JPH07115000A - 荷電粒子パルスビーム発生装置 - Google Patents
荷電粒子パルスビーム発生装置Info
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- JPH07115000A JPH07115000A JP5280407A JP28040793A JPH07115000A JP H07115000 A JPH07115000 A JP H07115000A JP 5280407 A JP5280407 A JP 5280407A JP 28040793 A JP28040793 A JP 28040793A JP H07115000 A JPH07115000 A JP H07115000A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】荷電粒子パルスビーム発生装置において、小型
・低消費電力で広い可変範囲のパルス幅及びパルス強度
の荷電粒子ビームの発生を１個の周波数特性の良好な電
気パルス増幅回路で実現することを目的とする。 【構成】パルス信号発生器６、電気パルス増幅回路、荷
電粒子発生源７からなり、電気パルス増幅回路は２段の
トランジスタ素子で構成し、パルス信号発生器６から第
１段のトランジスタ素子１のゲート乃至ベース端子にパ
ルス信号が入力されない時には第１段、第２段のトラン
ジスタ素子１、２が共に遮断状態になり、パルス信号が
入力された時に電流が流れるように第２段のトランジス
タ素子のゲート乃至ベース端子に入力する電圧Ｖb を設
定し、第２段のトランジスタ素子のドレイン乃至コレク
タ端子に生じるパルス状の電位を荷電粒子発生源７の電
極に入力するようにした荷電粒子パルスビーム発生装
置。
・低消費電力で広い可変範囲のパルス幅及びパルス強度
の荷電粒子ビームの発生を１個の周波数特性の良好な電
気パルス増幅回路で実現することを目的とする。 【構成】パルス信号発生器６、電気パルス増幅回路、荷
電粒子発生源７からなり、電気パルス増幅回路は２段の
トランジスタ素子で構成し、パルス信号発生器６から第
１段のトランジスタ素子１のゲート乃至ベース端子にパ
ルス信号が入力されない時には第１段、第２段のトラン
ジスタ素子１、２が共に遮断状態になり、パルス信号が
入力された時に電流が流れるように第２段のトランジス
タ素子のゲート乃至ベース端子に入力する電圧Ｖb を設
定し、第２段のトランジスタ素子のドレイン乃至コレク
タ端子に生じるパルス状の電位を荷電粒子発生源７の電
極に入力するようにした荷電粒子パルスビーム発生装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、加速器や計測器等に
用いる電子・陽電子・イオン・クラスターなどの各種荷
電粒子ビームの発生に関し、特に広い可変範囲のパルス
幅及びビーム強度の荷電粒子のパルスビームを簡易に発
生するための装置に関する。
用いる電子・陽電子・イオン・クラスターなどの各種荷
電粒子ビームの発生に関し、特に広い可変範囲のパルス
幅及びビーム強度の荷電粒子のパルスビームを簡易に発
生するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の荷電粒子パルスビーム発生装置に
用いられる電気パルス増幅回路には、電界効果トランジ
スタ（以下、ＦＥＴと記す）或はトランジスタをスイッ
チング動作させるもの、アバランシェパルサーによりパ
ルスを発生するもの、大出力の高周波増幅器を用いるも
のなどが考案されている。
用いられる電気パルス増幅回路には、電界効果トランジ
スタ（以下、ＦＥＴと記す）或はトランジスタをスイッ
チング動作させるもの、アバランシェパルサーによりパ
ルスを発生するもの、大出力の高周波増幅器を用いるも
のなどが考案されている。
【０００３】上述のＦＥＴ等をスイッチング動作させる
ものについては、図５に示すように電気パルス増幅回路
のＦＥＴ１のソース側を接地し、且つＦＥＴ１のドレイ
ン側に抵抗５、電源３を接続して構成され、ＦＥＴ１の
ゲート端子にパルス信号発生器６のパルス信号が入力し
た時、ＦＥＴ１のソース・ドレイン間を導通させ、これ
によって生じた増幅パルス信号を荷電粒子発生源７の電
