JPH07115248A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH07115248A JPH07115248A JP5260296A JP26029693A JPH07115248A JP H07115248 A JPH07115248 A JP H07115248A JP 5260296 A JP5260296 A JP 5260296A JP 26029693 A JP26029693 A JP 26029693A JP H07115248 A JPH07115248 A JP H07115248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- laser
- incident
- position detecting
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】外部の測定器を用いることなく、半導体レーザ
の発振波長の変動を検出する。 【構成】電極２に電流を印加し、両劈開面よりレーザ光
３、４を出射するレーザダイオード１に、レーザ光４を
ボールレンズ５でほぼ平行光線とし、この平行光線を偏
向し、この偏向角は入射するレーザ光の波長によって変
化させることができる光偏向素子６と、この偏向された
平行光線が入射し、入射光位置により差動的に出力が変
わる位置検出素子７と、を設け、位置検出素子の差動出
力からレーザダイオード１の波長変動を検出し、位置検
出素子の両出力の和からレーザダイオード１の発振強度
を検出する。
の発振波長の変動を検出する。 【構成】電極２に電流を印加し、両劈開面よりレーザ光
３、４を出射するレーザダイオード１に、レーザ光４を
ボールレンズ５でほぼ平行光線とし、この平行光線を偏
向し、この偏向角は入射するレーザ光の波長によって変
化させることができる光偏向素子６と、この偏向された
平行光線が入射し、入射光位置により差動的に出力が変
わる位置検出素子７と、を設け、位置検出素子の差動出
力からレーザダイオード１の波長変動を検出し、位置検
出素子の両出力の和からレーザダイオード１の発振強度
を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光源として利用
される半導体レーザの構成に関する。
される半導体レーザの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザの構成の一例を第５
図に示す．図５において、１はレーザダイオード、２は
電極、８はマウント、９は受光素子であり、レーザダイ
オード１は、電極２から電流が印加されると、レーザダ
イオード１の両劈開面からレーザ光３、４を出射する。
一方のレーザ光３は外部に放射されるが、他方のレーザ
光４は受光素子９に入射する。受光素子９はフォトダイ
オードから成り、レーザ光４の強度に比例した電流を出
力する。この出力電流によりレーザダイオード１の発光
強度を検出し、この検出信号に基づきレーザダイオード
１に印加する電流を変化させて、レーザ光３の強度を制
御することが一般的に行われる。
図に示す．図５において、１はレーザダイオード、２は
電極、８はマウント、９は受光素子であり、レーザダイ
オード１は、電極２から電流が印加されると、レーザダ
イオード１の両劈開面からレーザ光３、４を出射する。
一方のレーザ光３は外部に放射されるが、他方のレーザ
光４は受光素子９に入射する。受光素子９はフォトダイ
オードから成り、レーザ光４の強度に比例した電流を出
力する。この出力電流によりレーザダイオード１の発光
強度を検出し、この検出信号に基づきレーザダイオード
１に印加する電流を変化させて、レーザ光３の強度を制
御することが一般的に行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ
は、その発振波長の分布によってシングルモードレーザ
とマルチモードレーザに大別される。シングルモードレ
ーザからはほぼ単一波長のレーザ光が得られるが、この
波長は温度および光帰還により変動する。波長の安定性
が必要となる用途、例えば光ファイバを用いた光通信や
干渉計による光計測のための光源として利用する場合に
は、電子冷却器などにより温度を一定に保つ、あるいは
光アイソレータにより光帰還を防ぐ、等の措置を講じて
波長を安定化させている。このような場合、使用時の波
長変動を知るためには、外部にモノクロメータ等を接続
して波長を測定することが必要である。
は、その発振波長の分布によってシングルモードレーザ
とマルチモードレーザに大別される。シングルモードレ
ーザからはほぼ単一波長のレーザ光が得られるが、この
波長は温度および光帰還により変動する。波長の安定性
が必要となる用途、例えば光ファイバを用いた光通信や
干渉計による光計測のための光源として利用する場合に
は、電子冷却器などにより温度を一定に保つ、あるいは
光アイソレータにより光帰還を防ぐ、等の措置を講じて
波長を安定化させている。このような場合、使用時の波
