JPH07104514B2 - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
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- JPH07104514B2 JPH07104514B2 JP61224425A JP22442586A JPH07104514B2 JP H07104514 B2 JPH07104514 B2 JP H07104514B2 JP 61224425 A JP61224425 A JP 61224425A JP 22442586 A JP22442586 A JP 22442586A JP H07104514 B2 JPH07104514 B2 JP H07104514B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置、光シャッター用パネルに係わり、特
に強誘電性液晶パネルい関するものである。
に強誘電性液晶パネルい関するものである。
従来の技術 従来の技術を以下、図面を用いて説明する。
現在、液晶表示装置としてはTN（Twisted Nematic）型
表示方式が最も広く用いられている。しかし、他のディ
スプレイ（プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッ
センスディスプレイ等）と比較すると応答速度の点で劣
っており、大巾な改善が現在まで見られていない。
表示方式が最も広く用いられている。しかし、他のディ
スプレイ（プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッ
センスディスプレイ等）と比較すると応答速度の点で劣
っており、大巾な改善が現在まで見られていない。
最近、強誘電性液晶を利用した表示方式が発表され、そ
の速い応答速度の他に高いマトリックス性を有する可能
性を持つことから非常に注目を集めている。参考文献：
エヌ．エー．クラーク，エス．ティー．ラガーバール；
エーピーピーエル．ピーエイチ．ワイエス．エルイーテ
ィーティー.,36,899（1980）およびティー．ハラダ，イ
ーティー エーテル，エスアイディ 85 ダイジェスト
16 131（1985）（N.A.Clerk,S.T.Lagerwall;Appl.Phys.
Lett.,36,899（1980）およびT.Harada,et al,SID 85 DI
GEST 16 131（1985）） まず、強誘電性液晶ついて図を用いて説明する。
の速い応答速度の他に高いマトリックス性を有する可能
性を持つことから非常に注目を集めている。参考文献：
エヌ．エー．クラーク，エス．ティー．ラガーバール；
エーピーピーエル．ピーエイチ．ワイエス．エルイーテ
ィーティー.,36,899（1980）およびティー．ハラダ，イ
ーティー エーテル，エスアイディ 85 ダイジェスト
16 131（1985）（N.A.Clerk,S.T.Lagerwall;Appl.Phys.
Lett.,36,899（1980）およびT.Harada,et al,SID 85 DI
GEST 16 131（1985）） まず、強誘電性液晶ついて図を用いて説明する。
強誘電性液晶とは強誘電性を示す液晶のことを言う。結
晶の対称性の理論から強誘電性を示すためにはまず液晶
分子が不斉中心を有しておらなけばならず。また層構造
を有しかつ層内で分子が傾いている必要がある。このよ
うな対称性を満足する液晶相としてスメクチックＣカイ
ラル相、スメクチックＩカイラル相、スメクチックＧカ
イラル相などが現在まで発見され強誘電性液晶相として
認められている。本明細書では強誘電性液晶相の中で最
も高い対称性を有するスメクチックＣカイラル相を用い
てその性質を説明する。第２図は強誘電性液晶分子の模
式図である。強誘電性液晶は通常、スメクチック液晶と
呼ばれる層構造を有する液晶である。分子は層の垂線方
向に対してθだけ傾いている。
晶の対称性の理論から強誘電性を示すためにはまず液晶
分子が不斉中心を有しておらなけばならず。また層構造
を有しかつ層内で分子が傾いている必要がある。このよ
うな対称性を満足する液晶相としてスメクチックＣカイ
ラル相、スメクチックＩカイラル相、スメクチックＧカ
イラル相などが現在まで発見され強誘電性液晶相として
認められている。本明細書では強誘電性液晶相の中で最
も高い対称性を有するスメクチックＣカイラル相を用い
てその性質を説明する。第２図は強誘電性液晶分子の模
式図である。強誘電性液晶は通常、スメクチック液晶と
呼ばれる層構造を有する液晶である。分子は層の垂線方
向に対してθだけ傾いている。
また強誘電性液晶は不斉中心をもつことからラセミ体で
ない光学活性な液晶分子によって構成されている。分子
の構成として第２図に示すように強誘電性液晶分子は分
子の長軸に垂直な方向に自発分極となる永久双極子モー
メントを有しており、カイラルスメクチックＣ相におい
ては第２図の円錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由
に動くことができる。またコーンの中心点Ｏより液晶分
子に対して下したベクトルはＣダイレクターと呼ばれて
いる。
ない光学活性な液晶分子によって構成されている。分子
の構成として第２図に示すように強誘電性液晶分子は分
子の長軸に垂直な方向に自発分極となる永久双極子モー
