JPH07110970A

JPH07110970A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH07110970A
Application number: JP25826693A
Authority: JP
Inventors: Toru Horiguchi; 透堀口; Masahiko Sekiya; 昌彦関谷; Kiyoshi Chiba; 潔千葉
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1993-10-15
Filing date: 1993-10-15
Publication date: 1995-04-25

Abstract

(57)【要約】【目的】光パルスのパワーレベルおよび／またはパルス
幅の変調により、磁壁移動型のダイレクトオーバーライ
トが可能な光磁気記録媒体において、ダイレクトオーバ
ーライト時の消去動作を改善し、Ｃ／Ｎを向上させる。【構成】透明基板１上に、第１磁性層３と第２磁性層４
とからなる記録層をこの順に設け、さらに金属反射層６
を記録層の光入射側とは反対の側に設ける。第１磁性層
３は希土類遷移金属非晶質合金であり、かつ磁化容易軸
は膜面に対して垂直であり、さらに膜厚は10〜50ｎｍで
あり、その上さらに補償温度は室温以上。第２磁性層４
はCoおよび／またはFeからなる成分と希土類金属および
／または貴金属からなる成分との合金、あるいはTi、
Ｖ、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Geから選ばれた少なくとも一
つ以上とCoとからなる合金であり、かつ磁化容易軸は膜
面に対して平行であり、さらに膜厚は3 ｎｍ以下。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー等の光により
情報の記録、再生、消去等を行なう光磁気記録媒体に関
する。さらに詳細には、バイアス磁界の方向および大き
さを変えることなく、光パルスのパワーレベルおよび／
またはパルス幅の変調のみにより情報のダイレクトオー
バーライトを行なう光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は、高密度、大容量の情報記
録媒体として種々の研究開発が行なわれている。特に、
情報の消去可能な光磁気記録媒体は応用分野が広く、種
々の材料、システムが発表されており、すでに実用化が
始まっている。

【０００３】ところでフロッピーディスク、ハードディ
スク等の記録媒体と光磁気記録媒体とを特性面で比較し
たとき、光磁気記録媒体の大きな欠点は、記録済の古い
情報を消去しつつ新しい情報の書き込み記録を行うダイ
レクトオーバーライト（直接重ね書き）が難しいという
点である。

【０００４】光磁気記録媒体のダイレクトオーバーライ
ト技術としては、これまでにも種々の方式が提案されて
いる。それらの中でも、特開平1-251357号公報、J. App
l. Phys. Vol.63 No.8 (1988) 3844、IEEE Trans. Mag
n. Vol.23 No.1(1987) 171 、Appl. Phys. Lett. Vol.4
9 No.8 (1986) 473、IEEE Trans. Magn. Vol.25 No.5(1
989) 3530 、J. Appl. Phys. Vol.69 No.8 (1991) 4967
等に記載のごとく、レーザ光照射により昇温された磁壁
境界領域の一部において、正味残留磁化の方向を自己反
転できる自己反転可能な光磁気記録層を用い、バイアス
磁界の方向および大きさを変えることなく、光パルスの
パワーレベルおよび／またはパルス幅を消去レベルと書
き込みレベルとに変調させることにより、ダイレクトオ
ーバーライトを行なう方式は、現在市販が開始されてい
る光磁気記録装置に比べ、光学系、磁石等の大幅な変更
がなく、将来技術として最も注目される方式である。

【０００５】記録膜を垂直磁化膜と面内磁化膜の2 層で
構成する技術は、これまでにも提案されている。その目
的の一つは記録磁場感度の向上であった（特開平2-2478
46号公報、日本応用磁気学会第73回研究会資料53. 、特
開平4-370550号公報）。