極に入力してパルス化するものであり、この回路につい
ては小型で長いパルス幅のパルス制御が容易であるとい
う利点がある。
ものについては、図５に示すように電気パルス増幅回路
のＦＥＴ１のソース側を接地し、且つＦＥＴ１のドレイ
ン側に抵抗５、電源３を接続して構成され、ＦＥＴ１の
ゲート端子にパルス信号発生器６のパルス信号が入力し
た時、ＦＥＴ１のソース・ドレイン間を導通させ、これ
によって生じた増幅パルス信号を荷電粒子発生源７の電
極に入力してパルス化するものであり、この回路につい
ては小型で長いパルス幅のパルス制御が容易であるとい
う利点がある。
【０００４】また、アバランシェパルサーを用いた回路
では、トランジスタのアバランシェ増幅を利用して電気
パルスを発生し、荷電粒子発生源の電極に入力してパル
ス化しており、小型・低消費電力で高電圧の短い時間幅
のパルスを発生できるという利点がある。
では、トランジスタのアバランシェ増幅を利用して電気
パルスを発生し、荷電粒子発生源の電極に入力してパル
ス化しており、小型・低消費電力で高電圧の短い時間幅
のパルスを発生できるという利点がある。
【０００５】更に、大出力の高周波増幅器を用いたパル
ス発生回路は、パルス信号発生器のパルス信号を大出力
の高周波増幅器によって増幅し、荷電粒子発生源の電極
に入力することによりパルス化しており、短い時間幅の
パルスを速い繰り返しで発生できるという利点がある。
ス発生回路は、パルス信号発生器のパルス信号を大出力
の高周波増幅器によって増幅し、荷電粒子発生源の電極
に入力することによりパルス化しており、短い時間幅の
パルスを速い繰り返しで発生できるという利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５の回路を
用いた装置ではＦＥＴ１のドレイン・ゲート間に存在す
る帰還容量によって回路の応答特性が悪化し、数ナノ秒
以下の短いパルスを発生することが難しかった。
用いた装置ではＦＥＴ１のドレイン・ゲート間に存在す
る帰還容量によって回路の応答特性が悪化し、数ナノ秒
以下の短いパルスを発生することが難しかった。
【０００７】一方、アバランシェパルサーを用いた装置
では、トランジスタの絶対定格外で動作させるために、
回路素子の寿命が短く、パルス幅及びパルスビームの強
度を広範囲に変えることができず、アバランシェ動作を
した後の回復時間が長く、複数のパルスを数〜数十ナノ
秒間隔というようなバーストパルスの発生ができないと
いう課題があった。
では、トランジスタの絶対定格外で動作させるために、
回路素子の寿命が短く、パルス幅及びパルスビームの強
度を広範囲に変えることができず、アバランシェ動作を
した後の回復時間が長く、複数のパルスを数〜数十ナノ
秒間隔というようなバーストパルスの発生ができないと
いう課題があった。
【０００８】更に大出力の高周波増幅器を用いた装置で
は、増幅器の消費電力が大きく、増幅器の下限の周波数
帯域が限られているためパルス幅の広いパルスの形が変
形してしまうという課題があった。
は、増幅器の消費電力が大きく、増幅器の下限の周波数
帯域が限られているためパルス幅の広いパルスの形が変
形してしまうという課題があった。
【０００９】したがって、従来何れの装置でも、パルス
幅や強度を広範囲に変えるのは、単独の回路では実現で
きず、特性の異なる複数の電気パルス増幅回路を用いて
パルス幅に応じてこれらの回路を切り替えるようにして
いたが、このため回路構成が複雑化し、装置が高価にな
り、操作が複雑になるという課題があった。
幅や強度を広範囲に変えるのは、単独の回路では実現で
きず、特性の異なる複数の電気パルス増幅回路を用いて
パルス幅に応じてこれらの回路を切り替えるようにして
いたが、このため回路構成が複雑化し、装置が高価にな
り、操作が複雑になるという課題があった。
【００１０】そこで、この発明においてはパルス信号の
高周波特性の悪化を抑え、単独の回路構成でパルス幅や
強度を広範囲に変えることができるようにすることを目
的とするものである。
高周波特性の悪化を抑え、単独の回路構成でパルス幅や
強度を広範囲に変えることができるようにすることを目
的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、この発明ではパルス信号発生器、電気パルス増幅
