JPH07110204A - 歪センサ - Google Patents
歪センサInfo
- Publication number
- JPH07110204A JPH07110204A JP27780593A JP27780593A JPH07110204A JP H07110204 A JPH07110204 A JP H07110204A JP 27780593 A JP27780593 A JP 27780593A JP 27780593 A JP27780593 A JP 27780593A JP H07110204 A JPH07110204 A JP H07110204A
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- JP
- Japan
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- strain sensor
- gauge
- resistance layer
- insulating substrate
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
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- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims 1
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】温度特性の相対誤差を減少させ歪センサとして
高精度の測定を可能にする。また、小型化及び作成コス
トを安価にすることにも貢献する。 【構成】基板として絶縁性基板および絶縁膜付金属上に
抵抗層７を作成し同一抵抗層よりアクテーブゲージ９、
ダミーゲージ１０、温度センサ１１の回路パターンを形
成したことを特徴とする歪センサ。
高精度の測定を可能にする。また、小型化及び作成コス
トを安価にすることにも貢献する。 【構成】基板として絶縁性基板および絶縁膜付金属上に
抵抗層７を作成し同一抵抗層よりアクテーブゲージ９、
ダミーゲージ１０、温度センサ１１の回路パターンを形
成したことを特徴とする歪センサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体及び気体などの圧
力測定用に適した歪センサに関するものである。
力測定用に適した歪センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術で圧力測定を行った場合の一
例を図１ａ、ｂに示す。
例を図１ａ、ｂに示す。
【０００３】従来の技術では、圧力測定の際従来品のア
クティブゲージ１、従来品のダミーゲージ２および従来
品の温度センサ３を基板４上に接着剤５を使用して貼
り、ホイートストンブリッジ回路として配線した。
クティブゲージ１、従来品のダミーゲージ２および従来
品の温度センサ３を基板４上に接着剤５を使用して貼
り、ホイートストンブリッジ回路として配線した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】個々の品を接着剤を用
いて基板に貼るため基板にかかった熱がアクティブゲー
ジとダミーゲージの温度特性に相対誤差を生じ歪センサ
として高精度の測定が困難である。
いて基板に貼るため基板にかかった熱がアクティブゲー
ジとダミーゲージの温度特性に相対誤差を生じ歪センサ
として高精度の測定が困難である。
【０００５】さらに、温度補償として使用する温度セン
サには、伝熱の時間差があり正確な測定を困難にしてい
る。
サには、伝熱の時間差があり正確な測定を困難にしてい
る。
【０００６】また、個々の品を配線するため小型化に限
界がある。
界がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め絶縁性基板に直接または、絶縁膜を施した金属上に直
接同一抵抗膜で、アクティブゲージ、ダミーゲージと温
度センサの回路パターンを作成する。
め絶縁性基板に直接または、絶縁膜を施した金属上に直
接同一抵抗膜で、アクティブゲージ、ダミーゲージと温
度センサの回路パターンを作成する。
【０００８】
【作 用】本発明によれば、基板上に直接アクティブ
ゲージ、ダミーゲージと温度センサの回路パターンを同
一抵抗層で作成することによりアクティブゲージ、ダミ
ーゲージ及び温度センサーの抵抗温度特性の相対誤差お
よび伝熱の時間差がなくなり高精度な測定が可能とな
る。
ゲージ、ダミーゲージと温度センサの回路パターンを同
一抵抗層で作成することによりアクティブゲージ、ダミ
ーゲージ及び温度センサーの抵抗温度特性の相対誤差お
よび伝熱の時間差がなくなり高精度な測定が可能とな
る。
【０００９】さらに、同一抵抗層で作成することにより
小型化が可能になり、作成コストも安価にする事が可能
である。
小型化が可能になり、作成コストも安価にする事が可能
である。
【００１０】
【実施例１】以下、本発明の一実施例の歪センサについ
て図２ａ、ｂ、ｃ、ｄを用いて説明する。
て図２ａ、ｂ、ｃ、ｄを用いて説明する。
【００１１】図２ａは、本実施例の絶縁性基板で歪セン
サを作成したときの断面図であり、図２ｂは、本発明の
歪センサのパターン図であり、ｃは本発明の歪センサで
使用したホイートストンブリッジ回路図であり、ｄは絶
縁性基板のかわりに絶縁膜付きの金属を使用して作成し
た歪センサの断面図である。
サを作成したときの断面図であり、図２ｂは、本発明の
歪センサのパターン図であり、ｃは本発明の歪センサで
使用したホイートストンブリッジ回路図であり、ｄは絶
縁性基板のかわりに絶縁膜付きの金属を使用して作成し
た歪センサの断面図である。
【００１２】図２ａ、ｂ、ｃにおいて、本実施例の歪セ
ンサは、電子部品の絶縁性基板として利用されるアルミ
ナ基板６上にスパッタにより抵抗層７と電極層８を形成
した。この抵抗層７と電極層８をエッチングで図２ｂの
パターン形成を行い歪センサを試作した。
ンサは、電子部品の絶縁性基板として利用されるアルミ
ナ基板６上にスパッタにより抵抗層７と電極層８を形成
した。この抵抗層７と電極層８をエッチングで図２ｂの
パターン形成を行い歪センサを試作した。
【００１３】この歪センサを使用し６０℃の空気で圧を
かけて測定したところ測定値が通常の約１／２の時間で
安定した。また、３０℃の水の圧についても同様な速度
で測定できた。基板サイズについても通常の１／４程度
にすることが可能であった。
かけて測定したところ測定値が通常の約１／２の時間で
安定した。また、３０℃の水の圧についても同様な速度
で測定できた。基板サイズについても通常の１／４程度
にすることが可能であった。
【００１４】さらに、図２ｄのように絶縁性基板のかわ
りに絶縁膜１３を形成した金属１４を使用して作成した
歪センサについても同様な結果が得られた。
りに絶縁膜１３を形成した金属１４を使用して作成した
歪センサについても同様な結果が得られた。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の歪センサによれば高精度の測定および小型化が可能に
なり、同一抵抗層でパターン作成を行うことにより作成
コストも安価にする事が可能である。
の歪センサによれば高精度の測定および小型化が可能に
なり、同一抵抗層でパターン作成を行うことにより作成
コストも安価にする事が可能である。
【図１】ａ従来の技術で基板上にアクティブゲージ、ダ
ミーゲージおよび温度センサを接着剤で張り付けた歪セ
ンサの断面図 ｂ従来の技術で基板上にアクティーブゲージ、ダミーゲ
ージおよび温度センサを接着剤で張り付けた歪センサ
ミーゲージおよび温度センサを接着剤で張り付けた歪セ
ンサの断面図 ｂ従来の技術で基板上にアクティーブゲージ、ダミーゲ
ージおよび温度センサを接着剤で張り付けた歪センサ
【図２】ａ本実施例の絶縁性基板上に歪センサを作成し
た断面図 ｂ本実施例の歪センサのパターン図 ｃ本実施例で使用したホイートストンブリッジ回路 ｄ本実施例で使用した絶縁膜付き金属上に歪センサを作
成した断面図
た断面図 ｂ本実施例の歪センサのパターン図 ｃ本実施例で使用したホイートストンブリッジ回路 ｄ本実施例で使用した絶縁膜付き金属上に歪センサを作
成した断面図
１ 従来品のアクティブゲージ ２ 従来品のダミーゲージ ３ 従来品の温度センサ ４ 基板 ５ 接着剤 ６ アルミナ基板 ７ 抵抗層 ８ 電極層 ９ アクティブゲージ １０ ダミーゲージ １１ 温度センサ １２ 電極 １３ 絶縁膜 １４ 金属
Claims (3)
- 【請求項１】基板として絶縁性基板を用い、前記絶縁性
基板表面上に鉄−クロムを主成分とする抵抗層を使用
し、同絶縁性基板上の同一抵抗層を使用し、アクティブ
ゲージ、ダミーゲージと温度センサの回路パターンを形
成したことを特徴とする歪センサ。 - 【請求項２】絶縁性基板が金属であり、その表面に絶縁
膜を形成したものを使用することを特徴とする請求項１
に記載の歪センサ。 - 【請求項３】請求項１に記載の抵抗層の主成分がニッケ
ル−クロムである歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27780593A JPH07110204A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27780593A JPH07110204A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 歪センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07110204A true JPH07110204A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17588516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27780593A Pending JPH07110204A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110204A (ja) |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP27780593A patent/JPH07110204A/ja active Pending
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