JPH07111203A - チップ抵抗器の製造方法とその構造体 - Google Patents
チップ抵抗器の製造方法とその構造体Info
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- JPH07111203A JPH07111203A JP5256594A JP25659493A JPH07111203A JP H07111203 A JPH07111203 A JP H07111203A JP 5256594 A JP5256594 A JP 5256594A JP 25659493 A JP25659493 A JP 25659493A JP H07111203 A JPH07111203 A JP H07111203A
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- glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 寸法精度がよく、かつ性能の信頼性の高いチ
ップ抵抗器を得る。 【構成】 第1の配合量のセラミック粉末又は第1の熱
伝導性を有するセラミック粉末を含む第1のガラスセラ
ミックグリーンシート1と、第1の配合量よりも多い第
2の配合量のセラミック粉末又は第1の熱伝導性よりも
高い第2の熱伝導性を有するセラミック粉末を含む第2
のガラスセラミックグリーンシート2とを作製して積層
し、このグリーンシート積層体3を焼結して厚み方向に
熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板4を
得、絶縁基板4の熱伝導性の高い面に電極5と抵抗体6
及び保護膜7を形成した後、絶縁基板4の熱伝導性の低
い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する。
ップ抵抗器を得る。 【構成】 第1の配合量のセラミック粉末又は第1の熱
伝導性を有するセラミック粉末を含む第1のガラスセラ
ミックグリーンシート1と、第1の配合量よりも多い第
2の配合量のセラミック粉末又は第1の熱伝導性よりも
高い第2の熱伝導性を有するセラミック粉末を含む第2
のガラスセラミックグリーンシート2とを作製して積層
し、このグリーンシート積層体3を焼結して厚み方向に
熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板4を
得、絶縁基板4の熱伝導性の高い面に電極5と抵抗体6
及び保護膜7を形成した後、絶縁基板4の熱伝導性の低
い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主として高密度実装技
術を要求される電子機器に好適に適用できるチップ抵抗
器の製造方法とその構造体に関するものである。
術を要求される電子機器に好適に適用できるチップ抵抗
器の製造方法とその構造体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、チップ抵抗器を製造する際には、
グリーンシート段階で予め分割用スリットを入れて焼結
した96重量%アルミナ基板を絶縁基板として用い、こ
の絶縁基板上に電極、抵抗体及び保護膜を形成した後、
分割用スリットで分割し、分割したチップの両側面部に
端面電極を形成するという方法が採用されていた。
グリーンシート段階で予め分割用スリットを入れて焼結
した96重量%アルミナ基板を絶縁基板として用い、こ
の絶縁基板上に電極、抵抗体及び保護膜を形成した後、
分割用スリットで分割し、分割したチップの両側面部に
端面電極を形成するという方法が採用されていた。
【0003】また、実開昭64−6006号公報には、
チップ抵抗器の絶縁基板の下面の中央部に良熱伝導膜を
形成したチップ抵抗器の構造が提案されている。
チップ抵抗器の絶縁基板の下面の中央部に良熱伝導膜を
形成したチップ抵抗器の構造が提案されている。
【0004】以下、図5を参照しながら、この放熱対策
が施されたチップ抵抗器の構造の一例について説明す
る。
が施されたチップ抵抗器の構造の一例について説明す
る。
【0005】図5において、21は絶縁基板、22はそ
の上面に形成された電極、23は抵抗体、24は保護
膜、25は絶縁基板21の下面に形成された良熱伝導
膜、26は両側面部に形成された端面電極である。
の上面に形成された電極、23は抵抗体、24は保護
膜、25は絶縁基板21の下面に形成された良熱伝導
膜、26は両側面部に形成された端面電極である。
【0006】このようなチップ抵抗器の製造に際して、
その絶縁基板21には予め分割用スリットの入った焼結
済み96重量%アルミナ基板を用い、この絶縁基板21
上に複数個のチップ抵抗器に相当する電極22、抵抗体
23および保護膜24を各々形成し、さらに抵抗体23
を形成した絶縁基板21の裏面に良熱伝導膜25を形成
し、その後個別のチップ抵抗器に分割し、それぞれの両
側面部に端面電極26を形成することにより、図5に示
すようなチップ抵抗器を得ている。
その絶縁基板21には予め分割用スリットの入った焼結
済み96重量%アルミナ基板を用い、この絶縁基板21
上に複数個のチップ抵抗器に相当する電極22、抵抗体
23および保護膜24を各々形成し、さらに抵抗体23
を形成した絶縁基板21の裏面に良熱伝導膜25を形成
