JPH07111438A - 弾性表面波装置、及びその製造方法 - Google Patents

弾性表面波装置、及びその製造方法

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JPH07111438A
JPH07111438A JP5253338A JP25333893A JPH07111438A JP H07111438 A JPH07111438 A JP H07111438A JP 5253338 A JP5253338 A JP 5253338A JP 25333893 A JP25333893 A JP 25333893A JP H07111438 A JPH07111438 A JP H07111438A
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package substrate
saw
space
saw element
electrode
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JP5253338A
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Kunio Matsumoto
邦夫 松本
Yasuhiro Narukawa
泰弘 成川
Toyoki Asada
豊樹 浅田
Seiichi Ogawa
誠一 小川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 弾性表面波(SAW)装置の製造過程におい
て、面倒な処理工程をなくすと共に、特殊な装置を使用
しなくても製造できる。 【構成】 SAW素子10の表面12とパッケージ基板
20の表面22とが対向している。SAW素子10の表
面12に形成されている交差指電極14とパッケージ基
板20の表面22と間に空間Sが形成されるよう、両者
の電極パッド15,25a相互間に導電材で形成された
バンプ17が介在して、両者の電極パッド15,25a
相互が電気的に接続されている。空間Sが外部空間から
遮蔽されるよう、空間Sの側周が金属粒子含有接着剤3
0で覆われている。この金属粒子含有接着剤30の外側
表面は、半田材35で覆われている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電基板上に交差指電
極が形成されている弾性表面波(以下、SAWとす
る。)素子と、このSAW素子を搭載するパッケージ基
板とを備えているSAW装置に関する。
【0002】
【従来の技術】自動車電話やコードレス電話などの携帯
無線端末は小形軽量化トレンドにあり、これを実現する
ため使用部品の小形化や平面実装化が進められている。
【0003】このような使用部品の中でも高周波回路部
に多用されているSAW装置は、リードピン付きキャン
封止型から、図9に示すような箱型に改良され、実用に
供されている。このSAW装置は、SAW素子1と、こ
れが搭載されるパッケージ基板5と、SAW素子1を覆
うための金属枠及び金属蓋とを備えているものである。
SAW素子1は、LiTaO3やLiNbO3などの圧電
結晶基板2上に交差指電極3、信号電極3a、及び接地
電極3b等が形成されている。SAW素子1は、その裏
面(交差指電極等が形成されていない側の面)と、アル
ミナなどのセラミック製のパッケージ基板5の表面とを
向かい合わせて、エポキシ系接着剤などのダイボンド材
7にてパッケージ基板5上に固着されている。SAW素
子1の信号電極3a及び接地電極3bは、パッケージ基
板5上に形成された素子側信号電極6a及び素子側接地
電極6bと、それぞれボンディングワイヤ4,4で接続
されている。パッケージ基板5には、あらかじめNiF
e系合金で作られた金属枠8が銀ろうで固定されてい
る。この金属枠8の上面には、同じくNiFe系合金で
作られた金属蓋9がシーム溶接されて、SAW素子1が
封止されている。すなわち、SAW装置は、その機能を
確保するため弾性表面波の減衰を抑えるためにSAW素
子1の交差指電極3が自由空間Sに接すると同時に、信
頼性を持続させるためにSAW素子1を完全に気密封止
した構造でなければならない。
【0004】ところで、最近では、SAW装置のさらな
る小形化を図るため、例えば、特開平4−293310
号公報や特開平2−186662号公報等に記載されて
いるものが報告されている。これらは、いずれも、SA
W素子の表面(交差指電極等が形成されている側の面)
とパッケージ基板の表面とを対向させ、両者間に一定の
空間が形成されるよう両者を接続し、その周辺を金属材
料等で封止しするものである。すなわち、これらの技術
は、図9における金属蓋9等を省略することで、SAW
装置の小型化を図っている。
【0005】また、前者の従来技術(特開平4−293
310号公報)は、圧電結晶基板の表面上に交差指電極
を囲むように接地電極を形成すると共に、パッケージ基
板の表面にも接地電極を形成し、両接地電極間に半田材
を介在させることで、SAW素子の交差指電極とパッケ
ージ基板との間に一定の空間を形成すると共に、この空
間の側周を封止するものである。また、後者の従来技術
は、SAW素子の側周及びその裏面を樹脂性接着剤等で
覆うと共に、さらにその外側からAl等の金属材で覆う
ものである。なお、樹脂性接着剤の外側から更に金属材
で覆うのは、SAW素子の交差指電極上の空間を樹脂の
みで外部空間から遮蔽することができるものの、樹脂の
みでは気密性の点で十分ではないからである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
4−293310号公報や特開平2−186662号公
報に記載されている技術は、いずれも、SAW装置の小
型化という点に関しては、優れているものの、製造工程
が複雑になる等の原因で、製造コストが嵩んでしまうと
いう問題点がある。
【0007】すなわち、前者の従来技術(特開平4−2
93310号公報)では、SAW素子の接地電極とパッ
ケージ基板の接地電極とを電気的に接続すると共に、両