【０００６】そして磁壁移動型のダイレクトオーバーラ
イト媒体に面内磁化膜が用いられた場合の目的は、最適
な膜厚が5 〜20ｎｍで面内磁化膜としてパーマロイ合
金、イオン注入層、表面酸化層および表面結晶化層を用
い、ブロッホラインの発生を抑止すること（特開昭63-2
41739 号公報）であった。この目的の構成のためには該
面内磁化膜の最適膜厚は前述の通り5 〜20ｎｍと厚く、
また2 ｎｍ以下ではブロッホライン抑制の効果が無いと
記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、実際に
前述の従来方式によるダイレクトオーバーライトの確認
試験を行なった。その際用いた媒体は、直径130 ｍｍ、
厚さ1.2 ｍｍで、1.6 μｍピッチのスパイラル状のグル
ーブを有するポリカーボネイト樹脂（ＰＣ）基板上に、
まず透明誘電体であるAlSiＮ膜（膜厚120 ｎｍ）を形成
し、その後逆スパッタを10ｎｍ行う。

【０００８】そして、前述の自己反転可能な光磁気記録
層として、(Gd₂₅Tb₇₅)₂₄(Fe₉₀Co₁₀) ₇₆（添字は原子％に
よる組成を示す）の希土類遷移金属非晶質合金磁性薄膜
（膜厚25ｎｍ）を形成し、その上に透明誘電体であるAl
SiＮ膜（膜厚40ｎｍ）を設け、反射膜としてAlAuTi膜
（膜厚60ｎｍ）用いた構成のものである。

【０００９】つづいて、上述の媒体のダイレクトオーバ
ーライト動作の試験を行なった。評価用ドライブに設置
した媒体の回転速度は、半径30ｍｍの位置にて線速度1
1.3ｍ／秒とした。記録と消去は、ビットの記録方向に3
50Oe の大きさの外部バイアス磁界を印加した状態で、
図２に示す7.4 ＭHzのパルス信号によって行なった。そ
の際、波長830 ｎｍのレーザーを用いてのレーザーパワ
ーは、記録時には8.0 ｍＷ、消去時には4.0 ｍＷとし
た。その後1.0 ｍＷのＤＣ光すなわち連続光を照射し
て、再生信号の測定を行なった。この時再生信号のＣ／
Ｎは約34.0dBであった。

【００１０】つづいてこの測定を行なった同じトラック
上にて、ビットの記録方向に350Oeの大きさの外部バイ
アス磁界を印加した状態で図３に示す5.5 ＭHzのパルス
信号により記録と消去を行った。すなわち、図２による
元の信号を、図３の信号にてダイレクトオーバーライト
した。その後、1.0 ｍＷのＤＣ光すなわち連続光を照射
して、再生信号の測定を行った。すると初めに記録され
ていた7.4 ＭHzの信号は消去され、5.5 ＭHzの信号のみ
が記録されていた。この時の再生信号のＣ／Ｎは約34.0
dBであった。

【００１１】以上のとおり、前述の光変調方式を用いる
ことによる基本的なダイレクトオーバーライト動作の確
認はできた。しかし、記録・再生特性に関しては、Ｃ／
Ｎ＝34.0dBと低く、実用化レベルに到達させるために
は、大幅なＣ／Ｎの改善が課題とされた。

【００１２】そこで、該GdTbFeCo膜の上に5 ｎｍの厚さ
のパーマロイ膜を付け、媒体を作製した。そして前述と
同様にしてオーパーライト特性を調べたところ、記録感
度が大幅に低下するとともにＣ／Ｎも著しく低下する結
果となり、Ｃ／Ｎを改善することはできなかった。