し、その後個別のチップ抵抗器に分割し、それぞれの両
側面部に端面電極26を形成することにより、図5に示
すようなチップ抵抗器を得ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような96重量%アルミナ基板を絶縁基板として用いた
チップ抵抗器の構造では、絶縁基板の硬度が高く、焼結
後に分割用スリットを形成することができないため、グ
リーンシート段階で分割用スリットを入れて焼結したア
ルミナ基板を絶縁基板として用いており、そのため焼結
により絶縁基板の寸法バラツキが大きくなり、チップ抵
抗器を製造するためにその寸法バラツキを考慮した電極
や抵抗体および保護膜用の印刷マスクを多数用意しなけ
ればならないという問題があった。
ような96重量%アルミナ基板を絶縁基板として用いた
チップ抵抗器の構造では、絶縁基板の硬度が高く、焼結
後に分割用スリットを形成することができないため、グ
リーンシート段階で分割用スリットを入れて焼結したア
ルミナ基板を絶縁基板として用いており、そのため焼結
により絶縁基板の寸法バラツキが大きくなり、チップ抵
抗器を製造するためにその寸法バラツキを考慮した電極
や抵抗体および保護膜用の印刷マスクを多数用意しなけ
ればならないという問題があった。
【0008】このような問題を解消するには、絶縁基板
上に抵抗体や保護膜を形成した後に分割溝を形成して個
別のチップ抵抗器に分割できるように、絶縁基板として
ガラスセラミック基板を用いることが考えられるが、焼
結後に分割溝を形成できる程度にセラミック粉末を配合
したガラスセラミック基板では熱伝導性が悪く、抵抗体
で発生する熱は両側面部の端面電極から回路基板への熱
伝達によって放熱することになり、放熱量が小さいため
に高電力でチップ抵抗器を用いることには限界があり、
これに対処するためにはチップ抵抗器のサイズを大きく
せざるを得ないという問題がある。
上に抵抗体や保護膜を形成した後に分割溝を形成して個
別のチップ抵抗器に分割できるように、絶縁基板として
ガラスセラミック基板を用いることが考えられるが、焼
結後に分割溝を形成できる程度にセラミック粉末を配合
したガラスセラミック基板では熱伝導性が悪く、抵抗体
で発生する熱は両側面部の端面電極から回路基板への熱
伝達によって放熱することになり、放熱量が小さいため
に高電力でチップ抵抗器を用いることには限界があり、
これに対処するためにはチップ抵抗器のサイズを大きく
せざるを得ないという問題がある。
【0009】そこで、チップ抵抗器の放熱性を向上させ
るために、上記公報に開示された技術手段を適用して、
絶縁基板の下面の中央部に良熱伝導膜を形成することが
考えられるが、そのような構造ではチップ抵抗器を回路
基板に実装する際に良熱伝導膜に半田が接触して所望の
抵抗値を得ることができない恐れがあるという問題があ
るとともに、熱伝導性が低い絶縁基板では、その下面の
中央部に良熱伝導膜を形成しただけでは高電力でチップ
抵抗器を用いる場合に絶縁基板の上面の抵抗体で発生す
る熱の放熱性が不十分であるという問題がある。
るために、上記公報に開示された技術手段を適用して、
絶縁基板の下面の中央部に良熱伝導膜を形成することが
考えられるが、そのような構造ではチップ抵抗器を回路
基板に実装する際に良熱伝導膜に半田が接触して所望の
抵抗値を得ることができない恐れがあるという問題があ
るとともに、熱伝導性が低い絶縁基板では、その下面の
中央部に良熱伝導膜を形成しただけでは高電力でチップ
抵抗器を用いる場合に絶縁基板の上面の抵抗体で発生す
る熱の放熱性が不十分であるという問題がある。
【0010】このように従来のチップ抵抗器では、絶縁
基板の寸法バラツキに起因してその製造管理コストが増
大し、あるいは放熱性が不十分なために抵抗体の熱に起
因してチップ抵抗器の性能が劣化する恐れがあるなどの
問題があった。
基板の寸法バラツキに起因してその製造管理コストが増
大し、あるいは放熱性が不十分なために抵抗体の熱に起
因してチップ抵抗器の性能が劣化する恐れがあるなどの
問題があった。
【0011】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、チッ
プ抵抗器を寸法精度よく製造できるとともに性能の信頼
性の高いチップ抵抗器の製造方法とその構造を提供する
ことを目的とする。
プ抵抗器を寸法精度よく製造できるとともに性能の信頼
性の高いチップ抵抗器の製造方法とその構造を提供する
ことを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願の第1発明のチップ
抵抗器の製造方法は、第1の配合量のセラミック粉末を
含む第1のガラスセラミックグリーンシートと、第1の
配合量よりも多い第2の配合量のセラミック粉末を含む
第2のガラスセラミックグリーンシートとを作製する工
程と、第1と第2のガラスセラミックグリーンシートを
積層する工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚み
方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板
を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と抵
抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱電導性
の低い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する工
程とを含むことを特徴とする。
抵抗器の製造方法は、第1の配合量のセラミック粉末を
含む第1のガラスセラミックグリーンシートと、第1の
配合量よりも多い第2の配合量のセラミック粉末を含む
第2のガラスセラミックグリーンシートとを作製する工
程と、第1と第2のガラスセラミックグリーンシートを
積層する工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚み
方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板
を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と抵
抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱電導性
の低い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する工
程とを含むことを特徴とする。
【0013】本願の第2発明のチップ抵抗器の製造方法
は、第1の熱伝導性を有するセラミック粉末を含む第1
のガラスセラミックグリーンシートと、第1の熱伝導性
よりも高い第2の熱伝導性を有するセラミック粉末を含
む第2のガラスセラミックグリーンシートとを作製する
工程と、第1と第2のガラスセラミックグリーンシート
を積層する工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚
み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基
板を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と
抵抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱伝導
性の低い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する
工程とを含むことを特徴とする。
は、第1の熱伝導性を有するセラミック粉末を含む第1
のガラスセラミックグリーンシートと、第1の熱伝導性
よりも高い第2の熱伝導性を有するセラミック粉末を含
む第2のガラスセラミックグリーンシートとを作製する
工程と、第1と第2のガラスセラミックグリーンシート
を積層する工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚
み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基
板を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と
抵抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱伝導
性の低い面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する
工程とを含むことを特徴とする。
【0014】本願の第3発明のチップ抵抗器の構造体
は、絶縁基板にガラスセラミックを用い、厚み方向に熱
伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板と、絶縁
基板の熱伝導性の高い面に形成した電極と抵抗体及び保
護膜と、絶縁基板の両側面に形成した端面電極とを備え
たことを特徴とする。
は、絶縁基板にガラスセラミックを用い、厚み方向に熱
伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板と、絶縁
基板の熱伝導性の高い面に形成した電極と抵抗体及び保
護膜と、絶縁基板の両側面に形成した端面電極とを備え
たことを特徴とする。
【0015】
【作用】本発明によれば、チップ抵抗器の絶縁基板とし
てガラスセラミック基板を用いており、かつ絶縁基板の
一面に抵抗体や保護膜を形成した後、絶縁基板の他面で
ある熱伝導性の低い比較的硬度を低くすることができる
面に、分割溝を形成するため、所望のサイズに高い寸法
精度で分割することができ、そのためチップ抵抗器の製
造管理コストの低減を図ることができ、しかも厚み方向
に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板を構
成して用い、絶縁基板の熱伝導性の高い面に抵抗体を形
成しているため、高電力でチップ抵抗器を用いる場合に
おいても熱伝導異方性の絶縁基板の上面の抵抗体で発生
する熱を良好に放熱させることが可能となり、性能の信
頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
てガラスセラミック基板を用いており、かつ絶縁基板の
一面に抵抗体や保護膜を形成した後、絶縁基板の他面で
ある熱伝導性の低い比較的硬度を低くすることができる
面に、分割溝を形成するため、所望のサイズに高い寸法
精度で分割することができ、そのためチップ抵抗器の製
造管理コストの低減を図ることができ、しかも厚み方向
