JPH07106684A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH07106684A JPH07106684A JP24829793A JP24829793A JPH07106684A JP H07106684 A JPH07106684 A JP H07106684A JP 24829793 A JP24829793 A JP 24829793A JP 24829793 A JP24829793 A JP 24829793A JP H07106684 A JPH07106684 A JP H07106684A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基本波を単一縦モードで発振させることによ
って、ノイズが抑制され、極めて安定な出力光を得るこ
とができる固体レーザ装置を提供する。 【構成】 固体レーザ装置10は、レーザ媒質14を励
起するポンピング光19を放射するための半導体レーザ
11と、ポンピング光19を集光するためのレンズ系1
2、13と、Nd3+イオンが所定濃度添加されたNd:
Y3Al5O12、いわゆるYAGから成るレーザ媒質1
4、KNbO3 からなる非線形光学素子15および凹面
ミラー16から成る光共振器17などで構成されてい
る。単一縦モードの基本波発振を得るため、レーザ媒質
14の結晶長tは0.5mm未満が好ましく、さらにレ
ーザ媒質14中のNd3+濃度は1.2at%以上である
ことが好ましい。
って、ノイズが抑制され、極めて安定な出力光を得るこ
とができる固体レーザ装置を提供する。 【構成】 固体レーザ装置10は、レーザ媒質14を励
起するポンピング光19を放射するための半導体レーザ
11と、ポンピング光19を集光するためのレンズ系1
2、13と、Nd3+イオンが所定濃度添加されたNd:
Y3Al5O12、いわゆるYAGから成るレーザ媒質1
4、KNbO3 からなる非線形光学素子15および凹面
ミラー16から成る光共振器17などで構成されてい
る。単一縦モードの基本波発振を得るため、レーザ媒質
14の結晶長tは0.5mm未満が好ましく、さらにレ
ーザ媒質14中のNd3+濃度は1.2at%以上である
ことが好ましい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録、通信、計測な
どの分野で、光源として使用される固体レーザ装置に関
する。
どの分野で、光源として使用される固体レーザ装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の固体レーザ装置の一例を
示す構成図である。この固体レーザ装置50は、レーザ
媒質54を励起するポンピング光59を放射するための
半導体レーザ51と、ポンピング光59を集束するため
のレンズ系52,53と、レーザ媒質54、非線形光学
素子55および凹面ミラー56から成る光共振器57な
どが、光軸58上に配置されて構成されている。レーザ
媒質54は、Nd3+イオンが所定濃度添加されたNd:
Y3Al5O12、いわゆるYAGで構成される。以下、非
線形光学素子55がKNbO3 で構成される例を用いて
説明する。
示す構成図である。この固体レーザ装置50は、レーザ
媒質54を励起するポンピング光59を放射するための
半導体レーザ51と、ポンピング光59を集束するため
のレンズ系52,53と、レーザ媒質54、非線形光学
素子55および凹面ミラー56から成る光共振器57な
どが、光軸58上に配置されて構成されている。レーザ
媒質54は、Nd3+イオンが所定濃度添加されたNd:
Y3Al5O12、いわゆるYAGで構成される。以下、非
線形光学素子55がKNbO3 で構成される例を用いて
説明する。
【0003】レーザ媒質54の表面54aには、ポンピ
ング光59の波長809nmに対して透過率が高く、か
つレーザ発振光の波長946nmに対して反射率が高い
コーティングが施されている。一方、凹面ミラー56の
表面56aには、レーザ発振光の第2高調波の波長47
3nmに対して透過率が高く、かつ波長946nmに対
して反射率が高いコーティングが施されている。これら
2つの表面54a,56aによって、Y3Al5O12中の
Nd3+イオンの4F3/2→4I9/2 遷移による発光(波長
946nm)に対する光共振器57が形成される。
ング光59の波長809nmに対して透過率が高く、か
つレーザ発振光の波長946nmに対して反射率が高い
コーティングが施されている。一方、凹面ミラー56の
表面56aには、レーザ発振光の第2高調波の波長47
3nmに対して透過率が高く、かつ波長946nmに対
して反射率が高いコーティングが施されている。これら
2つの表面54a,56aによって、Y3Al5O12中の
Nd3+イオンの4F3/2→4I9/2 遷移による発光(波長
946nm)に対する光共振器57が形成される。
【0004】ここで、半導体レーザ51から放射された
ポンピング光59が、レンズ系52,53によって集束
されてレーザ媒質54に入射すると、レーザ媒質54中
に反転分布が形成され、波長946nmの光増幅が可能
となる。この結果、光共振器57の内部には、波長94
6nmのレーザ発振が起こり、高い光強度を有する基本
波63が発生することになる。
ポンピング光59が、レンズ系52,53によって集束
されてレーザ媒質54に入射すると、レーザ媒質54中
に反転分布が形成され、波長946nmの光増幅が可能
となる。この結果、光共振器57の内部には、波長94
6nmのレーザ発振が起こり、高い光強度を有する基本
波63が発生することになる。
【0005】基本波63は、非線形光学素子55を通過
することによって波長473nmの第2高調波に変換さ
れ、出力光60として光共振器57から外部に取り出さ
れる。なお、非線形光学素子55は、ほぼ室温で基本波
63と出力光60との位相整合条件を満足するような角
度に切り出されているとともにに、ペルチェ素子等を用
いた温度調整装置65の上に搭載され、温度チューニン
グによって最適な位相整合条件を満足するように高精度
に温度安定化されている。
することによって波長473nmの第2高調波に変換さ
れ、出力光60として光共振器57から外部に取り出さ
れる。なお、非線形光学素子55は、ほぼ室温で基本波
63と出力光60との位相整合条件を満足するような角
度に切り出されているとともにに、ペルチェ素子等を用
いた温度調整装置65の上に搭載され、温度チューニン
グによって最適な位相整合条件を満足するように高精度
に温度安定化されている。
【0006】基本波63の発振を妨げないように、非線
形光学素子55の表面55a、55bおよび、レーザ媒
質54の表面54bには基本波63の波長946nmに
対して透過率が高いコーティングが施されている。ま
た、出力光60を効率良く取り出すため、非線形光学素
子55の表面55bおよび凹面ミラー56の表面56
a、56bには、第2高調波の波長473nmに対して
透過率が高いコーティングが施されている。
形光学素子55の表面55a、55bおよび、レーザ媒
質54の表面54bには基本波63の波長946nmに
対して透過率が高いコーティングが施されている。ま
た、出力光60を効率良く取り出すため、非線形光学素
子55の表面55bおよび凹面ミラー56の表面56
a、56bには、第2高調波の波長473nmに対して
透過率が高いコーティングが施されている。
【0007】さらに、高い効率で出力光60を得るため
に、レーザ媒質54の結晶長tは発振しきい値が最低と
なるような値が選択される。具体的には、米国特許第
4,809,291号に開示されるように、レーザ媒質
54のポンピング光59に対する吸収係数αと一周分の
共振器内部ロスβとの関係から最適なレーザ媒質54の
結晶長tが決定される。吸収係数αが大きければ、薄い
レーザ媒質54でもポンピング光59を効率良く吸収で
きるので、レーザ媒質54の最適な結晶長tは小さくな
る。一方、共振器内部ロスβが大きければ、レーザ発振
が起きるためには大きなレーザ利得が必要となるため、
レーザ媒質54の最適な結晶長tは大きくなる。上記米
国特許第4,809,291号によれば、Nd:Y3A
l5O12の吸収係数αは2〜8cm-1程度であって、現
実的な共振器における内部ロスβは2%以下であり、こ
のとき発振しきい値を最低とするレーザ媒質の結晶長t
は0.5mm〜3mmとなり、すなわち、レーザ媒質5
4の結晶長tをこの範囲内に設定することによって、高
い効率で波長473nmのレーザ光を得ることができる
と記述されている。
に、レーザ媒質54の結晶長tは発振しきい値が最低と
なるような値が選択される。具体的には、米国特許第
4,809,291号に開示されるように、レーザ媒質
54のポンピング光59に対する吸収係数αと一周分の
共振器内部ロスβとの関係から最適なレーザ媒質54の
結晶長tが決定される。吸収係数αが大きければ、薄い
レーザ媒質54でもポンピング光59を効率良く吸収で
きるので、レーザ媒質54の最適な結晶長tは小さくな
る。一方、共振器内部ロスβが大きければ、レーザ発振
が起きるためには大きなレーザ利得が必要となるため、
レーザ媒質54の最適な結晶長tは大きくなる。上記米
国特許第4,809,291号によれば、Nd:Y3A
