JPH07110989B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH07110989B2 JPH07110989B2 JP61135331A JP13533186A JPH07110989B2 JP H07110989 B2 JPH07110989 B2 JP H07110989B2 JP 61135331 A JP61135331 A JP 61135331A JP 13533186 A JP13533186 A JP 13533186A JP H07110989 B2 JPH07110989 B2 JP H07110989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- vacuum
- furnace
- transfer chamber
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ浸炭処理及び高周波焼入処理を順次
行なうための真空処理装置に関するものである。
行なうための真空処理装置に関するものである。
従来、第３図に示す如く加熱チャンバ21内でガス浸炭処
理を行なった後、冷却セクション22でのファン23による
冷却によって被処理物Ｗの結晶粒を微細化し、しかる後
被処理物Ｗを加熱チャンバ21内に戻して再び加熱してか
らタンク24内に下降させて油焼入処理を行なっていた。
理を行なった後、冷却セクション22でのファン23による
冷却によって被処理物Ｗの結晶粒を微細化し、しかる後
被処理物Ｗを加熱チャンバ21内に戻して再び加熱してか
らタンク24内に下降させて油焼入処理を行なっていた。
しかし、密閉された１個の炉25内に加熱チャンバ21及び
冷却セクション22を設けており、ガス浸炭後加熱チャン
バ21内の高温ガスが冷却セクション22に流入するため、
冷却セクション22でのファン冷却では被処理物Ｗの冷却
に時間がかかり、浸炭後に粗大化した心部の結晶粒微細
化が不十分となるから、高品質な焼入れができないと共
に、ガス浸炭と油焼入れを同時に行なえず、加熱チャン
バ21及び冷却セクション22間で被処理物Ｗを２度も往復
させて加熱と冷却を繰り返す必要があるから、処理能率
が悪いという不都合を免れなかった。
冷却セクション22を設けており、ガス浸炭後加熱チャン
バ21内の高温ガスが冷却セクション22に流入するため、
冷却セクション22でのファン冷却では被処理物Ｗの冷却
に時間がかかり、浸炭後に粗大化した心部の結晶粒微細
化が不十分となるから、高品質な焼入れができないと共
に、ガス浸炭と油焼入れを同時に行なえず、加熱チャン
バ21及び冷却セクション22間で被処理物Ｗを２度も往復
させて加熱と冷却を繰り返す必要があるから、処理能率
が悪いという不都合を免れなかった。
本発明は、前記従来の問題点を解決するためになしたも
ので、真空処理室におけるプラズマ浸炭及び高周波焼入
れなどを互いに独立して行なえるようにして、プラズマ
浸炭などの利点（処理の高速性及び均一性）の有効利用
と、浸炭及び焼入れなどの並行処理とによって処理品質
及び能率の大幅な向上を図り、しかも被処理物を大気に
接触させることなく本体内に搬入し、各真空処理室への
搬出入を行えるようにすることを目的とする。
ので、真空処理室におけるプラズマ浸炭及び高周波焼入
れなどを互いに独立して行なえるようにして、プラズマ
浸炭などの利点（処理の高速性及び均一性）の有効利用
と、浸炭及び焼入れなどの並行処理とによって処理品質
及び能率の大幅な向上を図り、しかも被処理物を大気に
接触させることなく本体内に搬入し、各真空処理室への
搬出入を行えるようにすることを目的とする。
本発明の真空処理装置は、１個の真空搬送室３と、該真
空搬送室３に隣接して設けられた複数個の真空処理室1,
2と、該複数個の真空処理室1,2と前記真空搬送室３とを
連通する開口部５と、該開口部５を開閉する開閉手段４
と、被処理物Ｗを収納する収納容器９と、前記真空搬送
室３に前記収納容器９を搬入・搬出するための搬入出口
30,31と、該搬入出口30,31を開閉する開閉手段32,33
と、前記真空搬送室３内を走行し前記開口部５を臨んで
位置し得る搬送手段７と、該搬送手段７と前記真空処理
室1,2との間で被処理物Ｗを前記開口部５を介して受け
渡しする搬送手段６と、前記真空処理室1,2内に設けら
れ該搬送手段６により受け渡された被処理物Ｗを支持す