回路、並びに荷電粒子発生源からなり、上記電気パルス
増幅回路を少なくとも２段のトランジスタ素子で構成
し、上記パルス信号発生器から第１段のトランジスタ素
子のゲート乃至ベース端子にパルス信号が入力されない
時には第１段、第２段のトランジスタ素子が共に遮断状
態になり、パルス信号が入力された時に電流が流れるよ
うに第２段のトランジスタ素子のゲート乃至ベース端子
に入力する電圧を設定し、第２段のトランジスタ素子の
端子に生じるパルス状の電位を荷電粒子発生源の電極に
入力するようにした荷電粒子パルスビーム発生装置を提
案するものである。
めに、この発明ではパルス信号発生器、電気パルス増幅
回路、並びに荷電粒子発生源からなり、上記電気パルス
増幅回路を少なくとも２段のトランジスタ素子で構成
し、上記パルス信号発生器から第１段のトランジスタ素
子のゲート乃至ベース端子にパルス信号が入力されない
時には第１段、第２段のトランジスタ素子が共に遮断状
態になり、パルス信号が入力された時に電流が流れるよ
うに第２段のトランジスタ素子のゲート乃至ベース端子
に入力する電圧を設定し、第２段のトランジスタ素子の
端子に生じるパルス状の電位を荷電粒子発生源の電極に
入力するようにした荷電粒子パルスビーム発生装置を提
案するものである。
【００１２】トランジスタ素子としてはＦＥＴ或はトラ
ンジスタを用いることができ、図１はトランジスタ素子
としてＦＥＴを用いた場合のこの発明の具体的な回路構
成を示すもので、電気パルス増幅回路は第１段のＦＥＴ
１のソース側を接地し、第１段のＦＥＴ１のドレイン端
子と第２段のＦＥＴ２のソース端子を接続し、第２段の
ＦＥＴ２のドレイン端子に抵抗或はリアクタンス成分を
有する回路５を通して電圧Ｖa の電源３を接続して構成
し、パルス信号発生器６のパルス信号は第１段のＦＥＴ
１のゲート端子に入力させ、更に第２段のＦＥＴ２のド
レイン端子に生じたパルス電圧を荷電粒子ビーム源７の
電極に入力するようにする。
ンジスタを用いることができ、図１はトランジスタ素子
としてＦＥＴを用いた場合のこの発明の具体的な回路構
成を示すもので、電気パルス増幅回路は第１段のＦＥＴ
１のソース側を接地し、第１段のＦＥＴ１のドレイン端
子と第２段のＦＥＴ２のソース端子を接続し、第２段の
ＦＥＴ２のドレイン端子に抵抗或はリアクタンス成分を
有する回路５を通して電圧Ｖa の電源３を接続して構成
し、パルス信号発生器６のパルス信号は第１段のＦＥＴ
１のゲート端子に入力させ、更に第２段のＦＥＴ２のド
レイン端子に生じたパルス電圧を荷電粒子ビーム源７の
電極に入力するようにする。
【００１３】ここで、第１段のＦＥＴ１のゲート端子に
は、第１段のＦＥＴ１のドレイン・ソース間がパルス信
号の入力が無い時遮断状態となり、パルス信号の入力時
に通電状態になるような信号を入力する。
は、第１段のＦＥＴ１のドレイン・ソース間がパルス信
号の入力が無い時遮断状態となり、パルス信号の入力時
に通電状態になるような信号を入力する。
【００１４】また、第２段のＦＥＴ２のゲート端子に
は、第１段のＦＥＴ１のドレイン・ソース間が導通状態
になった時に第２段のＦＥＴ２のドレイン・ソース間を
導通状態になるような電源４の電圧Ｖb を入力する。
は、第１段のＦＥＴ１のドレイン・ソース間が導通状態
になった時に第２段のＦＥＴ２のドレイン・ソース間を
導通状態になるような電源４の電圧Ｖb を入力する。
【００１５】更に、パルス信号発生器６と第１段のＦＥ
Ｔ１のゲート端子間及び第２段のＦＥＴ２のドレイン端
子と荷電粒子発生源７の電極との間は直結或はコンデン
サを通して交流的に接続する。
Ｔ１のゲート端子間及び第２段のＦＥＴ２のドレイン端
子と荷電粒子発生源７の電極との間は直結或はコンデン
サを通して交流的に接続する。
【００１６】
【作用】この発明の装置では、第１段のＦＥＴ１のゲー
ト端子にパルス信号が入力されない時は第１段のＦＥＴ
１のドレイン・ソース間が遮断状態になり、これに伴っ
て第２段のＦＥＴ２のドレイン・ソース間も遮断状態に
なる。この時、第２段のＦＥＴ２のドレイン端子は、ほ
ぼ電源電圧Ｖa に等しくなる。
ト端子にパルス信号が入力されない時は第１段のＦＥＴ
１のドレイン・ソース間が遮断状態になり、これに伴っ
