JPH07118643B2 - データを処理するための回路網 - Google Patents
データを処理するための回路網Info
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- JPH07118643B2 JPH07118643B2 JP61221742A JP22174286A JPH07118643B2 JP H07118643 B2 JPH07118643 B2 JP H07118643B2 JP 61221742 A JP61221742 A JP 61221742A JP 22174286 A JP22174286 A JP 22174286A JP H07118643 B2 JPH07118643 B2 JP H07118643B2
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- JP
- Japan
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- receivers
- stage
- circuit
- emitter follower
- emitter
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6221—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
- H03K17/6228—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means using current steering means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/603—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors with coupled emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6257—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors with several inputs only combined with selecting means
- H03K17/6264—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors with several inputs only combined with selecting means using current steering means
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Time-Division Multiplex Systems (AREA)
- Small-Scale Networks (AREA)
- Communication Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明、電算機設備における回路網であって、所定の負
担能力の一つの送信器と、2段または3段に直列結合さ
れた差動増幅器を有する多数の受信器とを備え、受信器
の総数nが送信器の負担能力を著しく上回っていて、受
信器の総数nがそれぞれn2個の受信器を有するグループ
に分割されているような大きなビット幅を有するデータ
を処理するCML(電流モード論理)回路技術における回
路網に関する。
担能力の一つの送信器と、2段または3段に直列結合さ
れた差動増幅器を有する多数の受信器とを備え、受信器
の総数nが送信器の負担能力を著しく上回っていて、受
信器の総数nがそれぞれn2個の受信器を有するグループ
に分割されているような大きなビット幅を有するデータ
を処理するCML(電流モード論理)回路技術における回
路網に関する。
大きな計算機設備では、処理すべきデータが並列処理さ
れなければならない例えば72ビットという非常に大きな
ビット幅を有する。集積度が増し、接続ピン数が増せ
ば、LSIユニットにおいて大部分のデータワードまたは
全部のデータワードさえも並列処理することが可能とな
る。このことは内部では、例えばビット幅nのデータワ
ードのためのレジスタおよびマルチプレクサにおいて一
つの制御信号によって結合要素のn個の入力(例えばク
ロック入力あるいはアドレス入力)を制御しなければな
らないという結果をもたらす。
れなければならない例えば72ビットという非常に大きな
ビット幅を有する。集積度が増し、接続ピン数が増せ
ば、LSIユニットにおいて大部分のデータワードまたは
全部のデータワードさえも並列処理することが可能とな
る。このことは内部では、例えばビット幅nのデータワ
ードのためのレジスタおよびマルチプレクサにおいて一
つの制御信号によって結合要素のn個の入力(例えばク
ロック入力あるいはアドレス入力)を制御しなければな
らないという結果をもたらす。
一つの送信器により制御可能な入力に接続された受信器
の個数,所謂ファンアウトは、送信器の負担能力によっ
て制限される。また、マスタスライス方式にて構成さ
れ、多数の範囲に分割された所定の大きさの構成エレメ
ントの部分を含むような集積ユニットの場合にも同様に
ファンアウトは固定的に与えられる。通常セルライブラ
リの助けにて選択可能なCML回路技術のバイポーラトラ
ンジスタからなる部分回路(セル群)のファンアウトn1
は、圧倒的にほゞ8である。この値は次の実施例にも基
礎にされており、その場合に勿論異なる値に関しても同
じ考察が当てはまる。
の個数,所謂ファンアウトは、送信器の負担能力によっ
て制限される。また、マスタスライス方式にて構成さ
れ、多数の範囲に分割された所定の大きさの構成エレメ
ントの部分を含むような集積ユニットの場合にも同様に
ファンアウトは固定的に与えられる。通常セルライブラ
リの助けにて選択可能なCML回路技術のバイポーラトラ
ンジスタからなる部分回路(セル群)のファンアウトn1
は、圧倒的にほゞ8である。この値は次の実施例にも基
礎にされており、その場合に勿論異なる値に関しても同
じ考察が当てはまる。
しばしば大きなビット幅nにおける受信器の数は送信器
の許容ファンアウトn1よりも遥かに大きい。その場合に
は、送信器によって制御されてそれぞれn1個の受信器を
制御する付加的な増幅器を使用すればよい。このように
すれば(n1)2個の受信器を賄うことができる。増幅器
としては一般に第4図によるORゲートが使用される。こ
の種の回路網は第5図に示された、送信器S,増幅器Vお
よび受信器Eからなる構成を有する。
の許容ファンアウトn1よりも遥かに大きい。その場合に
は、送信器によって制御されてそれぞれn1個の受信器を
制御する付加的な増幅器を使用すればよい。このように
すれば(n1)2個の受信器を賄うことができる。増幅器
としては一般に第4図によるORゲートが使用される。こ
の種の回路網は第5図に示された、送信器S,増幅器Vお
よび受信器Eからなる構成を有する。
増幅器要素を使用した場合には、信号遅延時間,損失電
力およびセル数が増大するという欠点がある。更に、
(n1)2個以上の受信器の場合には増幅器が直列に接続
されなければならない。
力およびセル数が増大するという欠点がある。更に、
(n1)2個以上の受信器の場合には増幅器が直列に接続
されなければならない。
一つの送信器によって制御可能な受信器の個数を増加さ
せる別の可能性は、送信器として用いられる回路セルの
ファンアウトの増大にある。その場合に選択は2倍また
は3倍のドライブ能力に限定されるに留まる。というの
はこの種の各回路セルにおいて必要な構成素子数が非常
に増大するからである。信号遅延時間が真先に長引くこ
とはないが、しかし高められたドライブ能力が全ての存
在する受信器の制御に十分でない場合には更に付加的な
増幅器を設けなければならない。
せる別の可能性は、送信器として用いられる回路セルの
ファンアウトの増大にある。その場合に選択は2倍また
は3倍のドライブ能力に限定されるに留まる。というの
はこの種の各回路セルにおいて必要な構成素子数が非常
に増大するからである。信号遅延時間が真先に長引くこ
とはないが、しかし高められたドライブ能力が全ての存
在する受信器の制御に十分でない場合には更に付加的な
増幅器を設けなければならない。
k倍のドライブ能力を有する送信器SVを備えた回路網の
構成が第6図に示されている。
構成が第6図に示されている。
本発明の目的は、大きなビット幅nを有するデータワー
ドの処理のために2段または3段の直列結合を備えたCM
L回路技術におけるレジスタセルまたはマルチプレクサ
セルのためのセル構成において、一つの送信器によって
多数の受信器が制御可能であり、しかもこの回路網が著
しく小さい損失電力・遅延時間積を有し、ビット当たり
の構成素子が従来の回路網よりも少なくなるようにする
ことにある。
ドの処理のために2段または3段の直列結合を備えたCM
L回路技術におけるレジスタセルまたはマルチプレクサ
セルのためのセル構成において、一つの送信器によって
多数の受信器が制御可能であり、しかもこの回路網が著
しく小さい損失電力・遅延時間積を有し、ビット当たり
の構成素子が従来の回路網よりも少なくなるようにする
ことにある。
この目的は、本発明によれば、それぞれn2個の受信器を
有するそれぞれのグループの受信器の入力回路は、高め
られたパワー能力の2段のエミッタホロワセルを有する
1つの共通の入力回路に統合され、その際該2段のエミ
ッタホロワセルの第2の段のエミッタ電流は、グループ
に属するそれぞれの受信器のエミッタ電流の大きさを少
なくとも有し、グループに属するそれぞれの受信器の直
列結合の第2ないし第3の段の参照電位は、前記2段の
エミッタホロワセルの信号レベルシフトに適合されてい
ることによって達成される。
有するそれぞれのグループの受信器の入力回路は、高め
られたパワー能力の2段のエミッタホロワセルを有する
1つの共通の入力回路に統合され、その際該2段のエミ
ッタホロワセルの第2の段のエミッタ電流は、グループ
に属するそれぞれの受信器のエミッタ電流の大きさを少
なくとも有し、グループに属するそれぞれの受信器の直
列結合の第2ないし第3の段の参照電位は、前記2段の
エミッタホロワセルの信号レベルシフトに適合されてい
ることによって達成される。
本発明により得られる小さい損失電力・走行時間積およ
び少ない構成素子という利点は、走行時間を長くし、素
子数の増加をもたらす公知技術における増幅器が省略さ
れたことにより得られるものである。共通のエミッタフ
ォロワ段を備えることにより、増幅器の省略にも拘ら
ず、大きなファンアウトは確保され得る。
び少ない構成素子という利点は、走行時間を長くし、素
子数の増加をもたらす公知技術における増幅器が省略さ
れたことにより得られるものである。共通のエミッタフ
ォロワ段を備えることにより、増幅器の省略にも拘ら
ず、大きなファンアウトは確保され得る。
以下、図面を参照しながら本発明を実施例について更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図は本発明により構成された回路網構成図を示し、
第2図は2ビット・マルチプレクサの従来の実施例を示
し、第3図は多数のマルチプレクサを備えた本発明によ
る回路装置を示す。
第2図は2ビット・マルチプレクサの従来の実施例を示
し、第3図は多数のマルチプレクサを備えた本発明によ
る回路装置を示す。
第5図および第6図による表示と同様に第1図は本発明
による回路網を示し、ここではファンアウトn1を有する
1つの送信器Sと、それにしたがってそれぞれn2個の受
信器E*を有するn1個のグループMZとが設けられてい
る。受信器E*の各グループMZは高められたパワー能力
を有する2段のエミッタホロワEFを介して制御される。
前置されたエミッタホロワEFを備えたかゝる受信器グル
ープMZは後で複合セルとして示す。
による回路網を示し、ここではファンアウトn1を有する
1つの送信器Sと、それにしたがってそれぞれn2個の受
信器E*を有するn1個のグループMZとが設けられてい
る。受信器E*の各グループMZは高められたパワー能力
を有する2段のエミッタホロワEFを介して制御される。
前置されたエミッタホロワEFを備えたかゝる受信器グル
ープMZは後で複合セルとして示す。
第3図における2ビット・マルチプレクサを有する複合
セルの実施例の詳細な表示を説明する前に直列結合を有
するCML回路技術における通常の2ビット・マルチプレ
クサセルを示す第2図を参照する。マルチプレクサセル
は3つの差動増幅器を有し、そのうち第1のロジックの
直列結合平面の上方の両差動増幅器は共通の2重エミッ
タトランジスタT1を有する。トランジスタT1のコレクタ
は出力Qと接続されると共に、コレクタ抵抗Rを介して
基準電位として用いられる運転電源端子VCCに接続され
ている。トランジスタT1のベースは第1の比較電位VR1
にある。マスタスライス装置の構成素子部分が2重エミ
ッタトランジスタを持たない場合には、トランジスタT1
は一方でコレクタが他方でベースが並列接続された2つ
の単一のトランジスタによって実現することができる。
セルの実施例の詳細な表示を説明する前に直列結合を有
するCML回路技術における通常の2ビット・マルチプレ
クサセルを示す第2図を参照する。マルチプレクサセル
は3つの差動増幅器を有し、そのうち第1のロジックの
直列結合平面の上方の両差動増幅器は共通の2重エミッ
タトランジスタT1を有する。トランジスタT1のコレクタ
は出力Qと接続されると共に、コレクタ抵抗Rを介して
基準電位として用いられる運転電源端子VCCに接続され
ている。トランジスタT1のベースは第1の比較電位VR1
にある。マスタスライス装置の構成素子部分が2重エミ
ッタトランジスタを持たない場合には、トランジスタT1
は一方でコレクタが他方でベースが並列接続された2つ
の単一のトランジスタによって実現することができる。
トランジスタT1と共に、第1のデータビットD0をベース
に接続されたトランジスタT2が第1の差動増幅器を構成
している。第2のデータビットD1によって制御される第
2の差動増幅器はトランジスタT1とトランジスタT3との
協動によって生じる。
に接続されたトランジスタT2が第1の差動増幅器を構成
している。第2のデータビットD1によって制御される第
2の差動増幅器はトランジスタT1とトランジスタT3との
協動によって生じる。
第1もしくは第2の差動増幅器のトランジスタT1,T2も
しくはT1,T3の互いに接続されたエミッタ対は、第2の
ロジックの直列結合平面に付属する第3の差動増幅器の
エミッタ結合されたトランジスタT4もしくはT5のコレク
タに接続されている。
しくはT1,T3の互いに接続されたエミッタ対は、第2の
ロジックの直列結合平面に付属する第3の差動増幅器の
エミッタ結合されたトランジスタT4もしくはT5のコレク
タに接続されている。
第3の差動増幅器のスイッチング状態は、定電流I3が供
給されるのは第1の差動増幅器か又は第2の差動増幅器
かを、即ち出力Qに接続されるのは第1のデータビット
D0か又は第2のデータビットD1かを区別する。第2のロ
ジック平面の差動増幅器はトランジスタT6および定電流
I1を供給する定電流源からなるエミッタホロワを介して
アドレスビットAによって制御される。このエミッタホ
ロワはシフトされた信号レベルの中間値が比較電位VR2
に対応するようにアドレスビットAの2進値のレベルシ
フトを起こさせる。第2図において垂直破線の右側にあ
る2ビット・マルチプレクサの回路部分は次に本体セル
として示されている。
給されるのは第1の差動増幅器か又は第2の差動増幅器
かを、即ち出力Qに接続されるのは第1のデータビット
D0か又は第2のデータビットD1かを区別する。第2のロ
ジック平面の差動増幅器はトランジスタT6および定電流
I1を供給する定電流源からなるエミッタホロワを介して
アドレスビットAによって制御される。このエミッタホ
ロワはシフトされた信号レベルの中間値が比較電位VR2
に対応するようにアドレスビットAの2進値のレベルシ
フトを起こさせる。第2図において垂直破線の右側にあ
る2ビット・マルチプレクサの回路部分は次に本体セル
として示されている。
第3図は本発明による複合2ビット・マルチプレクサセ
ルを示し、これは全部でn2個の本体セルを有するが、こ
のうち最初と最後の本体セルだけが図示されている。第
2図との比較によって、回路構成に関して与えられた第
2図により詳述した本体セルとの一致性を容易に認識す
ることができる。それゆえ、図の簡単化のため参照符号
がかなり省略されている。
ルを示し、これは全部でn2個の本体セルを有するが、こ
のうち最初と最後の本体セルだけが図示されている。第
2図との比較によって、回路構成に関して与えられた第
2図により詳述した本体セルとの一致性を容易に認識す
ることができる。それゆえ、図の簡単化のため参照符号
がかなり省略されている。
本体セルの第3の差動増幅器の制御入力は並列接続され
て、アドレスビットAにて制御されるエミッタホロワセ
ルの出力に接続されている。エミッタホロワセルは直列
接続された2つのエミッタホロワからなり、その場合に
トランジスタT6と定電流I1のための定電流源からなる第
1のエミッタホロワは既に第2図にて説明したエミッタ
ホロワと同一である。後段に接続された第2のエミッタ
ホロワは、高められた電流負担能力のトランジスタT7を
備え、より高い電流I2にて駆動される。トランジスタT7
は例えば通常の構成素子部分からなる2または3個のト
ランジスタの対応せる電極の並列接続によって実現する
ことができる。
て、アドレスビットAにて制御されるエミッタホロワセ
ルの出力に接続されている。エミッタホロワセルは直列
接続された2つのエミッタホロワからなり、その場合に
トランジスタT6と定電流I1のための定電流源からなる第
1のエミッタホロワは既に第2図にて説明したエミッタ
ホロワと同一である。後段に接続された第2のエミッタ
ホロワは、高められた電流負担能力のトランジスタT7を
備え、より高い電流I2にて駆動される。トランジスタT7
は例えば通常の構成素子部分からなる2または3個のト
ランジスタの対応せる電極の並列接続によって実現する
ことができる。
第2図による本体セルと第3図による本体セルとの間に
おける相違は元は第2の直列結合平面に付属したが今や
第3の直列結合平面に属す第3の差動増幅器のための比
較電位の高さにある。つまり、第3図による本体セルの
比較電位VR3を確定する場合に、2段のエミッタホロワ
セルT6,T7によるアドレスビットAの2進値の二重の信
号レベルシフトを考慮しなければならない。
おける相違は元は第2の直列結合平面に付属したが今や
第3の直列結合平面に属す第3の差動増幅器のための比
較電位の高さにある。つまり、第3図による本体セルの
比較電位VR3を確定する場合に、2段のエミッタホロワ
セルT6,T7によるアドレスビットAの2進値の二重の信
号レベルシフトを考慮しなければならない。
今まで扱われた全ての例にとって好都合な条件のもとで
エミッタホロワセルの最大ファンアウトを16を越えて高
めることはないのは好適である。なぜならば、さもない
と立下がりおよび立上がりの信号エッジの過大な遅延時
間差が生じるからである。この制限によっても、n1=8
なる最大ファンアウトを有する一つの送信器により既に
128個の受信器を賄うことができる。
エミッタホロワセルの最大ファンアウトを16を越えて高
めることはないのは好適である。なぜならば、さもない
と立下がりおよび立上がりの信号エッジの過大な遅延時
間差が生じるからである。この制限によっても、n1=8
なる最大ファンアウトを有する一つの送信器により既に
128個の受信器を賄うことができる。
本発明による措置の適用は2ビット・マルチプレクサに
限らず、それぞれかゝる回路装置の多数に対して第2ま
たは第3の直列結合平面における差動増幅器の制御のた
めの共通な制御信号を有効ならしめようとするような、
2段または3段の直列結合を有するCML回路技術におけ
る全ての回路装置に可能である。
限らず、それぞれかゝる回路装置の多数に対して第2ま
たは第3の直列結合平面における差動増幅器の制御のた
めの共通な制御信号を有効ならしめようとするような、
2段または3段の直列結合を有するCML回路技術におけ
る全ての回路装置に可能である。
かゝる回路装置の典型的な例が並列データ入力および/
または出力用のレジスタ又はシフトレジスタのためのレ
ジスタ段(西独特許第3,147,547号及び第2,821,231号公
報参照)である。これらの場合にも、本体セルは、個々
のレジスタ段におけるクロックパルスの入力のための入
力エミッタホロワの省略によって構成され、それから多
数の本体セルと前置された共通の1つのエミッタホロワ
セルからなる複合セルが構成される。既に述べたよう
に、1つの送信器Sと、それぞれ1つのエミッタホロワ
セルEFおよびn2個の受信器としての本体セルE*からな
るn1個の複合セルMZとを備えた回路網の共通な構成が第
1図に示されている。
または出力用のレジスタ又はシフトレジスタのためのレ
ジスタ段(西独特許第3,147,547号及び第2,821,231号公
報参照)である。これらの場合にも、本体セルは、個々
のレジスタ段におけるクロックパルスの入力のための入
力エミッタホロワの省略によって構成され、それから多
数の本体セルと前置された共通の1つのエミッタホロワ
セルからなる複合セルが構成される。既に述べたよう
に、1つの送信器Sと、それぞれ1つのエミッタホロワ
セルEFおよびn2個の受信器としての本体セルE*からな
るn1個の複合セルMZとを備えた回路網の共通な構成が第
1図に示されている。
これまで言及した回路網構成の以下の比較に関して、第
5図の回路網構成は場合a)として、第6図の回路網構
成は場合b)として、第1図の回路網構成は場合c)と
して示す。
5図の回路網構成は場合a)として、第6図の回路網構
成は場合b)として、第1図の回路網構成は場合c)と
して示す。
シミュレーション計算を行い、その場合に2ビット・マ
ルチプレクサと次の値を基礎にした。
ルチプレクサと次の値を基礎にした。
ファンアウトn1=8 電流I1=0.5mA 電流I2=1.5mA 電流I3=1.5mA 抵抗R=300Ω 運転電圧VEE−VCC=−4.5V 場合b)においては送信器の差動増幅器電流は2・I3=
3mAである。
3mAである。
次の表(2つに分けて示されている。)は、場合a),
b),c)について、種々のビット幅nに関し、最大アド
レス遅延時間tdA、ビット当たりの損失電力・遅延時間
積Q(=PV・tdA)、ビット当たりの構成素子数mを示
す。
b),c)について、種々のビット幅nに関し、最大アド
レス遅延時間tdA、ビット当たりの損失電力・遅延時間
積Q(=PV・tdA)、ビット当たりの構成素子数mを示
す。
表は、調査された3つのすべての量に関してビット幅n
≧16について既に、場合c)による本発明の回路網構成
の明白な有利性を示している。これは、その場合に付加
的な増幅器が必要ではあるが、ビット幅n>128につい
ても当てはまる。
≧16について既に、場合c)による本発明の回路網構成
の明白な有利性を示している。これは、その場合に付加
的な増幅器が必要ではあるが、ビット幅n>128につい
ても当てはまる。
本発明により得られる小さい損失電力・走行時間積およ
び少ない構成素子という利点は、走行時間を長くし、素
子数の増加をもたらす公知技術における増幅器が省略さ
れたことにより得られるものである。共通のエミッタフ
ォロワ段を備えることにより、増幅器の省略にも拘ら
ず、大きなファンアウトは確保され得る。
び少ない構成素子という利点は、走行時間を長くし、素
子数の増加をもたらす公知技術における増幅器が省略さ
れたことにより得られるものである。共通のエミッタフ
ォロワ段を備えることにより、増幅器の省略にも拘ら
ず、大きなファンアウトは確保され得る。
第4図は従来の回路網において使用される増幅器を例示
する回路図、第5図および第6図は従来の互いに異なる
回路網構成を示すブロック図、第1図は本発明による回
路網構成を示すブロック図、第2図は公知の2ビット・
マルチプレクサの実施例を示す回路図、第3図は多数の
マルチプレクサを備えた本発明による回路装置の実施例
を示す回路図である。 S……送信器、E*……受信器、MZ……受信器グルー
プ、E……エミッタホロワセル。
する回路図、第5図および第6図は従来の互いに異なる
回路網構成を示すブロック図、第1図は本発明による回
路網構成を示すブロック図、第2図は公知の2ビット・
マルチプレクサの実施例を示す回路図、第3図は多数の
マルチプレクサを備えた本発明による回路装置の実施例