に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板を構
成して用い、絶縁基板の熱伝導性の高い面に抵抗体を形
成しているため、高電力でチップ抵抗器を用いる場合に
おいても熱伝導異方性の絶縁基板の上面の抵抗体で発生
する熱を良好に放熱させることが可能となり、性能の信
頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例のチップ抵抗器
の製造方法とその構造について、図1、図2を参照しな
がら説明する。
の製造方法とその構造について、図1、図2を参照しな
がら説明する。
【0017】図1、図2において、1はアルミナ粉末を
50重量%含む第1のガラスセラミックグリーンシー
ト、2はアルミナ粉末を90重量%含む第2のガラスセ
ラミックグリーンシート、3はグリーンシートの積層
体、4は熱伝導異方性の絶縁基板、5は電極、6は抵抗
体、7は保護膜、8は端面電極である。
50重量%含む第1のガラスセラミックグリーンシー
ト、2はアルミナ粉末を90重量%含む第2のガラスセ
ラミックグリーンシート、3はグリーンシートの積層
体、4は熱伝導異方性の絶縁基板、5は電極、6は抵抗
体、7は保護膜、8は端面電極である。
【0018】次に、図2に示す構造のチップ抵抗器の製
造工程を図1に基づいて説明する。
造工程を図1に基づいて説明する。
【0019】まず(a)に示すように、アルミナ粉末を
50重量%含む第1のガラスセラミックグリーンシート
1と、アルミナ粉末を90重量%含む第2のガラスセラ
ミックグリーンシート2を予め準備する。
50重量%含む第1のガラスセラミックグリーンシート
1と、アルミナ粉末を90重量%含む第2のガラスセラ
ミックグリーンシート2を予め準備する。
【0020】このとき、ホウ珪酸鉛ガラス粉末とアルミ
ナ粉末を重量比で10対90とした無機成分と、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジ−
n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液(重量比30対70)とを混合
してスラリーとして、このスラリーをドクターブレード
法で有機フィルム上にシート成形して乾燥したものを、
アルミナ粉末を90重量%を含む第2のガラスセラミッ
クグリーンシート2として用いた。
ナ粉末を重量比で10対90とした無機成分と、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジ−
n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液(重量比30対70)とを混合
してスラリーとして、このスラリーをドクターブレード
法で有機フィルム上にシート成形して乾燥したものを、
アルミナ粉末を90重量%を含む第2のガラスセラミッ
クグリーンシート2として用いた。
【0021】同様に、ホウ珪酸鉛ガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比で50対50とした無機成分を用いて上記
の方法で作製したものを、アルミナ粉末を50重量%を
含む第1のガラスセラミックグリーンシート1として用
いた。
粉末を重量比で50対50とした無機成分を用いて上記
の方法で作製したものを、アルミナ粉末を50重量%を
含む第1のガラスセラミックグリーンシート1として用
いた。
【0022】次に、(b)に示すように、アルミナ粉末
を90重量%含む第2のガラスセラミックグリーンシー
ト2とアルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセラ
ミックグリーンシート1を積み重ねて熱圧着してグリー
ンシートの積層体3を得た。
を90重量%含む第2のガラスセラミックグリーンシー
ト2とアルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセラ
ミックグリーンシート1を積み重ねて熱圧着してグリー
ンシートの積層体3を得た。
【0023】熱圧着条件は、温度が80°C、圧力が2
00kg/cm2 であった。
00kg/cm2 であった。
【0024】その後、(c)に示すように、グリーンシ
ートの積層体3をベルト炉によって焼結して、熱伝導異
方性の絶縁基板4を得た。焼結条件は1300°Cで1
時間であった(1300°Cの保持時間は約10分であ
る。)。
ートの積層体3をベルト炉によって焼結して、熱伝導異
方性の絶縁基板4を得た。焼結条件は1300°Cで1
時間であった(1300°Cの保持時間は約10分であ
る。)。
【0025】こうして得た熱伝導異方性の絶縁基板4に
おいては、アルミナを多く含むために熱伝導性の高い面
(アルミナを90重量%含んだ場合の熱伝導率は0.0
4cal/cm・sec・°C)と、その面よりもアル
ミナが少ないために熱伝導性の低い面(アルミナを50
重量%含んだ場合の熱伝導率は0.007cal/cm
・sec・°C)とを含み、その厚み方向に熱伝導性の
分布を有する。この熱伝導性の低い面は、ガラスを多く
含むために硬度が低く、その硬度よりも硬度が高く、か
つ鋭利な角度形状を有する加工刃により容易に研削が可
能となる。
おいては、アルミナを多く含むために熱伝導性の高い面
(アルミナを90重量%含んだ場合の熱伝導率は0.0
