JPH07110973B2 - 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPH07110973B2 JPH07110973B2 JP62055380A JP5538087A JPH07110973B2 JP H07110973 B2 JPH07110973 B2 JP H07110973B2 JP 62055380 A JP62055380 A JP 62055380A JP 5538087 A JP5538087 A JP 5538087A JP H07110973 B2 JPH07110973 B2 JP H07110973B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はトランス等の鉄芯に用いられる高磁束密度一方
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
一方向性電磁鋼板は軟磁性材料として主にトランスその
他の電気機器の鉄芯材料に使用されているもので、磁気
特性として励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならな
い。
他の電気機器の鉄芯材料に使用されているもので、磁気
特性として励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならな
い。
この励磁特性を表わす数値として通常B8（磁場の強さ80
0A/mにおける磁束密度）を用い、鉄損特性を表わす数値
としてＷ17/50（50Hzで1.7Tまで磁化させた時の1kg当り
の鉄損）を用いている。
0A/mにおける磁束密度）を用い、鉄損特性を表わす数値
としてＷ17/50（50Hzで1.7Tまで磁化させた時の1kg当り
の鉄損）を用いている。
この一方向性電磁鋼板は最終仕上焼鈍工程で２次再結晶
現象を起こさせ、鋼板面に｛110｝面，圧延方向に〈00
1〉軸をもったいわゆるゴス組織を発達させることによ
って得られている。良好な磁気特性を得るためには磁化
容易軸である〈001〉軸を圧延方向に高度に揃える事が
重要である。又板圧，結晶粒度，固有抵抗，表面被膜，
鋼板の純度等も磁気特性に大きな影響を及ぼす。
現象を起こさせ、鋼板面に｛110｝面，圧延方向に〈00
1〉軸をもったいわゆるゴス組織を発達させることによ
って得られている。良好な磁気特性を得るためには磁化
容易軸である〈001〉軸を圧延方向に高度に揃える事が
重要である。又板圧，結晶粒度，固有抵抗，表面被膜，
鋼板の純度等も磁気特性に大きな影響を及ぼす。
方向性については、MnS,A1Nをインヒビターとして利用
する最終強圧下冷間圧延を特徴とする方法によって大幅
に向上し、それに伴って鉄損特性も著しく向上してき
た。
する最終強圧下冷間圧延を特徴とする方法によって大幅
に向上し、それに伴って鉄損特性も著しく向上してき
た。
一方近年エネルギー価格の高騰を背景として、トランス
メーカーは低鉄損トランス用素材への指向を一段と強め
ている。低鉄損素材としてアモルファス合金や6.5％Si
鋼等の開発も進められているが、トランス用材料とし工
場的に使用するには解決すべき問題を残している。他方
レーザー等を用いた磁区制御技術が近年開発され、それ
によって鉄損特性が大幅に向上した。また製品の磁束密
度が高いほど磁区制御技術の効果が大きいため、磁束密
度の極めて高い製品を開発する必要性が高まってきた。
メーカーは低鉄損トランス用素材への指向を一段と強め
ている。低鉄損素材としてアモルファス合金や6.5％Si
鋼等の開発も進められているが、トランス用材料とし工
場的に使用するには解決すべき問題を残している。他方
レーザー等を用いた磁区制御技術が近年開発され、それ
によって鉄損特性が大幅に向上した。また製品の磁束密
度が高いほど磁区制御技術の効果が大きいため、磁束密
度の極めて高い製品を開発する必要性が高まってきた。
本発明者らは、含Al一方向性電磁鋼板の製造において、
２次再結晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気
のN2分圧を増加させることによって磁束密度を高める方
法を提示したが（特願昭61−61993）、工業的に使用す
るには解決すべき問題を残していた。
２次再結晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気
のN2分圧を増加させることによって磁束密度を高める方
法を提示したが（特願昭61−61993）、工業的に使用す
るには解決すべき問題を残していた。
一方向性電磁鋼板を製造する場合、極めて高い磁束密度
をもつ製品を工業的に安定して得ることが難しいという
問題点を解決する方法を提供するものである。
をもつ製品を工業的に安定して得ることが難しいという
問題点を解決する方法を提供するものである。
本発明は最終仕上焼鈍工程に於て、800℃以下での焼鈍
雰囲気での を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることによって極
めて磁束密度の高い含Al一方向性電磁鋼板を安定して製
造する方法を提供するものである。以下本発明を詳細に
説明する。
雰囲気での を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることによって極
めて磁束密度の高い含Al一方向性電磁鋼板を安定して製
造する方法を提供するものである。以下本発明を詳細に
説明する。
本発明の対象としている含Al一方向性電磁鋼板の製造に
於ては、従来用いられている製鋼法で得られた溶鋼を連
続鋳造法或いは造塊法で鋳造し、必要に応じて分塊工程
を挟んでスラブを得、ひき続き熱間圧延し、必要に応じ
て熱延板焼鈍を行なった後、１回又は中間焼鈍を挟む２
回以上の冷間圧延により最終ゲージの冷延板を得、次い
で脱炭焼鈍を従来の方法で行なう。
於ては、従来用いられている製鋼法で得られた溶鋼を連
続鋳造法或いは造塊法で鋳造し、必要に応じて分塊工程
を挟んでスラブを得、ひき続き熱間圧延し、必要に応じ
て熱延板焼鈍を行なった後、１回又は中間焼鈍を挟む２
回以上の冷間圧延により最終ゲージの冷延板を得、次い
で脱炭焼鈍を従来の方法で行なう。
熱延板の化学成分は重量％でSi:2.5〜4.0％,C:0.03〜0.
10％，酸可溶性Al:0.010〜0.065％,N:0.0010〜0.0150
％,Mn:0.02〜0.30％,S:0.005〜0.040％，その他インヒ
ビター構成元素として公知であるSn,Sb,Se,Te,Cu,Nb,C
r,Ni,B,V,As,Bi等を必要に応じて含有させてもよく、そ
の他実質Feからなっている。本発明の成分系における主
インヒビターはAlNであり、最終冷延以前の工程でAlNを
析出させる焼鈍を必要に応じて行なう。脱炭焼鈍後鋼板
にMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、最終仕上焼
鈍を行なう。本発明の特徴はこの最終仕上焼鈍工程にあ
る。
10％，酸可溶性Al:0.010〜0.065％,N:0.0010〜0.0150
％,Mn:0.02〜0.30％,S:0.005〜0.040％，その他インヒ
ビター構成元素として公知であるSn,Sb,Se,Te,Cu,Nb,C
r,Ni,B,V,As,Bi等を必要に応じて含有させてもよく、そ
の他実質Feからなっている。本発明の成分系における主
インヒビターはAlNであり、最終冷延以前の工程でAlNを
析出させる焼鈍を必要に応じて行なう。脱炭焼鈍後鋼板
にMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、最終仕上焼
鈍を行なう。本発明の特徴はこの最終仕上焼鈍工程にあ
る。
即ち、最終仕上焼鈍工程において、800℃以下での焼鈍
雰囲気での を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることによって極
めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板を安定し得ること
ができる。
雰囲気での を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることによって極
めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板を安定し得ること
ができる。
本発明者らは最終仕上焼鈍工程において、２次再結晶の
開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増
加されることによって磁束密度を高める方法を提示した
（特願昭61−61993）。確かにこの方法によって磁束密
度は高まるが、N2分圧を増加させて効果のある条件範囲
（温度範囲、焼鈍時間範囲等）が、必ずしも広くないと
いう問題が残されていた。通常最終仕上焼鈍は鋼板を５
〜20Tonのコイル状として行なわれ、コイル内には不可
避的に温度差等不均一性が存在する。極めて磁束密度の
高い製品を工業的に安定して製造するためには効果のあ
る条件範囲を広げる必要があった。
開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増
加されることによって磁束密度を高める方法を提示した
（特願昭61−61993）。確かにこの方法によって磁束密
度は高まるが、N2分圧を増加させて効果のある条件範囲
（温度範囲、焼鈍時間範囲等）が、必ずしも広くないと