る支持手段12,18と、前記真空搬送室３および前記真空
処理室1,2に接続された真空吸引装置とを有し、前記収
納容器９の上部には、被処理物Ｗを搬入・搬出するため
の開口部34と、該開口部34を開閉するための開閉手段８
が設けられていることを特徴とするものである。
空搬送室３に隣接して設けられた複数個の真空処理室1,
2と、該複数個の真空処理室1,2と前記真空搬送室３とを
連通する開口部５と、該開口部５を開閉する開閉手段４
と、被処理物Ｗを収納する収納容器９と、前記真空搬送
室３に前記収納容器９を搬入・搬出するための搬入出口
30,31と、該搬入出口30,31を開閉する開閉手段32,33
と、前記真空搬送室３内を走行し前記開口部５を臨んで
位置し得る搬送手段７と、該搬送手段７と前記真空処理
室1,2との間で被処理物Ｗを前記開口部５を介して受け
渡しする搬送手段６と、前記真空処理室1,2内に設けら
れ該搬送手段６により受け渡された被処理物Ｗを支持す
る支持手段12,18と、前記真空搬送室３および前記真空
処理室1,2に接続された真空吸引装置とを有し、前記収
納容器９の上部には、被処理物Ｗを搬入・搬出するため
の開口部34と、該開口部34を開閉するための開閉手段８
が設けられていることを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第１図に沿い説明する。
図中１は１個又は複数個のプラズマ浸炭炉、２は１個又
は複数個の高周波焼入炉で、共通した１個の真空搬送室
３の上部に互いに独立して並設された真空処理室とされ
ており、各室1,2の底壁には、蓋４により開閉可能な開
口部５が設けられている。
は複数個の高周波焼入炉で、共通した１個の真空搬送室
３の上部に互いに独立して並設された真空処理室とされ
ており、各室1,2の底壁には、蓋４により開閉可能な開
口部５が設けられている。
真空搬送室３の床面には、上部室1,2の開口部５の直下
位置にて図示しないシリンダにより互いに独立して昇降
可能な複数本の昇降ラム６と、真空搬送室３床面上を走
行可能で、かつ、昇降ラム６が貫通可能な１台又は複数
台の台車７が設置されている。この台車７には、その昇
降用ジャッキ7Aが設けられており、該台車７上には、上
下の開口部34,34′を覆う上下蓋8,8′を備えた金属製筒
状カバー９が載置可能になっている。このカバー９は、
図示しないガス充填装置と、容器底部のラム昇降口をカ
ーテンシールする図示しないガスカーテン発生装置を備
えている。
位置にて図示しないシリンダにより互いに独立して昇降
可能な複数本の昇降ラム６と、真空搬送室３床面上を走
行可能で、かつ、昇降ラム６が貫通可能な１台又は複数
台の台車７が設置されている。この台車７には、その昇
降用ジャッキ7Aが設けられており、該台車７上には、上
下の開口部34,34′を覆う上下蓋8,8′を備えた金属製筒
状カバー９が載置可能になっている。このカバー９は、
図示しないガス充填装置と、容器底部のラム昇降口をカ
ーテンシールする図示しないガスカーテン発生装置を備
えている。
また、真空搬送室３の搬入出口30,31には、開閉可能な
密閉扉32,33が設けられると共に、その外部には搬送コ
ンベヤ10,11が設けられている。該真空搬送室３には図
示しない真空吸引装置及びガス供給装置が接続されてい
る。
密閉扉32,33が設けられると共に、その外部には搬送コ
ンベヤ10,11が設けられている。該真空搬送室３には図
示しない真空吸引装置及びガス供給装置が接続されてい
る。
プラズマ浸炭炉１の床面上、開口部５の周りには、図示
しない移動装置により開口部５の中心に向かい進退可能
な陰極兼用の導電性架台12が設けられ、該架台12の上方
には、網状板又は多孔板等を筒状に形成した陽極13及び
該陽極13を取り囲む高周波コイル14が開口部５と同芯に
配置されており、架台12及び陽極13には放電用直流電源
15が接続され、かつ高周波コイル14には図示しない高周
波発生用交流電源が接続されている。また、プラズマ浸
炭炉１には図示しないガス供給装置と真空吸引装置と排
気装置とが接続されると共に、該炉上部には、炉内に冷
気を供給可能な冷却コイル16及びファン17が設けられて
いる。
しない移動装置により開口部５の中心に向かい進退可能
な陰極兼用の導電性架台12が設けられ、該架台12の上方
には、網状板又は多孔板等を筒状に形成した陽極13及び
該陽極13を取り囲む高周波コイル14が開口部５と同芯に