メントを有しており、カイラルスメクチックＣ相におい
ては第２図の円錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由
に動くことができる。またコーンの中心点Ｏより液晶分
子に対して下したベクトルはＣダイレクターと呼ばれて
いる。
第２図において21は液晶分子、22は永久双極子、23はＣ
ダイレクター、24はコーン、25は層構造、26は層法線方
向、27は傾き角θを示している。
ダイレクター、24はコーン、25は層構造、26は層法線方
向、27は傾き角θを示している。
強誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常、ね
じれ構造を有している。このねじれ構造を第３図に示
す。第３図より層の法線方向にねじれ構造が存在するこ
とがある。
じれ構造を有している。このねじれ構造を第３図に示
す。第３図より層の法線方向にねじれ構造が存在するこ
とがある。
第３図において31は液晶分子、32は永久双極子モーメン
ト、33はねじれの周期を表すピッチ（Ｌ）、34は層構
造、35は層の法線方向、36は傾き角θを表す。
ト、33はねじれの周期を表すピッチ（Ｌ）、34は層構
造、35は層の法線方向、36は傾き角θを表す。
次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）がピッチより厚
いとき（ｄ＞Ｌ）、セル基板表面の影響はセル中央部ま
で及ばないため、通常、ねじれ構造を持った状態で存在
する。しかしセル厚がピッチより小さいとき（ｄ＜Ｌ）
ねじれ構造は基板表面の力でほどかれ第４図ａのような
分子が基板表面と平行になった二つの領域（ドメイン）
が現れる。この二つの領域は分子の持つ永久双極子モー
メントがそれぞれ反対の方向を向いているものであり、
一方は紙面裏から表方向へもう一方は紙面表から裏方向
へ向いている。これはそれぞれ層法線に対する分子の傾
き角に対応している。
る。強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）がピッチより厚
いとき（ｄ＞Ｌ）、セル基板表面の影響はセル中央部ま
で及ばないため、通常、ねじれ構造を持った状態で存在
する。しかしセル厚がピッチより小さいとき（ｄ＜Ｌ）
ねじれ構造は基板表面の力でほどかれ第４図ａのような
分子が基板表面と平行になった二つの領域（ドメイン）
が現れる。この二つの領域は分子の持つ永久双極子モー
メントがそれぞれ反対の方向を向いているものであり、
一方は紙面裏から表方向へもう一方は紙面表から裏方向
へ向いている。これはそれぞれ層法線に対する分子の傾
き角に対応している。
このとき紙面裏方向から表方向に電界を印加すると永久
双極子モーメントは全て電界の方向に向き第４図ｂのよ
うに分子が全て＋θの傾き角を持った状態となる。この
ような状態で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子
の長軸方向に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸方
向に平行にすると（第４図ｂ参照）偏光子（Ｐ）を通過
した直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（Ａ）に
より遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方向に印加
すると第４図ｃのように分子が全て−θの傾きを持つ状
態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効果により
検光子を通り抜け明状態が得られる。
双極子モーメントは全て電界の方向に向き第４図ｂのよ
うに分子が全て＋θの傾き角を持った状態となる。この
ような状態で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子
の長軸方向に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸方
向に平行にすると（第４図ｂ参照）偏光子（Ｐ）を通過
した直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（Ａ）に
より遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方向に印加
すると第４図ｃのように分子が全て−θの傾きを持つ状
態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効果により
検光子を通り抜け明状態が得られる。
第４図abcにおいて41は電界の方向、42は分子の永久双
極子モーメント、43は層構造、44は傾き角θ、45は偏光
子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏光軸をそれぞれ表してい
る。
極子モーメント、43は層構造、44は傾き角θ、45は偏光
子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏光軸をそれぞれ表してい
る。
以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。
ることができる。
（文献：福田、竹添、近藤、：強誘電性液晶を使った高
速ディスプレイ、オプトロニクス、９合、64頁、1983