いう問題が残されていた。通常最終仕上焼鈍は鋼板を５
〜20Tonのコイル状として行なわれ、コイル内には不可
避的に温度差等不均一性が存在する。極めて磁束密度の
高い製品を工業的に安定して製造するためには効果のあ
る条件範囲を広げる必要があった。
本発明者らはN2分圧を増加させて効果のある条件範囲を
広げるためには２次再結晶の開始から完了までの条件範
囲（温度範囲、焼鈍時間範囲等）を広げる必要があると
の観点から種々の実験を行なった結果、800℃以下での
焼鈍雰囲気での を0.1以下にすることが極めて有効であるとの新知見を
得た。
広げるためには２次再結晶の開始から完了までの条件範
囲（温度範囲、焼鈍時間範囲等）を広げる必要があると
の観点から種々の実験を行なった結果、800℃以下での
焼鈍雰囲気での を0.1以下にすることが極めて有効であるとの新知見を
得た。
第１図に最終仕上焼鈍工程における800℃以下での焼鈍
雰囲気の と２次再結晶挙動との関係を示す。この場合Si:3.25％,
C:0.080％，酸可溶性Al:0.026％,N:0.0080％,Mn:0.074
％,S:0.024％を含有する2.3mm厚の熱延板を出発材と
し、かかる熱延板を1100℃２分間の焼鈍後急冷し、0.22
5mmの最終厚みまで冷間圧延し、ついで公知の方法で脱
炭焼鈍、MgOを主成分とする焼鈍分離剤の塗布を順次行
ない多数のサンプルを得た。しかる後75％H2＋25％N2の
混合ガス中において15℃/hrの加熱速度で1100℃まで昇
温し、900〜1100℃の各温度で20℃毎にサンプルを加熱
炉から順次引き出した。引き出したサンプルを酸洗し、
表面を占める２次再結晶粒の面積率（２次再結晶率）を
測定した。800℃以下での焼鈍雰囲気での は２×10-1,1×10-1,2×10-2の３水準とした。第１図か
ら明らかなように800℃以下での焼鈍雰囲気の が低くなるほど２次再結晶の進行が遅れている。
雰囲気の と２次再結晶挙動との関係を示す。この場合Si:3.25％,
C:0.080％，酸可溶性Al:0.026％,N:0.0080％,Mn:0.074
％,S:0.024％を含有する2.3mm厚の熱延板を出発材と
し、かかる熱延板を1100℃２分間の焼鈍後急冷し、0.22
5mmの最終厚みまで冷間圧延し、ついで公知の方法で脱
炭焼鈍、MgOを主成分とする焼鈍分離剤の塗布を順次行
ない多数のサンプルを得た。しかる後75％H2＋25％N2の
混合ガス中において15℃/hrの加熱速度で1100℃まで昇
温し、900〜1100℃の各温度で20℃毎にサンプルを加熱
炉から順次引き出した。引き出したサンプルを酸洗し、
表面を占める２次再結晶粒の面積率（２次再結晶率）を
測定した。800℃以下での焼鈍雰囲気での は２×10-1,1×10-1,2×10-2の３水準とした。第１図か
ら明らかなように800℃以下での焼鈍雰囲気の が低くなるほど２次再結晶の進行が遅れている。
第２図に最終仕上焼鈍の加熱昇温中N2分圧を増加させた
温度と製品の磁束密度との関係を示す。この場合成分、
焼鈍分離剤の塗布に至るまでの工程条件は第１図を説明
したものと同一であり、焼鈍分離剤の塗布後15℃/hrの
加熱速度で1200℃まで昇温し、1200℃の温度で20時間の
最終仕上焼鈍を行なった。焼鈍雰囲気は75％H2＋25％N2
の混合ガスで昇温を開始し、第２図に示す各温度で10％
H2＋90％N2の混合ガスに切り換え、1200℃に達した時点
で100％H2ガスに切り換えた。800℃以下での焼鈍雰囲気
の は２×10-1,1×10-1,2×10-2の３水準とした。第２図か
ら明らかにように800℃以下での焼鈍雰囲気の が低くなるほど製品の磁束密度が顕著に高まる温度範囲
が広くなる。
温度と製品の磁束密度との関係を示す。この場合成分、
焼鈍分離剤の塗布に至るまでの工程条件は第１図を説明
したものと同一であり、焼鈍分離剤の塗布後15℃/hrの
加熱速度で1200℃まで昇温し、1200℃の温度で20時間の
最終仕上焼鈍を行なった。焼鈍雰囲気は75％H2＋25％N2
の混合ガスで昇温を開始し、第２図に示す各温度で10％
H2＋90％N2の混合ガスに切り換え、1200℃に達した時点
で100％H2ガスに切り換えた。800℃以下での焼鈍雰囲気
の は２×10-1,1×10-1,2×10-2の３水準とした。第２図か
ら明らかにように800℃以下での焼鈍雰囲気の が低くなるほど製品の磁束密度が顕著に高まる温度範囲
が広くなる。
本発明の特徴である最終仕上焼鈍における800℃以下で
の焼鈍雰囲気制御効果のメカニズムについては必ずしな
明らかではないが、本発明者らは以下のように考えてい
る。最終仕上焼鈍における800℃以下の温度で を高めると、表面での酸化が促進され表面直下のAlN等