て第２段のＦＥＴ２のドレイン・ソース間も遮断状態に
なる。この時、第２段のＦＥＴ２のドレイン端子は、ほ
ぼ電源電圧Ｖa に等しくなる。
【００１７】一方、パルス信号が第１段のＦＥＴ１のゲ
ート端子に入力された時は、第１段のＦＥＴ１のドレイ
ン・ソース間が導通し、第２段のＦＥＴ２のゲート・ソ
ース間に電位差が生じ、第２段のＦＥＴ２のドレイン・
ソース間も導通し、この時、第２段のＦＥＴ２のドレイ
ン端子の電位は接地電位に近づく。
ート端子に入力された時は、第１段のＦＥＴ１のドレイ
ン・ソース間が導通し、第２段のＦＥＴ２のゲート・ソ
ース間に電位差が生じ、第２段のＦＥＴ２のドレイン・
ソース間も導通し、この時、第２段のＦＥＴ２のドレイ
ン端子の電位は接地電位に近づく。
【００１８】パルス信号が元に戻ると、第１段、第２段
のＦＥＴは遮断状態になり、第２段のＦＥＴ２のドレイ
ン端子の電位も元の状態に戻る。
のＦＥＴは遮断状態になり、第２段のＦＥＴ２のドレイ
ン端子の電位も元の状態に戻る。
【００１９】したがって、第２段のＦＥＴ２のドレイン
端子には、パルス信号発生器６の出力信号に対応したパ
ルス幅のパルス電圧が発生する。
端子には、パルス信号発生器６の出力信号に対応したパ
ルス幅のパルス電圧が発生する。
【００２０】この回路では第１段のＦＥＴ１で電流の増
幅を行い、第２段のＦＥＴ２で電圧の増幅を行う。
幅を行い、第２段のＦＥＴ２で電圧の増幅を行う。
【００２１】このように電流の増幅と電圧の増幅を別個
の素子で行うことにより、図５で問題となっていた帰還
容量の影響を最小限にすることができる。
の素子で行うことにより、図５で問題となっていた帰還
容量の影響を最小限にすることができる。
【００２２】この第２段のＦＥＴ２のドレイン端子に生
じた電気パルスを荷電粒子ビームの電極に入力すると、
荷電粒子パルスビームが発生する。
じた電気パルスを荷電粒子ビームの電極に入力すると、
荷電粒子パルスビームが発生する。
【００２３】この発明に係る装置では、パルス信号発生
器６のパルス幅を変えることにより、パルスビームのパ
ルス幅を変えることができる。
器６のパルス幅を変えることにより、パルスビームのパ
ルス幅を変えることができる。
【００２４】更に、パルス信号発生器６の出力パルスの
波高或は電源３の電圧Ｖa を変えることにより、第２段
のＦＥＴ２のドレイン端子に生じるパルス電圧の波高を
変えることができ、これにより荷電粒子パルスビームの
強度を変えることができる。
波高或は電源３の電圧Ｖa を変えることにより、第２段
のＦＥＴ２のドレイン端子に生じるパルス電圧の波高を
変えることができ、これにより荷電粒子パルスビームの
強度を変えることができる。
【００２５】なお、トランジスタ素子としてトランジス
タを使用する場合には、図１における第１、第２段のＦ
ＥＴ１、２のゲート・ドレイン・ソースの端子名をそれ
ぞれベース・コレクタ・エミッタと置き換えることによ
って図１と同様にして荷電粒子パルスビーム発生装置を
構成できる。
タを使用する場合には、図１における第１、第２段のＦ
ＥＴ１、２のゲート・ドレイン・ソースの端子名をそれ
ぞれベース・コレクタ・エミッタと置き換えることによ
って図１と同様にして荷電粒子パルスビーム発生装置を
構成できる。
【００２６】
【実施例】図２はｎ−ＭＯＳ型の２個のＦＥＴを用いて
電気パルス増幅回路を構成した電子パルスビーム発生装
置の一実施例を示すもので、ここで、電気パルス増幅回
路は第１段のＦＥＴ１のソース側を接地し、第１段のＦ
ＥＴ１のドレイン端子と第２段のＦＥＴ２のソース端子
を接続し、第２段のＦＥＴ２のゲート端子には電源４の
正の定電圧Ｖb を入力し、第２段のＦＥＴ２のドレイン
端子に抵抗５’を介して電圧Ｖa の電源３を接続して構
成する。
電気パルス増幅回路を構成した電子パルスビーム発生装
置の一実施例を示すもので、ここで、電気パルス増幅回
路は第１段のＦＥＴ１のソース側を接地し、第１段のＦ
ＥＴ１のドレイン端子と第２段のＦＥＴ２のソース端子
を接続し、第２段のＦＥＴ２のゲート端子には電源４の
正の定電圧Ｖb を入力し、第２段のＦＥＴ２のドレイン
端子に抵抗５’を介して電圧Ｖa の電源３を接続して構
成する。
【００２７】電子銃７においてグリッド7dは接地し、カ
