JPH07111481B2 - 光学用保護膜 - Google Patents
光学用保護膜Info
- Publication number
- JPH07111481B2 JPH07111481B2 JP62163369A JP16336987A JPH07111481B2 JP H07111481 B2 JPH07111481 B2 JP H07111481B2 JP 62163369 A JP62163369 A JP 62163369A JP 16336987 A JP16336987 A JP 16336987A JP H07111481 B2 JPH07111481 B2 JP H07111481B2
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- protective film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば光磁気記録媒体の保護膜、太陽電池
の反射防止膜、光学レンズ・ミラーの保護膜等に用いら
れる光学用保護膜に関する。
の反射防止膜、光学レンズ・ミラーの保護膜等に用いら
れる光学用保護膜に関する。
第４図は、光磁気ディスクの一例を模式的に示す断面図
である。
である。
ガラス、プラスチック等から成る基板４の表面に、希土
類元素（例えばGd、Tb、Dy等）と遷移金属元素（例えば
Fe、Co等）とのアモルファス合金等から成る磁性膜６を
形成し、更にその表面に、当該磁性膜６の酸化防止等の
保護のために保護膜８が形成されている。
類元素（例えばGd、Tb、Dy等）と遷移金属元素（例えば
Fe、Co等）とのアモルファス合金等から成る磁性膜６を
形成し、更にその表面に、当該磁性膜６の酸化防止等の
保護のために保護膜８が形成されている。
この保護膜８としては、従来、窒化ケイ素（SiNx）、酸
化ケイ素（SiOx）、酸化アルミニウム（AlOx）等が用い
られており、これは例えばCVD法、イオンビームスパッ
タ法、蒸着法、塗布法等によって形成されていた。
化ケイ素（SiOx）、酸化アルミニウム（AlOx）等が用い
られており、これは例えばCVD法、イオンビームスパッ
タ法、蒸着法、塗布法等によって形成されていた。
上記のような保護膜８を含めて一般的に、光学用保護膜
とその下の膜等との間で入射光が全く反射しない条件は
次式の通りである。
とその下の膜等との間で入射光が全く反射しない条件は
次式の通りである。
nd＝λ/4＋ｍ（λ/2） ・・・（１） ここで、ｎは保護膜の屈折率、ｄはその膜厚、λは入射
光の波長、ｍは整数である。
光の波長、ｍは整数である。
従って入射光が決まっている場合、保護膜の屈折率ｎが
小さければ上記（１）式の条件を満たすためには膜厚ｄ
を大きくしなければならないが、そのようにする場合
は、保護膜中のストレスが増大して他の部分に歪等を発
生させる原因になる、保護膜形成に時間が多くかかりス
ループットが低下する、等の問題が生じる。
小さければ上記（１）式の条件を満たすためには膜厚ｄ
を大きくしなければならないが、そのようにする場合
は、保護膜中のストレスが増大して他の部分に歪等を発
生させる原因になる、保護膜形成に時間が多くかかりス
ループットが低下する、等の問題が生じる。
逆に保護膜の屈折率ｎを大きくすると、一般的に、光
（例えば可視光）の透過率が大きく低下するという問題
が生じる。例えば太陽電池の場合には、それによって変
換効率が低下してしまう。
（例えば可視光）の透過率が大きく低下するという問題
が生じる。例えば太陽電池の場合には、それによって変
換効率が低下してしまう。
そこでこの発明は、膜厚を変えずに屈折率の制御ができ
ると共に光の透過率も良好な光学用保護膜を提供するこ
とを目的とする。
ると共に光の透過率も良好な光学用保護膜を提供するこ
とを目的とする。
この発明の光学用保護膜は、ホウ素、窒素およびケイ素
の３元素を膜中に一様な濃度で含んで成り、しかも膜中
のケイ素（Si）とホウ素（Ｂ）の原子濃度比Si/（Si＋
Ｂ）が、０＜Si/（Si＋Ｂ）＜１の範囲内にあることを
特徴とする。
の３元素を膜中に一様な濃度で含んで成り、しかも膜中
のケイ素（Si）とホウ素（Ｂ）の原子濃度比Si/（Si＋
Ｂ）が、０＜Si/（Si＋Ｂ）＜１の範囲内にあることを
特徴とする。
当該保護膜中のケイ素（Si）とホウ素（Ｂ）の原子濃度
比Si/（Si＋Ｂ）を上記のような範囲内で変化させるこ
とによって、膜厚が一定のままで屈折率を制御すること
ができた。しかもその場合、光の透過率の大きな減少は
見られなかった。
比Si/（Si＋Ｂ）を上記のような範囲内で変化させるこ
とによって、膜厚が一定のままで屈折率を制御すること
ができた。しかもその場合、光の透過率の大きな減少は
見られなかった。
第１図は、実施例に使用したプラズマCVD装置の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