インヒビターが劣化すると考えられる。２次再結晶の核
は表面直下にあることが知られており、表面直下のイン
ヒビターが劣化している場合２次再結晶粒が発生した後
容易に粒成長することができると考えられる。従って表
面での酸化の進行に伴うインヒビターの劣化を抑制する
ことによって２次再結晶の進行を遅延させるためには、
800℃以下の焼鈍雰囲気の を低めることが有効と考えられる。
の焼鈍雰囲気制御効果のメカニズムについては必ずしな
明らかではないが、本発明者らは以下のように考えてい
る。最終仕上焼鈍における800℃以下の温度で を高めると、表面での酸化が促進され表面直下のAlN等
インヒビターが劣化すると考えられる。２次再結晶の核
は表面直下にあることが知られており、表面直下のイン
ヒビターが劣化している場合２次再結晶粒が発生した後
容易に粒成長することができると考えられる。従って表
面での酸化の進行に伴うインヒビターの劣化を抑制する
ことによって２次再結晶の進行を遅延させるためには、
800℃以下の焼鈍雰囲気の を低めることが有効と考えられる。
本発明において最終仕上焼鈍における800℃以下での焼
鈍雰囲気の を0.1以下と規定したのは、第１図から明らかなように 0.1において２次再結晶の遅延効果が認められ、第２
図に示すように、 0.1において製品の磁束密度向上の見られる温度範囲
が広がるからである。800℃以下と規定したのは800℃以
下の温度範囲の を低めとすることで２次再結晶の遅延が生じ、800℃超
の温度範囲の を過度に低めるとフォルステライトを主とした被膜形成
に悪影響を与えるからである。
鈍雰囲気の を0.1以下と規定したのは、第１図から明らかなように 0.1において２次再結晶の遅延効果が認められ、第２
図に示すように、 0.1において製品の磁束密度向上の見られる温度範囲
が広がるからである。800℃以下と規定したのは800℃以
下の温度範囲の を低めとすることで２次再結晶の遅延が生じ、800℃超
の温度範囲の を過度に低めるとフォルステライトを主とした被膜形成
に悪影響を与えるからである。
本発明において、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させると規定したの
は、２次再結晶の途中段階で｛110｝〈001〉方位から分
散した方位粒が２次再結晶してくるのを抑制することに
よって２次再結晶初期に発生する｛110｝〈001〉方位に
極めて近い２次再結晶粒の粒成長を助長して製品の磁束
密度を高めるためには、２次再結晶の開始から完了まで
の途中段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させAlNを主と
したインヒビター（窒化物）を形成させる必要があり、
２次再結晶の開始以前、及び完了後では効果がないため
である。２次再結晶率が低い段階ほど上記効果が大きい
ので、800℃以下の を低くして２次再結晶の進行を遅延させることにより効
果条件範囲（温度範囲等）が広がるものと考えられる。
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させると規定したの
は、２次再結晶の途中段階で｛110｝〈001〉方位から分
散した方位粒が２次再結晶してくるのを抑制することに
よって２次再結晶初期に発生する｛110｝〈001〉方位に
極めて近い２次再結晶粒の粒成長を助長して製品の磁束
密度を高めるためには、２次再結晶の開始から完了まで
の途中段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させAlNを主と
したインヒビター（窒化物）を形成させる必要があり、
２次再結晶の開始以前、及び完了後では効果がないため
である。２次再結晶率が低い段階ほど上記効果が大きい
ので、800℃以下の を低くして２次再結晶の進行を遅延させることにより効
果条件範囲（温度範囲等）が広がるものと考えられる。
最終仕上焼鈍の方法については特に限定しない。加熱昇
温中に２次再結晶を生じさせる方法、恒温保定中に２次
再結晶を生じさせる方法等いずれの方法でもよい。焼鈍
雰囲気中のN2分圧を増加させる温度、焼鈍開始からの時
間については特に限定しない、２次再結晶が開始してい
ればよい。恒温保定と昇温とを組合わせて２次再結晶を
行なわせる方法等でも、本発明の効果が得られることは
明らかである。
温中に２次再結晶を生じさせる方法、恒温保定中に２次
再結晶を生じさせる方法等いずれの方法でもよい。焼鈍
雰囲気中のN2分圧を増加させる温度、焼鈍開始からの時
間については特に限定しない、２次再結晶が開始してい
ればよい。恒温保定と昇温とを組合わせて２次再結晶を
行なわせる方法等でも、本発明の効果が得られることは
明らかである。
最終仕上焼鈍後に鋼板に張力を付加するコーティングを