ソード電極7aには第２段のＦＥＴ２のドレイン端子の出
力をコンデンサ7eを介して入力し、更に電圧源7bを抵抗
7fを介して接続し、この場合電圧源7bの電圧Ｖc は０＜
Ｖc ＜Ｖa とする。
ソード電極7aには第２段のＦＥＴ２のドレイン端子の出
力をコンデンサ7eを介して入力し、更に電圧源7bを抵抗
7fを介して接続し、この場合電圧源7bの電圧Ｖc は０＜
Ｖc ＜Ｖa とする。
【００２８】この装置で、パルス信号発生器６の信号を
第１段のＦＥＴ１のゲートに入力するが、パルス信号が
入力されていない時には、第１段のＦＥＴ１・第２段の
ＦＥＴ２共に電流が流れず、カソード電極7aの電位は電
源7bの電位Ｖc とほぼ等しくなるためグリッド7dの電位
よりも高くなり、電子はグリッド7dによって遮断され
る。
第１段のＦＥＴ１のゲートに入力するが、パルス信号が
入力されていない時には、第１段のＦＥＴ１・第２段の
ＦＥＴ２共に電流が流れず、カソード電極7aの電位は電
源7bの電位Ｖc とほぼ等しくなるためグリッド7dの電位
よりも高くなり、電子はグリッド7dによって遮断され
る。
【００２９】第１段のＦＥＴ１のゲート端子にパルス信
号が入力されて場合は、第１段のＦＥＴ１のドレイン・
ソース間が導通し、これに伴って第２段のＦＥＴ２のゲ
ート・ソース間に電位差が生じて第２段のＦＥＴ２のド
レイン・ソース間が導通する。
号が入力されて場合は、第１段のＦＥＴ１のドレイン・
ソース間が導通し、これに伴って第２段のＦＥＴ２のゲ
ート・ソース間に電位差が生じて第２段のＦＥＴ２のド
レイン・ソース間が導通する。
【００３０】このことにより抵抗５’に電流が流れ、抵
抗間に電位差が生じて、第２段のＦＥＴ２のドレイン端
子の電位は、接地電位に近づく。
抗間に電位差が生じて、第２段のＦＥＴ２のドレイン端
子の電位は、接地電位に近づく。
【００３１】この電圧の変化が、コンデンサ7eを通して
カソード電極7aに伝わり、これによって電子銃７のカソ
ード電位がグリッド電位より低くなり、パルスが入力さ
れている時だけ電子がグリッド7dを通過する。
カソード電極7aに伝わり、これによって電子銃７のカソ
ード電位がグリッド電位より低くなり、パルスが入力さ
れている時だけ電子がグリッド7dを通過する。
【００３２】その後、第１段のＦＥＴ１のゲート端子の
電位が元に戻ると、第１及び第２段のＦＥＴのドレイン
・ソース間に電流が流れなくなり、カソード電極7aの電
位はVcに近づき、電子はグリッド7dによって遮断され
る。これにより電子のパルスビーム7cが発生する。
電位が元に戻ると、第１及び第２段のＦＥＴのドレイン
・ソース間に電流が流れなくなり、カソード電極7aの電
位はVcに近づき、電子はグリッド7dによって遮断され
る。これにより電子のパルスビーム7cが発生する。
【００３３】パルスビーム7cのパルス幅はパルス信号発
生器６のパルス幅によって、ビーム強度はパルス信号発
生器６のパルス波高或は電気パルス増幅回路の電源Ｖa
によって広範囲に変えることができる。
生器６のパルス幅によって、ビーム強度はパルス信号発
生器６のパルス波高或は電気パルス増幅回路の電源Ｖa
によって広範囲に変えることができる。
【００３４】また、図３のようにカソード電極7a' を接
地し、第２段のＦＥＴ２のドレインに生じる電圧パルス
を正の荷電粒子発生源のグリッド7cにコンデンサ7eを介
して接続することによって正の荷電粒子のパルスビーム
を発生できる。
地し、第２段のＦＥＴ２のドレインに生じる電圧パルス
を正の荷電粒子発生源のグリッド7cにコンデンサ7eを介
して接続することによって正の荷電粒子のパルスビーム
を発生できる。
【００３５】図２及び図３において、ＦＥＴをｐ型にし
て電源及び信号源の極性を逆にすればグリッド電極をパ
ルス駆動する負の荷電粒子パルスビーム発生装置、或は
荷電流発生源７をパルス駆動する正の荷電粒子パルスビ
ーム発生装置を実現できる。
て電源及び信号源の極性を逆にすればグリッド電極をパ
ルス駆動する負の荷電粒子パルスビーム発生装置、或は
荷電流発生源７をパルス駆動する正の荷電粒子パルスビ
ーム発生装置を実現できる。
【００３６】また、図４のように、第１段のＦＥＴ１を
トランジスタ１’で置き換えることができ、この場合ト