4cal/cm・sec・°C)と、その面よりもアル
ミナが少ないために熱伝導性の低い面(アルミナを50
重量%含んだ場合の熱伝導率は0.007cal/cm
・sec・°C)とを含み、その厚み方向に熱伝導性の
分布を有する。この熱伝導性の低い面は、ガラスを多く
含むために硬度が低く、その硬度よりも硬度が高く、か
つ鋭利な角度形状を有する加工刃により容易に研削が可
能となる。
【0026】そして、(d)に示すように、この熱伝導
異方性を有する絶縁基板4の熱伝導性の高い面に銀−パ
ラジウムを主成分とする導体ペーストを用いて所定の電
極パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて焼
成して電極5を形成する。さらに、酸化ルテニウムを主
成分とする抵抗ペーストを用いて電極5に対応した抵抗
体パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて焼
成して抵抗体6を形成する。また、ガラスを主成分とす
るガラスペーストを用いて抵抗体6に対応した保護膜パ
ターンを形成した後、650°Cの焼成温度にて焼成し
て保護膜7を形成する。こうして、複数個のチップ抵抗
器に相当する電極5、抵抗体6および保護膜7を形成し
た熱伝導異方性を有する絶縁基板4が得られる。
異方性を有する絶縁基板4の熱伝導性の高い面に銀−パ
ラジウムを主成分とする導体ペーストを用いて所定の電
極パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて焼
成して電極5を形成する。さらに、酸化ルテニウムを主
成分とする抵抗ペーストを用いて電極5に対応した抵抗
体パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて焼
成して抵抗体6を形成する。また、ガラスを主成分とす
るガラスペーストを用いて抵抗体6に対応した保護膜パ
ターンを形成した後、650°Cの焼成温度にて焼成し
て保護膜7を形成する。こうして、複数個のチップ抵抗
器に相当する電極5、抵抗体6および保護膜7を形成し
た熱伝導異方性を有する絶縁基板4が得られる。
【0027】次いで、個別のチップ抵抗器に分割するた
めの分割溝を熱伝導異方性を有する絶縁基板4の熱伝導
性の低い面に、その硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な
角度形状を有する加工刃により形成した後、弾性を有す
るゴム板などの上にて均等に機械的応力を加えることに
より、(e)に示すように、所望の寸法でかつ寸法精度
の良い個別のチップ抵抗器が得られる。
めの分割溝を熱伝導異方性を有する絶縁基板4の熱伝導
性の低い面に、その硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な
角度形状を有する加工刃により形成した後、弾性を有す
るゴム板などの上にて均等に機械的応力を加えることに
より、(e)に示すように、所望の寸法でかつ寸法精度
の良い個別のチップ抵抗器が得られる。
【0028】この分割溝を形成する際に、算盤玉の形状
を有するダイアモンド製の回転加工刃を用いて0.5〜
1.0kg/cm2 の圧力を加えながら熱伝導異方性を
有する絶縁基板4の表面を回転させながら研削加工し
た。このとき、回転加工刃により熱伝導異方性を有する
絶縁基板4の表面には数ミクロンの深さの分割溝を形成
できた。回転加工刃の先端角度は130°に加工したも
のを用いた。
を有するダイアモンド製の回転加工刃を用いて0.5〜
1.0kg/cm2 の圧力を加えながら熱伝導異方性を
有する絶縁基板4の表面を回転させながら研削加工し
た。このとき、回転加工刃により熱伝導異方性を有する
絶縁基板4の表面には数ミクロンの深さの分割溝を形成
できた。回転加工刃の先端角度は130°に加工したも
のを用いた。
【0029】最後に、(f)に示すように、個別に分割
したチップ抵抗器の両側面に端面電極8を形成すること
により、図2に示す厚み方向に熱伝導性の分布を有する
熱伝導異方性を有する絶縁基板4と、その上面に電極
5、抵抗体6及び保護膜7と、両側面に端面電極8が形
成されたチップ抵抗器が得られる。
したチップ抵抗器の両側面に端面電極8を形成すること
により、図2に示す厚み方向に熱伝導性の分布を有する
熱伝導異方性を有する絶縁基板4と、その上面に電極
5、抵抗体6及び保護膜7と、両側面に端面電極8が形
成されたチップ抵抗器が得られる。
【0030】こうして得たチップ抵抗器においては、抵
抗体6が形成された面はアルミナを多く含むために熱伝
導性が高く、高電力でチップ抵抗器を用いた場合におい
ても抵抗体で発生する熱の放散性が良好となり、性能の
信頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
抗体6が形成された面はアルミナを多く含むために熱伝
導性が高く、高電力でチップ抵抗器を用いた場合におい
ても抵抗体で発生する熱の放散性が良好となり、性能の
信頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
【0031】なお、本実施例ではガラスセラミックのセ
ラミック粉末にアルミナを用いた例を示したが、窒化ア
ルミや炭化珪素などの良熱伝導性を有するものであれば
いかなるものでもよい。
ラミック粉末にアルミナを用いた例を示したが、窒化ア
ルミや炭化珪素などの良熱伝導性を有するものであれば
いかなるものでもよい。
【0032】次に、本発明の第2の実施例のチップ抵抗
器の製造方法について、図3、図4を参照しながら説明
する。
器の製造方法について、図3、図4を参照しながら説明
する。
【0033】図3において、まず(a)に示すように、
アルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセラミック
グリーンシート11と、炭化珪素粉末を50重量%含む
第2のガラスセラミックグリーンシート12を予め準備
する。
アルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセラミック
グリーンシート11と、炭化珪素粉末を50重量%含む
第2のガラスセラミックグリーンシート12を予め準備
する。
【0034】このとき、ホウ珪酸鉛ガラス粉末と炭化珪
素粉末を重量比で50対50とした無機成分と、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジ−
n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液(重量比30対70)とを混合
してスラリーとして、このスラリーをドクターブレード
法で有機フィルム上にシート成形して乾燥したものを、
炭化珪素粉末を50重量%含む第2のガラスセラミック
グリーンシート12として用いた。
素粉末を重量比で50対50とした無機成分と、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジ−
n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合液(重量比30対70)とを混合
してスラリーとして、このスラリーをドクターブレード
法で有機フィルム上にシート成形して乾燥したものを、
炭化珪素粉末を50重量%含む第2のガラスセラミック
グリーンシート12として用いた。
【0035】同様に、ホウ珪酸鉛ガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比で50対50とした無機成分を用いて上記
の方法で作製したものを、アルミナ粉末を50重量%含
む第1のガラスセラミックグリーンシート11として用
いた。
粉末を重量比で50対50とした無機成分を用いて上記
の方法で作製したものを、アルミナ粉末を50重量%含
む第1のガラスセラミックグリーンシート11として用
いた。
【0036】次に、(b)に示すように、炭化珪素粉末
を50重量%含む第2のガラスセラミックグリーンシー
ト12とアルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセ
ラミックグリーンシート11を積み重ねて熱圧着してグ
リーンシートの積層体13を得た。熱圧着条件は、温度
が80°C、圧力が200kg/cm2 であった。
を50重量%含む第2のガラスセラミックグリーンシー
ト12とアルミナ粉末を50重量%含む第1のガラスセ
ラミックグリーンシート11を積み重ねて熱圧着してグ
リーンシートの積層体13を得た。熱圧着条件は、温度
が80°C、圧力が200kg/cm2 であった。
【0037】その後、(c)に示すように、グリーンシ
ートの積層体13をベルト炉によって焼結して、熱伝導
異方性の絶縁基板14を得た。焼結条件は900°Cで
1時間であった(900°Cの保持時間は約10分であ
る。)。
ートの積層体13をベルト炉によって焼結して、熱伝導
異方性の絶縁基板14を得た。焼結条件は900°Cで
1時間であった(900°Cの保持時間は約10分であ
る。)。
【0038】こうして得た熱伝導異方性の絶縁基板14
においては、熱伝導性の高い炭化珪素を含むために熱伝
導性の高い面(炭化珪素を50重量%含んだ場合の熱伝
導率は0.1cal/cm・sec・°C)と、炭化珪
素よりも熱伝導性の低いアルミナを含むために熱伝導性
の低い面(アルミナを50重量%含んだ場合の熱伝導率
は0.007cal/cm・sec・°C)とを含み、
その厚み方向に熱伝導性の分布を有する。この熱伝導性
を有する絶縁基板14は、ガラスを多く含むために硬度
が低く、その硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な角度形
状を有する加工刃により容易に研削が可能となる。
においては、熱伝導性の高い炭化珪素を含むために熱伝
導性の高い面(炭化珪素を50重量%含んだ場合の熱伝
導率は0.1cal/cm・sec・°C)と、炭化珪
素よりも熱伝導性の低いアルミナを含むために熱伝導性
の低い面(アルミナを50重量%含んだ場合の熱伝導率
は0.007cal/cm・sec・°C)とを含み、
その厚み方向に熱伝導性の分布を有する。この熱伝導性
を有する絶縁基板14は、ガラスを多く含むために硬度
が低く、その硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な角度形
状を有する加工刃により容易に研削が可能となる。
【0039】そして、(d)に示すように、この熱伝導
異方性を有する絶縁基板14の熱伝導性の高い面に銀−
パラジウムを主成分とする導体ペーストを用いて所定の
