JPH07103460B2 - ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 - Google Patents
ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH07103460B2 JPH07103460B2 JP11765790A JP11765790A JPH07103460B2 JP H07103460 B2 JPH07103460 B2 JP H07103460B2 JP 11765790 A JP11765790 A JP 11765790A JP 11765790 A JP11765790 A JP 11765790A JP H07103460 B2 JPH07103460 B2 JP H07103460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- film
- composite film
- mask
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は優れた可視光透過率を有し、耐高エネルギービ
ーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平滑で、傷、ピン
ホールのないSiC/Si3N4複合膜の製造方法およびこれを
Ｘ線透過膜とするＸ線リソグラフィー用マスクの製造方
法に関するものである。
ーム照射性、耐薬品性、耐湿性および平滑で、傷、ピン
ホールのないSiC/Si3N4複合膜の製造方法およびこれを
Ｘ線透過膜とするＸ線リソグラフィー用マスクの製造方
法に関するものである。
（従来の技術） Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜（メンブレ
ン）に要求される重要な性能としては （１）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な光エネルギービームの照射に耐える材料であること。
ン）に要求される重要な性能としては （１）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な光エネルギービームの照射に耐える材料であること。
（２）50％以上の高い可視光透過率を有し、高精度なア
ライメント（位置合せ）ができること。
ライメント（位置合せ）ができること。
（３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチング工程
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
や洗浄工程で損傷されにくいこと。
（４）メンブレンの表面が平滑で、傷やピンホールが無
いこと。等が挙げられる。
いこと。等が挙げられる。
従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクのＸ線透過膜の素材
としては、BN、Si3N4、SiC等の材料が提案されている
が、いずれも一長一短があり、前記した様な性能を全て
満足するものは得られていない。例えば、BNは良好な可
視光透過率を有するが、耐高エネルギービーム性及び耐
薬品性が不充分であり、Si3N4は耐薬品性及び耐湿性が
充分でなく、SiCの場合は可視光透過率が不充分である
等の欠点を有していた。
としては、BN、Si3N4、SiC等の材料が提案されている
が、いずれも一長一短があり、前記した様な性能を全て
満足するものは得られていない。例えば、BNは良好な可
視光透過率を有するが、耐高エネルギービーム性及び耐
薬品性が不充分であり、Si3N4は耐薬品性及び耐湿性が
充分でなく、SiCの場合は可視光透過率が不充分である
等の欠点を有していた。
（発明が解決しようとする課題） 本発明者等は先に特願昭１−19277号および特願平１−3
39094号において、これらの欠点を解決するものとし
て、SiCとSi3N4よりなる２成分系複合膜が優れた諸特性
を有しており、SiCとSi3N4よりなるターゲットを用いて
スパッター法により成膜する方法を提案したが、耐高エ
ネルギービーム性の点では充分満足できるものではなか
った。また、この方法では任意のSiCとSi3N4の組成比の
複合膜を得るためにはそれぞれの組成比のターゲットを
基準する必要があった。一方、他の方法として、シリコ
ンよりなるターゲットを用いて、CH4、C2H6、C3H8、CH2
＝CH2、CH3−CH＝CH2等の炭素源となるガスと、N2、N
2O、NH3等の窒素源となるガスの同伴気流下でスパッタ
ーを行なう反応性スパッター法がある。しかしこの方法
では水素およびN2Oを用いた場合は酸素が成膜後の膜中
に不純物として含有される。水素や酸素が膜中に存在す
ると高エネルギービームの照射によりこれらの水素や酸
素が膜中より離脱し、その結果ピンホール、歪みの発
生、透明性の低下等の不利、欠陥を引き起こすことがあ
った。従って、本発明が解決しようとする課題は、この
ような不利、欠陥を解決したSiCとSi3N4よりなる複合膜
を基板上に成膜する方法およびこの薄膜をＸ線透過膜と
した優れた耐高エネルギービーム性を有するＸ線リソグ
ラフィー用マスクを得ることにある。