ランジスタ１’のベースにパルス信号発生器６の信号を
入力する。
トランジスタ１’で置き換えることができ、この場合ト
ランジスタ１’のベースにパルス信号発生器６の信号を
入力する。
【００３７】また、第２段のＦＥＴ２をトランジスタに
置き換えることができ、この場合はトランジスタのベー
スに電源４の電圧Ｖb が入力される。
置き換えることができ、この場合はトランジスタのベー
スに電源４の電圧Ｖb が入力される。
【００３８】
【発明の効果】以上要するに、この発明によれば電気パ
ルス増幅回路を２個のトランジスタ素子で構成すること
により、トランジスタ素子の帰還容量の影響を最小限に
抑えることができる。
ルス増幅回路を２個のトランジスタ素子で構成すること
により、トランジスタ素子の帰還容量の影響を最小限に
抑えることができる。
【００３９】このため、充分な周波数特性を有するトラ
ンジスタ素子を用いれば、良好な周波数特性の電流パル
ス増幅回路を実現でき、数ナノ秒程度以下の短パルスの
発生が実現できる。
ンジスタ素子を用いれば、良好な周波数特性の電流パル
ス増幅回路を実現でき、数ナノ秒程度以下の短パルスの
発生が実現できる。
【００４０】また、パルス信号発生器から信号が入力さ
れない時は２個のトランジスタ素子が共に遮断状態にあ
るため、素子の消費電力が少なく小型化できる。
れない時は２個のトランジスタ素子が共に遮断状態にあ
るため、素子の消費電力が少なく小型化できる。
【００４１】更に、パルス信号発生器のパルス信号の時
間幅を変えることにより荷電粒子パルスビームのパルス
幅を変えることができる。
間幅を変えることにより荷電粒子パルスビームのパルス
幅を変えることができる。
【００４２】また、電気パルス増幅回路の電源電圧Ｖa
または第１段のトランジスタ素子のゲート端子乃至ベー
ス端子に入力するパルスの波高を変えることにより、荷
電粒子発生源の電極に入力する電気パルスの波高を変え
ることができ、これにより荷電粒子パルスビームの強度
を変えることができる。
または第１段のトランジスタ素子のゲート端子乃至ベー
ス端子に入力するパルスの波高を変えることにより、荷
電粒子発生源の電極に入力する電気パルスの波高を変え
ることができ、これにより荷電粒子パルスビームの強度
を変えることができる。
【００４３】したがって、この発明では、従来の装置で
はできなかった小型・低消費電力で広い可変範囲のパル
ス幅及びパルス強度の荷電粒子ビームの発生を１個の電
気パルス増幅回路で実現できる。
はできなかった小型・低消費電力で広い可変範囲のパル
ス幅及びパルス強度の荷電粒子ビームの発生を１個の電
気パルス増幅回路で実現できる。
【図１】 この発明の荷電粒子パルスビーム発生装置
【図２】 この発明の一実施例を示す電子パルスビーム
発生装置
発生装置
【図３】 この発明の他の実施例を示す正の荷電粒子パ
ルスビーム発生装置
ルスビーム発生装置
【図４】 図４の第１段のＦＥＴをトランジスタに変え
た電子パルスビーム発生装置
た電子パルスビーム発生装置
【図５】 従来のＦＥＴを用いた荷電粒子パルスビーム
発生装置
発生装置
１は第１段のＦＥＴ １’は第１段のトランジスタ ２は第２段のＦＥＴ ３は電気パルス増幅回路の電源 ４は電圧源 ５は抵抗或はリアクタンス成分を有する回路 ５’は抵抗 ６はパルス発生器 ７は荷電粒子発生源 7aは電子銃のカソード電極 7a' は正の荷電粒子発生源の電極 7bはバイアス電圧源 7cは荷電粒子パルスビーム 7dはグリッド 7eはコンデンサ 7fは抵抗 Ｇはゲート端子 Ｓはソース端子 Ｄはドレイン端子 Ｂはベース端子 Ｃはコレクタ端子 Ｅはエミッタ端子
Claims (1)
- 【請求項１】 パルス信号発生器、電気パルス増幅回
路、並びに荷電粒子発生源からなり、上記電気パルス増
幅回路を少なくとも２段のトランジスタ素子で構成し、
上記パルス信号発生器から第１段のトランジスタ素子の
ゲート乃至ベース端子にパルス信号が入力されない時に
は第１段、第２段のトランジスタ素子が共に遮断状態に
なり、パルス信号が入力された時に電流が流れるように
第２段のトランジスタ素子のゲート乃至ベース端子に入
力する電圧を設定し、第２段のトランジスタ素子の端子
に生じるパルス状の電位を荷電粒子発生源の電極に入力
するようにしたことを特徴とする荷電粒子パルスビーム
発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280407A JPH07115000A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 荷電粒子パルスビーム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280407A JPH07115000A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 荷電粒子パルスビーム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115000A true JPH07115000A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17624611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5280407A Pending JPH07115000A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 荷電粒子パルスビーム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115000A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100534407B1 (ko) * | 1998-12-18 | 2006-03-03 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 스텝 투 싱글 펄스 발생기 및 그를 갖는 래치회로8 |
| CN112563097A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | Fei 公司 | 用于超快tem应用的带有快速消隐器的脉冲式cfe电子源 |
| US12269071B2 (en) | 2017-09-11 | 2025-04-08 | The Research Foundation For The State University Of New York | Systems and methods for self-cleaning solar panels using an electrodynamic shield |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995561A (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-10 | ||
| JPS6093820A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-25 | Hitachi Ltd | スイツチ回路 |
| JPS62115637A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-27 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム加工機 |
| JPH02284399A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子銃 |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP5280407A patent/JPH07115000A/ja active Pending
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| JP2021052003A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | エフ イー アイ カンパニＦｅｉ Ｃｏｍｐａｎｙ | 超高速ｔｅｍ用途のための高速ブランカーのあるパルス化ｃｆｅ電子源 |
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