行なうと鉄損特性が一層向上する。本発明によって製造
された製品は極めて磁束密度が高いため、レーザー等を
用いた磁区制御を行なうと極めて鉄損特性を優れた製品
となる。
行なうと鉄損特性が一層向上する。本発明によって製造
された製品は極めて磁束密度が高いため、レーザー等を
用いた磁区制御を行なうと極めて鉄損特性を優れた製品
となる。
以下実施例について述べる。
実施例１ Si:3.25％,C:0.080％，酸可溶性Al:0.026％,N:0.0080
％,Mn:0.073％,S:0.025％,Sn:0.012％を含む板厚2.3mm
の熱延板に1100℃２分間の焼鈍後0.225mmの最終厚みま
で冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、1200℃まで15℃/hrで昇
温し、1200℃の温度で20時間の最終仕上焼鈍を行なっ
た。800℃以下での焼鈍雰囲気の を（１）２×10-2,（２）２×10-1の２通りとし、雰囲
気ガスの条件は（ａ）昇温過程1200℃まで75％H2＋25％
N2で処理、（ｂ）昇温過程980℃まで75％H2＋25％N2で
処理し、980℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理、
（ｃ）昇温過程1010℃まで75％H2＋25％N2で処理し、10
10℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理、（ｄ）昇温
過程1040℃まで75％H2＋25％N2で処理し、1040℃から12
00℃まで10％H2＋90％N2で処理の４通りとし1200℃にな
った時点で100％H2として焼鈍を行なった。（１）
（ａ）の条件の場合約970℃で２次再結晶が開始し、約1
060℃で２次再結晶が完了しており、（１）（ｂ），
（１）（ｃ），（１）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。また（２）（ａ）の条件の場合約970℃で２次再
結晶が開始し、約1050℃で２次再結晶が完了しており、
（２）（ｂ），（２）（ｃ），（２）（ｄ）の条件では
２次再結晶の開始から完了までの途中段階でN2分圧を増
加させたことになる。処理条件と製品の磁束密度を第１
表に示す。
％,Mn:0.073％,S:0.025％,Sn:0.012％を含む板厚2.3mm
の熱延板に1100℃２分間の焼鈍後0.225mmの最終厚みま
で冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、1200℃まで15℃/hrで昇
温し、1200℃の温度で20時間の最終仕上焼鈍を行なっ
た。800℃以下での焼鈍雰囲気の を（１）２×10-2,（２）２×10-1の２通りとし、雰囲
気ガスの条件は（ａ）昇温過程1200℃まで75％H2＋25％
N2で処理、（ｂ）昇温過程980℃まで75％H2＋25％N2で
処理し、980℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理、
（ｃ）昇温過程1010℃まで75％H2＋25％N2で処理し、10
10℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理、（ｄ）昇温
過程1040℃まで75％H2＋25％N2で処理し、1040℃から12
00℃まで10％H2＋90％N2で処理の４通りとし1200℃にな
った時点で100％H2として焼鈍を行なった。（１）
（ａ）の条件の場合約970℃で２次再結晶が開始し、約1
060℃で２次再結晶が完了しており、（１）（ｂ），
（１）（ｃ），（１）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。また（２）（ａ）の条件の場合約970℃で２次再
結晶が開始し、約1050℃で２次再結晶が完了しており、
（２）（ｂ），（２）（ｃ），（２）（ｄ）の条件では
２次再結晶の開始から完了までの途中段階でN2分圧を増
加させたことになる。処理条件と製品の磁束密度を第１
表に示す。
実施例２ Si:3.25％,C:0.079％，酸可溶性Al:0.025％,N:0.0081
％,Mn:0.074％,S:0.025％,Sn:0.12％,Cu:0.06％を含む
板厚2.3mmの熱延板を、1000℃３分間焼鈍後急冷し、1.3
5mm厚まで冷間圧延し、ついで1100℃２分間の中間焼鈍
後急冷し、0.170mmの最終厚みまで冷間圧延し、ついで
脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主成分とする焼鈍分離剤を
塗布し、1200℃まで15℃/hrで昇温し、1200℃の温度で2