を示す回路図である。 S……送信器、E*……受信器、MZ……受信器グルー
プ、E……エミッタホロワセル。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−219014(JP,A) 特開 昭59−208940(JP,A) 澤地良史監修 小山一平,窪田清共著 「IC回路ハンドブック〜論理回路の設計 から実装まで〜」昭49−11−8,ラティス P.68−71
Claims (1)
- 【請求項1】1つの送信器と、2段または3段に直列結
合された差動増幅器を有する多数の受信器である2ビッ
トマルチプレクサと、前記それぞれの直列結合の第2ま
たは第3の段の差動増幅器を制御する入力回路とを備
え、その際該2ビット・マルチプレクサの選択アドレス
を供給するためのアドレス入力が受信器入力を形成して
おり、受信器の総数nが送信器の負担能力を上回ってい
て、受信器の総数nがそれぞれn2個の受信器を有するグ
ループに分割されているような、データを処理する電流
モード論理回路技術における回路網において、それぞれ
n2個の受信器(E*)を有するそれぞれのグループの受
信器の入力回路は、2段のエミッタホロワセル(EF;T
6、T7)を有する1つの共通の入力回路に統合され、そ
の該際2段のエミッタホロワセル(EF;T6、T7)の第2
の段(T7)のエミッタ電流(I2)は、グループに属する
それぞれの受信器(E*)のエミッタ電流(I3)の大き
さを少なくとも有し、グループに属するそれぞれの受信
器(E*)の直列結合の第2ないし第3の段の参照電位
(VR3)は、前記2段のエミッタホロワセル(EF)の信
号レベルシフトに適合されていることを特徴とするデー
タを処理するための回路網。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3534221.8 | 1985-09-25 | ||
| DE3534221 | 1985-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273815A JPS6273815A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH07118643B2 true JPH07118643B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=6281919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221742A Expired - Lifetime JPH07118643B2 (ja) | 1985-09-25 | 1986-09-19 | データを処理するための回路網 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH07118643B2 (ja) |
| AT (1) | ATE62774T1 (ja) |
| DE (1) | DE3678783D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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-
1986
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- 1986-09-15 DE DE8686112709T patent/DE3678783D1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1986-09-18 US US06/908,771 patent/US4780629A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-19 JP JP61221742A patent/JPH07118643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 澤地良史監修小山一平,窪田清共著「IC回路ハンドブック〜論理回路の設計から実装まで〜」昭49−11−8,ラティスP.68−71 |
Also Published As
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|---|---|
| EP0218121B1 (de) | 1991-04-17 |
| JPS6273815A (ja) | 1987-04-04 |
| ATE62774T1 (de) | 1991-05-15 |
| DE3678783D1 (de) | 1991-05-23 |
| US4780629A (en) | 1988-10-25 |
| EP0218121A1 (de) | 1987-04-15 |
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