配置されており、架台12及び陽極13には放電用直流電源
15が接続され、かつ高周波コイル14には図示しない高周
波発生用交流電源が接続されている。また、プラズマ浸
炭炉１には図示しないガス供給装置と真空吸引装置と排
気装置とが接続されると共に、該炉上部には、炉内に冷
気を供給可能な冷却コイル16及びファン17が設けられて
いる。
高周波焼入炉２の床面上、開口部５の周りには、図示し
ない移動装置により開口部５の中心に向かい進退可能な
架台18が設けられ、該架台18の上方には、前記高周波コ
イル14と同一電源に接続された高周波コイル19が開口部
５と同芯に配置され、高周波コイル19には、コイル内を
液供給炉に形成し、かつ、多数の細孔を穿設した図示し
ない焼入液スプレイ装置が組み込まれている。また、高
周波焼入炉２には図示しないガス供給装置と真空吸引装
置とが接続されている。
ない移動装置により開口部５の中心に向かい進退可能な
架台18が設けられ、該架台18の上方には、前記高周波コ
イル14と同一電源に接続された高周波コイル19が開口部
５と同芯に配置され、高周波コイル19には、コイル内を
液供給炉に形成し、かつ、多数の細孔を穿設した図示し
ない焼入液スプレイ装置が組み込まれている。また、高
周波焼入炉２には図示しないガス供給装置と真空吸引装
置とが接続されている。
被処理物Ｗは、導電性の支持台20上に載置され、かつ、
蓋8,8′の付いたカバー９内に収められて搬送コンベヤ1
0により搬送され、搬送室３内の台車７上にカバー９ご
と移載された後、台車７によりプラズマ浸炭炉１の直下
の所定位置まで搬送される。
蓋8,8′の付いたカバー９内に収められて搬送コンベヤ1
0により搬送され、搬送室３内の台車７上にカバー９ご
と移載された後、台車７によりプラズマ浸炭炉１の直下
の所定位置まで搬送される。
次いで、カバー９の上部蓋８を外し、かつ、シリンダの
ロッド伸長作動により昇降ラム６を上昇させると、昇降
ラム６は台車７及びカバー９の底部蓋８′を貫通して上
昇するから、被処理物Ｗは、この昇降ラム６上に支持台
20ごと移載されて上昇し、開口部５を経てプラズマ浸炭
炉１内に搬入される。
ロッド伸長作動により昇降ラム６を上昇させると、昇降
ラム６は台車７及びカバー９の底部蓋８′を貫通して上
昇するから、被処理物Ｗは、この昇降ラム６上に支持台
20ごと移載されて上昇し、開口部５を経てプラズマ浸炭
炉１内に搬入される。
昇降ラム６が上昇端位置に達すると、架台12は昇降ラム
６に支持された支持台20の下部に移載設置されるから、
シリンダのロッド短縮作動により昇降ラム６を下降させ
ると、支持台20は架台12を介して炉床面上に支持され、
被処理物Ｗは、陽極13及び高周波コイル14に取り囲まれ
たその中心位置に配置される。昇降ラム６は下降して元
の位置に戻ると共に、開口部５は蓋４で閉じられる（炉
内搬入）。
６に支持された支持台20の下部に移載設置されるから、
シリンダのロッド短縮作動により昇降ラム６を下降させ
ると、支持台20は架台12を介して炉床面上に支持され、
被処理物Ｗは、陽極13及び高周波コイル14に取り囲まれ
たその中心位置に配置される。昇降ラム６は下降して元
の位置に戻ると共に、開口部５は蓋４で閉じられる（炉
内搬入）。
次いで、第２図に示す如く、真空吸引装置の作動でプラ
ズマ浸炭炉１内を減圧し真空度を上げると共に、ガス供
給装置で窒素ガスを供給し、大体真空度が５×10-2〜10
-3Torrに達したとき、この真空度を保持しながら高周波
コイル14に交流電圧を印加して被処理物Ｗを高周波加熱
で加熱すると、被処理物Ｗは、A3変態点で機械加工時の
応力を除去されてプラズマ発生温度の大体900〜1000℃
（最大1100℃）まで加熱される。
ズマ浸炭炉１内を減圧し真空度を上げると共に、ガス供
給装置で窒素ガスを供給し、大体真空度が５×10-2〜10
-3Torrに達したとき、この真空度を保持しながら高周波
コイル14に交流電圧を印加して被処理物Ｗを高周波加熱
で加熱すると、被処理物Ｗは、A3変態点で機械加工時の
応力を除去されてプラズマ発生温度の大体900〜1000℃
（最大1100℃）まで加熱される。
次いで、真空度をプラズマ発生真空度の大体0.1〜1.0To
rrまで下げ、かつ、還元性のガスの水素ガスと浸炭性ガ
スのプロパンとを供給すると共に、被処理物Ｗ（陰極）
と陽極13との間に直流電圧を印加すると、上記真空度及
び温度下で電離密度の高い負グロー放電が安定的に発生
し気体をプラズマ化するから、プラズマ浸炭を行なうこ
とができる（浸炭期）。
rrまで下げ、かつ、還元性のガスの水素ガスと浸炭性ガ
スのプロパンとを供給すると共に、被処理物Ｗ（陰極）
と陽極13との間に直流電圧を印加すると、上記真空度及
び温度下で電離密度の高い負グロー放電が安定的に発生
し気体をプラズマ化するから、プラズマ浸炭を行なうこ
とができる（浸炭期）。
浸炭後放電を停止し、かつ、真空度を再び上げて、高周
波加熱だけをさらに継続して、被処理物Ｗ表面へ炭素を
より多く拡散浸透させる（拡散期）。
波加熱だけをさらに継続して、被処理物Ｗ表面へ炭素を
より多く拡散浸透させる（拡散期）。
次いで、高周波加熱を停止し、かつ、真空度を下げると
共に、冷却コイル16とファン17を作動させて炉内ガスを
冷却循環させると、被処理物Ｗは冷却され、高温度加熱
で粗大化した結晶粒が微細化される（ガス冷却）。
共に、冷却コイル16とファン17を作動させて炉内ガスを
冷却循環させると、被処理物Ｗは冷却され、高温度加熱
で粗大化した結晶粒が微細化される（ガス冷却）。
次いで、高周波焼入炉２内及び真空搬送室３内を減圧
し、かつガス供給装置で窒素ガスを充満させると共に、
カバー９の底部をカーテンシールしながら該カバー９内
に窒素ガスを充満させた状態下で開口部５を開き、か
つ、台車７をジャッキアップして炉底に押付け、前記炉
内搬入手順と逆の手順で被処理物Ｗをプラズマ浸炭炉１
内から搬出し台車７上のカバー９内に収めて蓋８をし、
かつ台車７をジャッキダウンして高周波焼入炉２の直下
の所定位置まで搬送した後、前記と同じ炉内搬入手順で
被処理物Ｗを高周波焼入炉２内に架台18で支持して高周
波コイル19に取り囲まれたその中心位置に配置し、か
つ、開口部５を閉じ、しかる後、真空吸引装置の作動で
高周波焼入炉２内を減圧し真空度を上げ、真空度が大体
５×10-2〜10-3Torrに達したとき、この真空度を保持し
ながら高周波コイル19に交流電圧を印加して被処理物Ｗ
を高周波加熱で750〜850℃に５分間加熱した後、油或は
水等を焼入液スプレイ装置で被処理物Ｗにスプレイする
と、被処理物Ｗの焼入処理が完了する。一方、高周波加
熱終了の辺りで炉内圧を大気圧に戻しておき、処理後開
口部５を開き、前記炉内搬入手順と逆の手順で処理完了
品Ｗ′は高周波焼入炉２内から搬出され台車７で搬出コ
ンベヤ11へと送り出される。このときカバー９が上部蓋
８とともに外される。
し、かつガス供給装置で窒素ガスを充満させると共に、
カバー９の底部をカーテンシールしながら該カバー９内
に窒素ガスを充満させた状態下で開口部５を開き、か
つ、台車７をジャッキアップして炉底に押付け、前記炉
内搬入手順と逆の手順で被処理物Ｗをプラズマ浸炭炉１
内から搬出し台車７上のカバー９内に収めて蓋８をし、
かつ台車７をジャッキダウンして高周波焼入炉２の直下
の所定位置まで搬送した後、前記と同じ炉内搬入手順で
被処理物Ｗを高周波焼入炉２内に架台18で支持して高周
波コイル19に取り囲まれたその中心位置に配置し、か
つ、開口部５を閉じ、しかる後、真空吸引装置の作動で
高周波焼入炉２内を減圧し真空度を上げ、真空度が大体
５×10-2〜10-3Torrに達したとき、この真空度を保持し
ながら高周波コイル19に交流電圧を印加して被処理物Ｗ
を高周波加熱で750〜850℃に５分間加熱した後、油或は
水等を焼入液スプレイ装置で被処理物Ｗにスプレイする
と、被処理物Ｗの焼入処理が完了する。一方、高周波加
熱終了の辺りで炉内圧を大気圧に戻しておき、処理後開
口部５を開き、前記炉内搬入手順と逆の手順で処理完了
品Ｗ′は高周波焼入炉２内から搬出され台車７で搬出コ
ンベヤ11へと送り出される。このときカバー９が上部蓋
８とともに外される。
ところで、上記作業は、プラズマ浸炭炉１と高周波焼入
炉２が各１個の場合等、浸炭及び焼入れを順次行なう場
合であるが、プラズマ浸炭炉１と高周波焼入炉２が各複
数個である場合には、浸炭処理後の被処理物Ｗが高周波
焼入炉２に搬入されており、その焼入れ処理を他の被処
理物Ｗの浸炭処理と並行して行なうことが考えられる。
かかる場合、上記作業で必要な電力は、プラズマ浸炭炉
１ではプラズマ浸炭の浸炭期に400KW、拡散期に200KWで
あるのに対し、高周波焼入炉２では加熱保持に400KWで
あり、拡散期の230分間の間に高周波焼入炉２に電力を
回すことができるから、各炉の独立構造上プラズマ浸炭