0時間の最終仕上焼鈍を行なった。800℃以下での焼鈍雰
囲気の を（１）２×10-2,（２）２×10-1の２通りとし、雰囲
気ガスの条件は（ａ）昇温過程1200℃まで75％H2＋25％
N2で処理、（ｂ）昇温過程960℃まで75％H2＋25％N2で
処理し、960℃から1200℃まで25％H2＋75％N2で処理
し、（ｃ）昇温過程1000℃まで75％H2＋25％N2で処理
し、1000℃から1200℃まで25％H2＋75％N2で処理、
（ｄ）昇温過程1040℃まで75％H2＋25％N2で処理し、10
40℃から1200℃まで25％H2＋75％N2で処理の４通りと
し、1200℃になった時点で100％H2として焼鈍を行なっ
た。（１）（ａ）の条件の場合約950℃で２次再結晶が
開始し、約1050℃で完了しており、（１）（ｂ），
（１）（ｃ），（１）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。また（２）（ａ）の条件の場合約950℃で２次再
結晶が開始し、約1040℃で２次再結晶が完了しており、
（２）（ｂ），（２）（ｃ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。処理条件と製品の磁束密度を第２表に示す。
％,Mn:0.074％,S:0.025％,Sn:0.12％,Cu:0.06％を含む
板厚2.3mmの熱延板を、1000℃３分間焼鈍後急冷し、1.3
5mm厚まで冷間圧延し、ついで1100℃２分間の中間焼鈍
後急冷し、0.170mmの最終厚みまで冷間圧延し、ついで
脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主成分とする焼鈍分離剤を
塗布し、1200℃まで15℃/hrで昇温し、1200℃の温度で2
0時間の最終仕上焼鈍を行なった。800℃以下での焼鈍雰
囲気の を（１）２×10-2,（２）２×10-1の２通りとし、雰囲
気ガスの条件は（ａ）昇温過程1200℃まで75％H2＋25％
N2で処理、（ｂ）昇温過程960℃まで75％H2＋25％N2で
処理し、960℃から1200℃まで25％H2＋75％N2で処理
し、（ｃ）昇温過程1000℃まで75％H2＋25％N2で処理
し、1000℃から1200℃まで25％H2＋75％N2で処理、
（ｄ）昇温過程1040℃まで75％H2＋25％N2で処理し、10
40℃から1200℃まで25％H2＋75％N2で処理の４通りと
し、1200℃になった時点で100％H2として焼鈍を行なっ
た。（１）（ａ）の条件の場合約950℃で２次再結晶が
開始し、約1050℃で完了しており、（１）（ｂ），
（１）（ｃ），（１）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。また（２）（ａ）の条件の場合約950℃で２次再
結晶が開始し、約1040℃で２次再結晶が完了しており、
（２）（ｂ），（２）（ｃ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。処理条件と製品の磁束密度を第２表に示す。
実施例３ Si:3.28％,C:0.077％，酸可溶性Al:0.028％,N:0.0083
％,Mn:0.077％,S:0.024％を含む板厚2.3mmの熱延板を11
20℃に30秒保持しひき続き900℃に１分間保持した後急
冷し、0.285mmの最終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭
焼鈍し、ひき続きMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布
し、1200℃まで20℃/hrで昇温し、1200℃の温度で20時
間の最終仕上焼鈍を行なった。800℃以下での焼鈍雰囲
気の を（１）２×10-4,（２）２×10-1の２通りとし雰囲気
ガスの条件は（ａ）昇温過程1200℃まで75％H2＋25％N2
で処理、（ｂ）昇温過程990℃まで75％H2＋25％N2で処
理し、990℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理し、
（ｃ）昇温過程1010℃まで75％H2＋25％N2で処理し、10
10℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理し、（ｄ）昇
温過程1030℃まで75％H2＋25％N2で処理し、1030℃から
1200℃まで10％H2＋90％N2で処理の４通りとし、1200℃
になった時点で100％H2として焼鈍を行なった。
％,Mn:0.077％,S:0.024％を含む板厚2.3mmの熱延板を11
20℃に30秒保持しひき続き900℃に１分間保持した後急
