JPH07110277A

JPH07110277A - シリコン圧力センサ

Info

Publication number: JPH07110277A
Application number: JP25339093A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Miyashita; ▲高▼明宮下
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1993-10-08
Filing date: 1993-10-08
Publication date: 1995-04-25

Abstract

(57)【要約】【目的】外部温度の影響を受けずに、かつ、薄型のシ
リコン圧力センサを提供する。【構成】ダイヤフラム１２の周辺の基部１１に、ピエ
ゾ抵抗素子１６に対向して基部の裏面側から基部の厚さ
の一部分にわたって設けられた溝１４ａ〜１４ｄを具え
ている。このため、外部温度の伝導による熱はダイヤフ
ラムの周辺に設けられている溝によって抑制されてピエ
ゾ抵抗素子に伝わりにくくなる。従って、従来のように
支持台の高さを高くしたり、支持台の材質を工夫したり
する必要がなくなるため、超薄型のシリコン圧力センサ
を得ることができる。また、周辺回路を第２シリコン基
板の面、すつなち、シリコン基板とは反対側の面に設け
てある。このため、従来に比べシリコン圧力センサを実
装した後、例えばレーザトリマを用いて周辺回路の温度
補償を行う際の調整が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、シリコン圧力センサ
の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、カーエレクトロニックス、家庭電
器及び産業情報機器等のあらゆる分野にわたってシリコ
ン圧力センサが用いられている。それは、シリコン圧力
センサが、シリコンが有するピエゾ抵抗効果を利用して
圧力を検出するものであるため、既存の金属線歪みゲー
ジに比べて感度が、二桁位高いこと、小型で、かつ、価
格が安いという利点を有していること、また、その中に
判断機能を持たせることによってインテリジェントセン
サとしての利用が期待できることなどの種々の特徴を有
するためである。

【０００３】この種のシリコン圧力センサの従来例とし
て、例えば文献Ｉ（文献Ｉ：「ワンチップ集積化圧力セ
ンサ」、Ｔ．ＩＥＥＪａｐａｎ，Ｖｏｌ．１０９−
Ｃ、Ｎｏ．１２，１９８９年、ＰＰ８５５〜８６０）に
開示されているものがある。

【０００４】先ず、この従来のシリコン圧力センサの概
略的な構造につき図７を参照して説明する。

【０００５】この従来のシリコン圧力センサの主要構造
によれば、ダイヤフラム４２と、これにその周辺で連続
し、ダイヤフラム４２より肉厚の基部４１とを有するシ
リコン基板４０（以下、ダイヤフラム４２を有するシリ
コン基板とも称する。）と、このダイヤフラム４２上に
設けられたピエゾ抵抗素子４４と、シリコン基板４０を
支持するため及び外部温度の影響を軽減するための支持
部４８（以下、補強用シリコン基板とも称する。）と、
真空室４７付きの第２シリコン基板４５とを具えてい
る。また、真空室付き第２シリコン基板４５とダイヤフ
ラムを有するシリコン基板４０と補強用シリコン基板４
８とはサンドウッチ状にガラス接合されている。そし
て、一般的には、図７の主要構造部分を例えばケース
（図示せず）などに収納して圧力センサを構成してい
る。

【０００６】次に、従来のシリコン圧力センサに具わる
ダイヤフラムを有するシリコン基板４０の構造につき説
明する。

【０００７】図８の（Ａ）は、この説明に供するための
平面図、図８の（Ｂ）はこのシリコン基板４０を図８の
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿って切断したときの断面図であ
る。

【０００８】ダイヤフラム４２を有するシリコン基板４
０は、シリコン基板の一部を裏面からエッチングして薄
くし、その薄くした部分をダイヤフラム４２とし、残り
の部分を基部４１とすることで構成されている。

【０００９】このダイヤフラム４２の表面に、４個のピ
エゾ抵抗素子４４を具えている。ピエゾ抵抗効果は、シ
リコンの結晶異方性があるのでシリコン基板４０として
主面が（１００）のものを用いる場合、ピエゾ抵抗素子
４４は、その長軸がシリコン基板４０の〈１１０〉方向
に合うように配設されている。