電極パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて
焼成して電極15を形成する。さらに、酸化ルテニウム
を主成分とする抵抗ペーストを用いて電極15に対応し
た抵抗体パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度
にて焼成して抵抗体16を形成する。また、ガラスを主
成分とするガラスペーストを用いて抵抗体16に対応し
た保護膜パターンを形成した後、650°Cの焼成温度
にて焼成して保護膜17を形成する。こうして、複数個
のチップ抵抗器に相当する電極15、抵抗体16および
保護膜17を形成した熱伝導異方性を有する絶縁基板1
4が得られる。
異方性を有する絶縁基板14の熱伝導性の高い面に銀−
パラジウムを主成分とする導体ペーストを用いて所定の
電極パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度にて
焼成して電極15を形成する。さらに、酸化ルテニウム
を主成分とする抵抗ペーストを用いて電極15に対応し
た抵抗体パターンを印刷した後、850°Cの焼成温度
にて焼成して抵抗体16を形成する。また、ガラスを主
成分とするガラスペーストを用いて抵抗体16に対応し
た保護膜パターンを形成した後、650°Cの焼成温度
にて焼成して保護膜17を形成する。こうして、複数個
のチップ抵抗器に相当する電極15、抵抗体16および
保護膜17を形成した熱伝導異方性を有する絶縁基板1
4が得られる。
【0040】次いで、個別のチップ抵抗器に分割するた
めの分割溝を熱伝導異方性を有する絶縁基板14に、そ
の硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な角度形状を有する
加工刃により形成した後、弾性を有するゴム板などの上
にて均等に機械的応力を加えることにより、(e)に示
すように、所望の寸法でかつ寸法精度の良い個別のチッ
プ抵抗器が得られる。
めの分割溝を熱伝導異方性を有する絶縁基板14に、そ
の硬度よりも硬度が高く、かつ鋭利な角度形状を有する
加工刃により形成した後、弾性を有するゴム板などの上
にて均等に機械的応力を加えることにより、(e)に示
すように、所望の寸法でかつ寸法精度の良い個別のチッ
プ抵抗器が得られる。
【0041】この分割溝を形成する際に、算盤玉の形状
を有するダイアモンド製の回転加工刃を用いて0.5〜
1.0kg/cm2 の圧力を加えながら熱伝導異方性を
有する絶縁基板14の表面を回転させながら研削加工し
た。こうして、回転加工刃により熱伝導異方性を有する
絶縁基板4の表面に数ミクロンの深さの分割溝を形成で
きた。回転加工刃の先端角度は130°に加工したもの
を用いた。
を有するダイアモンド製の回転加工刃を用いて0.5〜
1.0kg/cm2 の圧力を加えながら熱伝導異方性を
有する絶縁基板14の表面を回転させながら研削加工し
た。こうして、回転加工刃により熱伝導異方性を有する
絶縁基板4の表面に数ミクロンの深さの分割溝を形成で
きた。回転加工刃の先端角度は130°に加工したもの
を用いた。
【0042】最後に、(f)に示すように、個別に分割
したチップ抵抗器の両側面に端面電極18を形成するこ
とにより、図4に示す厚み方向に熱伝導性の分布を有す
る熱伝導異方性を有する絶縁基板14と、その上面に電
極15、抵抗体16及び保護膜17と、両側面に端面電
極18が形成されたチップ抵抗器が得られる。
したチップ抵抗器の両側面に端面電極18を形成するこ
とにより、図4に示す厚み方向に熱伝導性の分布を有す
る熱伝導異方性を有する絶縁基板14と、その上面に電
極15、抵抗体16及び保護膜17と、両側面に端面電
極18が形成されたチップ抵抗器が得られる。
【0043】こうして得たチップ抵抗器においては、抵
抗体16が形成された面は熱伝導性の高い炭化珪素を含
むために熱伝導性が高く、高電力でチップ抵抗器を用い
た場合においても抵抗体で発生する熱の放散性が良好と
なり、性能の信頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
抗体16が形成された面は熱伝導性の高い炭化珪素を含
むために熱伝導性が高く、高電力でチップ抵抗器を用い
た場合においても抵抗体で発生する熱の放散性が良好と
なり、性能の信頼性の高いチップ抵抗器を実現できる。
【0044】なお、本実施例ではガラスセラミックのセ
ラミック粉末にアルミナおよび炭化珪素を用いた例を示
したが、窒化アルミなどの良熱伝導性を有するものであ
ればいかなるものでもよい。
ラミック粉末にアルミナおよび炭化珪素を用いた例を示
したが、窒化アルミなどの良熱伝導性を有するものであ
ればいかなるものでもよい。
【0045】
【発明の効果】本発明のチップ抵抗器の製造方法によれ
ば、高い寸法構成を有し、高電力でチップ抵抗器を用い
る場合においても抵抗体で発生する熱を良好に放熱させ
ることが可能となる、性能の信頼性の高いチップ抵抗器
を得ることができる。
ば、高い寸法構成を有し、高電力でチップ抵抗器を用い
る場合においても抵抗体で発生する熱を良好に放熱させ
ることが可能となる、性能の信頼性の高いチップ抵抗器
を得ることができる。
【0046】また、本発明のチップ抵抗器の構造体は、
高電力でチップ抵抗器を用いる場合においてもその抵抗
体で発生する熱の放散性が良好であり、性能の信頼性の
高いチップ抵抗器を実現することができる。
高電力でチップ抵抗器を用いる場合においてもその抵抗
体で発生する熱の放散性が良好であり、性能の信頼性の
高いチップ抵抗器を実現することができる。
【図1】本発明の第1の実施例のチップ抵抗器の製造方
法の工程図である。
法の工程図である。
【図2】同実施例のチップ抵抗器の縦断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例のチップ抵抗器の製造方
法の工程図である。
法の工程図である。
【図4】同実施例のチップ抵抗器の縦断面図である。
【図5】従来例のチップ抵抗器の縦断面図である。
1 第1のガラスセラミックグリーンシート 2 第2のガラスセラミックグリーンシート 3 グリーンシートの積層体 4 熱伝導異方性の絶縁基板 5 電極 6 抵抗体 7 保護膜 8 端面電極 11 第1のガラスセラミックグリーンシート 12 第2のガラスセラミックグリーンシート 13 グリーンシートの積層体 14 熱伝導異方性の絶縁基板 15 電極 16 抵抗体 17 保護膜 18 端面電極
Claims (5)
- 【請求項1】 第1の配合量のセラミック粉末を含む第
1のガラスセラミックグリーンシートと、第1の配合量
よりも多い第2の配合量のセラミック粉末を含む第2の
ガラスセラミックグリーンシートとを作製する工程と、
第1と第2のガラスセラミックグリーンシートを積層す
る工程と、グリーンシート積層体を焼結して厚み方向に
熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基板を得る
工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に電極と抵抗体及
び保護膜を形成する工程と、絶縁基板の熱伝導性の低い
面に分割溝を形成して所望のサイズに分割する工程とを
含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項2】 第1の熱伝導性を有するセラミック粉末
を含む第1のガラスセラミックグリーンシートと、第1
の熱伝導性よりも高い第2の熱伝導性を有するセラミッ
ク粉末を含む第2のガラスセラミックグリーンシートと
を作製する工程と、第1と第2のガラスセラミックグリ
ーンシートを積層する工程と、グリーンシート積層体を
焼結して厚み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方
性の絶縁基板を得る工程と、絶縁基板の熱伝導性の高い
面に電極と抵抗体及び保護膜を形成する工程と、絶縁基
板の熱伝導性の低い面に分割溝を形成して所望のサイズ
に分割する工程とを含むことを特徴とするチップ抵抗器
の製造方法。 - 【請求項3】 セラミック粉末に、アルミナ、窒化アル
ミまたは炭化珪素の粉末を含むことを特徴とする請求項
1または2記載のチップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項4】 絶縁基板より硬度が高く、かつ鋭利な角
度形状を有する加工刃により分割溝を形成することを特
徴とする請求項1または2記載のチップ抵抗器の製造方
法。 - 【請求項5】 絶縁基板にガラスセラミックを用い、厚
み方向に熱伝導性の分布を有する熱伝導異方性の絶縁基
板と、絶縁基板の熱伝導性の高い面に形成した電極と抵
抗体及び保護膜と、絶縁基板の両側面に形成した端面電
極とを備えたことを特徴とするチップ抵抗器の構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256594A JPH07111203A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | チップ抵抗器の製造方法とその構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256594A JPH07111203A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | チップ抵抗器の製造方法とその構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111203A true JPH07111203A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17294804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5256594A Pending JPH07111203A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | チップ抵抗器の製造方法とその構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111203A (ja) |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP5256594A patent/JPH07111203A/ja active Pending
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