l5O12の吸収係数αは2〜8cm-1程度であって、現
実的な共振器における内部ロスβは2%以下であり、こ
のとき発振しきい値を最低とするレーザ媒質の結晶長t
は0.5mm〜3mmとなり、すなわち、レーザ媒質5
4の結晶長tをこの範囲内に設定することによって、高
い効率で波長473nmのレーザ光を得ることができる
と記述されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体レーザ装置50では、一般に、共振器57において
基本波63が複数の縦モードで発振するため、モード競
合による発振光強度変動が生じて、その結果、第2高調
波の出力光60の強度が不安定になるという課題があ
る。
固体レーザ装置50では、一般に、共振器57において
基本波63が複数の縦モードで発振するため、モード競
合による発振光強度変動が生じて、その結果、第2高調
波の出力光60の強度が不安定になるという課題があ
る。
【0009】この原因は、複数の縦モード同士が同じレ
ーザ媒質54中のゲインを共用するため競合関係にある
とともに、各縦モード同士はその間で発生する和周波に
起因する非線形ロスによって結合されているためであ
る。その結果、出力光60にモード競合ノイズが発生
し、その強度は著しく不安定になる(T.BAER著:
J.Opt.Soc.Am.B,Vol3,No9,1175(1986))。このように出
力が時間的に不安定であることは、光記録等への応用に
おいて大きな障害となる。
ーザ媒質54中のゲインを共用するため競合関係にある
とともに、各縦モード同士はその間で発生する和周波に
起因する非線形ロスによって結合されているためであ
る。その結果、出力光60にモード競合ノイズが発生
し、その強度は著しく不安定になる(T.BAER著:
J.Opt.Soc.Am.B,Vol3,No9,1175(1986))。このように出
力が時間的に不安定であることは、光記録等への応用に
おいて大きな障害となる。
【0010】本発明の目的は、前述した課題を解決する
ため、基本波を単一縦モードで発振させることによっ
て、ノイズが抑制され、極めて安定な出力光を得ること
ができる固体レーザ装置を提供することである。
ため、基本波を単一縦モードで発振させることによっ
て、ノイズが抑制され、極めて安定な出力光を得ること
ができる固体レーザ装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、Nd3+イオン
が添加されたNd:Y3Al5O12から成り、かつ光軸方
向の結晶長が0.5mm未満であって、ポンピング光に
より励起されるレーザ媒質と、前記レーザ媒質における
Nd3+イオンの4F3/2→4I9/2遷移による発光を共振さ
せるための光共振器と、前記光共振器内に配置され、前
記レーザ媒質の発光を波長変換するための非線形光学素
子とを備えることを特徴とする固体レーザ装置である。
が添加されたNd:Y3Al5O12から成り、かつ光軸方
向の結晶長が0.5mm未満であって、ポンピング光に
より励起されるレーザ媒質と、前記レーザ媒質における
Nd3+イオンの4F3/2→4I9/2遷移による発光を共振さ
せるための光共振器と、前記光共振器内に配置され、前
記レーザ媒質の発光を波長変換するための非線形光学素
子とを備えることを特徴とする固体レーザ装置である。
【0012】本発明において、前記レーザ媒質を構成す
るNd:Y3Al5O12中のNd3+イオンの濃度が、1.
2at%以上であることが好ましい。
るNd:Y3Al5O12中のNd3+イオンの濃度が、1.
2at%以上であることが好ましい。
【0013】
【作用】本発明に従えば、レーザ媒質であるNd:Y3
Al5O12の光軸方向の結晶長を短くし、特に0.5m
m未満に設定することによって、単一縦モード発振が実
現され、ノイズの抑制された安定な出力光が得られる。
Al5O12の光軸方向の結晶長を短くし、特に0.5m
m未満に設定することによって、単一縦モード発振が実
現され、ノイズの抑制された安定な出力光が得られる。
【0014】以下詳説すると、図2は本発明に係る固体
レーザ装置におけるレーザ媒質中の共振器縦モードの様
子を示したグラフである。横軸は、レーザ媒質のHR面
(高反射面)からの距離を任意単位で示しており、横軸
の原点(図2左端)すなわちレーザ媒質のHR面は共振
器の固定端となるため、各縦モードの節はこの左端位置
に必ず一致する。縦軸は、縦モードが消費するゲインを
任意単位で示す。
レーザ装置におけるレーザ媒質中の共振器縦モードの様
子を示したグラフである。横軸は、レーザ媒質のHR面
(高反射面)からの距離を任意単位で示しており、横軸
の原点(図2左端)すなわちレーザ媒質のHR面は共振
器の固定端となるため、各縦モードの節はこの左端位置
に必ず一致する。縦軸は、縦モードが消費するゲインを
任意単位で示す。
【0015】図2中の実線aは、最初に発振する共振器
縦モード(以下、第1の縦モードと呼ぶ)が消費するゲ
インの、光軸方向に沿った分布を示している。第1の縦
モードの波長は、レーザ媒質のゲイン中心にほぼ一致し
ている。一方、図2中の破線bは、2番目に発振し得る
共振器縦モード(以下、第2の縦モードと呼ぶ)が消費
するゲインの分布を示している。ただし、レーザ媒質で
あるY3Al5O12におけるNd3+イオンの4F3/2→4I
9/2遷移による発光線幅中の波長の差は高々0.1%程
度であり、実線aと破線bとの波長の差は理解容易のた
めに実際より誇張して示されている。
縦モード(以下、第1の縦モードと呼ぶ)が消費するゲ
インの、光軸方向に沿った分布を示している。第1の縦
モードの波長は、レーザ媒質のゲイン中心にほぼ一致し
ている。一方、図2中の破線bは、2番目に発振し得る
共振器縦モード(以下、第2の縦モードと呼ぶ)が消費
するゲインの分布を示している。ただし、レーザ媒質で
あるY3Al5O12におけるNd3+イオンの4F3/2→4I
9/2遷移による発光線幅中の波長の差は高々0.1%程
度であり、実線aと破線bとの波長の差は理解容易のた
めに実際より誇張して示されている。
【0016】第1の縦モードが発振した後、第2の縦モ
ードが発振を開始する場合、第1の縦モードが図2中実
線aに示す分布でゲインを消費してしまっているので、
第2の縦モードが利用できるゲインは、第1の縦モード
が消費せずに残ったゲインの分布と第2の縦モードが消
費するゲインの分布との重なりになる。その大きさは、
図2中斜線部分の面積に対応している。
ードが発振を開始する場合、第1の縦モードが図2中実
線aに示す分布でゲインを消費してしまっているので、
第2の縦モードが利用できるゲインは、第1の縦モード
が消費せずに残ったゲインの分布と第2の縦モードが消
費するゲインの分布との重なりになる。その大きさは、
図2中斜線部分の面積に対応している。
【0017】図3は、図2中の斜線で示した第2の縦モ
ードが利用可能な残留ゲインの光軸方向分布を示したグ
ラフである。横軸は、レーザ媒質のHR面からの距離を
任意単位で示しており、縦軸は、縦モードが消費するゲ
インを任意単位で示す。
ードが利用可能な残留ゲインの光軸方向分布を示したグ
ラフである。横軸は、レーザ媒質のHR面からの距離を
任意単位で示しており、縦軸は、縦モードが消費するゲ
インを任意単位で示す。
【0018】横軸の原点(図3左端)では、第1の縦モ
ード(図2中実線a)と第2の縦モード(図2中破線
b)の節が形成されるため、図3左端近傍において実線
aと破線bとがほとんど重複している。従って図3に示
すように、第2の縦モードが利用可能なゲインは、左端
近傍では小さなものになっている。しかし、第1の縦モ
ードと第2の縦モードの波長がわずかに異なるため、左
端からの距離が増大するにつれて実線aと破線bとの位
相差は増大し、両者の重なりは減少していく。この結
果、第2の縦モードが利用可能なゲインは、左端から遠
ざかるにつれて増加することになる。従って、レーザ媒
質の結晶長が小さいほど、第2の縦モードが利用できる
ゲインは小さくなり、第2の縦モードの発振は困難とな
る。すなわち、単一縦モード発振が容易になる。
ード(図2中実線a)と第2の縦モード(図2中破線
b)の節が形成されるため、図3左端近傍において実線
aと破線bとがほとんど重複している。従って図3に示
すように、第2の縦モードが利用可能なゲインは、左端
近傍では小さなものになっている。しかし、第1の縦モ
ードと第2の縦モードの波長がわずかに異なるため、左
端からの距離が増大するにつれて実線aと破線bとの位
相差は増大し、両者の重なりは減少していく。この結
果、第2の縦モードが利用可能なゲインは、左端から遠
ざかるにつれて増加することになる。従って、レーザ媒
質の結晶長が小さいほど、第2の縦モードが利用できる
ゲインは小さくなり、第2の縦モードの発振は困難とな
る。すなわち、単一縦モード発振が容易になる。
【0019】一方、第1および第2の縦モード間の波長
差が大きくなれば、実線aと破線bとの位相差が大きく
なって、結晶長の短いレーザ媒質においても両者の重な
りが小さくなる可能性がある。しかし、一般に、発振波
長がレーザ媒質の利得分布の中心波長から離れるほど、
第2の縦モードが利用できるゲインは小さくなり、たと
えばNd:Y3Al5O12の利得分布は、半値幅が約0.
8nmという極めて急峻であるため、第1および第2の
縦モード間の波長差が大きくなるには限界がある。結
局、レーザ媒質の利得分布が急峻で、かつ結晶長が小さ
ければ、最初の縦モードが優位となり、単一縦モードで
の発振が容易になる。
差が大きくなれば、実線aと破線bとの位相差が大きく
なって、結晶長の短いレーザ媒質においても両者の重な
りが小さくなる可能性がある。しかし、一般に、発振波
長がレーザ媒質の利得分布の中心波長から離れるほど、
第2の縦モードが利用できるゲインは小さくなり、たと
えばNd:Y3Al5O12の利得分布は、半値幅が約0.
8nmという極めて急峻であるため、第1および第2の
縦モード間の波長差が大きくなるには限界がある。結
局、レーザ媒質の利得分布が急峻で、かつ結晶長が小さ
ければ、最初の縦モードが優位となり、単一縦モードで
の発振が容易になる。
【0020】こうして、レーザ媒質であるNd:Y3A
l5O12の光軸方向の結晶長を短くすれば、単一縦モー
ド発振が実現して、ノイズの抑制された安定な出力光が
得られることになる。結晶長が短くなれば出力が小さく
なるので、必要とする出力により下限が定まり、0.0
5mm以上が望ましい。
l5O12の光軸方向の結晶長を短くすれば、単一縦モー
ド発振が実現して、ノイズの抑制された安定な出力光が
得られることになる。結晶長が短くなれば出力が小さく
なるので、必要とする出力により下限が定まり、0.0
5mm以上が望ましい。
【0021】さらに、レーザ媒質であるNd:Y3Al5
O12中のNd3+の濃度を高くし、特に1.2at%以上
に設定することによって、単一縦モード発振をより容易
に実現し、ノイズを低減することができる。すなわち、
レーザ媒質中のNd3+の濃度が高くなるほど、レーザ媒
質のポンピング光に対する吸収係数は増大し、レーザ媒
質のHR面近くで吸収されるポンピング光の割合は増大
する。この結果、レーザ媒質中のゲインはHR面近くに
偏って分布し、第2の縦モードが利用し得るゲインは減
少する。従って、Nd3+の濃度が高ければ、より容易に
単一縦モードでの発振が実現できる。
O12中のNd3+の濃度を高くし、特に1.2at%以上
に設定することによって、単一縦モード発振をより容易
に実現し、ノイズを低減することができる。すなわち、
レーザ媒質中のNd3+の濃度が高くなるほど、レーザ媒
質のポンピング光に対する吸収係数は増大し、レーザ媒
質のHR面近くで吸収されるポンピング光の割合は増大
する。この結果、レーザ媒質中のゲインはHR面近くに
偏って分布し、第2の縦モードが利用し得るゲインは減
少する。従って、Nd3+の濃度が高ければ、より容易に
単一縦モードでの発振が実現できる。
【0022】このとき吸収係数の増大によってポンピン
グの効率も上昇しているので、出力光も効率良く得るこ
とができる。
グの効率も上昇しているので、出力光も効率良く得るこ
とができる。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0024】図1(a)は、本発明の一実施例である固
体レーザ装置10を示す構成図である。固体レーザ装置
10は、レーザ媒質14を励起するポンピング光19を
放射するための半導体レーザ11(SONY社製SLD
322V)と、ポンピング光19を集光するためのレン
ズ系12、13(ニューポート社製F−LA40)と、
Nd3+イオンが所定濃度添加されたNd:Y3Al
5O12、いわゆるYAGから成るレーザ媒質14、KN
bO3 からなる非線形光学素子15および凹面ミラー1
6から成る光共振器17などで構成されている。
体レーザ装置10を示す構成図である。固体レーザ装置
10は、レーザ媒質14を励起するポンピング光19を
放射するための半導体レーザ11(SONY社製SLD
322V)と、ポンピング光19を集光するためのレン
ズ系12、13(ニューポート社製F−LA40)と、
Nd3+イオンが所定濃度添加されたNd:Y3Al
5O12、いわゆるYAGから成るレーザ媒質14、KN
bO3 からなる非線形光学素子15および凹面ミラー1
6から成る光共振器17などで構成されている。
【0025】凹面ミラー16の曲面16aの曲率半径は
7.8mmであり、この曲面16aとレーザ媒質14の
表面14aとを両反射面とする光共振器17が形成され
る。レーザ媒質14の結晶長tは、後述する理由により
0.5mm未満が好ましい。非線形光学素子15の結晶
長は2.5mmである。レーザ媒質14の表面14bと
非線形光学素子15の表面15aとはほぼ密着してお
り、非線形光学素子15の表面15bと凹面ミラー16
の表面16aとの間には光軸18上で約4mmの空隙が
ある。
7.8mmであり、この曲面16aとレーザ媒質14の
表面14aとを両反射面とする光共振器17が形成され
る。レーザ媒質14の結晶長tは、後述する理由により
0.5mm未満が好ましい。非線形光学素子15の結晶
長は2.5mmである。レーザ媒質14の表面14bと