【００１３】本発明はかかるこれらの課題を解決するこ
とにより、バイアス磁界の方向および大きさを変えるこ
となく、光パルスのパワーレベルの変調により、磁壁移
動型のダイレクトオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体において、ダイレクトオーバーライト時の消去動作を
改善し、Ｃ／Ｎを向上することができる光磁気記録媒体
を得ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる光磁気記
録媒体は、光パルスのパワーレベルおよび／またはパル
ス幅の変調による、磁壁移動型のダイレクトオーバーラ
イトが可能な光磁気記録媒体において、透明基板上に、
第１磁性層と第２磁性層とからなる記録層をこの順に設
け、さらに金属反射層を記録層の光入射側とは反対の側
に設けたものであって、第１磁性層は希土類遷移金属非
晶質合金であり、かつ第１磁性層の磁化容易軸は膜面に
対して垂直であり、さらに第１磁性層の膜厚は10〜50ｎ
ｍであり、その上さらに第１磁性層の補償温度は室温以
上であって、第２磁性層はCoおよび／またはFeからなる
成分と希土類金属および／または貴金属からなる成分と
の合金、あるいは第２磁性層はTi、Ｖ、Cr、Mn、Cu、Z
n、Ga、Geから選ばれた少なくとも一つ以上とCoとから
なる合金であり、かつ第２磁性層の磁化容易軸は膜面に
対して平行であり、さらに第２磁性層の膜厚は3 ｎｍ以
下であることを特徴としている。

【００１５】ここで本発明で用いる第１磁性層として
は、レーザ光照射により加熱された磁壁境界領域におい
て少なくとも一部において、バイアス磁界の方向及び大
きさを変えることなく、正味残留磁化の方向を自己反転
できることが必要である。そのために第１磁性層として
は、磁化容易軸が膜面に対して垂直な希土類遷移金属非
晶質合金膜を用いる必要がある。

【００１６】そしてそうした希土類遷移金属非晶質合金
としては、TbFe、GdFe、DyFe、GdFeCo、TbFeCo、DyFeC
o、GdTbFeCo、GdDyFeCo、TbDyFeCo、GdTbDyFeCo、NdDyF
eCo、NdTbDyFeCo、NdFe、PrFe、CeFe等の希土類と遷移
金属を主成分とする非晶質合金膜を用いることができ
る。中でも特に、GdTbFeCoよりなる膜はオーパーライト
動作が良好でより好ましい。

【００１７】さらにこの第１磁性層中には、その垂直磁
気異方性が失われない限り、他の元素が最大10原子％ま
で添加されても問題はない。例えばTi、Zr、Hf、Ｖ、N
b、Ta、Cr、Mo、Ｗ、Tc、Re、Ru、Os、Ir、Si、Ge、B
i、Pd、Au、Ag、Cu、Pt等の、希土類、Fe、Co以外の元
素が1 種類もしくはそれ以上含まれていても良い。特に
記録層自身の酸化による腐食を防止するためには、Ti、
Zr、Hf、Ta、Cr、Reを添加することが好ましい。

【００１８】またこの第１磁性層は、膜厚が10ｎｍより
薄くなると、膜の不連続性、不均一性等の膜構造の点で
問題が多い。さらに、レーザ照射時の媒体中の温度分布
および記録・消去時のレーザパワーマージン、再生・記
録・消去耐久性を考慮すると、媒体は金属反射層を備え
た構成であって、第１磁性層の膜厚としては50ｎｍ以下
とする必要がある。すなわち第１磁性層の膜厚は、10〜
50ｎｍにする必要がある。

【００１９】そしてこの第１磁性層の膜厚は、磁壁移動
による消去動作をより改善し、よりＣ／Ｎの向上を図る
ために、上限を30ｎｍ以下にすることがより好ましい。

【００２０】第２磁性層としては、特開昭63-241739 号
公報に記載されている従来の方法による面内磁化膜で
は、前述のように特性向上に効果が無く、オーバーライ
ト特性も著しく減少してしまう。そこで本発明の第２磁
性層としては、Coおよび／またはFeからなる成分と希土
類金属および／または貴金属からなる成分との合金、あ
るいはTi、Ｖ、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Geから選ばれた少
なくとも一つ以上とCoとからなる合金であり、かつ第２
磁性層の磁化容易軸は膜面に対して平行であり、さらに
第２磁性層の膜厚は3 ｎｍ以下であることが必要とな
る。

【００２１】ここで本発明のCoおよび／またはFeとの合
金を作る元素は種々の検討により選択した元素群であ
る。このような第２磁性層を備えることにより記録・消
去時のレーザ照射により上昇した温度での第１磁性層の
垂直磁気異方性の低下を抑制し、記録・消去動作の向上
が得られ、金属反射層を備えた磁壁移動型ダイレクトオ
ーバーライト媒体の特性を向上させることができる。

【００２２】さらに、面内磁化膜である第２磁性層から
垂直磁化膜である第１磁性層への磁気光学的な影響を抑
えるために、第２磁性層としては飽和磁化が400emu／cc
以下であることが好ましく、さらには300emu／cc以下に
であることがより好ましい。また同様な理由により、第
２磁性層の膜厚は2 ｎｍ以下であることがより好まし
い。

【００２３】また金属反射層としては、Ｃ／Ｎの評価に
用いるドライブヘッドのレーザ光に対し、記録層よりも
反射率の高い材料であることがＣ／Ｎ向上のために好ま
しい。具体的には、使用レーザ光波長における光学定数
である屈折率ｎと消衰係数kが、ｎ≦3.5 、かつｋ≧3.5
であるような材料を選択することが好ましい。さらに
好ましくはｎ≦2.5 かつ4.5 ≦ｋ≦8.5 であり、この条
件で作製した媒体では、金属反射層の反射率向上により
カー効果エンハンスメントが向上し、Ｃ／Ｎのより一層
の向上が実現できる。

【００２４】一方レーザ光による加熱で信号を記録する
際、金属反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大き
く、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用
されているパワーが10ｍＷ以下の半導体レーザで信号の
記録を可能とするためには、金属反射層に用いる材料の
熱伝導率は100 Ｗ／( ｍ・Ｋ) 以下であることが好まし
く、さらには80Ｗ／( ｍ・Ｋ) 以下であることがより好
ましい。

【００２５】このような条件を満足する材料として、Al
もしくはAgにAuを添加した合金、すなわちAlAu合金もし
くはAgAu合金が挙げられる。なお、これら合金において
Auの添加量が、0.5 原子％より少ないと前述の熱伝導低
下の効果は小さく、逆に20原子％より多いと前述の光反
射率の低下が大きくＣ／Ｎの面で不利である。従ってAu
の含有量は0.5 〜20原子％の範囲におさめることが好ま
しい。

【００２６】さらに、反射率の低下をAlもしくはAg単独
膜に比べ2 ％以内に抑えＣ／Ｎ低下を防ぐためには、Au
含有量は0.5 〜15原子％、さらには0.5 〜10原子％であ
ることが好ましい。

【００２７】このようにAu含有量を少なくすることは、
ターゲットや媒体のコストを低減する意味からも重要で
ある。

【００２８】さらにAu含有量を最小限にとどめるという
点からは、Ti、Zr、Hf、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、Tc、
Re、Ru、Os、Ir等の１種類以上の特定元素を補助的に添
加することが好ましい。特定元素の添加量は、5.0 原子
％以内にとどめるべきであり、これより多いと金属反射
膜の反射率が低下し、Ｃ／Ｎも低下してしまう。5.0原
子％以内では、光磁気記録再生装置で使用される半導体
レーザの波長である830 ｎｍでの反射率の低下は、2 ％
以内の低下幅にとどまる。一方0.3 原子％より少ない
と、Auを節約したことによる熱伝導率の上昇分を補うこ
とはできない。従って、特定元素の添加により、Auの添
加量は0.5 〜10原子％の範囲であれば、反射膜の反射率
はAlもしくはAg単独膜に比べ、2 ％以内の低下に抑える
ことができ、Auのコスト低下も低減できると同時に、熱
伝導率も20〜100 Ｗ／( ｍ・Ｋ) の範囲に設定すること
ができる。

【００２９】なお、特に金属反射膜自身の耐久性を高め
るという点で、上記特定元素郡の中ではTi、Zr、Hf、T
a、Cr、Reが好ましい。これらの金属反射層の膜厚範囲
は10〜500 ｎｍであるが、反射率の低下によるＣ／Ｎ低
下を抑え、かつレーザパワーが10ｍＷで記録可能とする
ためには、好ましくは30〜200 ｎｍ、特に好ましくは40
〜100 ｎｍである。