【００１０】また、ダイヤフラム４２を有するシリコン
基板４０の基部４１の表面には、シリコン圧力センサや
温度特性を補償するための周辺回路（温度補償用増幅回
路とも称する。）４６が設けられている。

【００１１】図９は、文献Ｉに開示されている従来のシ
リコン圧力センサの周辺回路を示す図である。なお、ダ
イヤフラム４２に設けたピエゾ抵抗素子４４も合わせて
示してある。

【００１２】この周辺回路４６は、オペアンプ１１１ａ
〜１１１ｄや抵抗体で構成されている。周辺回路４６の
調整は、図９中に可変抵抗の記号で示した抵抗体を例え
ばレーザトリミングすることにより行われる。尚、この
周辺回路４６の機能及び役割また、調整方法について
は、文献ＩＩ（文献ＩＩ：「自動車用半導体圧力セン
サ」、電子技術、第２７巻、第３号、１９８５年、ＰＰ
４７〜５１）に記載されているため、ここでの詳細な説
明は省略する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のシリコン圧力センサの構造では、ダイヤフラム
４２に基部４１を介して外部の熱や機械的歪みが伝わり
易いので、外部との温度変化の影響をできるだけ小さく
するため設ける支持台の高さを低くするにも限界があっ
た。このため、シリコン圧力センサの薄型化にも限界が
あり、超薄型を必要とするシリコン圧力センサ（例えば
腕時計中に実装されるもの）を得ることが難しいという
問題があった。

【００１４】この発明は、上述した問題点に鑑み行われ
たものであり、この発明の目的は、外部温度の熱伝導の
影響を受けにくく、かつ、薄型化に有利な構造のシリコ
ン圧力センサを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明のシリコン圧力センサの構成によれば、ダ
イヤフラムと、該ダイヤグラムの周辺にこれと連続的
に、かつ、該ダイヤグラムの表面と平坦面を形成する表
面を有するように一体形成されている前記ダイヤフラム
より肉厚の基部とを具えるシリコン基板と、前記ダイヤ
フラムの前記表面に設けられた少なくとも４個のピエゾ
抵抗素子と、該ピエゾ抵抗素子の温度補償用の周辺回路
及び前記シリコン基板を支持固定する支持部とを含むシ
リコン圧力センサにおいて、前記ダイヤフラムの周辺の
前記基部に前記ピエゾ抵抗素子に対向して前記基部の裏
面側から該基部の厚さの一部分にわたって設けられた溝
を具えていることを特徴とする。

【００１６】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、前記溝を前記ダイヤフラムを取り囲む１つの無終端
の溝とするのが良い。

【００１７】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、前記溝を前記ピエゾ抵抗素子の各々に対向させて個
別に設けた複数の副溝とするのが良い。

【００１８】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、少なくとも前記ダイヤフラムの表面を覆い、かつ、
前記シリコン基板の基部の表面に固定されて該シリコン
基板の表面との間に真空室を形成している第２シリコン
基板を具え、前記周辺回路は、該第２シリコン基板の前
記シリコン基板とは反対側の面に設けられているのが良
い。

【００１９】

【作用】上述したこの発明のシリコン圧力センサの構成
によれば、ダイヤフラムの周辺の基部に、ピエゾ抵抗素
子に対向して基部の裏面側から基部の厚さの一部分にわ
たって設けられた溝を具えている。シリコン基板の基部
は通常その裏面で支持部に固定されるが、そのようにし
たとしても支持部経由で基部に至る外部温度の伝導熱は
前記溝によって抑制されてピエゾ抵抗素子に伝わりにく
くなる。従って、その分、支持部の高さを低く（支持部
の厚さを薄く）できる。

【００２０】また、周辺回路を第２シリコン基板の、ピ
エゾ抵抗素子を具えたシリコン基板とは反対側の面に設
けてあるので、周辺回路がシリコン圧力センサの表面側
に配置されることになる。このため、例えばレーザトリ
マを用いて周辺回路の温度補償を行う際の調整が容易に
なる。

【００２１】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明のシリコン圧
力センサの構造につき説明する。尚、各図は、この発明
が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ、及び配
置を概略的に示してあるにすぎない。