長変動を知るためには、外部にモノクロメータ等を接続
して波長を測定することが必要である。
【０００４】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
のであり、その目的は前記した課題を解決して、外部に
測定器を用いることなく、発振波長の変動を検出できる
半導体レーザを提供することにある。
のであり、その目的は前記した課題を解決して、外部に
測定器を用いることなく、発振波長の変動を検出できる
半導体レーザを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１による発明においては、レーザダイオ
ードに、このレーザダイオードから出射するレーザ光を
このレーザ光の波長に応じた偏向角で偏向する光偏向素
子と、この光偏向素子によって偏向された光の一部が入
射する位置検出素子と、を設け、この位置検出素子は、
入射光位置に対して差動的に変化する２組の信号を出力
するものとする。
に、本願請求項１による発明においては、レーザダイオ
ードに、このレーザダイオードから出射するレーザ光を
このレーザ光の波長に応じた偏向角で偏向する光偏向素
子と、この光偏向素子によって偏向された光の一部が入
射する位置検出素子と、を設け、この位置検出素子は、
入射光位置に対して差動的に変化する２組の信号を出力
するものとする。
【０００６】また、本願請求項２による発明において
は、光偏向素子は、平面状あるいは凹面状の反射型回折
格子からなるものとする。また、本願請求項３による発
明においては、光偏向素子は、透過型回折格子からなる
ものとする。また、本願請求項４による発明において
は、光偏向素子は、波長分散特性を有するプリズムから
なるものとする。
は、光偏向素子は、平面状あるいは凹面状の反射型回折
格子からなるものとする。また、本願請求項３による発
明においては、光偏向素子は、透過型回折格子からなる
ものとする。また、本願請求項４による発明において
は、光偏向素子は、波長分散特性を有するプリズムから
なるものとする。
【０００７】また、本願請求項５による発明において
は、位置検出素子は、半導体光位置検出器（ＰＳＤ）か
らなるものとする。また、本願請求項６による発明にお
いては、位置検出素子は、２分割されたホトダイオード
からなるものとする。
は、位置検出素子は、半導体光位置検出器（ＰＳＤ）か
らなるものとする。また、本願請求項６による発明にお
いては、位置検出素子は、２分割されたホトダイオード
からなるものとする。
【０００８】
【作用】上記構成により、レーザダイオードから出射し
たレーザ光の内、少なくとも一方のレーザ光は、レーザ
ダイオードの出射面の近くに設けられた光偏向素子に入
射し、偏向され、少なくともその一部は位置検出素子に
入射する。レーザダイオードの出射波長が基準波長のと
き、光偏向素子によって偏向された光が、例えば、位置
検出素子の中央部に入射し、位置検出素子の両出力端か
らバランスした出力が得られる。レーザダイオードの出
射波長が変化すると、光偏向素子において、レーザ光の
出射波長変動に応じて、偏向角が変化し、位置検出素子
に入射する位置が中央部よりずれて、位置検出素子の両
出力の差をとることにより、レーザダイオードの出射波
長変動を検出することができる。また、レーザダイオー
ドの当該出射光が位置検出素子に全て入射する範囲にお
いて、位置検出素子の両出力の和から、レーザ光出力に
比例した出力が得られ、この結果、レーザダイオードの
基準波長からの出射波長の変動と、出射光の強度と、を
検出することができる。
たレーザ光の内、少なくとも一方のレーザ光は、レーザ
ダイオードの出射面の近くに設けられた光偏向素子に入
射し、偏向され、少なくともその一部は位置検出素子に
入射する。レーザダイオードの出射波長が基準波長のと
き、光偏向素子によって偏向された光が、例えば、位置
検出素子の中央部に入射し、位置検出素子の両出力端か
らバランスした出力が得られる。レーザダイオードの出
射波長が変化すると、光偏向素子において、レーザ光の
出射波長変動に応じて、偏向角が変化し、位置検出素子
に入射する位置が中央部よりずれて、位置検出素子の両
出力の差をとることにより、レーザダイオードの出射波
長変動を検出することができる。また、レーザダイオー
ドの当該出射光が位置検出素子に全て入射する範囲にお
いて、位置検出素子の両出力の和から、レーザ光出力に
比例した出力が得られ、この結果、レーザダイオードの
基準波長からの出射波長の変動と、出射光の強度と、を
検出することができる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明による一実施例による半導体レ
ーザの要部構成図、図２は他の実施例による半導体レー
ザの要部構成図、図３は一実施例による位置検出素子の
原理説明図、図４は他の実施例による位置検出素子の原
理説明図を示し、図５に対応する同一部材には同じ符号
が付してある。
ーザの要部構成図、図２は他の実施例による半導体レー
ザの要部構成図、図３は一実施例による位置検出素子の
原理説明図、図４は他の実施例による位置検出素子の原
理説明図を示し、図５に対応する同一部材には同じ符号
が付してある。
【００１０】図１に本発明の一実施例を示す。この実施
例の半導体レーザは、従来技術と同様に、レーザダイオ
ード１は、電極２から電流が印加されるとその両劈開面
からレーザ光３、４を出射し、一方のレーザ光３は外部
に放射される。他方のレーザ光４は、その焦点がレーザ
ダイオード１の出射端面に一致するように設けられたボ
ールレンズ５に入射し、ほぼ平行光となって出射され
る。この出射光は、反射型回折格子から成る光偏向素子
６に入射し、ここで回折効果により偏向される。ここで
１次回折光が光偏向素子６への入射光となす角、すなわ
ち偏向角は、入射光の波長により変化する。位置検出素
子７は、レーザ光４の出射波長が基準波長のとき、上述
の光偏向素子６によって偏向された１次回折光が、例え
ば、位置検出素子７の受光面の中央部に入射するように
配置される。
例の半導体レーザは、従来技術と同様に、レーザダイオ
ード１は、電極２から電流が印加されるとその両劈開面
からレーザ光３、４を出射し、一方のレーザ光３は外部
に放射される。他方のレーザ光４は、その焦点がレーザ
ダイオード１の出射端面に一致するように設けられたボ
ールレンズ５に入射し、ほぼ平行光となって出射され
る。この出射光は、反射型回折格子から成る光偏向素子
６に入射し、ここで回折効果により偏向される。ここで
１次回折光が光偏向素子６への入射光となす角、すなわ
ち偏向角は、入射光の波長により変化する。位置検出素
子７は、レーザ光４の出射波長が基準波長のとき、上述
の光偏向素子６によって偏向された１次回折光が、例え
ば、位置検出素子７の受光面の中央部に入射するように
配置される。
【００１１】この位置検出素子７は、第３図に示すよう
に高抵抗半導体基板10の一方の面にＰ型抵抗層11、他方
の面にＮ型抵抗層12がそれぞれ形成され、両面によりＰ
Ｎ接合を構成し、一般には半導体光位置検出器ＰＳＤ(P
osition Sensitive Detector) と呼ばれるものである。
長さＬの抵抗層11の両端には光電効果により生成された
光電流を取り出す一対の電極P1、P2が設けられる。抵抗
層11上に光が入射するとその強度に比例した光電流Ｉ0
が生じ、この光電流Ｉ0 は受光位置から各々の電極P1、
P2までの抵抗値R1、R2に逆比例するように分割されて、
電流I1、I2として出力される。ここで抵抗層11の抵抗率
の分布を均一にすると、抵抗値R1、R2は受光位置から各
々の電極P1、P2までの距離 (L/2)−ｘ、 (L/2)＋ｘに比
例するので、受光位置ｘと出力電流I1、I2との間には下
式の関係がある。
に高抵抗半導体基板10の一方の面にＰ型抵抗層11、他方
の面にＮ型抵抗層12がそれぞれ形成され、両面によりＰ
Ｎ接合を構成し、一般には半導体光位置検出器ＰＳＤ(P
osition Sensitive Detector) と呼ばれるものである。
長さＬの抵抗層11の両端には光電効果により生成された
光電流を取り出す一対の電極P1、P2が設けられる。抵抗
層11上に光が入射するとその強度に比例した光電流Ｉ0
が生じ、この光電流Ｉ0 は受光位置から各々の電極P1、
P2までの抵抗値R1、R2に逆比例するように分割されて、
電流I1、I2として出力される。ここで抵抗層11の抵抗率
の分布を均一にすると、抵抗値R1、R2は受光位置から各
々の電極P1、P2までの距離 (L/2)−ｘ、 (L/2)＋ｘに比
例するので、受光位置ｘと出力電流I1、I2との間には下
式の関係がある。
【００１２】 ｘ＝ (L/2)・｛(I1-I2）／(I1+I2）｝ （１） 従って、レーザダイオード１の発振波長が変化すると光
偏向素子６からの１次回折光の出射方向が変化し、これ
が位置検出素子７の受光面上の入射光位置の変化とな
り、位置検出素子７の電流出力I1、I2に対し（１）式に
示した演算を行い受光位置ｘを求めることで、レーザダ
イオード１の発振波長の変化が検出できる。 また、位
置検出素子７の出力電流I1、I2の和は受光面に生じた光
電流I0であり、この値は入射光の強度に比例するので、
従来の半導体レーザにおけると同様に、この出力電流の
和の大きさからレーザダイオード１の発光強度を検出
し、これに基づきレーザダイオード１に印加する電流を
変化させてレーザ光３の強度を制御することができる。
偏向素子６からの１次回折光の出射方向が変化し、これ
が位置検出素子７の受光面上の入射光位置の変化とな
り、位置検出素子７の電流出力I1、I2に対し（１）式に
示した演算を行い受光位置ｘを求めることで、レーザダ
イオード１の発振波長の変化が検出できる。 また、位
置検出素子７の出力電流I1、I2の和は受光面に生じた光
電流I0であり、この値は入射光の強度に比例するので、
従来の半導体レーザにおけると同様に、この出力電流の
和の大きさからレーザダイオード１の発光強度を検出
し、これに基づきレーザダイオード１に印加する電流を
変化させてレーザ光３の強度を制御することができる。
【００１３】上記実施例においては、レーザ光４はボー