【００３０】また、Au組成および／または特定元素組成
を上述の組成範囲に設定することにより、前述のとおり
その熱伝導率を100 Ｗ／( ｍ・Ｋ) 以下にすることがで
き、レーザパワーが10ｍＷ以下の信号を記録することも
可能となる。

【００３１】金属反射層を設ける位置としては、記録層
の光入射面側とは反対側であれば、特に限定されない。
すなわち、金属反射層を第２磁性層上に直接設けたも
の、または透明誘電体層を介したものを設けたもの、さ
らには金属反射層上に透明誘電体層等の無機保護層およ
び／または有機保護層を設けたもの等あらゆる構成に適
用できる。

【００３２】また本発明においては、記録層を設ける下
地として誘電体材料を用いることが好ましい。これによ
り、カー効果エンハンスメントを高めることができる。
さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材
料、すなわちｎ≧1.6 である材料、さらに好ましくはｎ
≧1.8 である材料であることが好ましい。

【００３３】このような誘電体材料としては、AlＮ、Zn
Ｓ、Si₃Ｎ₄、AlSiＮ、SiＯ、Zr₂Ｏ₃、In₂Ｏ₃、Sn
Ｏ₂、Ta₂Ｏ₅、AlＯＮ、SiＯＮ、ZrＯＮ、InＯＮ、Sn
ＯＮ、TaＯＮまたはこれらの混合体などが適用できる。
特に屈折率が1.8 以上という点では、Si₃Ｎ₄、AlSi
Ｎ、Zr₂Ｏ₃、Ta₂Ｏ₅、ZrＯＮ、TaＯＮが好ましく、
特に耐候性の点ではAlSiＮが好ましい。

【００３４】本発明に用いる基板材料としては、有機物
樹脂を用いることが生産性から好ましい。この時、全体
を有機物樹脂で形成した基板、あるいは２Ｐ法によりガ
ラス基板上にグルーブを形成する部分だけ硬化性樹脂の
層を形成した基板にすることもできる。

【００３５】そしてこの基板材料に用いる有機物樹脂と
しては、ポリカーボネイト樹脂、アクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、２−メチルペンテン樹脂、ポリオレフィン樹
脂、あるいはそれらの共重合体等を用いることができ
る。中でも機械強度、耐候性、耐熱性、透湿性、ならび
に低価格である点でポリカーボネイト樹脂が好ましい。
そしてこのポリカーボネイト樹脂を用いて基板材料全体
を形成することが、生産性からは好ましい。

【００３６】上記の透明誘電体層、記録層、金属反射層
の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパ
ッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々
の薄膜形成法が適用できる。しかし、光磁気記録媒体と
しては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせ
ないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で
作製することが好ましい。このためにはスパッタリング
法が好ましい。

【００３７】有機保護層としては、光および／または熱
硬化型樹脂、あるいは熱可塑性樹脂等が適用でき、コー
ティング法等により形成できる。なお、これら記録層の
基板と反対側に設ける裏面保護層は、少なくとも記録層
の側面まで被覆するように設けるのが好ましい。

【００３８】なお本方式において、記録・消去すなわち
重ね書きの際に照射するレーザパルスの波形は、図２と
図３のような形には限定されない。すなわち前述の特開
平1-251357号公報開示のように、図２と図３における記
録・消去パルスをさらにパルス幅が狭い至近間隔で連な
る至近間隔パルス列からなる光パルスと先に述べた連続
照射パルスとを組み合わせた波形でもよい。

【００３９】但し、以上述べたところの光パルスのパワ
ーは、媒体の記録感度、すなわち記録層のキュリー温
度、および膜構成に応じて適宜設定する必要がある。

【００４０】なお、本発明の光磁気記録媒体の構成に関
しては、記録層を透明誘電体層でサンドイッチした構
成、記録層のレーザ光入射側と反対側の面に金属反射層
を設けた構成、更には保護層として無機および／または
有機保護層を設けた構成等、あらゆる構成が適用可能で
ある。

【００４１】記録層を形成する下地の表面および／また
は記録層表面の凹凸の平滑化を行って、Ｃ／Ｎの改善を
はかるためには、記録層を形成する下地の材料、もしく
は記録層の材料に応じてその加工条件を選択することが
できる。簡便な方法としては、下地の表面および／また
は記録層の表面に逆スパッタ処理を行なうことが望まし
い。

【００４２】そしてＣ／Ｎの改善のため、中心線平均粗
さRa≦1.0 ｎｍを実現するためには、逆スパッタの際の
スパッタパワー、スパッタガス圧、スパッタ時間を調節
すれば良く、特にスパッタ時間を長くするとRaを一層低
減させることができる。そしてより良好な消去動作を実
現し、Ｃ／Ｎの改善をはかるためにはRa≦0.5 ｎｍであ
ることが好ましく、さらにはRa≦0.3 ｎｍであることが
より好ましい。

【００４３】

【実施例、比較例】以下のようにして図１に示す構成の
光磁気記録媒体を作製し評価した。図において、１はガ
イドを表面に形成した基板、２は下地の誘電体層、３は
第１磁性層、４は第２磁性層、５は記録層上の誘電体
層、６は金属反射層、７は有機保護層である。

【００４４】まず、直径130 ｍｍ、厚さ1.2 ｍｍの円盤
で1.6 μｍピッチのスパイラル状のグルーブを有するポ
リカーボネイト樹脂（ＰＣ）の基板１を、３ターゲット
の高周波マグネトロンスパッタ装置（アネルバ製SPF-43
0H型）の真空槽内に固定し、53μPaになるまで排気す
る。なお、膜形成において基板１は15rpm で回転させ
た。

【００４５】まず記録層の下地誘電体層２としてAlSiＮ
膜を形成した。すなわち、ターゲットとしては直径100
ｍｍ、厚さ5 ｍｍの円盤状のAlSi(50:50) の燒結体を用
い、真空槽内にAr／Ｎ２混合ガス( Ｎ２ 30vol％) を導
入し、圧力0.4Pa になるようにガス流量を調節した。放
電電力400W、放電周波数13.56 ＭHzで高周波スパッタリ
ングを行ない、誘電体層２としてAlSiＮ膜を110 ｎｍ堆
積した。

【００４６】次に第１記録層を形成した。ターゲットを
GdTbFeCo合金の円盤に変えスパッタリングガスを純Ar
（純度99.999％）とし、ガス圧0.67Pa、放電電力200Wで
希土類・遷移金属合金である(Gd₂₅Tb₇₅)₂₄(Fe₉₀Co₁₀)₇₆
膜からなる第１磁性層３をＤＣスパッタリングによって
25ｎｍ堆積した。

【００４７】次に第２磁性層を形成した。ターゲットを
CoまたはFeの円盤に変え希土類金属等のチップを配した
複合ターゲットを用い、スパッタリングガスを純Ar（純
度99.999％）とし、ガス圧0.67Pa、放電電力200 ＷでCo
合金からなる第２磁性層４をＤＣスパッタリングによっ
て堆積した。

【００４８】続いて、記録層上に誘電体層としてターゲ
ットを前述のAlSiの燒結体ターゲットに戻し、スパッタ
リングガスもAr／Ｎ₂混合ガス( Ｎ₂ 30vol％) に戻
し、記録層の下地誘電体層２と同様の放電条件で、AlSi
Ｎ膜を400 ｎｍ堆積した。

【００４９】最後に、金属反射層としてターゲットをAl
AuTiの合金ターゲットに変え、スパッタリングガスも純
Ar（純度99.999％）に戻し、圧力0.67Pa、放電電力100
ＷでAl₉₂Au₅Ti₃（添字は原子％）合金膜を60ｎｍ堆積し
た。