【００２２】図１は、この発明のシリコン圧力センサの
構造を概略的に示す断面図である。

【００２３】先ず、図１を参照してこの発明のシリコン
圧力センサの全体構成につき説明する。

【００２４】この発明のシリコン圧力センサは、ダイヤ
フラム１２と、このダイヤフラム１２の周辺にこのダイ
ヤフラム１２の表面と平坦面を形成する表面を有する一
体形成された前記ダイヤフラム１２より肉厚の基部１１
とを具えるシリコン基板１０を有する。ただし、基部１
１にこの発明にかかわる所定の溝１４（詳細は、後述す
る。）を具え、また、ダイヤフラム１２の表面には、４
個のピエゾ抵抗素子１６を具えている。更に、この発明
のシリコン圧力センサは、シリコン基板１０（以下、第
１シリコン基板或はダイヤフラムを有するシリコン基板
ともいう。）である第１シリコン基板１０を支持する支
持部２５を具えている。この実施例では、支持部２５を
所定の空気穴３８ａと、くぼみ２３（詳細は後述す
る。）を有する補強用の第３シリコン基板２２と所定の
空気穴３８ｂを有する支持台２４とで構成してある。

【００２５】更に、この発明のシリコン圧力センサは、
真空室付きの第２シリコン基板２０を具えている。この
第２シリコン基板２０の平坦な面、すなわち、ピエゾ抵
抗素子を有する第１シリコン基板１０と対向する面とは
反対側の面に周辺回路３４を設けている。この周辺回路
３４は、例えば図９を用いて説明した回路で構成でき
る。

【００２６】第１シリコン基板１０の、ピエゾ抵抗素子
１６や周辺回路３４の形成面側（表面側）に、真空室２
１付きの第２シリコン基板２０の真空室側を接し、か
つ、第１シリコン基板１０の裏面側に、補強用の第３シ
リコン基板２２のくぼみ２３側を接してこれらの基板を
固定してある。また、第３シリコン基板２２の底面に支
持台２４を両者の空気穴３８ａ、３８ｂが連通する配置
で固定してある。そして、第１シリコン基板１０、第２
シリコン基板２０、第３シリコン基板２２及び支持台２
４をケース２６に収納している。尚、このケース２６の
底面には、第３シリコン基板２２、支持台２４の各空気
穴３８ａ、３８ｂに対応する、外部からの空気をとりこ
むための空気穴３８ｃを具え、かつ、側面には２本のリ
ード線端子３０を具えている。このリード線３０は、第
２シリコン基板２０にもうけてある電極端子３６を介し
て周辺回路３４と接続されるものである。尚、支持台２
４の材料として例えばプラスッチックを用いる。また、
ケース２６の材料として例えばプラスチック或は金属を
用いる。また、リード線端子３０及び電極端子３６の材
料として例えばコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏの合金）を
用いる。

【００２７】次に、この発明の実施例のシリコン圧力セ
ンサを構成している各構成成分につき説明する。

【００２８】先ず、図２の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して
ダイヤフラムを有する第１シリコン基板１０の構造につ
き説明する。尚、図中、（Ａ）は、平面図であり、
（Ｂ）は図２の（Ａ）をＹ−Ｙ線で切断したときの断面
図である。

【００２９】第１シリコン基板１０は、この実施例の場
合、主面が（１００）面のシリコン基板の一部を裏面か
らエッチングして薄くし、この薄くした部分をダイヤフ
ラム１２とし、残りの部分を基部１１とすることで得て
いる。このダイヤフラム１２は、この場合角形の平面形
状を有するものとしている。このダイヤフラム１２上面
の端部側（角形の各辺の中央部あたり）にピエゾ抵抗素
子１６をそれぞれ１つづつ合計４個設けている。各素子
１６は、その長軸が第１シリコン基板１０の＜１１０＞
方位に合うように配設してある。これらピエゾ抵抗素子
１６は、公知の方法で形成してある。

【００３０】また、この角形のダイヤフラム１２の周辺
の基部１１にピエゾ抵抗素子１６に対向して基部１１の
裏面側から基部１１の一部分にわたって溝１４ａ〜１４
ｄを具えている。この第１実施例では、溝１４ａ〜１４
ｄを副溝と称する。この副溝１４ａ〜１４ｄは、ダイヤ
フラム１２を取り囲むように配設し、シリコン基板周辺
からの熱伝導の影響や機械的歪みの影響を少なくするよ
うにしている。

【００３１】更に、副溝１４ａ〜１４ｄと離間させてダ
イヤフラム１２と反対側に例えば４個のスルホール１８
を設けている。このスルホール１８は、周辺回路３４
（図９参照）の端子（後述する。）とピエゾ抵抗素子１
６とを接続するための接続穴になる。

【００３２】また、この発明の第１実施例では、第１シ
リコン基板１０の高さＨ₁を例えば２００μｍとし、ダ
イヤフラム１２の大きさ（Ｌ×Ｍ）を例えば３０００μ
ｍ×３０００μｍとする。また、ダイヤフラム１２と副
溝１４ａ〜１６ｄの間隔Ｄを例えばそれぞれ２００μｍ
とし、副溝の深さを例えば１８０μｍ程度（ダイヤフラ
ム１２の部分の深さと同じ）とする。また、副溝１４ａ
〜１４ｄの幅Ｂは例えば２００μｍ程度とする。溝の形
成を異方性エッチングで行い、溝の深さを１８０μｍと
すると、溝幅は少なくとも２００μｍは必要になるため
である。

【００３３】次に、図３の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して
第２シリコン基板２０及びこの基板に取りつけられる各
部品につき説明する。尚、図中、（Ａ）は、第２シリコ
ン基板の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＺ−Ｚ線で切
断したときの断面図を示している。

【００３４】第２シリコン基板２０の裏面には、真空室
用のくぼみ２１が設けられており、第２シリコン基板２
０の表面には温度補償用の周辺回路３４と３個の電極端
子３６とがそれぞれ離間して配設されている。また、周
辺回路３４を介して電極端子３６と反対側には、４個の
スルホール３２を設けている。そして、このスルホール
３２は、第２シリコン基板の基部２８の厚さ方向へ貫通
している。ここで、真空室用のくぼみ２１の底面端部の
長さ寸法Ｌと奥行き寸法Ｍを例えば４２００μｍ×４２
００μｍとし、第２シリコン基板２０の厚さＨ₂を例え
ば２００μｍとする。従って、第２シリコン基板２０と
第１シリコン基板１０とが固定された場合、真空室のく
ぼみ２１部の面積は、第１シリコン基板のダイヤフラム
１２及び副溝１４ａ〜１４ｄを含む面積よりも大きくな
る。このため、実質的に、ダイヤフラム１２に、第２シ
リコン基板２０の荷重や両者の結合による機械的応力が
加わらないように設計されている。

【００３５】次に、図４の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して
第３シリコン基板２２の構造につき説明する。尚、図
中、（Ａ）は第３シリコン基板の平面図を示し、（Ｂ）
は図４の（Ａ）のＡ−Ａ線で切断したときの断面図を示
している。

【００３６】第３シリコン基板２２は、上述した第２シ
リコン基板２０の真空室とほぼ同一寸法のくぼみ２３を
具えている。そして、このくぼみ２３の底面には空気穴
３８ａが設けられており、この空気穴３８ａは、第３シ
リコン基板の底面を貫通して設けられている。ここで、
第３シリコン基板２２の高さＨ₃を例えば２００μｍと
し、くぼみ２３の深さは上述した第１シリコン基板１０
のダイヤフラム１２と副溝１４ａ〜１４ｄ間の基部１１
の裏面が接触しない程度であれば良い。このとき、空気
穴３８ａをくぼみ２３の底面の中央であっても横方向或
は斜め方向にとりつけても良い。このようにした場合、
支持台２４及びケース２６（いずれも図１参照）の外気
の取り込み口も当然横方向或は斜め方向となる。また、
場合によっては支持台２４の空気穴３８ｂは不要とな
る。

【００３７】次に、図５、及び図６を参照してシリコン
基板の変形例につき説明する。尚、図５及び図６は、平
面図のみを示してあるが中心部から切断した断面形状
は、図２の（Ｂ）と同様になるため断面図を省略する。

【００３８】図５は、ダイヤフラム１２の周辺に無終端
の溝１４を設けたこの発明の第２実施例のダイヤフラム
を有するシリコン基板の構造を示している。

【００３９】この第２実施例では、ダイヤフラム１２か
ら距離Ｄを離間させてダイヤフラム１２よりも肉厚の基
部１１の裏面側に無終端の溝１４を設けている。このと
きの溝１４の形状は、溝の幅Ｂを例えば２００μｍと
し、ダイヤフラム１２と溝１４との離間距離Ｄを例えば
２００μｍとする。また、溝の深さを例えば１８０μｍ
とする。

【００４０】図６は、この発明の第３実施例の説明図で
あり、円形を有するダイヤフラムを有するシリコン基板
の構造を示している。尚、ダイヤフラム１２が円形の形
状の場合、副溝も円弧形状を有する。

【００４１】円形のダイヤフラム１２の場合、ダイヤフ
ラム１２の周辺にピエゾ素子１６と対向して副溝１５ａ
〜１５ｄを設けている。また、第３実施例の副溝１５ａ
〜１５ｄの幅及び深さ寸法及びダイヤフラム１２と副溝
１５ａ〜１５ｄとの離間距離は、図２を用いて説明した
ものと同一とする。

【００４２】次に、図１及び図９を参照してこのシリコ
ン圧力センサの感度温度特性を調整する方法につき説明
する。シリコン圧力センサの感度温度特性の調整は、ケ
ース２６に収納する前にレーザトリマなどによって行
う。すなわち、周辺回路３４に上部からレーザトリマな
どによって温度補償用の周辺回路３４中の所定の抵抗
（図９中可変抵抗の記号で示したもの）の抵抗値をかえ
ることによって比較的容易にピエゾ抵抗素子の温度補償
を行うことができる。

【００４３】シリコン圧力センサの外部に取り出された
３本のリード線の内、図９に示した周辺回路の電源（Ｖ
_c）側に接続されているリード線及び図９のアース（Ｇ
ＮＤ）側に接続されているリード線間に所定の電圧を印
加する。残りの一本のリード線すなわち図９の出力電圧
（Ｖ_out）側に接続されてリード線を測定機（図示せ
ず）に接続する。

【００４４】上述した説明からも理解できるように、こ
の発明では、第１シリコン基板１０は、ダイヤフラム１
２を囲んでいる基部１１に所定の溝を具えている。この
ため、ダイヤフラム１２に対する外部からの伝導による
熱を抑制することができる。発明者等は、以下に述べる
熱伝導の計算式を用いて理論計算を行った。

【００４５】Ｑ＝λ×δＴ×Ａ／ｄ・・・・・・（１）ただし、λ：熱伝導率、δＴ：温度差（℃）、Ａ：断面
積（ｍｍ²）、ｄ：ダイヤフラムと溝の距離（ｍｍ）と
する。

【００４６】上述した第１実施例の寸法を代入して溝の
有無による熱量を計算した結果によれば、副溝１４ａ〜
１４ｄの有無によって熱量比が１／４０となることが期
待できることがわかっている。

【００４７】また、この発明では、ダイヤフラムを有す
るシリコン基板中にダイヤフラムとは別に溝を設けるた
め、応力が加わるとこの溝底のシリコン基板部分もダイ
ヤフラムと同様にたわむことになるが、そのたわみ量
は、５万分の１以下であるので殆ど問題にはならない。

【００４８】なお、この発明のシリコン圧力センサの厚
さは、第１〜第３シリコン基板の厚さがそれぞれ２００
μｍであるからそれらを３つ重ねても６００μｍ位であ
り、ケースにいれても厚さ寸法が約１ｍｍ〜１．５ｍｍ
の超薄膜型にできるため、超薄型を目的とする製品（例
えば腕時計）にも十分対応できる。従来は、実装可能な
パッケージの大きさがＴＯ−５或はＴＯ−８程度であっ
たことに比べると優位差がわかる。