ルレンズ５を介して光偏向素子６に入射したが、本発明
はこれに限定されることない。第２図に他の実施例を示
す。第２図において、レーザ光４を凹面反射型回折格子
から成る光偏向素子6Aに入射させると、ここで回折され
た１次回折光は、位置検出素子７に集光し、入射する。
この場合も第１図に示した一実施例と同様の作用が得ら
れる。即ち、レーザダイオード１を出射したレーザ光４
は、凹面反射型回折格子から成る光偏向素子６によって
回折され、これは位置検出素子７の受光面上にほぼ集光
され入射する。レーザ光４の出射波長が基準波長のと
き、上述の光偏向素子６によって偏向された１次回折光
が、位置検出素子７の受光面の中央部に入射するように
配置することにより、レーザ光４の波長の変動が入射光
位置の変化となり、位置検出素子７の両出力I1、I2の差
よりレーザ光４の波長の変動を検出できる。
ルレンズ５を介して光偏向素子６に入射したが、本発明
はこれに限定されることない。第２図に他の実施例を示
す。第２図において、レーザ光４を凹面反射型回折格子
から成る光偏向素子6Aに入射させると、ここで回折され
た１次回折光は、位置検出素子７に集光し、入射する。
この場合も第１図に示した一実施例と同様の作用が得ら
れる。即ち、レーザダイオード１を出射したレーザ光４
は、凹面反射型回折格子から成る光偏向素子６によって
回折され、これは位置検出素子７の受光面上にほぼ集光
され入射する。レーザ光４の出射波長が基準波長のと
き、上述の光偏向素子６によって偏向された１次回折光
が、位置検出素子７の受光面の中央部に入射するように
配置することにより、レーザ光４の波長の変動が入射光
位置の変化となり、位置検出素子７の両出力I1、I2の差
よりレーザ光４の波長の変動を検出できる。
【００１４】さらに、本発明における光偏向素子６は、
反射型回折格子でなく、透過型回折格子、あるいは、波
長分散のある材料で作られるプリズム、で構成しても、
レーザ光４の波長の変動によって、位置検出素子７の入
射位置の変化となり、レーザ光４の波長の変動を検出で
きる。また、位置検出素子７は、図３で説明した半導体
光位置検出器ＰＳＤでなく、図４に図示した２分割され
たホトダイオードで構成することができる。図４の (A)
において、２分割されたホトダイオードは、２つのホト
ダイオードの受光面21、22を平面上に隣接して構成され
る。これらの受光面21、22上に入射する入射光23の位置
と２つのホトダイオードの電流出力I1、I2は、第４図の
(B) の点線に示すよう関係となり、また、両ホトダイオ
ードの電流I1、I2の差電流が実線に示すよう関係とな
る。従って、入射光が受光面の境界から外れない範囲で
は、電流出力の差の大きさから入射位置が求まり、ま
た、電流出力の和の大きさから入射光強度が求まる。つ
まり、第３図に示すした一実施例における半導体光位置
検出器ＰＳＤと同等の機能が２分割ＰＤでも達成でき
る。なお、第４図の(B) において、入射光が受光面の境
界から外れるところまでくると、ホトダイオードへの入
射光が減じるので、図示されたように、検出出力は減少
する。
反射型回折格子でなく、透過型回折格子、あるいは、波
長分散のある材料で作られるプリズム、で構成しても、
レーザ光４の波長の変動によって、位置検出素子７の入
射位置の変化となり、レーザ光４の波長の変動を検出で
きる。また、位置検出素子７は、図３で説明した半導体
光位置検出器ＰＳＤでなく、図４に図示した２分割され
たホトダイオードで構成することができる。図４の (A)
において、２分割されたホトダイオードは、２つのホト
ダイオードの受光面21、22を平面上に隣接して構成され
る。これらの受光面21、22上に入射する入射光23の位置
と２つのホトダイオードの電流出力I1、I2は、第４図の
(B) の点線に示すよう関係となり、また、両ホトダイオ
ードの電流I1、I2の差電流が実線に示すよう関係とな
る。従って、入射光が受光面の境界から外れない範囲で
は、電流出力の差の大きさから入射位置が求まり、ま
た、電流出力の和の大きさから入射光強度が求まる。つ
まり、第３図に示すした一実施例における半導体光位置
検出器ＰＳＤと同等の機能が２分割ＰＤでも達成でき
る。なお、第４図の(B) において、入射光が受光面の境
界から外れるところまでくると、ホトダイオードへの入
射光が減じるので、図示されたように、検出出力は減少
する。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明の構成によれ
ば、レーザ光は、入射波長により偏向角が変化する光偏
向素子を介して、位置検出素子に入射し、位置検出素子
上の入射位置から半導体レーザの発振波長を検出するこ
とができ、従来の半導体レーザに比べてわずかな部品を
追加するだけで、外部に波長測定器を用いることなく、
常時、半導体レーザの発振波長の変動を監視することが
できる。
ば、レーザ光は、入射波長により偏向角が変化する光偏
向素子を介して、位置検出素子に入射し、位置検出素子
上の入射位置から半導体レーザの発振波長を検出するこ
とができ、従来の半導体レーザに比べてわずかな部品を
追加するだけで、外部に波長測定器を用いることなく、
常時、半導体レーザの発振波長の変動を監視することが
できる。
【図１】本発明による半導体レーザの一実施例の要部構
成図
成図
【図２】半導体レーザの他の実施例の要部構成図
【図３】一実施例による位置検出素子の原理説明図
【図４】他の実施例による位置検出素子の原理説明図
【図５】従来の技術における半導体レーザの要部構成図
１ レーザダイオード ２ 電極 ３、４ レーザ光 ５ ボールレンズ ６、6A 光偏向素子 ７ 位置検出素子 ８ マウント ９ 受光素子 10 高抵抗半導体基板 21、22 受光面 23 入射光 11 Ｐ型抵抗層 12 Ｎ型抵抗層 I0,I1,I2 光電流 P1,P2 電極
Claims (6)
- 【請求項１】レーザダイオードと、 このレーザダイオードから出射するレーザ光を、このレ
ーザ光の波長に応じた偏向角で偏向する光偏向素子と、 この光偏向素子によって偏向された光の一部が入射する
位置検出素子と、を備え、 この位置検出素子は、入射光位置に対して差動的に変化
する、２組の信号を出力するものである、 ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
光偏向素子は、平面状あるいは凹面状の反射型回折格子
からなる、ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の半導体レ
ーザにおいて、光偏向素子は、透過型回折格子からな
る、ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかの項に
記載の半導体レーザにおいて、光偏向素子は、波長分散
特性を有するプリズムからなる、ことを特徴とする半導
体レーザ。 - 【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれかの項に
記載の半導体レーザにおいて、位置検出素子は、半導体
光位置検出器（ＰＳＤ）からなる、ことを特徴とする半
導体レーザ。 - 【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれかの項に
記載の半導体レーザにおいて、位置検出素子は、２分割
されたホトダイオードからなる、ことを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260296A JPH07115248A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5260296A JPH07115248A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115248A true JPH07115248A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17346078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5260296A Pending JPH07115248A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115248A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1322006A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Apparatus for detecting wavelength drift and method therefor |
| EP1345297A1 (en) * | 2002-03-16 | 2003-09-17 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | An arrangement for monitoring the emission wavelength and power of an optical source |
| JP2010008706A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Shimadzu Corp | 回折格子及び分光器 |
| CN120846648A (zh) * | 2025-09-22 | 2025-10-28 | 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) | 一种半导体激光器上料存储检测装置 |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP5260296A patent/JPH07115248A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1322006A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Apparatus for detecting wavelength drift and method therefor |
| US6919963B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Apparatus for detecting wavelength drift and method therefor |
| EP1345297A1 (en) * | 2002-03-16 | 2003-09-17 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | An arrangement for monitoring the emission wavelength and power of an optical source |
| JP2010008706A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Shimadzu Corp | 回折格子及び分光器 |
| CN120846648A (zh) * | 2025-09-22 | 2025-10-28 | 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) | 一种半导体激光器上料存储检测装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4356448A (en) | Apparatus for measuring electrical or magnetic fields by absorption spectrum change | |
| US6836330B2 (en) | Optical beamsplitter for a polarization insensitive wavelength detector and a polarization sensor | |
| KR970011916A (ko) | 광축조심방법, 광축조심장치, 광학소자의 검사방법, 광학소자의 검사장치, 광학모듈의 제조방법 및 광학모듈의 제조장치 | |
| US20120206735A1 (en) | Wideband optical position sensor with normalization | |
| US4865446A (en) | Laser power and energy meter | |
| JP2004191349A (ja) | 大まかな測定および細密な測定から波長を決定する装置および方法 | |
| Zheng et al. | Self-referenced reflective intensity modulated fiber optic displacement sensor | |
| US6345060B1 (en) | Frequency stabilized semiconductor laser | |
| US5880461A (en) | Low noise optical position sensor | |
| JPS60205216A (ja) | モワレ縞を用いた位置検出装置 | |
| US11293799B2 (en) | Chromatic confocal sensor | |
| JPH07115248A (ja) | 半導体レーザ | |
| RU2290614C1 (ru) | Двухканальный пирометр спектрального отношения | |
| US5822049A (en) | Optical fiber coupler type wavelength measuring apparatus | |
| US6426494B1 (en) | Optical signal detector and optical signal detecting method | |
| Kelly et al. | Techniques for using the position sensitivity of silicon photodetectors to provide remote machine control | |
| JPS61112905A (ja) | 光応用計測装置 | |
| JPS6285832A (ja) | 光学式温度計 | |
| US7309854B2 (en) | Photo-detectors and optical devices incorporating same | |
| JP4595697B2 (ja) | 反射型光ギャップセンサ | |
| JP4039217B2 (ja) | 波長計測装置 | |
| JPH05264687A (ja) | 光式磁界センサ | |
| JPS62282474A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH11142110A (ja) | 電荷結合素子型光検出器及びそれを用いた距離測定装置 | |
| JP3632825B2 (ja) | 波長計測装置 |