者間を一定の間隙を有するよう金属枠を形成すべく、両
者の電極間を半田材で接続するには、いずれの電極も半
田ぬれ性が良く且つ半田食われのない金属面でなければ
ならない。このため、両接地電極表面をメタライズ処理
を施す必要がある。特に、SAW素子の接地電極はその
近傍に交差指電極があるため、この交差指電極までメタ
ライズ処理を施さないよう、マスク等を使用して正確に
面倒なメタライズ処理を行わなければならない。具体的
には、例えば、接地電極本体が純Al或いはAl系合金
で形成されている場合、はんだ食われを防ぐためTiや
Cr等のバリヤメタルでこの接地電極本体を覆い、さら
にその上に、半田濡れ性を確保するためCuやNi等の
金属を積層する等のメタライズ処理を施さなければなけ
ればならない。さらに、半田材が交差指電極等に流れな
いよう、半田ダム等も形成しなければならず、製造工程
が増加して製造コストが嵩んでしまう。また、後者の従
来技術(特開平2−186662号公報)では、樹脂性
接着材の外側を更に金属材で覆う方法として、真空容器
内でのスパッタリングによる蒸着等が考えられるが、こ
の場合、製造設備コストが嵩むと共に、金属材の成膜に
時間がかかる。
【0008】本発明は、このような従来の問題点に着目
してなされたもので、装置の小型化を図れると共に、製
造コストの削減することができるSAW装置、及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
のSAW装置は、圧電基板、及び該圧電基板の表面上に
形成された交差指電極、該交差指電極に電力を供給する
ための電極パッドを有する弾性表面波素子(以下、SA
W素子という)と、該SAW素子が搭載され、該SAW
素子の前記電極パッドに電力を供給するための電極パッ
ドが形成されているパッケージ基板とを備えているSA
W装置において、前記SAW素子の表面(前記交差指電
極及び前記電極パッドが形成されている側の面)と前記
パッケージ基板の表面(前記SAW素子の電極パッドに
電力を供給するための前記電極パッドが形成されている
側の面)とが対向し、該SAW素子の表面に形成されて
いる前記交差指電極と該パッケージ基板の表面との間に
一定の間隔の空間が形成されるよう、両者の電極パッド
相互間に導電材が介在して、両者の電極パッド相互が電
気的に接続され、前記空間が外部空間から遮蔽されるよ
う、少なくとも前記SAW素子と前記パッケージ基板と
の間で前記空間の周囲が、半田濡れ性が良く且つ半田食
われのない金属粒子を含有する樹脂材(以下、金属粒子
含有樹脂材とする。)で覆われ、前記金属粒子含有樹脂
材の外側表面が半田材で覆われていることを特徴とする
ものである。
【0010】ここで、前記SAW装置において、前記空
間の周囲を囲むよう、前記SAW素子と前記パッケージ
基板との間で、前記空間の外周で且つ前記金属粒子含有
樹脂材の該空間側に、絶縁性樹脂を配してもよい。ま
た、前記SAW装置において、前記SAW素子の前記電
極パッドと前記パッケージ基板の前記電極パッドとの間
に、剛性を有する空間確保用導電材と異方性導電材を含
有する樹脂接着剤又は樹脂接着シート(以下、異方性導
電材含有樹脂材とする。)とを介在させて、両者の電極
パッド相互を電気的に接続し、この異方性導電材含有樹
脂材で前記空間の周囲をさらに囲うようにしてもよい。
また、以上のSAW装置において、SAW装置のサイズ
がある程度大きい場合には、前記パッケージ基板の基板
本体をリチウムアルミノシリケート系セラミックスで形
成することが好ましい。
【0011】
【作用】本発明では、交差指電極上の空間を外部空間か
ら完全に気密封止すべく、この空間の側周を直接半田材
で覆うのではなく、金属粒子含有樹脂材で覆った後、そ
の外側表面を半田材で覆っている。このため、SAW素
子の電極パッドとパッケージ基板の電極パッドとの電気
的な接続に関しては、半田材を使用する必要性が無くな
り、各種接続方法を選択することができる。すなわち、
SAW素子の電極パッドに対してメタライズ処理を施す
必要性のない接続方法を採用することができる。但し、
交差指電極上の空間を確保すべく、SAW素子の電極パ
ッドとパッケージ基板の電極パッドとの間に、剛性を有
する導電材を介在させる必要がある。
【0012】そこで、SAW素子の電極パッドにメタラ
イズ処理を施すことなく、SAW素子の電極パッドとパ
ッケージ基板の電極パッドとの間に剛性を有する導電材
を介在させ、両電極パッドを電気的に接続する接続方法
としては、具体的には、例えば、半導体集積回路のフェ
イスダウン接続によく用いられるワイヤバンプ法で、S
AW素子の電極パッド上にバンプ(剛性を有する導電
材)を形成し、このバンプとパッケージ基板の電極パッ
ドとを熱圧着法か熱超音波法で接続する方法が考えられ
る。また、この他、SAW素子の電極パッド上にバンプ
を形成した後、このバンプとパッケージ基板の電極パッ
ドとの間に、異方性導電材含有樹脂接着剤、又は異方性
導電材含有樹脂接着シートを配して、この接着剤又は接
着シートでバンプとパッケージ基板の電極パッドとを接
続する方法も考えられる。
【0013】また、本発明では、交差指電極上の空間を
覆う樹脂材として、半田濡れ性が良く且つ半田食われの
ない金属粒子を含有している樹脂材を使用しているの
で、この外側を金属材で覆う場合、通常の環境下におい
て容易に施すことができる半田材を使用することができ
る。このため、樹脂材の外側を金属で覆う場合、特殊な
装置を使用する必要性が無くなる。
【0014】このように、本発明では、面倒なメタライ
ズ処理工程や半田ダム形成工程の削除することができる
と共に、特殊な装置を使用する必要性が無くなるので、
製造コストの削減を図ることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明に係るSAW装置の各種実施例
について、図1〜図8を用いて説明する。まず、本発明
に係るSAW装置の第1の実施例について、図1〜図6
を用いて説明する。
【0016】本実施例のSAW装置は、図1に示すよう
に、SAW素子10と、このSAW素子10が搭載され
るパッケージ基板20とを有して構成されている。