【００４９】上述したこの発明の実施例では、副溝或は
無終端の溝の形状を長方形又は円弧形としたが、何らこ
の形状に限定されるものではなく、ピエゾ抵抗素子に熱
伝導が伝わりにくい形状であればどのような形状であっ
ても良い。また、実施例で述べた副溝或は無終端溝の寸
法は、何らこの寸法に限定されるものではなく、変えて
も良い。

【００５０】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のシリコン圧力センサの構成によれば、ダイヤフ
ラムの周辺の基部に、ピエゾ抵抗素子に対向して基部の
裏面側から基部の厚さの一部分にわたって設けられた溝
を具えている。このため、外部温度の伝導による熱はダ
イヤフラムの周辺に設けられている溝によって抑制され
てピエゾ抵抗素子に伝わりにくくなる。従って、従来の
ように支持台の高さを高くしたり、支持台の材質を工夫
したりする必要がなくなるため、超薄型のシリコン圧力
センサを得ることができる。

【００５１】また、周辺回路を第２シリコン基板の、ピ
エゾ抵抗素子を有するシリコン基板とは反対側の面に設
けてある。このため、従来に比べ例えばレーザトリマを
用いて周辺回路の温度補償を行う際の調整が容易にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のシリコン圧力センサの構造断面図で
ある。

【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１実施例に
用いられるダイヤフラムを有する第１シリコン基板の平
面図及び断面図である。

【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１実施例に
用いられる真空室付きの第２シリコン基板の構造及びこ
の基板に搭載される部品を説明するための平面図及び断
面図である。

【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第１実施例に
用いられる補強用の第３シリコン基板の平面図及び断面
図である。

【図５】この発明の第２実施例に用いられるダイヤフラ
ムを有するシリコン基板の構造を説明するための平面図
である。

【図６】この発明の第３実施例に用いられるダイヤフラ
ムを有するシリコン基板の構造を説明するための平面図
である。

【図７】従来のシリコン圧力センサの実装構造を説明す
るための断面図である。

【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来のシリコン基板及び
部品を搭載した構造を説明するための平面図及び断面図
である。

【図９】従来及びこの発明の実施例の温度補償用の周辺
回路の構成を説明するための回路図である。

【符号の説明】

１０：シリコン基板１２：ダイヤフラム１４：溝１４ａ〜１４ｄ、１５ａ〜１５ｄ：副溝１６：ピエゾ抵抗素子１８：スルホール２０：第２シリコン基板２１：真空室２２：第３シリコン基板２３：くぼみ２４：支持台２５：支持部２６：ケース３０：リード線端子３４：周辺回路３６：電極端子３８ｃ：空気穴

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイヤフラムと、該ダイヤフラムの周辺
にこれと連続的に、かつ、該ダイヤフラムの表面と平坦
面を形成する表面を有するように一体形成されている前
記ダイヤフラムより肉厚の基部とを具えるシリコン基板
と、前記ダイヤフラムの前記表面に設けられた少なくと
も４個のピエゾ抵抗素子と、該ピエゾ抵抗素子の温度補
償用の周辺回路及び前記シリコン基板を支持固定する支
持部とを含むシリコン圧力センサにおいて、前記ダイヤフラムの周辺の前記基部に前記ピエゾ抵抗素
子に対向して前記基部の裏面側から該基部の厚さの一部
分にわたって設けられた溝を具えていることを特徴とす
るシリコン圧力センサ。
【請求項２】請求項１に記載のシリコン圧力センサに
おいて、前記溝を前記ダイヤフラムを取り囲む１つの無終端の溝
としたことを特徴とするシリコン圧力センサ。
【請求項３】請求項１に記載のシリコン圧力センサに
おいて、前記溝を前記ピエゾ抵抗素子の各々に対向させて個別に
設けた複数の副溝としたことを特徴とするシリコン圧力
センサ。
【請求項４】請求項１に記載のシリコン圧力センサに
おいて、少なくとも前記ダイヤフラムの表面を覆い、かつ、前記
シリコン基板の基部の表面に固定されて該シリコン基板
の表面との間に真空室を形成している第２シリコン基板
を具え、前記周辺回路は、該第２シリコン基板の前記シリコン基
板とは反対側の面に設けられていることを特徴とするシ
リコン圧力センサ。