非線形光学素子15の表面15aとはほぼ密着してお
り、非線形光学素子15の表面15bと凹面ミラー16
の表面16aとの間には光軸18上で約4mmの空隙が
ある。
【0026】レーザ媒質14の表面14aには、ポンピ
ング光19の波長809nmに対して透過率が80%以
上であり、かつレーザ媒質14の発振波長946nmに
対して反射率が99.9 %以上となるコーティングが施
されている。一方、レーザ媒質14の表面14bには、
波長946nmに対して透過率が99.9%以上となる
コーティングが施されている。非線形光学素子15の各
表面15a,15bには、波長946nmに対して透過
率が99.9 %以上となるコーティングが施されてい
る。
ング光19の波長809nmに対して透過率が80%以
上であり、かつレーザ媒質14の発振波長946nmに
対して反射率が99.9 %以上となるコーティングが施
されている。一方、レーザ媒質14の表面14bには、
波長946nmに対して透過率が99.9%以上となる
コーティングが施されている。非線形光学素子15の各
表面15a,15bには、波長946nmに対して透過
率が99.9 %以上となるコーティングが施されてい
る。
【0027】凹面ミラー16の曲面16aには、波長9
46nmに対して反射率が99. 9%以上となり、かつ
第2高調波である波長473nmに対して透過率が95
%以上となるコーティングが施されている。凹面ミラー
16の平面16bには、波長473nmに対して透過率
が95%以上になるコーティングが施されている。従っ
て、レーザ媒質14の表面14aおよび凹面ミラー16
の曲面16aによって、Y3Al5O12中のNd3+イオン
の4F3/2→4I9/2遷移による発光(波長946nm)に
対する光共振器17が形成される。
46nmに対して反射率が99. 9%以上となり、かつ
第2高調波である波長473nmに対して透過率が95
%以上となるコーティングが施されている。凹面ミラー
16の平面16bには、波長473nmに対して透過率
が95%以上になるコーティングが施されている。従っ
て、レーザ媒質14の表面14aおよび凹面ミラー16
の曲面16aによって、Y3Al5O12中のNd3+イオン
の4F3/2→4I9/2遷移による発光(波長946nm)に
対する光共振器17が形成される。
【0028】半導体レーザ11から放射されるポンピン
グ光19が、レンズ系12、13によって集束されてレ
ーザ媒質14に入射すると、レーザ媒質14中に反転分
布が形成され、波長946nmのレーザ発振が起こり、
高い光強度を有する基本波23が光共振器17の内部に
発生する。
グ光19が、レンズ系12、13によって集束されてレ
ーザ媒質14に入射すると、レーザ媒質14中に反転分
布が形成され、波長946nmのレーザ発振が起こり、
高い光強度を有する基本波23が光共振器17の内部に
発生する。
【0029】非線形光学素子15であるKNbO3 結晶
は、図1(b)に示すように、c軸とc’軸のなす角度
φ=29.9°、かつb軸とc’のなす角度θ=90°
となるようc’軸を定めると、b−c’平面に対して表
面15a,15bが平行になるように切出されている。
このとき、a’軸と光軸18とが平行になるとともに、
非線形光学素子15の偏光軸はb軸とc’軸になり、波
長946nmのb軸偏光に対する屈折率と、波長473
nmのc’軸偏光に対する屈折率は一致する。従って、
切り出し面に対して垂直に伝搬方向を取ると、波長94
6nmの基本波23のb軸偏光成分は、c’軸偏光の第
2高調波に対して室温でタイプ1の位相整合をとること
ができる。この結果、基本波23が非線形光学素子15
を通過することによって、波長473nmの第2高調波
に変換され、出力光20として光共振器17の外部に取
り出される。なお、レーザ媒質14および非線形光学素
子15は、ペルチェ素子等を用いた温度調整装置25の
上に搭載され、温度チューニングによって最適な位相整
合条件を満足して、最大の変換効率で出力光20が得ら
れるように一括して高精度に温度安定化されている。
は、図1(b)に示すように、c軸とc’軸のなす角度
φ=29.9°、かつb軸とc’のなす角度θ=90°
となるようc’軸を定めると、b−c’平面に対して表
面15a,15bが平行になるように切出されている。
このとき、a’軸と光軸18とが平行になるとともに、
非線形光学素子15の偏光軸はb軸とc’軸になり、波
長946nmのb軸偏光に対する屈折率と、波長473
nmのc’軸偏光に対する屈折率は一致する。従って、
切り出し面に対して垂直に伝搬方向を取ると、波長94
6nmの基本波23のb軸偏光成分は、c’軸偏光の第
2高調波に対して室温でタイプ1の位相整合をとること
ができる。この結果、基本波23が非線形光学素子15
を通過することによって、波長473nmの第2高調波
に変換され、出力光20として光共振器17の外部に取
り出される。なお、レーザ媒質14および非線形光学素
子15は、ペルチェ素子等を用いた温度調整装置25の
上に搭載され、温度チューニングによって最適な位相整
合条件を満足して、最大の変換効率で出力光20が得ら
れるように一括して高精度に温度安定化されている。
【0030】以下、具体的な実測例について説明する。
レーザ媒質14として、次のa群、b群およびc群から
なる合計10個のNd:Y3Al5O12単結晶を用意し
た。なお、Nd濃度はいずれもICP分析で得られた値
である。また、これら10個の単結晶表面には、上述し
たような光学コーティングが同一のバッチで施されてい
る。
レーザ媒質14として、次のa群、b群およびc群から
なる合計10個のNd:Y3Al5O12単結晶を用意し
た。なお、Nd濃度はいずれもICP分析で得られた値
である。また、これら10個の単結晶表面には、上述し
たような光学コーティングが同一のバッチで施されてい
る。
【0031】(a群) Nd濃度1.4at%のブール
から切り出された、結晶長0.3mm、0.4mm、
0.5mmおよび0.7mmのNd:Y3Al5O12単結
晶、合計4個。
から切り出された、結晶長0.3mm、0.4mm、
0.5mmおよび0.7mmのNd:Y3Al5O12単結
晶、合計4個。
【0032】(b群) Nd濃度1.2at%のブール
から切り出された、結晶長0.3mm、0.4mm、
0.5mmおよび0.7mmのNd:Y3Al5O12単結
晶、合計4個。
から切り出された、結晶長0.3mm、0.4mm、
0.5mmおよび0.7mmのNd:Y3Al5O12単結
晶、合計4個。
【0033】(c群) Nd濃度1.1at%のブール
から切り出された、結晶長0.3mmおよび0.4mm
のNd:Y3Al5O12単結晶、合計2個。
から切り出された、結晶長0.3mmおよび0.4mm
のNd:Y3Al5O12単結晶、合計2個。
【0034】次に、各結晶を図1に示すレーザ媒質14
として配置し、ポンピング光19のパワーを380mW
に設定して、出力光20の縦モードおよびノイズを観測
した結果について説明する。縦モードの観測方法は、出
力光20を光ファイバを介して分光器(SPEX Industrie
s Inc.社製、1269型)で分光し、フォトダイオード
アレイ(Princeton Instruments Inc.社製、RY−10
24型)で検出した。ノイズの観測方法は、出力光20
のパワーをフォトディテクタ(浜松ホトニクス社製、S
2281型)で検出し、オシロスコープでその時間変化
を観測した。
として配置し、ポンピング光19のパワーを380mW
に設定して、出力光20の縦モードおよびノイズを観測
した結果について説明する。縦モードの観測方法は、出
力光20を光ファイバを介して分光器(SPEX Industrie
s Inc.社製、1269型)で分光し、フォトダイオード
アレイ(Princeton Instruments Inc.社製、RY−10
24型)で検出した。ノイズの観測方法は、出力光20
のパワーをフォトディテクタ(浜松ホトニクス社製、S
2281型)で検出し、オシロスコープでその時間変化
を観測した。
【0035】図4は、縦モード観測の結果を示すグラフ
である。横軸はレーザ媒質の結晶長t(mm)であり、
縦軸はNd濃度(at%)である。図4中の○印は、単
一縦モードでの発振が安定して得られたことを示してい
る。図4中の△印は、単一縦モードでの発振が得られた
が、断続的に多モード発振も認められたことを示してい
る。図4中の×印は、単一縦モードでの発振が得られな
かったことを示している。同時に行なったノイズ観測で
は、多モード発振時にはスパイク状のノイズが認められ
たが、単一縦モード発振時にはスパイク状のノイズは認
められなかった。
である。横軸はレーザ媒質の結晶長t(mm)であり、
縦軸はNd濃度(at%)である。図4中の○印は、単
一縦モードでの発振が安定して得られたことを示してい
る。図4中の△印は、単一縦モードでの発振が得られた
が、断続的に多モード発振も認められたことを示してい
る。図4中の×印は、単一縦モードでの発振が得られな
かったことを示している。同時に行なったノイズ観測で
は、多モード発振時にはスパイク状のノイズが認められ
たが、単一縦モード発振時にはスパイク状のノイズは認
められなかった。
【0036】このように、レーザ媒質14であるNd:
Y3Al5O12の結晶長が0.5mm未満である場合、単
一縦モードでのレーザ発振が実現される。さらに、N
d:Y3Al5O12の結晶長が0.5mm未満で、かつN
d濃度が1.2at%以上である場合には、より安定に
単一縦モードでのレーザ発振が得られる。したがって、
低ノイズで極めて安定した出力光20を得ることができ
る。
Y3Al5O12の結晶長が0.5mm未満である場合、単
一縦モードでのレーザ発振が実現される。さらに、N
d:Y3Al5O12の結晶長が0.5mm未満で、かつN
d濃度が1.2at%以上である場合には、より安定に
単一縦モードでのレーザ発振が得られる。したがって、
低ノイズで極めて安定した出力光20を得ることができ
る。
【0037】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、光
共振器内において単一縦モード発振を実現することがで
きるため、低ノイズで極めて安定した出力光を得ること
ができる。
共振器内において単一縦モード発振を実現することがで
きるため、低ノイズで極めて安定した出力光を得ること
ができる。
【図1】図1(a)は、本発明の一実施例である固体レ
ーザ装置10を示す構成図であり、図1(b)は、非線
形光学素子15であるKNbO3 結晶の切り出し方向を
示す座標系である。
ーザ装置10を示す構成図であり、図1(b)は、非線
形光学素子15であるKNbO3 結晶の切り出し方向を
示す座標系である。
【図2】本発明に係る固体レーザ装置におけるレーザ媒
質中の共振器縦モードの様子を示したグラフである。
質中の共振器縦モードの様子を示したグラフである。
【図3】図2中の斜線で示した第2の縦モードが利用可
能な残留ゲインの光軸方向分布を示したグラフである。
能な残留ゲインの光軸方向分布を示したグラフである。
【図4】縦モード観測の結果を示すグラフである。
【図5】従来の固体レーザ装置の一例を示す構成図であ
る。
る。
10 固体レーザ装置 11 半導体レーザ 12,13 レンズ系 14 レーザ媒質 14a,14b 表面 15 非線形光学素子 15a,15b 表面 16 凹面ミラー 16a 曲面 16b 平面 17 光共振器 18 光軸 19 ポンピング光 20 出力光 23 基本波 25 温度調整装置
Claims (2)
- 【請求項1】 Nd3+イオンが添加されたNd:Y3A
l5O12から成り、かつ光軸方向の結晶長が0.5mm
未満であって、ポンピング光により励起されるレーザ媒
質と、 前記レーザ媒質におけるNd3+イオンの4F3/2→4I9/2
遷移による発光を共振させるための光共振器と、 前記光共振器内に配置され、前記レーザ媒質の発光を波
長変換するための非線形光学素子とを備えることを特徴
とする固体レーザ装置。 - 【請求項2】 前記レーザ媒質を構成するNd:Y3A
l5O12中のNd3+イオンの濃度が、1.2at%以上
であることを特徴とする請求項1に記載の固体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24829793A JPH07106684A (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24829793A JPH07106684A (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106684A true JPH07106684A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17175990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24829793A Pending JPH07106684A (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106684A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989839A (en) * | 1988-09-15 | 1991-02-05 | Noranda Inc. | Automatic tuyere puncher |
| US6567442B2 (en) | 2000-02-10 | 2003-05-20 | Riken | Laser device |
| JP2011223024A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-04 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-10-04 JP JP24829793A patent/JPH07106684A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989839A (en) * | 1988-09-15 | 1991-02-05 | Noranda Inc. | Automatic tuyere puncher |
| US6567442B2 (en) | 2000-02-10 | 2003-05-20 | Riken | Laser device |
| JP2011223024A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-04 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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