真空ポンプ20によって排気される真空容器10内に、基板
16保持用のものであって電極を兼ねるホルダ12と電極18
とを互いに対向させて収納し、両者間に高周波電源24か
ら高周波電力を供給するようにしている。22、28はブロ
ッキングコンデンサである。
16保持用のものであって電極を兼ねるホルダ12と電極18
とを互いに対向させて収納し、両者間に高周波電源24か
ら高周波電力を供給するようにしている。22、28はブロ
ッキングコンデンサである。
そしてこの真空容器10内に、ガス源34a〜34dから、モノ
シラン（SiH4）、ジボラン（B2H6）、アンモニア（N
H3）および窒素（N2）の各ガスを、流量調節器36a〜36d
によってそれぞれ流量調節して導入するようにしてい
る。
シラン（SiH4）、ジボラン（B2H6）、アンモニア（N
H3）および窒素（N2）の各ガスを、流量調節器36a〜36d
によってそれぞれ流量調節して導入するようにしてい
る。
処理に際しては、ホルダ12に基板16を装着し、真空容器
10内を５×10-6Torr程度以下まで真空排気した後、基板
16を必要に応じてホルダ12内のヒータ14によって加熱し
ながら、流量調節器36a〜36dによって導入ガスの流量を
調節した後、高周波電源24から電極18等に高周波電力を
供給する。
10内を５×10-6Torr程度以下まで真空排気した後、基板
16を必要に応じてホルダ12内のヒータ14によって加熱し
ながら、流量調節器36a〜36dによって導入ガスの流量を
調節した後、高周波電源24から電極18等に高周波電力を
供給する。
その場合の条件は、例えば次のものとする。
高周波電力:0〜500W 基板温度：室温〜300℃ ガス流量比:0＜SiH4/（SiH4＋B2H6）＜１ 全ガス流量：＜500cc/min また、直流バイアス電源26、高周波バイアス電源30およ
び直流バイアス電源32を適宜用いてバイアス条件を制御
しても良い。また、得られる膜の均一性向上等のために
ホルダ12を回転させても良い。
び直流バイアス電源32を適宜用いてバイアス条件を制御
しても良い。また、得られる膜の均一性向上等のために
ホルダ12を回転させても良い。
上記処理によって、ホルダ12と電極18間にプラズマが生
成され、基板16の表面に、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）お
よびケイ素（Si）の３元素を含んで成る膜が作製され
る。
成され、基板16の表面に、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）お
よびケイ素（Si）の３元素を含んで成る膜が作製され
る。
このようにして得られる膜中のケイ素添加量を、当該膜
中のケイ素とホウ素の原子濃度比Si/（Si＋Ｂ）で表し
た場合、それを前述したようなガス流量比の制御によっ
て０＜Si/（Si＋Ｂ）＜１の範囲内で変化させた場合の
当該膜の屈折率特性の一例を第２図に、可視光透過率特
性の一例を第３図にそれぞれ示す。尚、このときの膜厚
は１μｍであった。
中のケイ素とホウ素の原子濃度比Si/（Si＋Ｂ）で表し
た場合、それを前述したようなガス流量比の制御によっ
て０＜Si/（Si＋Ｂ）＜１の範囲内で変化させた場合の
当該膜の屈折率特性の一例を第２図に、可視光透過率特
性の一例を第３図にそれぞれ示す。尚、このときの膜厚
は１μｍであった。
第２図から分かるように、ケイ素添加量を上記のような
範囲内で変えることによって、膜厚が一定のままで、屈
折率を大きく制御することができた。
範囲内で変えることによって、膜厚が一定のままで、屈
折率を大きく制御することができた。
しかも第３図から分かるように、ケイ素添加量を上記の
ような範囲内で変化させても、可視光透過率の大きな減
少は見られなかった。
ような範囲内で変化させても、可視光透過率の大きな減
少は見られなかった。
またこの膜は、窒化ホウ素あるいは窒化シリコン系の膜
であるため、硬度もそれらと同程度に高く、従来の保護
膜と比べて寿命等の点でも遜色はない。
であるため、硬度もそれらと同程度に高く、従来の保護
膜と比べて寿命等の点でも遜色はない。
従ってこの膜は、前述した光磁気ディスクのような光磁
気記録媒体の保護膜、アモルファス太陽電池のような太
陽電池の反射防止膜、光学レンズ・ミラーの保護膜等の
光学用保護膜として広く利用することができる。
気記録媒体の保護膜、アモルファス太陽電池のような太
陽電池の反射防止膜、光学レンズ・ミラーの保護膜等の
光学用保護膜として広く利用することができる。
しかもこの膜によれば、膜厚をあまり大きくすることな
く前述した（１）式の条件を満たすことが可能となるた
め、従来の膜厚を大きくすることによる膜中のストレス
増大やスループット低下等の問題も無くなる。また光の
透過率も良好であるため、光磁気ディスクや太陽電池等
の本来の特性を効果的に発揮させることができる。
く前述した（１）式の条件を満たすことが可能となるた