年） またこのようにセル厚がピッチより小さいセル（ｄ＞
Ｌ）においては通常ねじれ構造がほどけているため電界
を取り除いた後も分子はそのままの状態で安定であり、
いわゆるメモリー効果が生じるといわれている。
速ディスプレイ、オプトロニクス、９合、64頁、1983
年） またこのようにセル厚がピッチより小さいセル（ｄ＞
Ｌ）においては通常ねじれ構造がほどけているため電界
を取り除いた後も分子はそのままの状態で安定であり、
いわゆるメモリー効果が生じるといわれている。
発明が解決しようとする問題点 前文に示したように強誘電性液晶パネルはその表示原理
からコーンの両端（＋θ、−θ）にしか安定状態が存在
しないため二つの明るさ（明状態と暗状態）しかとれ
ず、中間調が出せないという問題点があった。
からコーンの両端（＋θ、−θ）にしか安定状態が存在
しないため二つの明るさ（明状態と暗状態）しかとれ
ず、中間調が出せないという問題点があった。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、基板上にスペーサーを設け
た状態で斜め方向から蒸着する（斜方蒸着）ことで中間
調表示を可能にせしめるものである。
た状態で斜め方向から蒸着する（斜方蒸着）ことで中間
調表示を可能にせしめるものである。
作用 基板上にスペーサーを設けた状態で斜方蒸着を行うこと
で基板上に配向膜層としての蒸着膜が存在する部分と無
い部分を作成し、その各々の電気光学的な特性が異なる
ことを利用して中間調表示の可能な強誘電性液晶パネル
を鹿央にできる。このことを図面を用いて簡単に説明す
る。第１図はスペーサーを設けた基板上に斜め方向から
蒸着したときの模式図を描いたものである。ここで11は
蒸着方向、12はガラス基板、13はスペーサー、14は基板
垂線方向と蒸着方向の成す角、15はITO層、16は斜方蒸
着でスペーサーにより影となる部分を示している。スペ
ーサー13は斜方蒸着されるとき影16を作り、スペーサー
の高さ（ｈ）と蒸着方向11の角度（90°−θ）により、
次式のように蒸着されない影の長さ（Ｌ）が決る。
で基板上に配向膜層としての蒸着膜が存在する部分と無
い部分を作成し、その各々の電気光学的な特性が異なる
ことを利用して中間調表示の可能な強誘電性液晶パネル
を鹿央にできる。このことを図面を用いて簡単に説明す
る。第１図はスペーサーを設けた基板上に斜め方向から
蒸着したときの模式図を描いたものである。ここで11は
蒸着方向、12はガラス基板、13はスペーサー、14は基板
垂線方向と蒸着方向の成す角、15はITO層、16は斜方蒸
着でスペーサーにより影となる部分を示している。スペ
ーサー13は斜方蒸着されるとき影16を作り、スペーサー
の高さ（ｈ）と蒸着方向11の角度（90°−θ）により、
次式のように蒸着されない影の長さ（Ｌ）が決る。
Ｌ＝ｈ×tan（90−θ） ……（１） このときθが85°のときＬは約11hとなる。
実施例 以下に本発明の強誘電性液晶パネルの一実施例について
図面を用いて説明する。本実施例では基板上にラインス
ペーサーを設け、ラインスペーサーに垂直に斜方蒸着を
行うことで蒸着膜の在る部分と無い部分を生じさせてい
る。
図面を用いて説明する。本実施例では基板上にラインス
ペーサーを設け、ラインスペーサーに垂直に斜方蒸着を
行うことで蒸着膜の在る部分と無い部分を生じさせてい
る。
ラインスペーサーは第５図に示したようにガラス基板51
の上に設けたITO（インジウム・スズ酸化物）の透明電
極52上に感光性ポリイミドを用いてフォトプロセスによ
り幅40μｍでピッチ0.4mmの仕様でラインスペーサー53
を形成した。
の上に設けたITO（インジウム・スズ酸化物）の透明電
極52上に感光性ポリイミドを用いてフォトプロセスによ
り幅40μｍでピッチ0.4mmの仕様でラインスペーサー53
を形成した。
次に斜方蒸着の方法について説明する。斜め蒸着法の実
際のやり方を第６図に示す。
際のやり方を第６図に示す。
真空状態となる蒸着釜（ベルジャー）内に蒸着源があ
り、抵抗加熱、あるいは電子ビームを照射することによ
り加熱することができるようになっている。セル基板は
基板垂線方向から蒸着方向に対してθだけ傾けてセット
される。
り、抵抗加熱、あるいは電子ビームを照射することによ
り加熱することができるようになっている。セル基板は
基板垂線方向から蒸着方向に対してθだけ傾けてセット
される。
61はベルジャー、62はセル基板、63は蒸着源、64は傾き
角θ。
角θ。
○斜め蒸着法の参考文献：ダブリュ．アルバック、エ
ム．ボイクス、イー．ギィヨン；蒸着膜上のネマチック
相とスメクチック相の配向、アプライッド フィジック
ス レター、25巻 9号（１）479頁 1974年 （W.Urbac
h,M.Boix,and E.Guyon;Alignment of nematics and sme
c−ticson evaporated films,Applied Physics Letter
s,Vol.25,No.9,1 P.479 November 1974） 上本勉、岩崎泰郎、吉野勝己、犬石嘉雄；スメクチッ
ク強誘電性液晶の電気光学的性質（２）、第４回 液晶
検討会 予稿集（1978年）講演番号3R13 実施例で行った斜方蒸着法の構成について詳しく述べ
る。第１図は本発明の主となる蒸着法の構成を表してい
る。矢印11は蒸着方向を表しており、TIO付きガラス基
板12の上にはラインスペーサー13が前述のように並んで
いる。このときラインスペーサーと蒸着方向は直角にな
るように配置した。
ム．ボイクス、イー．ギィヨン；蒸着膜上のネマチック
相とスメクチック相の配向、アプライッド フィジック
ス レター、25巻 9号（１）479頁 1974年 （W.Urbac
h,M.Boix,and E.Guyon;Alignment of nematics and sme
c−ticson evaporated films,Applied Physics Letter
s,Vol.25,No.9,1 P.479 November 1974） 上本勉、岩崎泰郎、吉野勝己、犬石嘉雄；スメクチッ
ク強誘電性液晶の電気光学的性質（２）、第４回 液晶
検討会 予稿集（1978年）講演番号3R13 実施例で行った斜方蒸着法の構成について詳しく述べ
る。第１図は本発明の主となる蒸着法の構成を表してい
る。矢印11は蒸着方向を表しており、TIO付きガラス基
板12の上にはラインスペーサー13が前述のように並んで
いる。このときラインスペーサーと蒸着方向は直角にな
るように配置した。
14は蒸着角度（θ）を表している。
蒸着材料は一酸化ケイ素（SiO）を用いた。
蒸着角度は85度を用いた。
蒸着速度は約20Å/sec、膜厚は基板垂直方向からの厚さ
で約300Åとした。
で約300Åとした。
このように斜方蒸着を行ったITO基板を用いて強誘電性
液晶パネルを作成した。パネル構成を第 図に示す。第
７図において71は偏光板、72はガラス基板、73はTIO
層、74はSiO斜方蒸着層、75は強誘電性液晶層、76はセ
ル厚調整のためのラインスペーサー、77は蒸着方向の組
合せ方を示す。
液晶パネルを作成した。パネル構成を第 図に示す。第
７図において71は偏光板、72はガラス基板、73はTIO
層、74はSiO斜方蒸着層、75は強誘電性液晶層、76はセ
ル厚調整のためのラインスペーサー、77は蒸着方向の組
合せ方を示す。
上下基板の蒸着方向は上下で反平行となるようにした。
実験に用いた強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲
が０℃〜58℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行っ
た。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。
が０℃〜58℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行っ
た。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。
ここで、Cr ：結晶相 SmC＊ ：スメクチックＣカイラル相 SmA ：スメクチックＡ相 Ch ：コレステリック相 Iso ：等方性液体 100℃までパネルを加熱し等方性液体とした後、ゆっく
りと除冷する（0.6℃/min）ことによりスメクチックＣ
カイラル相のモノドメインを得た。
りと除冷する（0.6℃/min）ことによりスメクチックＣ
カイラル相のモノドメインを得た。
次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線（以下、Ｂ−
Ｖ曲線とする）を測定した。
Ｖ曲線とする）を測定した。
Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた光学実験系を第８図に示す。
第８図において光源81より発せられた白色光は偏光子82
を通り液晶セル83に直線偏光として入射した後、検光子
84を通って集光レンズ85によって集光され光電子倍増管
86で感知され、ストレージオシロ87によりＢ−Ｖ曲線と
して測定される。なお液晶セルにはプログラマブルパル
スジェネレーター88により任意の波形を加えることがで
きるようにした。
第８図において光源81より発せられた白色光は偏光子82
を通り液晶セル83に直線偏光として入射した後、検光子
84を通って集光レンズ85によって集光され光電子倍増管
86で感知され、ストレージオシロ87によりＢ−Ｖ曲線と
して測定される。なお液晶セルにはプログラマブルパル
スジェネレーター88により任意の波形を加えることがで
きるようにした。
このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのＢ−Ｖ曲線を測定した。
液晶パネルのＢ−Ｖ曲線を測定した。
しきい値特性のＢ−Ｖ曲線の測定に用いた電圧波形を第
９図に示す。第９図で一定のリセットパルス91が印加さ
れた後、しきい値特性を測定するための逆極性の可変パ
ルス92が印加される。この一連のパルスはある一定の時
間93（フレーム周波数）ごとに印加されている。まず上
下基板とも蒸着された部分だけを測定して得られたしき
い値特性のＢ−Ｖ曲線の一例を第10図に示す。第10図に
おいて横軸は時間（ｔ）であり、縦軸は電圧（Ｖ）ある
いは輝度（Ｂ）である。上図は印加した電圧波形であ
り、下図は対応する輝度曲線である。しきい値を測定す
るための可変パルス101を除々に大きくしていくと第10
図ではリセットパルスにより暗状態となったものがだん
だん明状態になっていく。このとき可変パルスの電圧に
対して可変パルスが印加され最も光量が変化した点の輝
度をプロットしたものを第11図abに示す。第11abにおい
て横軸は電圧、縦軸は輝度を表している。また第11図ab