39094号において、これらの欠点を解決するものとし
て、SiCとSi3N4よりなる２成分系複合膜が優れた諸特性
を有しており、SiCとSi3N4よりなるターゲットを用いて
スパッター法により成膜する方法を提案したが、耐高エ
ネルギービーム性の点では充分満足できるものではなか
った。また、この方法では任意のSiCとSi3N4の組成比の
複合膜を得るためにはそれぞれの組成比のターゲットを
基準する必要があった。一方、他の方法として、シリコ
ンよりなるターゲットを用いて、CH4、C2H6、C3H8、CH2
＝CH2、CH3−CH＝CH2等の炭素源となるガスと、N2、N
2O、NH3等の窒素源となるガスの同伴気流下でスパッタ
ーを行なう反応性スパッター法がある。しかしこの方法
では水素およびN2Oを用いた場合は酸素が成膜後の膜中
に不純物として含有される。水素や酸素が膜中に存在す
ると高エネルギービームの照射によりこれらの水素や酸
素が膜中より離脱し、その結果ピンホール、歪みの発
生、透明性の低下等の不利、欠陥を引き起こすことがあ
った。従って、本発明が解決しようとする課題は、この
ような不利、欠陥を解決したSiCとSi3N4よりなる複合膜
を基板上に成膜する方法およびこの薄膜をＸ線透過膜と
した優れた耐高エネルギービーム性を有するＸ線リソグ
ラフィー用マスクを得ることにある。
（課題を解決するための手段） 本発明者等はかヽる課題を解決するためにSi基板上に成
膜するＸ線透過膜の材料の選択、適性な各種物性を有す
るメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したもので、その要旨は次の通りであ
る。
膜するＸ線透過膜の材料の選択、適性な各種物性を有す
るメンブレンの成膜条件の探索に鋭意検討を重ねた結
果、本発明に到達したもので、その要旨は次の通りであ
る。
SiCとシリコン（Si）よりなるターゲットを用い、N2ガ
ス気流下でスパッター法にて基板上にSiCとSi3N4よりな
る複合膜を成膜することを特徴とする複合薄膜の製造方
法を第１の発明とし、得られる複合薄膜のSiCとSi3N4の
モル比が95:5〜30:70であることを特徴とする複合薄膜
の製造方法を第２の発明とし、次いでこの複合薄膜をＸ
線透過膜として用いてなるＸ線リソグラフィー用マスク
の製造方法を第３の発明とするものである。以下、本発
明を詳細に説明する。
ス気流下でスパッター法にて基板上にSiCとSi3N4よりな
る複合膜を成膜することを特徴とする複合薄膜の製造方
法を第１の発明とし、得られる複合薄膜のSiCとSi3N4の
モル比が95:5〜30:70であることを特徴とする複合薄膜
の製造方法を第２の発明とし、次いでこの複合薄膜をＸ
線透過膜として用いてなるＸ線リソグラフィー用マスク
の製造方法を第３の発明とするものである。以下、本発
明を詳細に説明する。
先ず、Ｘ線透過膜の薄膜材料としてはSiCとSi3N4よりな
る２成分系複合膜が１成分系よりも各物性において優れ
た性能を持つことが判り、その成分割合はモル比で95:5
〜30:70の範囲が良い。SiCが95より多くなると、可視光
透過率がSiC単独と同等の低い値を示し、逆に、SiCが30
より少くなると、耐薬品性がSi3N4単独と同等の不充分
な性能を示すので好ましくない。従って、好適なモル比
としては、80:20〜40:60である。生成した薄膜の引張応
力は１×108〜１×1010dyne/cm2であることが必要で、
１×108dyne/cm2以下であるとメンブレン化した時にし
わが発生し易く、また、１×1010dyne/cm2以上になると
メンブレンが破壊しやすい。好適な引張応力としては５
×108〜５×109dyne/cm2である。
る２成分系複合膜が１成分系よりも各物性において優れ
た性能を持つことが判り、その成分割合はモル比で95:5
〜30:70の範囲が良い。SiCが95より多くなると、可視光
透過率がSiC単独と同等の低い値を示し、逆に、SiCが30
より少くなると、耐薬品性がSi3N4単独と同等の不充分
な性能を示すので好ましくない。従って、好適なモル比
としては、80:20〜40:60である。生成した薄膜の引張応
力は１×108〜１×1010dyne/cm2であることが必要で、
１×108dyne/cm2以下であるとメンブレン化した時にし
わが発生し易く、また、１×1010dyne/cm2以上になると
メンブレンが破壊しやすい。好適な引張応力としては５
×108〜５×109dyne/cm2である。
次に、SiC/Si3N4複合膜の造方法について述べる。
本発明の反応性スパッター法で成膜を行なうと、N2ガス
の流量を制御することによりSiCとSi3N4の成分比を大巾
に変えることが可能であり、しかも膜中に水素や酸素を
有しない為に高エネルギービームを照射しても、ピンホ
ール、歪み等の発生や透明性の低下等のトラブルがな
い。
の流量を制御することによりSiCとSi3N4の成分比を大巾
に変えることが可能であり、しかも膜中に水素や酸素を
有しない為に高エネルギービームを照射しても、ピンホ
ール、歪み等の発生や透明性の低下等のトラブルがな
い。
本発明で採用した反応性スパッター法としては、一般に
使用されているコンベンショナルスパッター法で行なう
