、昭和５０年）、またはカルコゲナイドガラスをクラ
ッドガラスとしてロッドインチューブ法によりコア径２
μｍのファイバを作製した。このファイバ２０ｍを増幅
用ファイバとして１．３μｍ帯の光増幅を行なったとこ
ろ、１．０２μｍの励起光２０ｍＷで２０ｄＢ以上の信
号利益を得ることができた。
イドガラスにＰｒを５００ｐｐｍ添加したガラスをコア
ガラスとし、クラッドガラスとしてＺｒＦ4系フッ化物
ガラス（"Fluoride glass fiber optics" l. Aggarwal
編集 Academic Press 1991参照）、リン酸ガラスまたは
鉛ガラス（”ガラスハンドブック”作花他編集、朝倉書
店、昭和５０年）、またはカルコゲナイドガラスをクラ
ッドガラスとしてロッドインチューブ法によりコア径２
μｍのファイバを作製した。このファイバ２０ｍを増幅
用ファイバとして１．３μｍ帯の光増幅を行なったとこ
ろ、１．０２μｍの励起光２０ｍＷで２０ｄＢ以上の信
号利益を得ることができた。
【００４０】Ｐｒの代わりにＣｅ（５μｍのレーザ発
振）、Ｎｄ（１．０８μｍ、１．３８μｍ、２．５μ
ｍ、５μｍのレーザ発振）、Ｓｍ（０．５９μｍのレー
ザ発振）、Ｅｕ（０．６１μｍのレーザ発振）、Ｔｂ
（０．５４μｍのレーザ発振）、Ｄｙ（３μｍ、４．２
μｍのレーザ発振）、Ｈｏ（２μｍのレーザ発振）、Ｅ
ｒ（１．５μｍ、２．７μｍのレーザ発振）、Ｔｍ
（１．９μｍ、２．２μｍのレーザ発振）、Ｙｂ（１μ
ｍのレーザ発振）、Ｄｙ（１．３４μｍ）を添加したカ
ルコゲナイドガラスをコアとしてそれぞれの波長で発振
するファイバレーザおよびファイバ増幅器を構成するこ
とができた。
振）、Ｎｄ（１．０８μｍ、１．３８μｍ、２．５μ
ｍ、５μｍのレーザ発振）、Ｓｍ（０．５９μｍのレー
ザ発振）、Ｅｕ（０．６１μｍのレーザ発振）、Ｔｂ
（０．５４μｍのレーザ発振）、Ｄｙ（３μｍ、４．２
μｍのレーザ発振）、Ｈｏ（２μｍのレーザ発振）、Ｅ
ｒ（１．５μｍ、２．７μｍのレーザ発振）、Ｔｍ
（１．９μｍ、２．２μｍのレーザ発振）、Ｙｂ（１μ
ｍのレーザ発振）、Ｄｙ（１．３４μｍ）を添加したカ
ルコゲナイドガラスをコアとしてそれぞれの波長で発振
するファイバレーザおよびファイバ増幅器を構成するこ
とができた。
【００４１】
【実施例９】Ａｓ2Ｓ3（２０）−Ａｌ2Ｓ3（３）−Ｇｅ
Ｓ2（７７モル％）をコアガラスとしてＰｒを５００ｐ
ｐｍ添加し、Ａｓ2Ｓ3（１０）−Ａｌ2Ｓ3（３）−Ｇｅ
Ｓ2（８７モル％）をクラッドガラスとしてルツボ線引
き法により単一モード光ファイバを作製し、１．３１μ
ｍでの光増幅実験を行なったところ、励起光２０ｍＷ
（波長１．０２μｍ）で２０ｄＢの利得が得られた。
Ｓ2（７７モル％）をコアガラスとしてＰｒを５００ｐ
ｐｍ添加し、Ａｓ2Ｓ3（１０）−Ａｌ2Ｓ3（３）−Ｇｅ
Ｓ2（８７モル％）をクラッドガラスとしてルツボ線引
き法により単一モード光ファイバを作製し、１．３１μ
ｍでの光増幅実験を行なったところ、励起光２０ｍＷ
（波長１．０２μｍ）で２０ｄＢの利得が得られた。
【００４２】実施例６で述べたように、Ｇａの代わりに
Ａｌ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｒ等をガラス成分として用
いてもファイバは実施例６で述べた組成範囲において作
製可能であり、利得が得られた。
Ａｌ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｒ等をガラス成分として用
いてもファイバは実施例６で述べた組成範囲において作
製可能であり、利得が得られた。
【００４３】実施例８で述べたように、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｇ
ａ2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｉｎ
2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｓｂ2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｂｉ2
Ｓ3）をガラス成分として加えても、ファイバは実施例
８で述べた組成範囲において作製可能であり、利得を確
認することができた。
ａ2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｔｌ2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｉｎ
2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｓｂ2Ｓ3）、（Ａｓ2Ｓ3＋Ｂｉ2
Ｓ3）をガラス成分として加えても、ファイバは実施例
８で述べた組成範囲において作製可能であり、利得を確
認することができた。
【００４４】実施例１、４、６、８で述べた組成領域で
は、臨界冷却速度（参考文献：J.M.Barandiaran and J.
Colmenero J. Non-Cryst. Sobds. vol. 46 (1981) p.2
77）（小さいほどガラスが安定なことを表わす）は、３
００Ｋ／ｍｉｎになり、ファイバガラスとして用いるこ
とができる。しかし、外側の組成領域では、３００Ｋ／
ｍｉｎ以上になり、ファイバガラスとして用いることは
困難になる。
は、臨界冷却速度（参考文献：J.M.Barandiaran and J.
Colmenero J. Non-Cryst. Sobds. vol. 46 (1981) p.2
77）（小さいほどガラスが安定なことを表わす）は、３
００Ｋ／ｍｉｎになり、ファイバガラスとして用いるこ
とができる。しかし、外側の組成領域では、３００Ｋ／
ｍｉｎ以上になり、ファイバガラスとして用いることは
困難になる。
【００４５】したがって、ファイバアンプまたはファイ
バレーザのホスト用いる場合には実施例１、４、６、８
で述べた組成領域が適している。
バレーザのホスト用いる場合には実施例１、４、６、８
で述べた組成領域が適している。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、格子
振動エネルギーの小さなカルコゲナイドガラスを母体と
した希土類添加ガラスを提供することができ、このガラ
スを希土類添加光ファイバのコア素材として用いれば、
希土類元素の４ｆ殻内遷移の量子効果を飛躍的に高めた
高効率なファイバレーザまたはファイバ増幅器を構成す
ることができる。特に希土類元素のうち、Ｐｒを添加し
たカルコゲナイドガラスをコア素材として用いれば、将
来的には１．３μｍ溶の光ファイバ増幅器用のファイバ
として現在使用されているＰｒ添加ファイバよりも量子
効率が１０倍以上高いＰｒ添加ファイバを得ることがで
き、高効率な１．３μｍ帯光ファイバ増幅器を構成でき
るという利点がある。
振動エネルギーの小さなカルコゲナイドガラスを母体と
した希土類添加ガラスを提供することができ、このガラ
スを希土類添加光ファイバのコア素材として用いれば、
希土類元素の４ｆ殻内遷移の量子効果を飛躍的に高めた
高効率なファイバレーザまたはファイバ増幅器を構成す
ることができる。特に希土類元素のうち、Ｐｒを添加し
たカルコゲナイドガラスをコア素材として用いれば、将
来的には１．３μｍ溶の光ファイバ増幅器用のファイバ
として現在使用されているＰｒ添加ファイバよりも量子
効率が１０倍以上高いＰｒ添加ファイバを得ることがで
き、高効率な１．３μｍ帯光ファイバ増幅器を構成でき
るという利点がある。
【００４７】また、光ファイバ増幅器以外にも、Ｔｍや
Ｅｒなどを添加したカルコゲナイドガラスを用いれば高
効率なアップコンバージョンファイバレーザ等を構成で
きるという利点もある
Ｅｒなどを添加したカルコゲナイドガラスを用いれば高
効率なアップコンバージョンファイバレーザ等を構成で
きるという利点もある
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須藤 昭一 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】Ｓ、Ｓｅ元素を陰イオンとし、Ｇｅを陽イ
オンとし、かつＡｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉの
一種又は二種の元素と希土類元素の少なくとも一種類以
上を含んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土類元素
を除いた組成が ０＜Ａ2-XＳaＳｅb≦７５（モル％） ２５≦ＧｅＳa'Ｓｅb'≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、−０．
２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｂｉの群より選択された一種または二種）であり、
Ａ2-XＳaＳｅb＋ＧｅＳa'Ｓｅb'＝１００モル％となる
範囲内にあることを特徴とするカルコゲナイドガラス。 - 【請求項２】 Ｓ、Ｓｅ元素を陰イオンとし、Ｇｅおよ
びＡｓを陽イオンとし、かつＡｌ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、
Ｓｂ、Ｂｉのいずれか元素と少なくとも一種類以上の希
土類元素を含んだカルコゲナイドガラスにおいて、希土
類元素を除いたガラス成分Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ、Ｓｅ、Ａの
割合が、 ０＜Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'≦７５（モル
％） ２５≦ＧｅＳa"Ｓｅb"≦１００（モル％） （ただし１≦ａ＋ｂ≦５、１≦ａ’＋ｂ’≦５、１≦
ａ”＋ｂ”≦５、−０．２≦ｘ≦１．５、Ａは、Ａｌ、
Ｇａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉのいずれか）であり、Ａ
ｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳa'Ｓｅb'＋ＧｅＳa"Ｓｅb"＋＝
１００モル％となる範囲内にあることを特徴とするカル
コゲナイドガラス。であり、Ａｓ2-XＳaＳｅb＋Ａ2-XＳ
a'Ｓｅb'＋ＧｅＳa"Ｓｅb"＝１００モル％となる範囲内
にあることを特徴とするカルコゲナイドガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27311893A JPH07101749A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | カルコゲナイドガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27311893A JPH07101749A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | カルコゲナイドガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07101749A true JPH07101749A (ja) | 1995-04-18 |
Family
ID=17523386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27311893A Pending JPH07101749A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | カルコゲナイドガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101749A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764661A (en) * | 1994-11-24 | 1998-06-09 | Hoya Corporation | Laser glasses and laser glass fibers |
| JP2012148975A (ja) * | 2005-04-13 | 2012-08-09 | Corning Inc | 低粘度押出成形および射出成形のためのカルコゲナイドガラス |
| JP2015521148A (ja) * | 2012-04-20 | 2015-07-27 | ショット コーポレーションＳｃｈｏｔｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 近赤外スペクトル、中赤外スペクトル及び遠赤外スペクトルにおいて透過するレンズの色光学収差及び熱光学収差を補正するガラス |
| JP2018177555A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | 日本電気硝子株式会社 | カルコゲナイドガラス |
-
1993
- 1993-10-05 JP JP27311893A patent/JPH07101749A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764661A (en) * | 1994-11-24 | 1998-06-09 | Hoya Corporation | Laser glasses and laser glass fibers |
| JP2012148975A (ja) * | 2005-04-13 | 2012-08-09 | Corning Inc | 低粘度押出成形および射出成形のためのカルコゲナイドガラス |
| JP2015521148A (ja) * | 2012-04-20 | 2015-07-27 | ショット コーポレーションＳｃｈｏｔｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 近赤外スペクトル、中赤外スペクトル及び遠赤外スペクトルにおいて透過するレンズの色光学収差及び熱光学収差を補正するガラス |
| US10294143B2 (en) | 2012-04-20 | 2019-05-21 | Schott Corporation | Glasses for the correction of chromatic and thermal optical aberations for lenses transmitting in the near, mid, and far-infrared spectrums |
| JP2018177555A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | 日本電気硝子株式会社 | カルコゲナイドガラス |
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