でリセットパルスの電圧は25V、可変パルスの電圧は０
から25Vとし、パルス幅は両方とも1msとした。第11図ａ
は可変パルスの極性が正で暗から暗状態に第11図ｂは可
変パルスの極性が負で明から明状態にそれぞれ変化して
いる同様にして片面だけ蒸着膜が存在している部分のし
きい値特性を測定した結果を第12図abにそれぞれ示す。
第11図ab、第12図abより両面蒸着された部分は片面蒸着
された部分よりもしきい値が高くなっていることがわか
る。
９図に示す。第９図で一定のリセットパルス91が印加さ
れた後、しきい値特性を測定するための逆極性の可変パ
ルス92が印加される。この一連のパルスはある一定の時
間93（フレーム周波数）ごとに印加されている。まず上
下基板とも蒸着された部分だけを測定して得られたしき
い値特性のＢ−Ｖ曲線の一例を第10図に示す。第10図に
おいて横軸は時間（ｔ）であり、縦軸は電圧（Ｖ）ある
いは輝度（Ｂ）である。上図は印加した電圧波形であ
り、下図は対応する輝度曲線である。しきい値を測定す
るための可変パルス101を除々に大きくしていくと第10
図ではリセットパルスにより暗状態となったものがだん
だん明状態になっていく。このとき可変パルスの電圧に
対して可変パルスが印加され最も光量が変化した点の輝
度をプロットしたものを第11図abに示す。第11abにおい
て横軸は電圧、縦軸は輝度を表している。また第11図ab
でリセットパルスの電圧は25V、可変パルスの電圧は０
から25Vとし、パルス幅は両方とも1msとした。第11図ａ
は可変パルスの極性が正で暗から暗状態に第11図ｂは可
変パルスの極性が負で明から明状態にそれぞれ変化して
いる同様にして片面だけ蒸着膜が存在している部分のし
きい値特性を測定した結果を第12図abにそれぞれ示す。
第11図ab、第12図abより両面蒸着された部分は片面蒸着
された部分よりもしきい値が高くなっていることがわか
る。
また両面蒸着と片面蒸着の部分の両方を同時に測定した
しきい値特性を第13図abに示す。第13図abは第11図ab、
第12図abを足し合せたようなしきい値特性であり、二段
の中間調の出やすいかたちとなっている。
しきい値特性を第13図abに示す。第13図abは第11図ab、
第12図abを足し合せたようなしきい値特性であり、二段
の中間調の出やすいかたちとなっている。
発明の効果 本発明は基板上にスペーサーを設けた状態で斜方蒸着行
うことで基板上に配向膜層としての蒸着膜が存在する部
分と無い部分を作成したことでしきい値特性がなだら
か、あるいは段階上になり中間調表示の可能な強誘電性
液晶パネルを実現した。
うことで基板上に配向膜層としての蒸着膜が存在する部
分と無い部分を作成したことでしきい値特性がなだら
か、あるいは段階上になり中間調表示の可能な強誘電性
液晶パネルを実現した。
第１図は本発明の蒸着方法の構成を示す模式図、第２図
は強誘電性液晶の構造を表す模式図、第３図は強誘電性
液晶のねじれ構造を表す模式図、第４図（ａ）（ｂ）
（ｃ）は強誘電性液晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構
造がほどけた状態を表す模式図と薄いセル厚の強誘電性
液晶パネルにおいての動作原理を表す模式図、第５図は
ガラス基板上に設けたITOの透明電極上に感光性ポリイ
ミドを用いてラインスペーサー形式を示す構成図、第６
図は蒸着装置および蒸着方法を示す模式図、第７図は本
発明で用いた強誘電性液晶パネルの模式図、第８図は従
来例および実施例のＢ−Ｖ曲線測定に用いた光学系の模
式図、第９図は強誘電性液晶パネルのしきい値特性を測
定するときの電圧波形のグラフ、第10図はしきい値特性
を測定する印加電圧に対するＢ−Ｖ曲線を表したグラ
フ、第11図（ａ）（ｂ）は両面蒸着された部分のしきい
値特性を表すグラフ、第12図（ａ）（ｂ）は片面蒸着さ
れた部分のしきい値特性を表すグラフ、第13図（ａ）
（ｂ）は両面および片面蒸着された部分の両方を測定し
たときのしきい値特性を表すグラフである。 11……蒸着方向、12……ガラス基板、13……スペーサ
ー、15……ITO層。
は強誘電性液晶の構造を表す模式図、第３図は強誘電性
液晶のねじれ構造を表す模式図、第４図（ａ）（ｂ）
（ｃ）は強誘電性液晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構
造がほどけた状態を表す模式図と薄いセル厚の強誘電性
液晶パネルにおいての動作原理を表す模式図、第５図は
ガラス基板上に設けたITOの透明電極上に感光性ポリイ
ミドを用いてラインスペーサー形式を示す構成図、第６
図は蒸着装置および蒸着方法を示す模式図、第７図は本
発明で用いた強誘電性液晶パネルの模式図、第８図は従
来例および実施例のＢ−Ｖ曲線測定に用いた光学系の模
式図、第９図は強誘電性液晶パネルのしきい値特性を測
定するときの電圧波形のグラフ、第10図はしきい値特性
を測定する印加電圧に対するＢ−Ｖ曲線を表したグラ
フ、第11図（ａ）（ｂ）は両面蒸着された部分のしきい
値特性を表すグラフ、第12図（ａ）（ｂ）は片面蒸着さ
れた部分のしきい値特性を表すグラフ、第13図（ａ）
（ｂ）は両面および片面蒸着された部分の両方を測定し
たときのしきい値特性を表すグラフである。 11……蒸着方向、12……ガラス基板、13……スペーサ
ー、15……ITO層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 太田 勲夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−203427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−166590（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−62228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−59220（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−235814（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】液晶層と前記液晶層を挟持するように配置
した少なくとも一枚は透明である複数の基板と前記液晶
層に電圧印加が行えるように前記基板に付設した電圧印
加手段とを具備しており、またセル厚を規定するスペー
サーを少なくとも一方の前記基板に付設してあるパネル
においてスペーサーが少なくともライン状の部分を有し
ており、前記ラインに垂直な方向から、無機物質を斜め
蒸着することにより、強誘電性液晶の配向制御を行うこ
とを特徴とする強誘電性液晶パネル。 - 【請求項２】複数の基板の少なくとも一方の基板におい
て、配向制御層が存在する領域と存在しない領域とが混
在していることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の強誘電性液晶パネル。 - 【請求項３】無機物質が酸化ケイ素であることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項または第（２）項何れか
に記載の強誘電性液晶パネル。 - 【請求項４】スペーサーが絶縁物質であり、印刷法を用
いて作成されたことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項〜第（３）項何れかに記載の強誘電性液晶パネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224425A JPH07104514B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224425A JPH07104514B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378126A JPS6378126A (ja) | 1988-04-08 |
| JPH07104514B2 true JPH07104514B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16813575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224425A Expired - Fee Related JPH07104514B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07104514B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2818985B2 (ja) * | 1992-04-27 | 1998-10-30 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 光弁装置とその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5659220A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-22 | Sharp Corp | Production of liquid crystal display device |
| JPS5662228A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Sharp Corp | Production of liquid crystal cells |
| JPH079508B2 (ja) * | 1985-01-18 | 1995-02-01 | キヤノン株式会社 | 液晶表示素子及びその駆動方法 |
| JPH06100749B2 (ja) * | 1985-03-06 | 1994-12-12 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPS61235814A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Canon Inc | 液晶素子の製法 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP61224425A patent/JPH07104514B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6378126A (ja) | 1988-04-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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