【0017】SAW素子10は、図1及び図4に示すよ
うに、圧電基板11と、この基板11の一方の面(以
下、この面を表面12、他方の面を裏面13とする。)
上に形成されている交差指電極14,14,…、この交
差指電極14,14,…に電力を供給するための電極、
つまり信号電極15,15及び接地電極16,16,…
とを有して構成されている。なお、図1におけるSAW
素子10の断面は、図4におけるI−I線断面である。
この交差指電極14,14,…は、圧電基板11の表面
12上の中央近傍に形成され、信号電極15,15及び
接地電極16,16,…は、圧電基板11の表面12上
の周辺側に点在して形成されている。これら交差指電極
14、信号電極15、接地電極16は、いずれも、純A
l或いはAl系合金で形成されている。信号電極15及
び接地電極16上には、それぞれ、半導体集積回路のフ
ェイスダウン接続時に用いられるワイヤバンプ法にて、
Au又はAl線による信号電極バンプ17及び接地電極
バンプ18が形成されている。なお、これらバンプ1
7,18はAu又はAlで形成され、電極15,16は
純Al或いはAl系合金で形成されているため、電極1
5,16に対して何らメタライズ処理を施すことなく、
ワイヤバンプ法で電極15,16上にバンプ17,18
を形成することができる。すなわち、電極15,16上
にバンプ17,18をワイヤバンプ法で形成する場合、
電極15,16を形成する材料との比較において、バン
プ17,18を形成する材料を考慮すれば、特別に新た
な技術を導入しなくとも、電極15,16に対してメタ
ライズ処理を施す必要はない。
【0018】一方、パッケージ基板20は、図1〜図3
に示すように、基板本体21と、この基板本体21上に
形成されている信号電極25a,25b及び接地電極2
6a,26bとを有して構成されている。パッケージ基
板本体21の一方の面(以下、この面を表面22、他方
の面を裏面23とする。)上には、図2に示すように、
素子側信号電極25aがSAW素子10の信号電極15
と対応する位置に形成され、素子側接地電極26aがS
AW素子10の接地電極16と対応する位置及び素子側
信号電極25aを囲うようパッケージ基板本体20の周
辺に形成されている。また、パッケージ基板本体20の
裏面23上には、図3に示すように、外部側接地電極2
6bが基板本体21の裏面23いっぱいにH字形を成す
よう形成され、外部側信号電極25b,25bがこのH
字の凹み部分に該当する位置に形成されている。なお、
図1におけるパッケージ基板20の断面は、図2におけ
るI−I線断面である。また、図2において、×印の位
置がバンプ接続位置を示している。パッケージ基板本体
21の表面22上に形成されている素子側信号電極25
a及び素子側接地電極26aは、それぞれ、スルーホー
ル27,28を介して、基板本体21の裏面23上に形
成されている外部側信号電極25b、外部側接地電極2
6bと接続されている。パッケージ基板本体21は、リ
チウムアルミノシリケート系セラミックスで形成され、
信号電極25a,25b及び接地電極26a,26b
は、焼結W又は焼結Cuで形成されている。パッケージ
基板20の素子側信号電極25a及び素子側接地電極2
6aは、対応するバンプ17,18との接合性を高める
ために、Niメッキ、及びその上からAuメッキが施さ
れている。
【0019】パッケージ基板20とSAW素子10と
は、図1に示すように、両者の表面22,12が互いに
向い合い、且つパッケージ基板表面22とSAW素子1
0の表面12に形成されている交差指電極14との間に
一定の間隙ができるよう、接続されている。この接続
は、SAW素子10の信号電極バンプ17及び接地電極
バンプ18と、パッケージ基板20の素子側信号電極2
5a及び素子側接地電極26aとを、それぞれ、熱圧着
法又は熱超音波圧着法により接続することで、行われ
る。各バンプ17,18は、この場合、SAW素子10
の電極15,16とパッケージ基板20の電極25a,
26aとを電気的に接続すると共に、パッケージ基板表
面22とSAW素子10の表面12に形成されている交
差指電極14との間を一定の間隔に保つ役目を担ってい
る。
【0020】パッケージ基板20に搭載されているSA
W素子10は、図1に示すように、その裏面13、その
側周面19、及びその表面12の周囲側部分12aが金
属粒子含有接着剤30で覆われている。SAW素子10
の側周面19、及びその表面12の周囲側部分12aを
覆う金属粒子含有接着剤30で、パッケージ基板表面2
2とSAW素子10の表面に形成されている交差指電極
14との間に形成されている空間Sが外部から遮蔽され
る。すなわち、この空間Sは、図1において、上方がS
AW素子10に覆われ、下方がパッケージ基板20によ
り覆われ、空間Sの側周が金属粒子含有接着剤30(図
5に示す。)で覆われていることになる。金属粒子含有
接着剤30の金属粒子は、半田濡れ性が良く且つ半田食
われのないCu系の金属を用いている。また、金属粒子
含有接着剤30の接着剤自体は、熱硬化するエポキシ系
接着剤である。
【0021】但し、通常、樹脂は、水分や気体を完全に
遮断することはできない。このため、本実施例では、硬
化した金属粒子含有接着剤30の外側をさらに半田材3
5で覆って、SAW素子10の表面12に形成されてい
る交差指電極14上の空間Sを外部空間から気密封止し
ている。硬化した接着剤30には、半田濡れ性が良く且
つ半田食われのない金属粒子が含有して、半田材35と
の接合性が良いため、溶融している半田材35を通常の
環境下においてその外側に単に付けるだけで、この接着
剤30を金属(この場合は半田材35)で覆うことがで
きる。
【0022】ところで、空間Sの側周を覆う金属粒子含
有接着剤30は、図1に示すように、パッケージ基板本
体21の表面22上の周囲に形成されている素子側接地
電極26a上に付着することになるが、素子側接地電極
26aの周縁部26a’にまで至らないように、供給さ
れている。この接地電極26aの周縁部26a’上は、
半田材35で覆われている。すなわち、半田材35によ
り、金属粒子含有接着剤30の外側表面、及び接地電極
26aの周縁部26a’が覆われている。このように、
パッケージ基板20と金属粒子含有接着剤30との境界
部分の外側が金属(この場合半田材35とパッケージ基
板20の素子側接地電極26a)で塞がれているため、
交差指電極14上の空間Sを外部空間から、より完全に
気密封止することができる。なお、素子側接地電極26
aは、前述したように、Niメッキ、及びその上からA
uメッキが施されているため、バンプ17,18との接
合性のみならず、半田濡れ性も良い。
【0023】次に、本実施例のSAW装置の製造方法に
ついて、図6を用いて説明する。同図(a)は、多数個
取りパッケージ基板100を示している。この多数個取
パッケージ基板100には、既に、前述した電極25
a,26a,25b,26b及びスルホール27,28
が所定の位置に形成されている。また、各電極25a,
26a,25b,26bの表面には、Ni及びAuメッ
キが施されている。また、複数のパッケージ基板20,
20,…を有する多数個取パッケージ基板100には、
各パッケージ基板20,20相互間の境界線に沿って、
溝101が形成されている。
【0024】同図(b)は、多数個取りパッケージ基板
100の各パッケージ基板20,20,…に、それぞれ
SAW素子10,10,…を対向接続した状態を示して
いる。SAW素子10の各電極15,16上には、パッ
ケージ基板20との接続前に、バンプ17,18が前述
したようにワイヤバンプ法で形成されている。パッケー
ジ基板20とSAW素子10との接続の際には、まず、
多数個取りパッケージ基板100の所定位置上に、両者
の表面12,22が互いに対向するように、複数のSA
W素子10,10,…を置く。そして、各SAW素子1
0,10,…の上面、ここでは裏面13,13,…か
ら、各SAW素子10,10,…に超音波を印加しつ
つ、加熱する。すると、パッケージ基板20の素子側電
極25a,26aにNi及びAuメッキが施されている
ため、この素子側電極25a,26aとバンプ17,1
8とが一括して接続される。
【0025】同図(c)は、複数のSAW素子10,1
0,…が接続された多数個取りパッケージ基板100上
に、金属粒子含有接着剤用印刷マスク102を置いた状
態を示している。この印刷マスク102には、SAW素
子10の大きさよりも僅かに大きい開口103が複数形
成されている。この印刷マスク102を多数個取りパッ
ケージ基板100上に置く際には、この印刷マスク10
2の開口103,103,…の部分にSAW素子10,
10,…が来るようにする。
【0026】同図(d)は、金属粒子含有接着剤30を
印刷供給した状態を示している。SAW素子10を金属
粒子含有接着剤30で覆う場合、印刷マスク102の開
口103,103,…に、金属粒子含有接着剤30を供
給する。すると、金属粒子含有接着剤30は目的の位置
に供給され、SAW素子10が金属粒子含有接着剤30
で覆われ、交差指電極14上の空間Sが外部空間から遮
蔽される。
【0027】金属粒子含有接着剤30を印刷供給した
後、同図(e)に示すように、印刷マスクを取り除き、
金属粒子含有接着剤30を加熱硬化される。この加熱硬
化に必要な加熱温度及び加熱時間は、本実施例におい
て、それぞれ150℃、20〜30分である。この加熱
温度及び加熱時間は、金属粒子含有接着剤30の接着剤
自体の種類応じて定められるものであり、一概に定めら
れるものではないことは言うまでもない。
【0028】金属粒子含有接着剤30が硬化すると、そ
の外側表面に半田フラックスを塗布する。そして、SA
W素子10の部分をその裏面13側から半田槽に浸漬し
て、同図(f)に示すように、硬化した金属粒子含有接
着剤30の外側表面を半田材35で覆い、交差指電極1
4上の空間Sを外部空間から完全に気密封止する。以上
で、複数のSAW装置が基本的に完成する。このよう
に、複数のSAW装置がつらなっている状態で、各SA
W装置の特性検査を実行する。
【0029】最終的には、同図(g)に示すように、多
数個取りパッケージ基板100の溝101に沿って、多
数個取りパッケージ基板100を折って、各SAW装置
毎に分離する。なお、多数個取りパッケージ基板100
に設けた溝101は、工程の最後に分離し易くするため
のものであり、ダイサー等で切断する場合は特に必要で
はない。
【0030】以上のように、本実施例では、交差指電極
14上の空間Sを外部空間から完全に気密封止すべく、
この空間Sの側周を直接半田材で覆うのではなく、金属
粒子含有接着剤30で覆った後、その外側表面を半田材
35で覆っている。このため、SAW素子10の電極1
6とパッケージ基板20の電極26aと電気的な接続に
関しては、半田材を使用する必要性が無くなり、各種接
続方法を選択することができる。すなわち、SAW素子
10の各電極15,16に対してメタライズ処理を施す
必要性のない接続方法を採用することができる。この結
果、SAW素子10の各電極15,16に対して、非常
に面倒なメタライズ処理を施す工程や半田ダム形成工程
を削除することができる。
【0031】また、本実施例では、交差指電極14上の
空間Sの側周を覆う接着剤として、半田濡れ性が良く且
つ半田食われのない金属粒子を含有している接着剤30
を使用しているので、この外側を金属材で覆う場合、通
常の環境下において容易に施すことができる半田材35
を使用することができる。このため、接着剤の外側を金
属で覆う場合、特殊な装置を使用する必要性が無くな
る。また、半田材35で接着剤30の外側表面を覆う場
合、SAW素子10を単に半田槽内に浸漬しすればよい
ので、作業自体も非常に容易になる。
【0032】このように、本実施例では、面倒な工程の
削除することができると共に、特殊な装置を使用する必
要性が無くなるので、製造コストの削減を図ることがで
きる。
【0033】さらに、本実施例では、SAW素子10に
用いられる圧電基板11とパッケージ基板本体21との
熱膨張率差を考慮して、パッケージ基板本体21の材料
を選定しているので、SAW素子10とパッケージ基板
20との接続後における製造プロセス過程或いはSAW
装置の使用中における温度変化による両者の熱膨張差を
最小限に抑えることができる。この結果、両者の接続部
分における疲労破壊を防ぐことができる。ここで、圧電
基板11及びパッケージ基板本体21の熱膨張率につい
て、簡単に説明する。圧電基板11を形成する圧電結晶
(通常、LiTaO3やLiNbO3などの結晶であ
る。)の熱膨張率は、その結晶面方位によっては15×
10~6/℃を超えるものがある。これに対して、本実施
例において、パッケージ基板本体21を形成するリチウ
ムアルミノシリケート系セラミックスの熱膨張率は、8
〜18×10~6/℃で、セラミックスとしては比較的熱
膨張率が大きく且つ広範囲である。このため、リチウム
アルミノシリケート系セラミックス材のうち、圧電基板
11の熱膨張率に近いものを選定することにより、圧電
基板11とパッケージ基板本体21との熱膨張率差を最
小限に抑えることができる。
【0034】次に、本発明に係るSAW装置の第2の実
施例について、図7を用いて説明する。本実施例のSA
W装置は、交差指電極14上の空間Sの側周で、且つ金
属粒子含有接着剤30よりも内側(空間S側)に、絶縁
樹脂31を設けたものであり、その他の構成に関しては
第1の実施例と同様である。絶縁樹脂31として、ここ
では、エポキシ系樹脂を用いている。
【0035】絶縁樹脂31は、SAW素子10とパッケ
ージ基板20との接続後に、シリンジにて該当位置に供
給する。そして、この絶縁樹脂31を加熱硬化させた
後、金属粒子含有接着剤30を印刷供給する。
【0036】本実施例では、第1の実施例と同様の効果
を得ることができると共に、金属粒子含有接着剤30の
印刷供給過程において、交差指電極14の金属粒子含有
接着剤30からの汚染を絶縁樹脂31で防ぐことができ
る。
【0037】次に、本発明に係るSAW装置の第3の実
施例について、図8を用いて説明する。本実施例は、S
AW素子10に接続されているバンプ17,18とパッ
ケージ基板20の素子側電極25a,26aとを接続す
る際に、異方性導電材含有接着剤32を用いたものであ
る。異方性導電材含有接着剤32は、接着剤中の導電材
に特定の処理を施して、接着剤に荷重がかかると、この
荷重が集中している所に導電材が集まるようにしたもの
である。このため、SAW素子10に接続されているバ
ンプ17,18に、この異方性導電材含有接着剤32を
供給して、バンプ17,18が接続されているSAW素
子10をパッケージ基板20に押し付けると、図8に示
すように、異方性導電材含有接着剤32中の導電材がバ
ンプ17,18とパッケージ基板20の素子側電極25
a,26aと間に集まって、両者間が電気的に接続され
る。
【0038】従って、SAW素子10のバンプ17,1
8とパッケージ基板20の素子側電極25a,26aと
間を電気的に接続するために、素子側電極25a,26
aにメッキを施す必要がなくなる。また、この異方性導
電材含有接着剤32は、先に説明した第2の実施例の絶
縁樹脂31と同様に、交差指電極14上の空間Sの側周
で、且つ金属粒子含有接着剤30よりも内側に位置する
ことになるので、交差指電極14の汚染も防ぐことがで
きる。つまり、異方性導電材含有接着剤32を用いるこ
とにより、SAW素子10のバンプ17,18とパッケ
ージ基板20の素子側電極25a,26aとの間の電気
的に接続、及び交差指電極14の汚染防止を同一工程で
処理することができる。なお、異方性導電材含有接着剤
32の替わりに、市販されている異方性導電シートを用
いても、同様の効果を得ることができる。
【0039】以上、本発明に係るSAW装置の各種実施
例における金属粒子含有接着剤30及び半田材35は、
いずれも、SAW素子10の裏面13側にも設けられて
いるが、これは半田材35の印刷供給工程において、半
田材35をディップ法にて供給するためであり、気密封
止のためにこのような構成にしたものではない。従っ
て、半田材35の供給工程において、ディップ法で半田
材35を供給しない場合には、金属粒子含有接着剤30
及び半田材35をSAW素子10の裏面13側にまで供
給する必要はない。
【0040】また、以上の実施例において、パッケージ
基板20をリチウムアルミノシリケート系セラミックス
で形成したが、SAW装置が数mmサイズ以下の場合、
SAW素子10とパッケージ基板20との熱膨張差を考
慮する必要が無くなるので、このような場合には、パッ
ケージ基板20の形成材料として通常用いられているア
ルミナ系セラミックス(熱膨張率:6×10~6/℃)で
パッケージ基板20を形成してもよい。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、SAW素子の電極パッ
ドにメタライズ処理を施したり、半田ダムを形成する必
要が無くなる上に、スパッタ装置等の特殊な装置を使用
する必要が無くなるので、製造コストを削減することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施例のSAW装置の断面
図である。
【図2】本発明に係る第1の実施例のパッケージ基板の
表面を示す図である。
【図3】本発明に係る第1の実施例のパッケージ基板の
裏面を示す図である。
【図4】本発明に係る第1の実施例のSAW装置の表面
を示す図である。
【図5】図1におけるV−V線断面図である。
【図6】本発明に係る第1の実施例のSAW装置の製造
過程を示す説明図である。
【図7】本発明に係る第2の実施例のSAW装置の要部
断面図である。
【図8】本発明に係る第3の実施例のSAW装置の要部
断面図である。
【図9】従来のSAW装置の断面図である。
【符号の説明】
10…SAW装置、11…圧電基板、12…(圧電基板
の)表面、13…(圧電基板の)裏面、14…交差指電
極、15…信号電極、16…接地電極、17…信号電極
バンプ、18…接地電極バンプ、20…パッケージ基
板、21…基板本体、22…(パッケージ基板の)表
面、23…(パッケージ基板の)裏面、25a…素子側
信号電極、25b…外部側信号電極、26a…素子側接
地電極、26b…外部側接地電極、27,28…スルー
ホール、30…金属粒子含有接着剤、31…絶縁樹脂、
32…異方性導電材含有接着剤、35…半田材、100
…多数個取りパッケージ基板、101…(多数個取りパ
ッケージ基板の)溝、102…印刷用マスク、103…
(印刷用マスクの)開口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 誠一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所AV機器事業部内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】圧電基板、及び該圧電基板の表面上に形成
    された交差指電極、該交差指電極に電力を供給するため
    の電極パッドを有する弾性表面波素子(以下、SAW素
    子という)と、該SAW素子が搭載され、該SAW素子
    の前記電極パッドに電力を供給するための電極パッドが
    形成されているパッケージ基板とを備えている弾性表面
    波装置において、 前記SAW素子の表面(前記交差指電極及び前記電極パ
    ッドが形成されている側の面)と前記パッケージ基板の
    表面(前記SAW素子の電極パッドに電力を供給するた
    めの前記電極パッドが形成されている側の面)とが対向
    し、該SAW素子の表面に形成されている前記交差指電
    極と該パッケージ基板の表面との間に一定の間隔の空間
    が形成されるよう、両者の電極パッド相互間に導電材が
    介在して、両者の電極パッド相互が電気的に接続され、 前記空間が外部空間から遮蔽されるよう、少なくとも前
    記SAW素子と前記パッケージ基板との間で前記空間の
    周囲が、半田濡れ性が良く且つ半田食われのない金属粒
    子を含有する樹脂材(以下、金属粒子含有樹脂材とす
    る。)で覆われ、 前記金属粒子含有樹脂材の外側表面が半田材で覆われて
    いることを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項2】前記空間の周囲を囲むよう、前記SAW素
    子と前記パッケージ基板との間で、前記空間の外周で且
    つ前記金属粒子含有樹脂材の該空間側に、絶縁性樹脂が
    配されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面
    波装置。
  3. 【請求項3】前記SAW素子の前記電極パッドは、前記
    圧電基板の表面上で且つ前記交差指電極の周囲に点在
    し、 前記パッケージ基板の前記電極パッドは、前記SAW素
    子の前記電極パッドの位置と対応する位置に形成され、 前記SAW素子の前記電極パッドと前記パッケージ基板
    の前記電極パッドとは、両者の間に、剛性を有する空間
    確保用導電材と異方性導電材を含有する樹脂接着剤又は
    樹脂接着シート(以下、異方性導電材含有樹脂材とす
    る。)とが介在して、両者の電極パッド相互が電気的に
    接続され、 前記異方性導電材含有樹脂材は、前記SAW素子の前記
    電極パッドと前記パッケージ基板の前記電極パッドとを
    電気的に接続すると共に、前記空間の外周で且つ前記金
    属粒子含有樹脂材の該空間側に有し、該空間の周囲を囲
    っていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波装
    置。
  4. 【請求項4】前記パッケージ基板の基板本体は、リチウ
    ムアルミノシリケート系セラミックスで形成されている
    ことを特徴とする請求項1、2又は3記載の弾性表面波
    装置。
  5. 【請求項5】圧電基板、及び該圧電基板の表面上に形成
    された交差指電極、該交差指電極に電力を供給するため
    の電極パッドを有する弾性表面波素子(以下、SAW素
    子という)と、該SAW素子が搭載され、該SAW素子
    の前記電極パッドに電力を供給するための電極パッドが
    形成されているパッケージ基板とを備えている弾性表面
    波装置の製造方法において、 複数の前記パッケージ基板が平面的に一体形成された多
    数個取りパッケージ基板を形成すると共に、複数の前記
    SAW素子を形成し、 前記多数個取りパッケージ基板の表面全体を覆うことが
    可能で、前記SAW素子の裏面(前記交差指電極及び前
    記電極パッドが形成されている側の面が表面で、この面
    に対して反対側の面が裏面)の形状に対応し且つ該SA
    W素子の裏面の大きさよりも僅かに大きい複数の開口が
    該多数個取りパッケージ基板のSAW素子搭載位置に対
    応する位置に形成されているマスクを予め準備し、 複数の前記SAW素子の表面と複数の前記パッケージ基
    板の表面(前記SAW素子の電極パッドに電力を供給す
    るための前記電極パッドが形成されている側の面)とを
    それぞれ対向させ、該SAW素子の表面に形成されてい
    る前記交差指電極と該パッケージ基板の表面と間に一定
    の間隔の空間が形成されるよう、両者の電極パッド相互
    間に導電材を介在させて、両者の電極パッド相互を電気
    的に接続し、 前記多数個取りパッケージ基板に搭載された複数の前記
    SAW素子が前記マスクの複数の開口に内に収まるよ
    う、該マスクを該多数個取りパッケージ基板上に配し、 前記マスクの上方から複数の前記SAW素子の裏面上
    に、半田濡れ性が良く且つ半田食われのない金属粒子を
    含有する熱硬化性樹脂材(以下、金属粒子含有樹脂材と
    する。)を供給し、前記SAW素子の裏面及び該SAW
    素子と前記パッケージ基板との間で前記空間の周囲を該
    金属粒子含有樹脂材で覆って、複数の前記SAW素子毎
    の前記空間を外部空間から遮蔽し、 前記マスクを前記多数個取りパッケージ基板から除去し
    た後、前記金属粒子含有樹脂材を加熱して、該金属粒子
    含有樹脂材を硬化させ、 複数の前記SAW素子が搭載され且つ各SAW素子毎の
    前記空間が前記金属粒子含有樹脂材で覆われた前記多数
    個取りパッケージ基板を、該SAW素子が搭載されてい
    る方から、溶融半田槽に浸漬して、該金属粒子含有樹脂
    材の外側表面を半田材で覆い、 前記多数個取パッケージ基板を各パッケージ基板毎に分
    離して、複数の前記弾性表面波装置を製造することを特
    徴とする弾性表面波装置の製造方法。
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0742643A1 (en) * 1995-05-08 1996-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An acoustic surface-wave device and its manufacturing method
JPH10303689A (ja) * 1997-04-25 1998-11-13 Hitachi Media Electron:Kk 弾性表面波装置ならびにその製造方法
WO2001022580A1 (en) * 1999-09-20 2001-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and method of producing the same
JP2001244785A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2001267881A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
WO2002005424A1 (fr) * 2000-07-06 2002-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe
JP2002261582A (ja) * 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
US6528924B1 (en) 1996-05-24 2003-03-04 Siemens Aktiengesellschaft Electronic component, in particular a component operating with surface acoustic waves
WO2003058812A1 (de) * 2001-12-28 2003-07-17 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen verkapselung eines bauelements
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
JP2005285864A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp デバイス装置
JP2006101550A (ja) * 2005-12-05 2006-04-13 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
JP2006128432A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージおよびその製造方法
JP2006237569A (ja) * 2005-01-26 2006-09-07 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006344821A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR100691160B1 (ko) * 2005-05-06 2007-03-09 삼성전기주식회사 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법
JP2008271354A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス
CN100456635C (zh) * 2004-12-24 2009-01-28 富士通媒体部品株式会社 电子器件及其制造方法
US7816794B2 (en) 2004-12-24 2010-10-19 Fujitsu Media Devices Limited Electronic device and method of fabricating the same
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
JP2013062661A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Kyocera Corp 圧電デバイス
US9165849B2 (en) 2010-10-28 2015-10-20 Kyocera Corporation Electronic device
KR101651272B1 (ko) * 2015-09-30 2016-08-26 (주)플렉스컴 이방성 접착제를 이용하여 접속영역의 스트레스가 완화되는 연성 패키지
KR101716882B1 (ko) * 2015-09-08 2017-03-15 (주)플렉스컴 접속 영역의 스트레스가 분산되는 연성 패키지, 및 그 제조 방법
CN114785312A (zh) * 2021-01-22 2022-07-22 三安日本科技株式会社 弹性波装置封装

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5991989A (en) * 1995-05-08 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacture of surface acoustic wave device
US5821665A (en) * 1995-05-08 1998-10-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacture
EP0742643A1 (en) * 1995-05-08 1996-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An acoustic surface-wave device and its manufacturing method
US6528924B1 (en) 1996-05-24 2003-03-04 Siemens Aktiengesellschaft Electronic component, in particular a component operating with surface acoustic waves
JPH10303689A (ja) * 1997-04-25 1998-11-13 Hitachi Media Electron:Kk 弾性表面波装置ならびにその製造方法
WO2001022580A1 (en) * 1999-09-20 2001-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and method of producing the same
JP2001244785A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2001267881A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
WO2002005424A1 (fr) * 2000-07-06 2002-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe
US6914367B2 (en) 2000-07-06 2005-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and method of manufacturing the device
JP2002261582A (ja) * 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
WO2003058812A1 (de) * 2001-12-28 2003-07-17 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen verkapselung eines bauelements
JP2005285864A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp デバイス装置
JP2006128432A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージおよびその製造方法
CN100456635C (zh) * 2004-12-24 2009-01-28 富士通媒体部品株式会社 电子器件及其制造方法
US7816794B2 (en) 2004-12-24 2010-10-19 Fujitsu Media Devices Limited Electronic device and method of fabricating the same
JP2006237569A (ja) * 2005-01-26 2006-09-07 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
US7336017B2 (en) 2005-05-06 2008-02-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Stack type surface acoustic wave package, and method for manufacturing the same
KR100691160B1 (ko) * 2005-05-06 2007-03-09 삼성전기주식회사 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법
US7820468B2 (en) 2005-05-06 2010-10-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Stack type surface acoustic wave package, and method for manufacturing the same
JP2006344821A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2006101550A (ja) * 2005-12-05 2006-04-13 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
JP2008271354A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
US9165849B2 (en) 2010-10-28 2015-10-20 Kyocera Corporation Electronic device
JP2013062661A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Kyocera Corp 圧電デバイス
KR101716882B1 (ko) * 2015-09-08 2017-03-15 (주)플렉스컴 접속 영역의 스트레스가 분산되는 연성 패키지, 및 그 제조 방법
KR101651272B1 (ko) * 2015-09-30 2016-08-26 (주)플렉스컴 이방성 접착제를 이용하여 접속영역의 스트레스가 완화되는 연성 패키지
CN114785312A (zh) * 2021-01-22 2022-07-22 三安日本科技株式会社 弹性波装置封装
JP2022112576A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスパッケージ

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