冷し、0.285mmの最終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭
焼鈍し、ひき続きMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布
し、1200℃まで20℃/hrで昇温し、1200℃の温度で20時
間の最終仕上焼鈍を行なった。800℃以下での焼鈍雰囲
気の を（１）２×10-4,（２）２×10-1の２通りとし雰囲気
ガスの条件は（ａ）昇温過程1200℃まで75％H2＋25％N2
で処理、（ｂ）昇温過程990℃まで75％H2＋25％N2で処
理し、990℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理し、
（ｃ）昇温過程1010℃まで75％H2＋25％N2で処理し、10
10℃から1200℃まで10％H2＋90％N2で処理し、（ｄ）昇
温過程1030℃まで75％H2＋25％N2で処理し、1030℃から
1200℃まで10％H2＋90％N2で処理の４通りとし、1200℃
になった時点で100％H2として焼鈍を行なった。
（１）（ａ）の条件の場合約970℃で２次再結晶が開始
し、約1060℃で完了しており、（１）（ｂ），（１）
（ｃ），（１）（ｄ）の条件では２次再結晶の開始から
完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことになる。
また（２）（ａ）の条件の場合約970℃で２次再結晶が
開始し、約1050℃で完了しており、（２）（ｂ），
（２）（ｃ），（２）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。処理条件と製品の磁束密度を第３表に示す。
し、約1060℃で完了しており、（１）（ｂ），（１）
（ｃ），（１）（ｄ）の条件では２次再結晶の開始から
完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことになる。
また（２）（ａ）の条件の場合約970℃で２次再結晶が
開始し、約1050℃で完了しており、（２）（ｂ），
（２）（ｃ），（２）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。処理条件と製品の磁束密度を第３表に示す。
実施例４ Si:3.30％,C:0.081％，酸可溶性Al:0.027％,N:0.0079
％,Mn:0.076％,S:0.024％,Sn:0.13％,Cu:0.06％を含む
板厚2.3mmの熱延板に1100℃２分間の焼鈍後0.225mmの最
終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMg
Oを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、1200℃まで15℃/
hrで昇温し、1200℃の温度で20時間の最終仕上焼鈍を行
なった。400℃以下での焼鈍雰囲気のPH2O/PH2を２×10
-2とし400℃から800℃までの温度範囲の焼鈍雰囲気の を（１）２×10-2,（２）２×10-1の２通りとし、雰囲
気ガスの条件は（ａ）は昇温過程1200℃まで75％H2＋25
％N2で処理、（ｂ）昇温過程980℃まで75％H2＋25％N2
で処理し、980℃から1200℃まで100％N2で処理、（ｃ）
昇温過程1010℃まで75％H2＋25％N2で処理し、1010℃か
ら1200℃まで100％N2で処理、（ｄ）昇温過程1040℃ま
で75％H2＋25％N2で処理し、1040℃から1200℃まで100
％N2で処理の４通りとし1200℃になった時点で100％H2
として焼鈍を行なった。（１）（ａ）の条件の場合約96
0℃で２次再結晶が開始し、約1060℃で２次再結晶が完
了しており、（１）（ｂ），（１）（ｃ），（１）
（ｄ）の条件では２次再結晶の開始から完了までの途中
段階でN2分圧を増加させたことになる。また（２）
（ａ）の条件の場合約960℃で２次再結晶が開始し、約1
050℃で２次再結晶が完了しており、（２）（ｂ），
（２）（ｃ），（２）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。処理条件と製品の磁束密度を第４表に示す。
％,Mn:0.076％,S:0.024％,Sn:0.13％,Cu:0.06％を含む
板厚2.3mmの熱延板に1100℃２分間の焼鈍後0.225mmの最
終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMg
Oを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、1200℃まで15℃/