が、好ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグネ
トロンスパッター法を用いるのが良い。
使用されているコンベンショナルスパッター法で行なう
が、好ましくは量産性の観点より成膜速度の速いマグネ
トロンスパッター法を用いるのが良い。
本発明の必須要件であるターゲットはSiCとシリコン（S
i）の２成分からなり、この組成比については、生成す
る複合膜中のSiCとSiとのモル比が95:5〜30:70になる様
に予備試験を行なって決定する。これはスパッターの成
膜条件であるN2ガスの流量、スパッター温度、スパッタ
ー印加電力等により、同一組成比のターゲットを用いて
も得られる複合膜のSiCとSi3N4の組成比が全く同一にな
らないからである。しかし予め設定する値としてはSiC
とSiをモル比で84:16〜12:88とするのが良い。ターゲッ
トの原料であるシリコンは、シリコン単結晶、ポリシリ
コン、アモルファスシリコン等が挙げられるが、SiH等
を含まず、しかも容易に入手可能なシリコン単結晶が好
ましい。
i）の２成分からなり、この組成比については、生成す
る複合膜中のSiCとSiとのモル比が95:5〜30:70になる様
に予備試験を行なって決定する。これはスパッターの成
膜条件であるN2ガスの流量、スパッター温度、スパッタ
ー印加電力等により、同一組成比のターゲットを用いて
も得られる複合膜のSiCとSi3N4の組成比が全く同一にな
らないからである。しかし予め設定する値としてはSiC
とSiをモル比で84:16〜12:88とするのが良い。ターゲッ
トの原料であるシリコンは、シリコン単結晶、ポリシリ
コン、アモルファスシリコン等が挙げられるが、SiH等
を含まず、しかも容易に入手可能なシリコン単結晶が好
ましい。
SiCは純度が99％以上、好ましくは99.9％以上のものが
高純度複合薄膜を得る上からは望ましい。この２成分の
他に微量のＢやSi3N4を複合膜の性能を損なわない程度
含有していても良い。この２成分系ターゲットはグラフ
ァイトとシリコンを所定量均一に混合してホットプレス
により成形し、焼結して製造すれば良く、また各成分単
独のターゲットを組合せて通常ピンホール型、分割型等
と呼ばれている１つの複合ターゲットとしても良い。基
板は通常シリコンウェハを用いる。Si基板の温度につい
ては特に制限はないが、100〜1,000℃の範囲が生成した
膜の欠陥やピンホールが少ないので好ましい。ターゲッ
トに印加する電力は、5W/cm2以上ならば、得られる膜の
応力が引張応力となるので好ましい。印加電力が高い
程、成膜速度は増加するので有利である。
高純度複合薄膜を得る上からは望ましい。この２成分の
他に微量のＢやSi3N4を複合膜の性能を損なわない程度
含有していても良い。この２成分系ターゲットはグラフ
ァイトとシリコンを所定量均一に混合してホットプレス
により成形し、焼結して製造すれば良く、また各成分単
独のターゲットを組合せて通常ピンホール型、分割型等
と呼ばれている１つの複合ターゲットとしても良い。基
板は通常シリコンウェハを用いる。Si基板の温度につい
ては特に制限はないが、100〜1,000℃の範囲が生成した
膜の欠陥やピンホールが少ないので好ましい。ターゲッ
トに印加する電力は、5W/cm2以上ならば、得られる膜の
応力が引張応力となるので好ましい。印加電力が高い
程、成膜速度は増加するので有利である。
スパッター時に使用するガスは純度99％以上、好ましく
は99.9％以上のN2ガスが望ましく、安定なプラズマ状態
を保つ目的でアルゴンやキセノンなどの不活性ガスを同
伴することが望ましい。スパッター圧力は、特に制限は
ないが、１×10-2〜１×10-1トールが好ましい。なお、
スパッター圧力は成膜後の膜の応力値に大きな影響を及
ぼすため、ターゲットの組成も含めたスパッターの条件
下で、所定の引張応力となるようなスパッター圧力を設
定することが必要である。以下、実施例と比較列によっ
て本発明の具体的態様を説明するが、本発明はこれらに
よって限定されるものではない。尚、得られた複合薄膜
の物性測定、評価方法は次の通りである。
は99.9％以上のN2ガスが望ましく、安定なプラズマ状態
を保つ目的でアルゴンやキセノンなどの不活性ガスを同
伴することが望ましい。スパッター圧力は、特に制限は
ないが、１×10-2〜１×10-1トールが好ましい。なお、
スパッター圧力は成膜後の膜の応力値に大きな影響を及
ぼすため、ターゲットの組成も含めたスパッターの条件
下で、所定の引張応力となるようなスパッター圧力を設
定することが必要である。以下、実施例と比較列によっ
て本発明の具体的態様を説明するが、本発明はこれらに
よって限定されるものではない。尚、得られた複合薄膜
の物性測定、評価方法は次の通りである。
（複合薄膜物性測定、評価方法） 成膜速度：シリコン基板の表面の１部をステンレス板
でマスクして、一定時間スパッターを行なって成膜後、
該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の境
界の段差をサーフコーダSE−30C（小坂研究所製商品
名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した。
でマスクして、一定時間スパッターを行なって成膜後、
該ステンレスマスクを取り除き、未成膜面と成膜面の境
界の段差をサーフコーダSE−30C（小坂研究所製商品
名）にて測定して膜厚を求め、成膜速度を算出した。
引張応力：シリコンウェハの成膜前と成膜後のそりの
変化量より応力値を算出した。
変化量より応力値を算出した。
可視光透過率：フォトマスク用石英基板3WAF525（信
越化学製商品名）に前述の方法で成膜後、この石英基板
をマルチフォトスペクトルメーターMPS−5000（島津製
作所製商品名）で波長633nm位置の透過率を測定した。
この時、ディファレンス側の試料として成膜をしていな
い石英基板を用いた。
越化学製商品名）に前述の方法で成膜後、この石英基板
をマルチフォトスペクトルメーターMPS−5000（島津製
作所製商品名）で波長633nm位置の透過率を測定した。
この時、ディファレンス側の試料として成膜をしていな
い石英基板を用いた。
耐高エネルギービーム性：高エネルギーとして10KeV
の高エネルギー電子線を500MJ/cm3照射し、照射による
膜の応力変化率を求めて、耐高エネルギービーム性の目
安とした。
の高エネルギー電子線を500MJ/cm3照射し、照射による
膜の応力変化率を求めて、耐高エネルギービーム性の目
安とした。
耐薬品性;90℃の30％KOH熱水中に24時間浸漬し、浸漬
後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とした。
後の応力変化率を求めて耐薬品性の目安とした。
耐湿性;90℃の熱水に７日間浸漬し、浸漬後の応力変
化率を求めて耐湿性の目安とした。
化率を求めて耐湿性の目安とした。
メンブレン化適性：成膜後の基板の裏面にプラズマCV
D法でアモルファスBN膜（以下、ａ−BN膜とする）を1.0
μｍ成膜し、この膜をKOHエッチング液の保護膜とし
た。ａ−BN膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板を
セットし、CF4ガスにてドライエッチングして露出して
いるａ−BN膜を除去後、30％KOHにて露出したシリコン
面をウェットエッチングで溶出し、メンブレン化した。
メンブレン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷や
ピンホールが無く平滑と認められる場合を良好、その他
を不良と判定した。
D法でアモルファスBN膜（以下、ａ−BN膜とする）を1.0
μｍ成膜し、この膜をKOHエッチング液の保護膜とし
た。ａ−BN膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板を
セットし、CF4ガスにてドライエッチングして露出して
いるａ−BN膜を除去後、30％KOHにて露出したシリコン
面をウェットエッチングで溶出し、メンブレン化した。
メンブレン化適性として、仕上げたメンブレンが、傷や
ピンホールが無く平滑と認められる場合を良好、その他
を不良と判定した。
（実施例１） 高周波マグネトロンスパッター装置SPF−332H型（日電
アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に純度が9
9.9％のSiC粉末400重量部と、シリコン単結晶の粉末840
重量部を均一に混合してホットプレスにて焼結して得ら
れた直径３インチで厚みが5mmのターゲットをセットし
た。
アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に純度が9
9.9％のSiC粉末400重量部と、シリコン単結晶の粉末840
重量部を均一に混合してホットプレスにて焼結して得ら
れた直径３インチで厚みが5mmのターゲットをセットし
た。
このターゲットのSiCとシリコンのモル比は計数上、1:3
である。
である。
基板として、直径３インチで厚みが、600μｍの両面研
磨シリコンウェハを用いて、250℃に加熱した状態でN2
ガスとアルゴンガスを各々10cc/分と5cc/分の流量で流
しつつ、パワー密度を12W/cm2、反応圧力を5.0×10-2To
rr下で所定時間スパッターを行ない、SiCとSi3N4よりな
る膜厚1.0μｍの薄膜を作製した。
磨シリコンウェハを用いて、250℃に加熱した状態でN2
ガスとアルゴンガスを各々10cc/分と5cc/分の流量で流
しつつ、パワー密度を12W/cm2、反応圧力を5.0×10-2To
rr下で所定時間スパッターを行ない、SiCとSi3N4よりな
る膜厚1.0μｍの薄膜を作製した。
得られた薄膜をESCA法による元素分析に行なった結果、
Si49.2％、N255％、C25.3％となりSiCとSi3N4のモル比
がおよそ1:1であることが判明した。
Si49.2％、N255％、C25.3％となりSiCとSi3N4のモル比
がおよそ1:1であることが判明した。
次にこの膜の主な物性について前述の方法で測定したと
ころ、成膜速度は0.14μm/分、引張応力は1.8×109dyne
/cm2、可視光透過率は73％、耐高エネルギービーム性、
耐薬品性及び耐湿性はいずれも１％以下であり、メンブ
レン化適性は良好であった。
ころ、成膜速度は0.14μm/分、引張応力は1.8×109dyne
/cm2、可視光透過率は73％、耐高エネルギービーム性、
耐薬品性及び耐湿性はいずれも１％以下であり、メンブ
レン化適性は良好であった。
（実施例２、３および比較例１、２） SiC粉末とシリコン単結晶の粉末の混合比を種々変え
て、各種組成のターゲットを作製し、実施例１と同様の
方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製し、ESCAにて組成比を
求め、各物性について測定した（実施例２、３）。
て、各種組成のターゲットを作製し、実施例１と同様の
方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製し、ESCAにて組成比を
求め、各物性について測定した（実施例２、３）。
また、比較例として、SiCとSi3N4のモル比が本発明の組
成範囲外のものについても同様にターゲットを作製し、
実施例１と同様の方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製しES
CAにて組成比を求め各物性について測定した（比較例
１、２）。これらの膜組成、成膜条件および膜物性を第
１表に示した。
成範囲外のものについても同様にターゲットを作製し、
実施例１と同様の方法でSiCとSi3N4の複合膜を作製しES
CAにて組成比を求め各物性について測定した（比較例
１、２）。これらの膜組成、成膜条件および膜物性を第
１表に示した。
（発明の効果） 第１表の結果より、本発明の方法により成膜した薄膜
は、可視光透過率が50％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適正の各性能
も優れていることが判る。一方、比較例の結果より、タ
ーゲットの組成において、SiCとSi3N4のモル比が95:5よ
りSiCが多く なると、可視光透過率が30％以下となり実用に適さない
（比較例１）。また、SiCとSi3N4のモル比が30:70よりS
i3N4が多くなっても、耐薬品性及び耐湿性が悪化して実
用上使用出来ない（比較例２）。
は、可視光透過率が50％以上を有し、耐高エネルギービ
ーム性、耐薬品性、耐湿性、メンブレン化適正の各性能
も優れていることが判る。一方、比較例の結果より、タ
ーゲットの組成において、SiCとSi3N4のモル比が95:5よ
りSiCが多く なると、可視光透過率が30％以下となり実用に適さない
（比較例１）。また、SiCとSi3N4のモル比が30:70よりS
i3N4が多くなっても、耐薬品性及び耐湿性が悪化して実
用上使用出来ない（比較例２）。
以上の様に本発明の製造方法によれば、Ｘ線リソグラフ
ィー用マスクとしての性能を極めて高く、工業上有用で
ある。
ィー用マスクとしての性能を極めて高く、工業上有用で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ３２Ｂ 9/00 Ａ 9349−4Ｆ
Claims (4)
- 【請求項１】SiCとシリコン（Si）よりなるターゲット
を用い、N2ガス気流下でスパッター法にて基板上にSiC
とSi3N4よりなる複合膜を成膜することを特徴とするSiC
とSi3N4よりなる複合膜の製造方法。 - 【請求項２】該複合膜の組成において、SiCとSi3N4のモ
ル比が95:5〜30:70であることを特徴とする請求項１に
記載のSiCとSi3N4よりなる複合膜の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の方法で得られた
SiCとSi3N4よりなる複合膜をＸ線透過膜として用いるこ
とを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスクの製造方
法。 - 【請求項４】請求項３に記載のＸ線透過膜の引張応力が
１×108〜１×1010dyne/cm2であるであることを特徴と
するＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11765790A JPH07103460B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11765790A JPH07103460B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417661A JPH0417661A (ja) | 1992-01-22 |
| JPH07103460B2 true JPH07103460B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=14717077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11765790A Expired - Fee Related JPH07103460B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07103460B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239827A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-09-05 | Bridgestone Corp | 積層構造体及びその製造方法 |
| JP5746573B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2015-07-08 | 日本ファインセラミックス株式会社 | スパッタリングターゲット |
| KR102181727B1 (ko) | 2019-04-17 | 2020-11-24 | 주식회사 티씨케이 | 탄화규소-질화규소 복합소재의 제조방법 및 이에 따른 탄화규소-질화규소 복합소재 |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP11765790A patent/JPH07103460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0417661A (ja) | 1992-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4436797A (en) | X-Ray mask | |
| KR100424853B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 이들의 제조방법 및미세패턴의 형성방법 | |
| Kola et al. | Stress relaxation in Mo/Si multilayer structures | |
| US4096026A (en) | Method of manufacturing a chromium oxide film | |
| JPWO2013111631A1 (ja) | ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法 | |
| US5209996A (en) | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same | |
| JPH07103460B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 | |
| CN103235480B (zh) | 新三层膜结构的光掩膜及其制备方法 | |
| JP2790900B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 | |
| JPH0712017B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼膜の成膜方法 | |
| JPH0762231B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる薄膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク | |
| JPS60184672A (ja) | クロム化合物層の製造方法 | |
| JPH0828324B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスクに用いるｘ線透過膜 | |
| TW408226B (en) | Optical composite film | |
| JP2740607B2 (ja) | ガラス成形用型とその製造方法 | |
| JPS60155508A (ja) | 耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物 | |
| Borók et al. | Investigation of plasma etching rates of a methacrylate resin | |
| JP2892240B2 (ja) | ガラス成形用型およびその製造方法 | |
| JPH03281613A (ja) | 組成物 | |
| JPH03196147A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、その製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスク | |
| JPH0712016B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法 | |
| JPS62183463A (ja) | フオトマスクブランクの製造法 | |
| JP2636577B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JP3029328B2 (ja) | 光学反射膜の形成方法 | |
| Braski et al. | PREPARATION OF SELF-SUPPORTED GeO $ sub 2$--16 PERCENT P $ sub 2$ O $ sub 5$--8 PERCENT V $ sub 2$ O $ sub 5$ FILMS BY SPUTTERING. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071108 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |