JPH07105522B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07105522B2 JPH07105522B2 JP62219813A JP21981387A JPH07105522B2 JP H07105522 B2 JPH07105522 B2 JP H07105522B2 JP 62219813 A JP62219813 A JP 62219813A JP 21981387 A JP21981387 A JP 21981387A JP H07105522 B2 JPH07105522 B2 JP H07105522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- conductivity type
- type semiconductor
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置、特に光の照射を検出する半導
体光検出装置に関するものである。
体光検出装置に関するものである。
第４図は、例えば特開昭61-141175号公報に示された従
来の半導体光検出装置を示す断面図である。Ｎ型シリコ
ン基板（Ｎ層）11にP+領域12が形成され、それぞれの領
域はＮ型シリコン基板11との間にPN接合部13を分離する
ために多結晶半導体の分離領域14が形成され、上面は二
酸化珪素膜15で覆われている。16,17はそれぞれ裏面電
極と表面電極である。
来の半導体光検出装置を示す断面図である。Ｎ型シリコ
ン基板（Ｎ層）11にP+領域12が形成され、それぞれの領
域はＮ型シリコン基板11との間にPN接合部13を分離する
ために多結晶半導体の分離領域14が形成され、上面は二
酸化珪素膜15で覆われている。16,17はそれぞれ裏面電
極と表面電極である。
上記のように同一基板上に複数個のホトダイオードでア
レー状に配列した半導体光検出装置は、位置検出および
分光測定等に用いられている。このようなホトダイオー
ドアレー形式の半導体光検出装置において、入射光の入
射位置の分解能を高めるためにホトダイオードの集積度
を大きくすると種々の問題が生じる。
レー状に配列した半導体光検出装置は、位置検出および
分光測定等に用いられている。このようなホトダイオー
ドアレー形式の半導体光検出装置において、入射光の入
射位置の分解能を高めるためにホトダイオードの集積度
を大きくすると種々の問題が生じる。
まず、第１に挙げられる問題は、隣接したホトダイオー
ド間に入射した光が素子間で相互干渉を起す、光学的ク
ロストークである。この光学的クロストークを第５図を
参照して説明する。
ド間に入射した光が素子間で相互干渉を起す、光学的ク
ロストークである。この光学的クロストークを第５図を
参照して説明する。
第５図はホトダイオードアレー形式の半導体光検出装置
における光学的クロストークを説明するための装置の断
面図である。光学的クロストークは、吸収係数の小さい
光が半導体光検出装置のPN接合部13から離れた深い部分
に到達し、内部で電子，正孔対を発生し、これらのキャ
リヤが拡散によって同一アレー内の隣接するホトダイオ
ードに到達することによって起こる。例えばP+領域12の
下のＮ層11の深い部分で発生したキャリヤが、隣りのP+
領域12′に到達する場合がそれである。
における光学的クロストークを説明するための装置の断
面図である。光学的クロストークは、吸収係数の小さい
光が半導体光検出装置のPN接合部13から離れた深い部分
に到達し、内部で電子，正孔対を発生し、これらのキャ
リヤが拡散によって同一アレー内の隣接するホトダイオ
ードに到達することによって起こる。例えばP+領域12の
下のＮ層11の深い部分で発生したキャリヤが、隣りのP+
領域12′に到達する場合がそれである。
第２にブルーミングと呼ばれる物理的なクロストークが
ある。第６図を参照してこの物理的なクロストークを説
明する。
ある。第６図を参照してこの物理的なクロストークを説
明する。
物理的クロストークは、強い光照射により図中破線で示
す空乏層に蓄積される電荷が飽和し、素子内を拡散する
ことにより隣接するホトダイオードに到達することによ
って起こる。P+領域12の下のＮ層11に形成された空乏層
内で発生したキャリヤがP+領域12′に到達する場合等が
それである。これらのクロストークは、位置センサに対
し、位置境界を不鮮明にし、分析センサにおける隣接す
る二つの信号のピークの区別を不明確にする。
す空乏層に蓄積される電荷が飽和し、素子内を拡散する
ことにより隣接するホトダイオードに到達することによ
って起こる。P+領域12の下のＮ層11に形成された空乏層
内で発生したキャリヤがP+領域12′に到達する場合等が
それである。これらのクロストークは、位置センサに対
し、位置境界を不鮮明にし、分析センサにおける隣接す
る二つの信号のピークの区別を不明確にする。
このようなクロストークに対して従来第４図に示すよう
な構造がとられてきた。図中左側のホトダイオード内で
発生したキャリヤは、PN接合部13に集められて光信号と
して検出される。このとき、両ホトダイオード間は分離
領域14により完全に分離されているため、例えば左側の
ホトダイオード内で発生したキャリヤが右側のPN接合部
13に混合することなく、光学的および物理的なクロスト
ークを著しく減少させることができる。
な構造がとられてきた。図中左側のホトダイオード内で
発生したキャリヤは、PN接合部13に集められて光信号と
して検出される。このとき、両ホトダイオード間は分離
領域14により完全に分離されているため、例えば左側の
ホトダイオード内で発生したキャリヤが右側のPN接合部
13に混合することなく、光学的および物理的なクロスト
ークを著しく減少させることができる。
従来の半導体光検出装置では、吸収係数の小さい波長の
光を受光する場合、まずＮ層11を厚くしなければなら
ず、そのために分離領域14も深くなる。さらに、画素数
が大規模になり、かつＮ層11の抵抗率が大きいと、各画
素にＮ層11側の電極を設ける必要があり、従来構造では
裏面以外には形成が困難であった。また、もしＮ層11が
エピタキシャル結晶の場合、電極形成が非常に困難とな
る。
光を受光する場合、まずＮ層11を厚くしなければなら
ず、そのために分離領域14も深くなる。さらに、画素数
が大規模になり、かつＮ層11の抵抗率が大きいと、各画
素にＮ層11側の電極を設ける必要があり、従来構造では
裏面以外には形成が困難であった。また、もしＮ層11が
エピタキシャル結晶の場合、電極形成が非常に困難とな
る。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、クロストークを無くし、吸収係数の小さい
波長の光を受光できると共に、電極の形成も容易で、か
つそれによる不都合も生じない半導体装置を得ることを
目的とする。
れたもので、クロストークを無くし、吸収係数の小さい
波長の光を受光できると共に、電極の形成も容易で、か
つそれによる不都合も生じない半導体装置を得ることを
目的とする。
また、この発明の別の発明は上記目的に加えて、PN接合
部の表面露出部でのリーク電流を減少できる半導体装置
を得ることを目的とする。
部の表面露出部でのリーク電流を減少できる半導体装置
を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、複数のメサ部と凹部を形
成した半絶縁性の半導体基板上に第１の導電型の半導体
層を形成し、半導体基板の各凹部の第１の導電型の半導
体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、半導体基板
の各メサ部上の第１の導電型の半導体層内に半導体基板
のメサ部に達する高濃度の第１の導電型の半導体層を形
成したものである。
成した半絶縁性の半導体基板上に第１の導電型の半導体
層を形成し、半導体基板の各凹部の第１の導電型の半導
体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、半導体基板
の各メサ部上の第１の導電型の半導体層内に半導体基板
のメサ部に達する高濃度の第１の導電型の半導体層を形
成したものである。
また、この発明に別の発明に係る半導体装置は、複数の
メサ部と凹部を形成した半絶縁性の半導体基板上に表層
部の禁制帯幅がバルク部より大きい第１の導電型の半導
体層を形成し、半導体基板の各凹部の第１の導電型の半
導体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、半導体基
板の各メサ部上の第１の導電型の半導体層内にメサ部に
達する高濃度の第１の導電型の半導体層を形成したもの
である。
メサ部と凹部を形成した半絶縁性の半導体基板上に表層
部の禁制帯幅がバルク部より大きい第１の導電型の半導
体層を形成し、半導体基板の各凹部の第１の導電型の半
導体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、半導体基
板の各メサ部上の第１の導電型の半導体層内にメサ部に
達する高濃度の第１の導電型の半導体層を形成したもの
である。
この発明においては受光部となるPN接合部とその下の第
１の導電型の半導体層が、メサ部とこのメサ部上に形成
された高濃度の第１の導電型の半導体層により完全に分
離されているため、クロストークは生じない。また、第
１の導電型の半導体層側の電極はメサ部上の高濃度の第
１の導電型の半導体層より取ることができ素子形状の自
由度が広がる。
１の導電型の半導体層が、メサ部とこのメサ部上に形成
された高濃度の第１の導電型の半導体層により完全に分
離されているため、クロストークは生じない。また、第
１の導電型の半導体層側の電極はメサ部上の高濃度の第
１の導電型の半導体層より取ることができ素子形状の自
由度が広がる。
また、この発明の別の発明においては、PN接合部の表面
露出部でのリーク電流を低減でき、かつ表面でのキャリ
ヤの再結合を防止できる。
露出部でのリーク電流を低減でき、かつ表面でのキャリ
ヤの再結合を防止できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、５は複数のメサ部６が形成された半絶縁性の半
導体基板で、メサ部６により複数の凹部７が形成されて
いる。この半導体基板５の上に第１の導電型の半導体層
１を成長させる。成長方法によっては表面形状が平坦に
なるように作用するので、メサ部６の頂上部の層厚は凹
部７の層厚に比較して薄くなることが予想される。２は
前記半導体基板５の凹部７の第１の導電型の半導体層１
の表面に形成された第２の導電型の半導体層で、これに
よりPN接合部３が形成される。また、４は前記半導体基
板５のメサ部６の頂上部に形成された第１の導電型の半
導体層１にメサ部６まで到達するように形成された高濃
度の第１の導電型の半導体層である。
であり、５は複数のメサ部６が形成された半絶縁性の半
導体基板で、メサ部６により複数の凹部７が形成されて
いる。この半導体基板５の上に第１の導電型の半導体層
１を成長させる。成長方法によっては表面形状が平坦に
なるように作用するので、メサ部６の頂上部の層厚は凹
部７の層厚に比較して薄くなることが予想される。２は
前記半導体基板５の凹部７の第１の導電型の半導体層１
の表面に形成された第２の導電型の半導体層で、これに
よりPN接合部３が形成される。また、４は前記半導体基
板５のメサ部６の頂上部に形成された第１の導電型の半
導体層１にメサ部６まで到達するように形成された高濃
度の第１の導電型の半導体層である。
次に、上記のように構成された半導体装置を赤外線検知
器に用いた場合について説明する。
器に用いた場合について説明する。
まず、表面または裏面より入射した赤外線は、第１の導
電型の半導体層１および第２の導電型の半導体層２内で
吸収されキャリヤを生成する。それらのキャリヤの内、
PN接合部３付近に広がる空乏層内で生成したキャリヤ
と、空乏層外で生成され拡散して空乏層内まで到達した
ものは、PN各側の起電力となって現れる。この起電力を
検知して赤外光強度を知るものであるが、たとえば波長
が10μｍ付近の赤外光をHg1-x Cdx Te結晶を用いて検
知する場合を考える。
電型の半導体層１および第２の導電型の半導体層２内で
吸収されキャリヤを生成する。それらのキャリヤの内、
PN接合部３付近に広がる空乏層内で生成したキャリヤ
と、空乏層外で生成され拡散して空乏層内まで到達した
ものは、PN各側の起電力となって現れる。この起電力を
検知して赤外光強度を知るものであるが、たとえば波長
が10μｍ付近の赤外光をHg1-x Cdx Te結晶を用いて検
知する場合を考える。
Hg1-x Cdx Teの禁制帯幅は約0.1eVで、その時の組成ｘ
は約0.2となる。結晶厚が10μｍだと、約63％の赤外光
学を吸収でき、効率良く吸収するためにはもう少し結晶
厚が厚い方が良いことがわかる。また、第１の導電型の
半導体層１にＰ型Hg1-x Cdx Te結晶を用いると層内の
少数キャリヤは電子で、拡散長は約50μｍ程度である。
これらを考慮して受光部が25μｍ程度の赤外線検知器の
製造工程を考えてみる。
は約0.2となる。結晶厚が10μｍだと、約63％の赤外光
学を吸収でき、効率良く吸収するためにはもう少し結晶
厚が厚い方が良いことがわかる。また、第１の導電型の
半導体層１にＰ型Hg1-x Cdx Te結晶を用いると層内の
少数キャリヤは電子で、拡散長は約50μｍ程度である。
これらを考慮して受光部が25μｍ程度の赤外線検知器の
製造工程を考えてみる。
以下、この製造工程を第２図を参照して説明する。ま
ず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板５にCdTe基
板を用い、ウェットエッチングまたはイオンビームミリ
ング法等により段差が10μｍ程度のメサ部６および凹部
７の形成を行う。次に、第２図（ｂ）に示すように、半
導体基板５上に第１の導電型の半導体層１としてP-Hg
1-x Cdx Te（ｘ＝0.2）層を成長させる。このとき半導
体基板５であるCdTeと第１の導電型の半導体層１である
Hg1-x Cdx Te（ｘ＝0.2）層間で相互拡散が生じるが、
Hg1-x Cdx Te層からCdTe基板にわたってｘが大きくな
るようになるので、Hg1-x Cdx Te結晶内の少数キャリ
ヤに対してはバリヤとなるように作用するため好都合で
ある。さらに、液相成長法を用いれば表面形状は平坦化
が進むように作用する。第２図（ｃ）の工程でHg1-x C
dx Te結晶のエッチングを行う。この工程により表面形
状の平坦化はさらに進む。次いで、第２図（ｄ）に示す
ように、半導体基板５のメサ部６の頂上部に対応する第
１の導電型の半導体層１のHg1-x Cdx Te結晶の表面か
ら不純物の拡散を行い、高濃度の第１の導電型の半導体
層４としてP+−Hg1-x Cdx Te結晶層を形成する。この
時の拡散深さは、半導体基板５のメサ部６に達するまで
で良いため、拡散深さはあまり深くならず、横方向拡散
も少しで済む。さらに第２図（ｅ）に示すように、半導
体基板５の凹部７に対応するHg1-x Cdx Te結晶の表面
からイオン注入あるいは拡散法により不純物をドープし
て第２の導電型の半導体層２としてn-Hg1-x Cdx Te層
を形成し、PN接合部３を形成する。
ず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板５にCdTe基
板を用い、ウェットエッチングまたはイオンビームミリ
ング法等により段差が10μｍ程度のメサ部６および凹部
７の形成を行う。次に、第２図（ｂ）に示すように、半
導体基板５上に第１の導電型の半導体層１としてP-Hg
1-x Cdx Te（ｘ＝0.2）層を成長させる。このとき半導
体基板５であるCdTeと第１の導電型の半導体層１である
Hg1-x Cdx Te（ｘ＝0.2）層間で相互拡散が生じるが、
Hg1-x Cdx Te層からCdTe基板にわたってｘが大きくな
るようになるので、Hg1-x Cdx Te結晶内の少数キャリ
ヤに対してはバリヤとなるように作用するため好都合で
ある。さらに、液相成長法を用いれば表面形状は平坦化
が進むように作用する。第２図（ｃ）の工程でHg1-x C
dx Te結晶のエッチングを行う。この工程により表面形
状の平坦化はさらに進む。次いで、第２図（ｄ）に示す
ように、半導体基板５のメサ部６の頂上部に対応する第
１の導電型の半導体層１のHg1-x Cdx Te結晶の表面か
ら不純物の拡散を行い、高濃度の第１の導電型の半導体
層４としてP+−Hg1-x Cdx Te結晶層を形成する。この
時の拡散深さは、半導体基板５のメサ部６に達するまで
で良いため、拡散深さはあまり深くならず、横方向拡散
も少しで済む。さらに第２図（ｅ）に示すように、半導
体基板５の凹部７に対応するHg1-x Cdx Te結晶の表面
からイオン注入あるいは拡散法により不純物をドープし
て第２の導電型の半導体層２としてn-Hg1-x Cdx Te層
を形成し、PN接合部３を形成する。
次に動作について説明する。まず、クロストークの原因
となる空乏層外の第１の導電型の半導体層１であるHg
1-x Cdx Te結晶内で生成した少数キャリヤに対して、
このHg1-x Cdx Te層と半導体基板５であるCdTe基板間
の相互拡散層とメサ部６の頂上部に形成された高濃度の
第１の導電型の半導体層４であるP+-Hg1-x Cdx Te層が
バリヤとなっているためクロストークは生じない、と同
時にバリヤの作用により空乏層へ到達する少数キャリヤ
の確率が増す。また、CdTe基板が半絶縁性であっても、
P-Hg1-x Cdx Te層の電極はP+-Hgy-x Cdx Te層表面よ
り問題無く取ることができる。また、空乏層を広げるた
めにＰ−Ｎ層間に逆バイアスを加えた場合でもバリヤの
作用により良好に動作する。
となる空乏層外の第１の導電型の半導体層１であるHg
1-x Cdx Te結晶内で生成した少数キャリヤに対して、
このHg1-x Cdx Te層と半導体基板５であるCdTe基板間
の相互拡散層とメサ部６の頂上部に形成された高濃度の
第１の導電型の半導体層４であるP+-Hg1-x Cdx Te層が
バリヤとなっているためクロストークは生じない、と同
時にバリヤの作用により空乏層へ到達する少数キャリヤ
の確率が増す。また、CdTe基板が半絶縁性であっても、
P-Hg1-x Cdx Te層の電極はP+-Hgy-x Cdx Te層表面よ
り問題無く取ることができる。また、空乏層を広げるた
めにＰ−Ｎ層間に逆バイアスを加えた場合でもバリヤの
作用により良好に動作する。
なお、上記実施例では第１の導電型の半導体層１として
形成したP-Hg1-x Cdx Te結晶が一部表面に露出してい
る部分があるが、たとえば第３図に示すように、露出部
にもバリヤを形成することができる。
形成したP-Hg1-x Cdx Te結晶が一部表面に露出してい
る部分があるが、たとえば第３図に示すように、露出部
にもバリヤを形成することができる。
すなわち、第３図において、第１の導電型の半導体層１
であるP-Hg1-x Cdx Te層の表層部にバルク部より禁制
帯幅の大きい第１の導電型の半導体層８としてP-Hg1-y
Cdy Te（ｙ＞ｘ）層を設けたものである。なお、他の
構成は第１図の実施例と同じである。この禁制帯幅の大
きいP-Hg1-y Cdy Te層によりキャリヤの表面再結合を
無くすことができると共に、PN接合の表面露出部の禁制
帯幅が大きいためPN接合部３の良否を左右する表面リー
ク電流低減の効果もある。
であるP-Hg1-x Cdx Te層の表層部にバルク部より禁制
帯幅の大きい第１の導電型の半導体層８としてP-Hg1-y
Cdy Te（ｙ＞ｘ）層を設けたものである。なお、他の
構成は第１図の実施例と同じである。この禁制帯幅の大
きいP-Hg1-y Cdy Te層によりキャリヤの表面再結合を
無くすことができると共に、PN接合の表面露出部の禁制
帯幅が大きいためPN接合部３の良否を左右する表面リー
ク電流低減の効果もある。
また、上記半導体基板５に高濃度のP+-Hg1-x Cdx Te基
板を用いても同様の効果を得ることができる。
板を用いても同様の効果を得ることができる。
さらに、上記実施例では、赤外線検知器の場合について
説明したが、他の光検知器および半導体装置でも良く、
上記実施例と同様の効果を奏する。
説明したが、他の光検知器および半導体装置でも良く、
上記実施例と同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明は、複数のメサ部と凹部
を形成した半絶縁性の半導体基板上に第１の導電型の半
導体層を形成し、半導体基板の各凹部の第１の導電型の
半導体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、半導体
基板の各メサ部上の第１の導電型の半導体層内に半導体
基板のメサ部に達する高濃度の第１の導電型の半導体層
を形成したので、各画素となるpn接合部が、メサ部が形
成された半導体基板と高濃度の半導体層により分離され
ていることから、クロストークを有効に防止でき、かつ
作製も容易である。
を形成した半絶縁性の半導体基板上に第１の導電型の半
導体層を形成し、半導体基板の各凹部の第１の導電型の
半導体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、半導体
基板の各メサ部上の第１の導電型の半導体層内に半導体
基板のメサ部に達する高濃度の第１の導電型の半導体層
を形成したので、各画素となるpn接合部が、メサ部が形
成された半導体基板と高濃度の半導体層により分離され
ていることから、クロストークを有効に防止でき、かつ
作製も容易である。
また、この発明の別の発明は、第１の導電型の半導体層
の表層部を禁制帯幅がバルク部より大きい第１の導電型
の半導体層で覆ったので、PN接合部のリーク電流を低減
でき、キャリヤの表面再結合も防止できる効果がある。
の表層部を禁制帯幅がバルク部より大きい第１の導電型
の半導体層で覆ったので、PN接合部のリーク電流を低減
でき、キャリヤの表面再結合も防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面
図、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明による赤外線検出
器の製造工程を示す断面図、第３図はこの発明の他の実
施例を示す断面図、第４図は従来の半導体光検出装置を
示す断面図、第５図は光学的クロストークを説明するた
めの断面図、第６図は物理的クロストークを説明するた
めの断面図である。 図において、１は第１の導電型の半導体層、２は第２の
導電型の半導体層、３はPN接合部、４は高濃度の第１の
導電型の半導体層、５は半導体基板、６はメサ部、７は
凹部、８は禁制帯幅の大きい第１の導電型の半導体層で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明による赤外線検出
器の製造工程を示す断面図、第３図はこの発明の他の実
施例を示す断面図、第４図は従来の半導体光検出装置を
示す断面図、第５図は光学的クロストークを説明するた
めの断面図、第６図は物理的クロストークを説明するた
めの断面図である。 図において、１は第１の導電型の半導体層、２は第２の
導電型の半導体層、３はPN接合部、４は高濃度の第１の
導電型の半導体層、５は半導体基板、６はメサ部、７は
凹部、８は禁制帯幅の大きい第１の導電型の半導体層で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】複数のメサ部と凹部を形成した半絶縁性の
半導体基板上に第１の導電型の半導体層を形成し、前記
半絶縁性の半導体基板の各凹部の前記第１の導電型の半
導体層内に第２の導電型の半導体層を形成し、前記半絶
縁性の半導体基板の各メサ部上の前記第１の導電型の半
導体層内に前記半絶縁性の半導体基板のメサ部に達する
高濃度の第１の導電型の半導体層を形成したことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】複数のメサ部と凹部を形成した半絶縁性の
半導体基板上に表層部の禁制帯幅がバルク部より大きい
第１の導電型の半導体層を形成し、前記半絶縁性の半導
体基板の各凹部の第１の導電型の半導体層内に第２の導
電型の半導体層を形成し、前記半絶縁性の半導体基板の
各メサ部上の第１の導電型の半導体層内に前記メサ部に
達する高濃度の第１の導電型の半導体層を形成したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219813A JPH07105522B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219813A JPH07105522B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461964A JPS6461964A (en) | 1989-03-08 |
| JPH07105522B2 true JPH07105522B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16741433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62219813A Expired - Lifetime JPH07105522B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105522B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233777A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
| EP1569275B1 (en) * | 2002-11-18 | 2011-03-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Backside-illuminated photodiode array, method for manufacturing same, and semiconductor device |
| US7810740B2 (en) | 2002-11-18 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back illuminated photodiode array, manufacturing method and semiconductor device thereof |
| JP5368007B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-12-18 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子アレイ |
| CN103807918B (zh) * | 2012-11-12 | 2016-06-29 | 美的集团股份有限公司 | 便于维修的空调室内机 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5213918B2 (ja) * | 1972-02-02 | 1977-04-18 | ||
| JPS57107082A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-03 | Fujitsu Ltd | Detector for infrared ray |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP62219813A patent/JPH07105522B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461964A (en) | 1989-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5430321A (en) | Photodiode structure | |
| US4875084A (en) | Optoelectric transducer | |
| US9024296B2 (en) | Focal plane array with pixels defined by modulation of surface Fermi energy | |
| EP0518243A1 (en) | Two-color radiation detector array and method of fabricating same | |
| JPH0728049B2 (ja) | グレーデッドギャップ反転層フオトダイオードアレイ | |
| US8946617B2 (en) | Photodiode having a p-n junction with varying expansion of the space charge zone due to application of a variable voltage | |
| JPS5812746B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| US20110101483A1 (en) | Two colour photon detector | |
| US20130001729A1 (en) | High Fill-Factor Laser-Treated Semiconductor Device on Bulk Material with Single Side Contact Scheme | |
| US7671341B2 (en) | Multi colour photon detectors | |
| JP7109718B2 (ja) | 化合物半導体フォトダイオードアレイ | |
| JPS61133659A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JPS61139061A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| US4646120A (en) | Photodiode array | |
| JPH07105522B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20100295141A1 (en) | Two colour photon detector | |
| JPS61141175A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPH0570946B2 (ja) | ||
| JPS61141176A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| US8513753B1 (en) | Photodiode having a buried well region | |
| EP1833095A1 (en) | Photo diode having reduced dark current | |
| JP2817435B2 (ja) | 配列型赤外線検知器の製造方法 | |
| JP2848345B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPS61187267A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63273365A (ja) | 赤外線検出デバイス |