【００５０】こうして得られた試料をスパッタリング装
置から取り出し、スピンコーターに取付けた。そしてデ
ィスクを3000rpm で回転させながら、紫外線硬化性のフ
ェノールノボラックエポキシアクリレート樹脂を塗布し
た後、紫外線照射装置を通過させて樹脂を硬化させ、約
20μｍの有機保護層７を設けた。この際には、約20μｍ
と厚い膜厚で設定するため、ブチルアルコールで希釈を
行ない、粘性率500 ｃＰ前後の状態で塗布した。

【００５１】以上の手順で、図１に示す構成の光磁気記
録媒体を得た。これにより得られた各試料における、第
１、第２磁性層の組成等を表１に示す。

【００５２】さらにこれらの試料のダイレクトオーバー
ライト時のＣ／Ｎを測定した。半径30ｍｍ位置のトラッ
クにおいて、ディスク回転速度3600rpm 、線速度11.3
ｍ／秒で、ビットの記録方向にバイアス磁界350Oe を印
加し、図２と３に示すような変調をかけた光パルスを順
に照射することにより、ダイレクトオーバーライトを行
い、その後1.0 ｍＷのＤＣ光すなわち連続光を照射して
再生信号の測定を行い、その時のＣ／Ｎを求めた。すな
わち、図２に示す信号によって記録した記録ビットを、
図３に示す信号によってダイレクトオーバーライトし
た。これによるＣ／Ｎの測定結果を表１に示す。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】本発明は以上詳述したごとく、バイアス
磁界の方向および大きさを変えることなく、光パルスの
パワーレベルおよび／またはパルス幅の変調により磁壁
移動型のダイレクトオーバーライトが可能な光磁気記録
媒体において、ダイレクトオーバーライト時の消去動作
を改善し、Ｃ／Ｎを向上させた光磁気記録媒体を得るこ
とができる。

【００５５】すなわち本発明の光磁気記録媒体を用いる
ことで、現在多用されているところのレーザパワー10ｍ
Ｗ以下の半導体レーザで、信号を記録しかつ消去する動
作が良好で、Ｃ／Ｎの高いダイレクトオーバーライトを
実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜１０および比較例１〜４の積層構成

【図２】7.4 ＭHzのダイレクトオーバーライト信号

【図３】5.5 ＭHzのダイレクトオーバーライト信号

【符号の説明】

１ガイドを表面に形成した基板２記録層の下地誘電体層３第１磁性層４第２磁性層５記録層上の誘電体層６金属反射層７有機保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光パルスのパワーレベルおよび／または
パルス幅の変調による、磁壁移動型のダイレクトオーバ
ーライトが可能な光磁気記録媒体において、透明基板上
に、第１磁性層と第２磁性層とからなる記録層をこの順
に設け、さらに金属反射層を記録層の光入射側とは反対
の側に設けたものであって、第１磁性層は希土類遷移金
属非晶質合金であり、かつ第１磁性層の磁化容易軸は膜
面に対して垂直であり、さらに第１磁性層の膜厚は10〜
50ｎｍであり、その上さらに第１磁性層の補償温度は室
温以上であって、第２磁性層はCoおよび／またはFeから
なる成分と希土類金属および／または貴金属からなる成
分との合金、あるいは第２磁性層はTi、Ｖ、Cr、Mn、C
u、Zn、Ga、Geから選ばれた少なくとも一つ以上とCoと
からなる合金であり、かつ第２磁性層の磁化容易軸は膜
面に対して平行であり、さらに第２磁性層の膜厚は3 ｎ
ｍ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】第２磁性層の室温での飽和磁化が、400e
mu／cc以下であることを特徴とする請求項１記載の光磁
気記録媒体。
【請求項３】第２磁性層の室温での飽和磁化が、300e
mu／cc以下であることを特徴とする請求項２記載の光磁
気記録媒体。。
【請求項４】第１磁性層の膜厚が、30ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光磁
気記録媒体。
【請求項５】第１磁性層が、GdTbFeCo合金膜であるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光磁気
記録媒体。