め、従来の膜厚を大きくすることによる膜中のストレス
増大やスループット低下等の問題も無くなる。また光の
透過率も良好であるため、光磁気ディスクや太陽電池等
の本来の特性を効果的に発揮させることができる。
尚、このような膜の作製には、前述したようなプラズマ
CVD法以外に、レーザ等を用いる光CVD法、イオンビーム
スパッタ法あるいはその他のスパッタ法、イオン注入と
真空蒸着との併用法等を用いても良い。
CVD法以外に、レーザ等を用いる光CVD法、イオンビーム
スパッタ法あるいはその他のスパッタ法、イオン注入と
真空蒸着との併用法等を用いても良い。
以上のようにこの発明によれば、含有しているケイ素と
ホウ素の原子濃度比によって、膜厚を変えずに、屈折率
の制御を行うことができる。しかも光の透過率も良好で
あり、かつ硬度も大きい。
ホウ素の原子濃度比によって、膜厚を変えずに、屈折率
の制御を行うことができる。しかも光の透過率も良好で
あり、かつ硬度も大きい。
第１図は、実施例に使用したプラズマCVD装置の一例を
示す概略図である。第２図は、第１図の装置によって作
製した膜のケイ素添加量に対する屈折率特性の一例を示
すグラフである。第３図は、同上の膜のケイ素添加量に
対する可視光透過率特性の一例を示すグラフである。第
４図は、光磁気ディスクの一例を模式的に示す断面図で
ある。 ８……保護膜、10……真空容器、16……基板、24……高
周波電源、34a〜34d……ガス源。
示す概略図である。第２図は、第１図の装置によって作
製した膜のケイ素添加量に対する屈折率特性の一例を示
すグラフである。第３図は、同上の膜のケイ素添加量に
対する可視光透過率特性の一例を示すグラフである。第
４図は、光磁気ディスクの一例を模式的に示す断面図で
ある。 ８……保護膜、10……真空容器、16……基板、24……高
周波電源、34a〜34d……ガス源。
Claims (1)
- 【請求項１】ホウ素、窒素およびケイ素の３元素を膜中
に一様な濃度で含んで成り、しかも膜中のケイ素（Si）
とホウ素（Ｂ）の原子濃度比Si/（Si＋Ｂ）が、０＜Si/
（Si＋Ｂ）＜１の範囲内にあることを特徴とする光学用
保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62163369A JPH07111481B2 (ja) | 1987-06-29 | 1987-06-29 | 光学用保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62163369A JPH07111481B2 (ja) | 1987-06-29 | 1987-06-29 | 光学用保護膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS646901A JPS646901A (en) | 1989-01-11 |
| JPH07111481B2 true JPH07111481B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15772576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62163369A Expired - Fee Related JPH07111481B2 (ja) | 1987-06-29 | 1987-06-29 | 光学用保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111481B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012200106B4 (de) * | 2012-01-05 | 2016-03-24 | Von Ardenne Gmbh | Reflexionsschichtsystem mit transparenter Klimaschutzschicht, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Substrat mit einem solchen Reflexionsschichtsystem |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185428A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-29 | Sharp Corp | 光電部材 |
-
1987
- 1987-06-29 JP JP62163369A patent/JPH07111481B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646901A (en) | 1989-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |