JPH0710681A - 浮融帯装置用サセプタ - Google Patents
浮融帯装置用サセプタInfo
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- JPH0710681A JPH0710681A JP6097114A JP9711494A JPH0710681A JP H0710681 A JPH0710681 A JP H0710681A JP 6097114 A JP6097114 A JP 6097114A JP 9711494 A JP9711494 A JP 9711494A JP H0710681 A JPH0710681 A JP H0710681A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ケイ素の浮融帯処理装置の提供。
【構成】本発明は、ケイ素素材を浮融帯処理する浮融帯
装置用サセプタであり、該サセプタは円筒形であって、
該サセプタをケイ素素材の自由端の回りに配置してケイ
素素材の自由端を加熱して、該自由端とＲＦ誘導コイル
・ヒータとの誘導結合を容易にさせる。本発明の望まし
い実施態様におけるサセプタはタンタル製である。
装置用サセプタであり、該サセプタは円筒形であって、
該サセプタをケイ素素材の自由端の回りに配置してケイ
素素材の自由端を加熱して、該自由端とＲＦ誘導コイル
・ヒータとの誘導結合を容易にさせる。本発明の望まし
い実施態様におけるサセプタはタンタル製である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ケイ素素材を浮融帯処
理する浮融帯装置用サセプタに関するものである。該サ
セプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）は、円筒形のものであっ
てケイ素素材の自由端の回りに配置されて、該ケイ素素
材の自由端を加熱してＲＦ誘導コイル・ヒータとの誘導
結合を容易にさせるものである。本発明の望ましい実施
態様におけるサセプタはタンタルから作製される。
理する浮融帯装置用サセプタに関するものである。該サ
セプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）は、円筒形のものであっ
てケイ素素材の自由端の回りに配置されて、該ケイ素素
材の自由端を加熱してＲＦ誘導コイル・ヒータとの誘導
結合を容易にさせるものである。本発明の望ましい実施
態様におけるサセプタはタンタルから作製される。
【０００２】
【従来の技術】ケイ素を浮融帯処理する装置は技術的に
既知であって、英国特許−Ａ第１，０８１，８２７号お
よび米国特許−Ａ第４，０４５，１８１号に記載されて
いる。Ｈｗａｎｇらは、１９９３年９月９日付け同時係
属ドイツ出願Ｐ第４３ ３０５９８．９号は、塊状ケイ
素の汚染物質分析法を記載し、塊状ケイ素を浮融帯処理
して汚染物質を単結晶ケイ素の大部分に分配させてい
る。さらにケラーらＫｅｌｌｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｐｒ
ｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ：
Ｆｌｏａｔｉｎｇ−Ｚｏｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ，ｖｏ
ｌ．５，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ，ＮＹ，１９８１）によって装置および方法
が広範囲に記載されている。
既知であって、英国特許−Ａ第１，０８１，８２７号お
よび米国特許−Ａ第４，０４５，１８１号に記載されて
いる。Ｈｗａｎｇらは、１９９３年９月９日付け同時係
属ドイツ出願Ｐ第４３ ３０５９８．９号は、塊状ケイ
素の汚染物質分析法を記載し、塊状ケイ素を浮融帯処理
して汚染物質を単結晶ケイ素の大部分に分配させてい
る。さらにケラーらＫｅｌｌｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｐｒ
ｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ：
Ｆｌｏａｔｉｎｇ−Ｚｏｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ，ｖｏ
ｌ．５，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ，ＮＹ，１９８１）によって装置および方法
が広範囲に記載されている。
【０００３】ケイ素を浮融帯処理する標準の方法は、無
線周波（ＲＦ）誘導コイル・ヒータを用いて、ケイ素素
材の横断面全体に溶融帯を生成させる。この溶融帯は、
次にケイ素素材の長さ方向に沿って移動されて、ケイ素
素材の精製とケイ素単結晶の作製をする。
線周波（ＲＦ）誘導コイル・ヒータを用いて、ケイ素素
材の横断面全体に溶融帯を生成させる。この溶融帯は、
次にケイ素素材の長さ方向に沿って移動されて、ケイ素
素材の精製とケイ素単結晶の作製をする。
【０００４】ＲＦ誘導コイル・ヒータとケイ素素材とを
結合させるのに必要なＲＦエネルギーの量はケイ素素材
の比抵抗に反比例することが知られている。従って、半
導体グレードのケイ素のような比較的純粋なケイ素は室
温で高比抵抗を有するから、ケイ素素材の誘導加熱を開
始するのは困難である。この問題を解消するために、浮
融帯装置は典型的にケイ素素材よりも容易にＲＦ誘導コ
イル・ヒータと結合するサセプタを有して、ケイ素素子
へ放射熱を与えてその比抵抗を低下させる。これらのサ
セプタは典型的に固体カーボン又は黒鉛材であって、そ
れらをケイ素素材に近接して配置させるが、ケイ素素材
の自由端を囲まないようにする。
結合させるのに必要なＲＦエネルギーの量はケイ素素材
の比抵抗に反比例することが知られている。従って、半
導体グレードのケイ素のような比較的純粋なケイ素は室
温で高比抵抗を有するから、ケイ素素材の誘導加熱を開
始するのは困難である。この問題を解消するために、浮
融帯装置は典型的にケイ素素材よりも容易にＲＦ誘導コ
イル・ヒータと結合するサセプタを有して、ケイ素素子
へ放射熱を与えてその比抵抗を低下させる。これらのサ
セプタは典型的に固体カーボン又は黒鉛材であって、そ
れらをケイ素素材に近接して配置させるが、ケイ素素材
の自由端を囲まないようにする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
はケイ素の浮融帯処理装置の提供にある。この装置は、
ケイ素素材の自由端の回りに配置して該ケイ素素材の自
由端の予熱と、該素材とＲＦ誘導コイル・ヒータとの誘
導結合を容易にさせることができる円筒形サセプタから
成る。本発明の円筒形サセプタはケイ素素材の自由端を
より均一にかつ効果的に加熱する。前記Ｈｗａｎｇらの
記載した形状が不規則なケイ素素材の予熱に特に有効で
ある。
はケイ素の浮融帯処理装置の提供にある。この装置は、
ケイ素素材の自由端の回りに配置して該ケイ素素材の自
由端の予熱と、該素材とＲＦ誘導コイル・ヒータとの誘
導結合を容易にさせることができる円筒形サセプタから
成る。本発明の円筒形サセプタはケイ素素材の自由端を
より均一にかつ効果的に加熱する。前記Ｈｗａｎｇらの
記載した形状が不規則なケイ素素材の予熱に特に有効で
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明により、ＲＦ誘導
コイル・ヒータ、該ＲＦ誘導コイル・ヒータの上および
下に鉛直に整列されたケイ素素材の自由端を保持する素
材ホルダーおよびケイ素の種結晶を保持する種結晶ホル
ダー、ケイ素素材の自由端をＲＦ誘導コイル・ヒータに
近接させケイ素素材の自由端を融解させて融解帯を形成
させるべくＲＦ誘導コイル・ヒータに対して素材ホルダ
ーを位置決めする手段、ケイ素種結晶が融解帯と接触し
て合体するようにＲＦ誘導コイル・ヒータに対して種結
晶ホルダーを位置決めする手段、および融解帯がケイ素
素材の長さ方向に沿って移動するようにケイ素素材に対
するＲＦ誘導コイル・ヒータの相対位置を変える手段を
有するケイ素素材を処理する浮融帯装置に、ケイ素素材
の自由端の回りに位置決めできる円筒形サセプタを使用
することを特徴とするケイ素素材を処理する浮融帯装置
が提供される。
コイル・ヒータ、該ＲＦ誘導コイル・ヒータの上および
下に鉛直に整列されたケイ素素材の自由端を保持する素
材ホルダーおよびケイ素の種結晶を保持する種結晶ホル
ダー、ケイ素素材の自由端をＲＦ誘導コイル・ヒータに
近接させケイ素素材の自由端を融解させて融解帯を形成
させるべくＲＦ誘導コイル・ヒータに対して素材ホルダ
ーを位置決めする手段、ケイ素種結晶が融解帯と接触し
て合体するようにＲＦ誘導コイル・ヒータに対して種結
晶ホルダーを位置決めする手段、および融解帯がケイ素
素材の長さ方向に沿って移動するようにケイ素素材に対
するＲＦ誘導コイル・ヒータの相対位置を変える手段を
有するケイ素素材を処理する浮融帯装置に、ケイ素素材
の自由端の回りに位置決めできる円筒形サセプタを使用
することを特徴とするケイ素素材を処理する浮融帯装置
が提供される。
【０００７】
【実施例】図１に本発明のサセプタから成るフロート・
ゾーン（浮融帯）装置の構成要素を示す。浮融帯装置
は、浮融帯法を真空又はアルゴンのような不活性雰囲気
下で実施できるように本質的にシールされるハウジング
１から成る。浮融帯装置をアルゴンでパージするとき
に、浮融帯法を実施する間アルゴン・パージ下に維持す
ることが望ましい。ハウジング１内には素材ホルダー２
が配置されている。素材ホルダー２はケイ素素材を保持
する下端部と位置決めロッド３に連結された上端部を有
する。位置決めロッドはハウジング１１の上壁を貫通し
て、素材ホルダー２をハウジング内に鉛直に配置させ
る。ハウジング１の内側の位置決めロッド３の端部は、
位置決めロッド３および装着素材ホルダー２を回転させ
る通常の手段へ連結される。素材ホルダー２の下端部は
ケイ素片を保持する普通の設計のもの、例えばチャック
にすることができる。
ゾーン（浮融帯）装置の構成要素を示す。浮融帯装置
は、浮融帯法を真空又はアルゴンのような不活性雰囲気
下で実施できるように本質的にシールされるハウジング
１から成る。浮融帯装置をアルゴンでパージするとき
に、浮融帯法を実施する間アルゴン・パージ下に維持す
ることが望ましい。ハウジング１内には素材ホルダー２
が配置されている。素材ホルダー２はケイ素素材を保持
する下端部と位置決めロッド３に連結された上端部を有
する。位置決めロッドはハウジング１１の上壁を貫通し
て、素材ホルダー２をハウジング内に鉛直に配置させ
る。ハウジング１の内側の位置決めロッド３の端部は、
位置決めロッド３および装着素材ホルダー２を回転させ
る通常の手段へ連結される。素材ホルダー２の下端部は
ケイ素片を保持する普通の設計のもの、例えばチャック
にすることができる。
【０００８】ケイ素素材４は素材ホルダー２に固定され
る。種結晶ホルダー５はハウジング１内の素材ホルダー
２の下に鉛直に整列される。種結晶ホルダー５はケイ素
の種結晶を保持する上端部と、ハウジング１の下壁を貫
通する位置決めロッド６に連結された下端部を有する。
種結晶ホルダー５の鉛直位置は、位置決めロッド６によ
ってハウジング１内で調整してケイ素の結晶をケイ素素
材４の自由端に形成される溶融率と接触させることがで
きる。さらに、位置決めロッド６は種結晶ホルダー５に
配置された種結晶を回転させる通常の手段によって回転
させることができる。素材ホルダーと種結晶ホルダーの
位置は、必要ならば逆にすることができる。しかしなが
ら、浮融帯装置の望ましい構造は図１に示した素材ホル
ダーが種結晶の上に配置されるものである。ケイ素素材
４は技術的に既知の従来のサイズおよび形状にすること
ができるが、本発明は、特にチヤンク（Ｃｈｕｎｋｓ，
塊）のような不規則な形状のケイ素素材を浮融帯処理す
るのに有用である。
る。種結晶ホルダー５はハウジング１内の素材ホルダー
２の下に鉛直に整列される。種結晶ホルダー５はケイ素
の種結晶を保持する上端部と、ハウジング１の下壁を貫
通する位置決めロッド６に連結された下端部を有する。
種結晶ホルダー５の鉛直位置は、位置決めロッド６によ
ってハウジング１内で調整してケイ素の結晶をケイ素素
材４の自由端に形成される溶融率と接触させることがで
きる。さらに、位置決めロッド６は種結晶ホルダー５に
配置された種結晶を回転させる通常の手段によって回転
させることができる。素材ホルダーと種結晶ホルダーの
位置は、必要ならば逆にすることができる。しかしなが
ら、浮融帯装置の望ましい構造は図１に示した素材ホル
ダーが種結晶の上に配置されるものである。ケイ素素材
４は技術的に既知の従来のサイズおよび形状にすること
ができるが、本発明は、特にチヤンク（Ｃｈｕｎｋｓ，
塊）のような不規則な形状のケイ素素材を浮融帯処理す
るのに有用である。
【０００９】ハウジング１にはＲＦ誘導コイル・ヒータ
７が配置される。ＲＦ誘導コイル・ヒータ７は位置決め
ロッド８によってハウジング１内に配置されて適当な電
源へ接続される。図１は可動のＲＦ誘導コイル・ヒータ
を示すが、ＲＦ誘導コイル・ヒータ７はハウジング１内
に固定して、ケイ素素材の長さ方向に沿って溶融ゾーン
を通過させるコイルに関してケイ素素材４を移動させる
ことができることがわかる。ＲＦ誘導コイル・ヒータ７
の設計は本発明に重要ではなく、既知の設計にすること
ができる。しかしながら、ＲＦ誘導コイル・ヒータ７は
浮融帯にされるケイ素素材の直径より大きい内径を有し
て円筒形サセプタの位置決めおよび除去を容易にさせる
ことが望ましい。
７が配置される。ＲＦ誘導コイル・ヒータ７は位置決め
ロッド８によってハウジング１内に配置されて適当な電
源へ接続される。図１は可動のＲＦ誘導コイル・ヒータ
を示すが、ＲＦ誘導コイル・ヒータ７はハウジング１内
に固定して、ケイ素素材の長さ方向に沿って溶融ゾーン
を通過させるコイルに関してケイ素素材４を移動させる
ことができることがわかる。ＲＦ誘導コイル・ヒータ７
の設計は本発明に重要ではなく、既知の設計にすること
ができる。しかしながら、ＲＦ誘導コイル・ヒータ７は
浮融帯にされるケイ素素材の直径より大きい内径を有し
て円筒形サセプタの位置決めおよび除去を容易にさせる
ことが望ましい。
【００１０】ハウジング１内には円筒形サセプタ９も配
置されている。ハウジング１内の円筒形サセプタ９の位
置は位置決めロッド１０によって調節、維持される。
置されている。ハウジング１内の円筒形サセプタ９の位
置は位置決めロッド１０によって調節、維持される。
【００１１】本発明における円筒形サセプタの機能は、
浮融帯装置において帯域溶融されるケイ素素材の予熱器
の役目をすることである。ケイ素、特に半導体グレード
のケイ素のような高純度ケイ素は、典型的な環境温度に
おいてケイ素へのＲＦ誘導結合を困難にする高比抵抗を
有する。しかしながら、ケイ素が５００℃以上の温度に
加熱されると、ケイ素の比抵抗が下がってＲＦ誘導結合
が容易になる。ケイ素を予熱する場合、７００℃〜１０
００℃の範囲内の温度に予熱するのが望ましい。 円筒
形サセプタは、本発明のＲＦ誘導コイル・ヒータとのＲ
Ｆ誘導結合によって加熱される。従って、本発明におい
て有効にさせるには、円筒形サセプタは帯域溶融される
ケイ素素材よりも低い比抵抗をもった材料から作らなけ
ればならない。また、円筒形サセプタはケイ素素材を余
り汚染させない材料から作ることが望ましい。円筒形サ
セプタの構成材料はカーボン、黒鉛、炭化ケイ素コーテ
ッド黒鉛又は炭化ケイ素コーテッド・カーボン、モリブ
デン、タングステンおよびタンタルから選択することが
望ましく、それらの中でタンタルが最適である。
浮融帯装置において帯域溶融されるケイ素素材の予熱器
の役目をすることである。ケイ素、特に半導体グレード
のケイ素のような高純度ケイ素は、典型的な環境温度に
おいてケイ素へのＲＦ誘導結合を困難にする高比抵抗を
有する。しかしながら、ケイ素が５００℃以上の温度に
加熱されると、ケイ素の比抵抗が下がってＲＦ誘導結合
が容易になる。ケイ素を予熱する場合、７００℃〜１０
００℃の範囲内の温度に予熱するのが望ましい。 円筒
形サセプタは、本発明のＲＦ誘導コイル・ヒータとのＲ
Ｆ誘導結合によって加熱される。従って、本発明におい
て有効にさせるには、円筒形サセプタは帯域溶融される
ケイ素素材よりも低い比抵抗をもった材料から作らなけ
ればならない。また、円筒形サセプタはケイ素素材を余
り汚染させない材料から作ることが望ましい。円筒形サ
セプタの構成材料はカーボン、黒鉛、炭化ケイ素コーテ
ッド黒鉛又は炭化ケイ素コーテッド・カーボン、モリブ
デン、タングステンおよびタンタルから選択することが
望ましく、それらの中でタンタルが最適である。
【００１２】用語「円筒形」は、サセプタが一般に丸い
又は卵形の横断面を有し、サセプタの長さ全体に通る穴
を有することを意味する。円筒形サセプタの一実施態様
の例を図２に示す。円筒形サセプタの穴は、円筒形サセ
プタをケイ素素子の自由端部の回りに配置させるのに十
分大きくしなければならない。従って、穴の正確な大き
さは回りに円筒形サセプタを配置するケイ素素材の直径
に左右される。円筒形サセプタの最適の壁厚は構成材料
に依存する。一般に、円筒形サセプタをタンタルで作る
場合、０．３〜５ｍｍの壁厚が有用と考えられる。より
薄い壁厚は円筒形サセプタをもろくして、こわれやすく
する、一方より厚い壁厚は大きい結合エネルギーを要
し、利点がない。
又は卵形の横断面を有し、サセプタの長さ全体に通る穴
を有することを意味する。円筒形サセプタの一実施態様
の例を図２に示す。円筒形サセプタの穴は、円筒形サセ
プタをケイ素素子の自由端部の回りに配置させるのに十
分大きくしなければならない。従って、穴の正確な大き
さは回りに円筒形サセプタを配置するケイ素素材の直径
に左右される。円筒形サセプタの最適の壁厚は構成材料
に依存する。一般に、円筒形サセプタをタンタルで作る
場合、０．３〜５ｍｍの壁厚が有用と考えられる。より
薄い壁厚は円筒形サセプタをもろくして、こわれやすく
する、一方より厚い壁厚は大きい結合エネルギーを要
し、利点がない。
【００１３】図１を参照して、浮融帯装置に本発明の円
筒形サセプタを用いる方法の例を説明する。図１におい
て、ＲＦ誘導コイル・ヒータ７はケイ素素材４の自由端
の少し上に配置される。次に円筒形サセプタ９をケイ素
素材４の自由端の回り配置される。ＲＦ誘導コイル・ヒ
ータ７は円筒形サセプタ９に十分近接させて、円筒形サ
セプタ９のＲＦ誘導加熱をさせる。円筒形サセプタ９を
加熱してケイ素素材４へ熱を放射させる通常の手段によ
ってＲＦ誘導コイル・ヒータ７へエネルギーを印加す
る。ケイ素素材４の自由端に溶融液が生成したとき、電
源を直ちにＲＦ誘導コイル・ヒータ７から解放し、円筒
形サセプタ９を迅速に下げてケイ素素材４から回転して
離なす。次にＲＦ誘導コイル・ヒータへ再び電源を印加
して、浮融帯装置を操作する通常の方法でケイ素素材４
の帯域溶融をする。優れたサセプタからなるこの浮融帯
装置は、半導体グレードのケイ素の浮融帯精製および多
結晶半導体グレードのケイ素の半導体グレード単結晶ケ
イ素への浮融帯転化に使用される。
筒形サセプタを用いる方法の例を説明する。図１におい
て、ＲＦ誘導コイル・ヒータ７はケイ素素材４の自由端
の少し上に配置される。次に円筒形サセプタ９をケイ素
素材４の自由端の回り配置される。ＲＦ誘導コイル・ヒ
ータ７は円筒形サセプタ９に十分近接させて、円筒形サ
セプタ９のＲＦ誘導加熱をさせる。円筒形サセプタ９を
加熱してケイ素素材４へ熱を放射させる通常の手段によ
ってＲＦ誘導コイル・ヒータ７へエネルギーを印加す
る。ケイ素素材４の自由端に溶融液が生成したとき、電
源を直ちにＲＦ誘導コイル・ヒータ７から解放し、円筒
形サセプタ９を迅速に下げてケイ素素材４から回転して
離なす。次にＲＦ誘導コイル・ヒータへ再び電源を印加
して、浮融帯装置を操作する通常の方法でケイ素素材４
の帯域溶融をする。優れたサセプタからなるこの浮融帯
装置は、半導体グレードのケイ素の浮融帯精製および多
結晶半導体グレードのケイ素の半導体グレード単結晶ケ
イ素への浮融帯転化に使用される。
【図１】 本発明のサセプタから成る浮融帯装置の選択
した構成要素を示す。
した構成要素を示す。
【図２】 本発明の丸い横断面を有するサセプタの望ま
しい実施態様を示す。
しい実施態様を示す。
１ ハウジング ２ 素材ホルダー ３ 位置決めロッド ４ ケイ素素材 ５ 種結晶ホルダー ６ 位置決めロッド ７ ＲＦ誘導コイル・ヒータ ８ 位置決めロッド ９ 円筒形サセプタ １０ 位置決めロッド
Claims (5)
- 【請求項１】ＲＦ誘導コイル・ヒータ、該ＲＦ誘導コイ
ル・ヒータの上および下に鉛直に整列されたケイ素素材
の自由端を保持する素材ホルダーおよびケイ素の種結晶
を保持する種結晶ホルダー、ケイ素素材の自由端をＲＦ
誘導コイル・ヒータに近接させケイ素素材の自由端を融
解させて融解帯を形成させるべくＲＦ誘導コイル・ヒー
タに対して素材ホルダーを位置決めする手段、ケイ素種
結晶が融解帯と接触して合体するようにＲＦ誘導コイル
・ヒータに対して種結晶ホルダーを位置決めする手段、
および融解帯がケイ素素材の長さ方向に沿って移動する
ようにケイ素素材に対するＲＦ誘導コイル・ヒータの相
対位置を変える手段を有するケイ素素材を処理する浮融
帯装置に、ケイ素素材の自由端の回りに位置決めできる
円筒形サセプタを使用することを特徴とするケイ素素材
を処理する浮融帯装置。 - 【請求項２】円筒形サセプタが、炭素、黒鉛、炭化ケイ
素コーテッド炭素又は黒鉛、モリブテン、タングステン
およびタンタルから選択した材料で作られることを特徴
とする請求項１の浮融帯装置。 - 【請求項３】円筒形サセプタがタンタルで作られること
を特徴とする請求項２の浮融帯装置。 - 【請求項４】円筒形サセプタがタンタルで作られ、０．
３〜５ｍｍの範囲内の壁厚を有することを特徴とする請
求項１の浮融帯装置。 - 【請求項５】不規則な形状の半導体グレードのケイ素素
材の自由端の回りに壁厚が０．３〜０．５ｍｍの円筒形
タンタル製サセプタを配置し、ＲＦ誘導コイル・ヒータ
へのＲＦ誘導結合によって該円筒形サセプタを加熱する
ことによって、ケイ素素材へのＲＦ誘導コイル・ヒータ
の結合を容易にさせることを特徴とする浮融帯装置にお
ける不規則形状の半導体グレードケイ素素材の浮融帯処
理法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US060767 | 1993-05-11 | ||
| US08/060,767 US6251182B1 (en) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | Susceptor for float-zone apparatus |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=22031618
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH0710681A (ja) |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP2075357A2 (en) | 2007-12-25 | 2009-07-01 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing single crystal silicon |
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-
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- 1993-05-11 US US08/060,767 patent/US6251182B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-10 DE DE4416543A patent/DE4416543B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-11 JP JP6097114A patent/JPH0710681A/ja not_active Ceased
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| A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
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