処理を行ないながらその拡散期に高周波焼入れ処理を開
始しガス冷却時にかけて、或いはガス冷却時だけで、両
処理を並行して同一の高周波発生電源により行なうこと
ができる。
炉２が各１個の場合等、浸炭及び焼入れを順次行なう場
合であるが、プラズマ浸炭炉１と高周波焼入炉２が各複
数個である場合には、浸炭処理後の被処理物Ｗが高周波
焼入炉２に搬入されており、その焼入れ処理を他の被処
理物Ｗの浸炭処理と並行して行なうことが考えられる。
かかる場合、上記作業で必要な電力は、プラズマ浸炭炉
１ではプラズマ浸炭の浸炭期に400KW、拡散期に200KWで
あるのに対し、高周波焼入炉２では加熱保持に400KWで
あり、拡散期の230分間の間に高周波焼入炉２に電力を
回すことができるから、各炉の独立構造上プラズマ浸炭
処理を行ないながらその拡散期に高周波焼入れ処理を開
始しガス冷却時にかけて、或いはガス冷却時だけで、両
処理を並行して同一の高周波発生電源により行なうこと
ができる。
以上の通り本発明は、各真空処理室においてプラズマ浸
炭及び高周波焼入れなどを互いに独立して行なえるか
ら、浸炭及び焼入れなどの並行処理が可能となり、プラ
ズマ浸炭などの利点（処理の高速性及び均一性）の有効
利用と相俟って処理品質及び能率の大幅な向上を図れる
と共に、高周波発生電源の共用が可能となり、これによ
って設備費の低減と省エネルギーとを図れる。しかも、
被処理物を収納容器に収納して真空搬送室に搬入し、か
つ真空搬送室において収納容器と各真空処理室との間で
被処理物の受け渡しを行うため、被処理物を大気に全く
接触させることなく、プラズマ浸炭及び高周波焼入れな
どの並行処理を行うことができる。
炭及び高周波焼入れなどを互いに独立して行なえるか
ら、浸炭及び焼入れなどの並行処理が可能となり、プラ
ズマ浸炭などの利点（処理の高速性及び均一性）の有効
利用と相俟って処理品質及び能率の大幅な向上を図れる
と共に、高周波発生電源の共用が可能となり、これによ
って設備費の低減と省エネルギーとを図れる。しかも、
被処理物を収納容器に収納して真空搬送室に搬入し、か
つ真空搬送室において収納容器と各真空処理室との間で
被処理物の受け渡しを行うため、被処理物を大気に全く
接触させることなく、プラズマ浸炭及び高周波焼入れな
どの並行処理を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概要図、第２図は浸炭
焼入処理操業サイクル図、第３図は従来例を示す概要図
である。 １……プラズマ浸炭炉、２……高周波焼入炉、３……真
空搬送室、４……蓋、５……開口部、６……昇降ラム、
７……台車、８……蓋、９……密閉扉、10,11……搬送
コンベヤ、12,18……架台、13……陽極、14,19……高周
波コイル、15……直流電源、16……冷却コイル、17……
ファン、20……支持台、30,31……搬出入口、32,33……
密閉扉、34……開口部。
焼入処理操業サイクル図、第３図は従来例を示す概要図
である。 １……プラズマ浸炭炉、２……高周波焼入炉、３……真
空搬送室、４……蓋、５……開口部、６……昇降ラム、
７……台車、８……蓋、９……密閉扉、10,11……搬送
コンベヤ、12,18……架台、13……陽極、14,19……高周
波コイル、15……直流電源、16……冷却コイル、17……
ファン、20……支持台、30,31……搬出入口、32,33……
密閉扉、34……開口部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｆ２７Ｂ 19/04 Ｆ２７Ｄ 3/12 Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】１個の真空搬送室３と、該真空搬送室３に
隣接して設けられた複数個の真空処理室1,2と、該複数
個の真空処理室1,2と前記真空搬送室３とを連通する開
口部５と、該開口部５を開閉する開閉手段４と、被処理
物Ｗを収納する収納容器９と、前記真空搬送室３に前記
収納容器９を搬入・搬出するための搬入出口30,31と、
該搬入出口30,31を開閉する開閉手段32,33と、前記真空
搬送室３内を走行し前記開口部５を臨んで位置し得る搬
送手段７と、該搬送手段７と前記真空処理室1,2との間
で被処理物Ｗを前記開口部５を介して受け渡しする搬送
手段６と、前記真空処理室1,2内に設けられ該搬送手段
６により受け渡された被処理物Ｗを指示する支持手段1
2,18と、前記真空搬送室３および前記真空処理室1,2に
接続された真空吸引装置とを有し、前記収納容器９の上
部には、被処理物Ｗを搬入・搬出するための開口部34
と、該開口部34を開閉するための開閉手段８が設けられ
ていることを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135331A JPH07110989B2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135331A JPH07110989B2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290860A JPS62290860A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH07110989B2 true JPH07110989B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15149266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61135331A Expired - Lifetime JPH07110989B2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110989B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014141710A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Y S Denshi Kogyo Kk | プラズマ処理装置 |
| JP2015074818A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | Ｄｏｗａサーモテック株式会社 | 浸炭焼入れ設備 |
| JP2018041732A (ja) * | 2017-09-27 | 2018-03-15 | ワイエス電子工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101233247B (zh) * | 2005-09-26 | 2011-07-06 | 爱信艾达株式会社 | 钢部件、及其热处理方法和制造方法 |
| JP2007321221A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hirohisa Taniguchi | 複合マルクエンチ装置及びその制御方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53131930A (en) * | 1977-04-25 | 1978-11-17 | Nippon Denshi Kogyo Kk | Method of hardening metallic surface by utilizing glow discharge |
| JPS5925974A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-10 | Toyota Motor Corp | 高温浸炭処理装置 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61135331A patent/JPH07110989B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014141710A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Y S Denshi Kogyo Kk | プラズマ処理装置 |
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| JP2018041732A (ja) * | 2017-09-27 | 2018-03-15 | ワイエス電子工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62290860A (ja) | 1987-12-17 |
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