hrで昇温し、1200℃の温度で20時間の最終仕上焼鈍を行
なった。400℃以下での焼鈍雰囲気のPH2O/PH2を２×10
-2とし400℃から800℃までの温度範囲の焼鈍雰囲気の を（１）２×10-2,（２）２×10-1の２通りとし、雰囲
気ガスの条件は（ａ）は昇温過程1200℃まで75％H2＋25
％N2で処理、（ｂ）昇温過程980℃まで75％H2＋25％N2
で処理し、980℃から1200℃まで100％N2で処理、（ｃ）
昇温過程1010℃まで75％H2＋25％N2で処理し、1010℃か
ら1200℃まで100％N2で処理、（ｄ）昇温過程1040℃ま
で75％H2＋25％N2で処理し、1040℃から1200℃まで100
％N2で処理の４通りとし1200℃になった時点で100％H2
として焼鈍を行なった。（１）（ａ）の条件の場合約96
0℃で２次再結晶が開始し、約1060℃で２次再結晶が完
了しており、（１）（ｂ），（１）（ｃ），（１）
（ｄ）の条件では２次再結晶の開始から完了までの途中
段階でN2分圧を増加させたことになる。また（２）
（ａ）の条件の場合約960℃で２次再結晶が開始し、約1
050℃で２次再結晶が完了しており、（２）（ｂ），
（２）（ｃ），（２）（ｄ）の条件では２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でN2分圧を増加させたことに
なる。処理条件と製品の磁束密度を第４表に示す。
〔発明の効果〕 以上のとおり、本発明によれば最終仕上焼鈍工程におい
て、800℃以下の を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることによって極
めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板を広い条件範囲
（N2分圧増加温度等）で安定して製造することができる
ので、その工業的効果は大きい。
て、800℃以下の を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることによって極
めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板を広い条件範囲
（N2分圧増加温度等）で安定して製造することができる
ので、その工業的効果は大きい。
第１図は、最終仕上焼鈍工程における800℃以下での焼
鈍雰囲気の と２次再結晶挙動との関係図であり、第２図は最終仕上
焼鈍の加熱昇温中N2分圧を増加させた温度と製品の磁束
密度との関係図である。
鈍雰囲気の と２次再結晶挙動との関係図であり、第２図は最終仕上
焼鈍の加熱昇温中N2分圧を増加させた温度と製品の磁束
密度との関係図である。
Claims (1)
- 【請求項１】含Al方向性電磁鋼板の製造に於て、通常の
工程で得られた冷延板を脱炭焼鈍後、最終仕上焼鈍を施
す工程に於て、800℃以下での焼鈍雰囲気の を0.1以下とし、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のN2分圧を増加させることを特徴とす
る磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055380A JPH07110973B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055380A JPH07110973B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63223126A JPS63223126A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH07110973B2 true JPH07110973B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=12996883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055380A Expired - Lifetime JPH07110973B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110973B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP62055380A patent/JPH07110973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63223126A (ja) | 1988-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |