JPH07120237A - 画像認識装置 - Google Patents

画像認識装置

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JPH07120237A
JPH07120237A JP5264454A JP26445493A JPH07120237A JP H07120237 A JPH07120237 A JP H07120237A JP 5264454 A JP5264454 A JP 5264454A JP 26445493 A JP26445493 A JP 26445493A JP H07120237 A JPH07120237 A JP H07120237A
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JP5264454A
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Motoharu Honda
素春 本多
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Nichiden Machinery Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0608Height gauges

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板15上に配設された多数の被検出物体1
6が迅速に高さ判別できる画像認識装置を得る。 【構成】 被検出物体16が多数突設された基板15上
をテレビカメラ4で撮像して得られた映像信号とメモリ
7に記憶された標準パターン信号とを比較して被検出物
体16を検出する画像認識装置において、前記基板15
に対して斜め方向に傾斜する互いに平行な2条のスリッ
ト光L1,L2を照射し、基板15上に形成された輝線
M1,M2の被検出物体16の遮光により生じた輝線の
欠落14の有無を識別し、被検出物体16の高さが所定
範囲内か否かを判別する.

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は画像認識装置、特に、
基板上に突設された被検出物体、例えば半導体ウエーハ
等におけるバンプ電極等をテレビカメラで検出し、その
高さが所定範囲内か否かを判別する画像認識装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】この種画像認識装置は、例えば図5に示
すように、被検出物体1を搭載した基板2を光源3で照
明し、照明された基板2の表面画像をテレビカメラ4で
撮像し、撮像した映像信号を増幅部5で増幅し、この増
幅された映像信号を、比較部6でメモリ7に記憶した標
準パターン信号と比較して、基板2上に搭載された被検
出物体1の配置や形状を画像パターンで検出するもので
あり、基板2上の画像パターンが表示部8で拡大して視
認でき、各種の自動組立装置や検査装置として使用され
ている。
【0003】ところで、上記画像認識装置は被検出物体
1が、例えば上記基板2をプリント基板9とし、このプ
リント基板9の導電パターン10上にマウントされたチ
ップ部品11である場合、チップ部品11と導電パター
ン10とのコントラストの差がないと、テレビカメラ4
の映像信号をメモリ7に記憶した標準パターン信号と比
較部6で比較するとき、明確な閾値を保って判別するこ
とができず、誤認識することがあった。また、上記画像
認識装置はテレビカメラ4で基板2の表面画像を上方よ
り撮像する手法であるため、被検出物体1の高さ寸法ま
では検出し難いものであり、特に、被検出物体1が半導
体ウエーハにおけるバンプ電極等のように小さい突起物
の場合には、その高さ寸法は検出し得ないものであっ
た。
【0004】このため、図6に示すように、光源3の前
方に1条のスリット12を形成した遮光板13を配置さ
せ、プリント基板9上に斜め方向にスリット光Lを照射
して、チップ部品11上面とプリント基板9上面に投射
されたスリット光Lの輝線Mの断続を識別してチップ部
品11を検出するようにした画像認識装置が提案されて
いる(特開昭63−37479)。
【0005】この装置によれば、テレビカメラ4によっ
て捕らえられた画像の輝線Mが、図7に示すように、プ
リント基板9、チップ部品11の隣接部で不連続とな
り、画像の識別が明確になる。更に、スリット光Lがプ
リント基板9に対して、図8に示すように、角α傾斜し
て照射されるため、チップ部品11上の輝線位置Maが
プリント基板9上の輝線位置Mbに対してd=h・ta
nα(但しhはチップ部品11の高さ)だけ光源側にず
れる。従って、輝線の不連続長さdを測定することによ
りチップ部品11の高さを求めることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに基板上に突設された被検出物体に、基板に斜め方向
にスリット光を投射して、輝線位置のずれ量を検出する
ものは、被検出物体が輝線位置のずれ量で検出されるた
め、基板上における被検出物体の画像パターンのコント
ラストの問題や被検出物体の高さ寸法の検出問題は解決
されるものの、半導体ウエーハ等におけるバンプ電極の
ように、基板上に多数の小突起物を配設させ、該小突起
物の高さが所定範囲内か否かを判別する場合には、高さ
変動範囲に対応する2次元エリア内を輝線サーチし、且
つ輝線位置のずれ量の演算算出おいても時間がかかり、
判別時間を要するものであった。
【0007】従って、本発明は上記画像認識装置におけ
る被検出物体の高さ判別における問題点に鑑みなされた
ものであり、半導体ウエーハ等におけるバンプ電極のよ
うに、基板上に配設された多数の小突起物が迅速に高さ
判別できる画像認識装置を提供することを目的としてい
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の画像
認識装置は被検出物体が突設された基板上をテレビカメ
ラで撮像して得られた映像信号とメモリに記憶された標
準パターン信号とを比較して基板上に突設された被検出
物体を検出する画像認識装置において、前記基板に対し
て斜め方向に傾斜する互いに平行な2条のスリット光を
照射し、基板上に形成された輝線の被検出物体の遮光に
より生じた前記輝線の欠落の有無を識別し、被検出物体
の高さが所定範囲内か否かを判別することを特徴として
いる。
【0009】また、本発明の画像認識装置は前記テレビ
カメラの前面側にシリンドリカルレンズを配設し、基板
上に形成された輝線の幅方向の画像を拡大させることを
特徴としている。
【0010】また、本発明の画像認識装置は前記基板に
スリット光を照射し基板上の輝線を撮像する光学系部側
又は/及び被検出物体支持部側に上下方向の駆動機構を
配設し、両者を相対的に移動させることを特徴としてい
る。
【0011】また、本発明の画像認識装置は前記駆動機
構は被検出物体支持部を光学系部に対して90°回転さ
せる回転機構を具備したことを特徴としている。
【0012】また、本発明の画像認識装置は前記2条の
スリット光は基板に対して60度の投射角度に設定され
たことを特徴としている。
【0013】
【作用】基板に対して斜め方向に投射される互いに平行
な2条のスリット光は被検出物体の判別高さの上下限値
に合わせてその投射角度およびスリット光の間隔が設定
され、図9に示すように、基板2上に突設された各被検
出物体1に対して、その判別高さの上下限値の位置に対
応した上限光L1と下限光L2として被検出物体1に向
けて投射される。
【0014】従って、高さh1が良品範囲内の被検出物
体1aは、図10(a)に示すように、上限光L1の基
板2上の輝線M1は欠けないが、下限光L2の輝線M2
は被検出物体1aに遮光されて欠落する。また、良品範
囲より高い高さh2か、低い高さh3の被検出物体1b
か1cは、それぞれ図10(b),(c)に示すよう
に、上限光L1および下限光L2の基板2上の輝線M1
およびM2は両者共に欠落するか、両者共欠けない。従
って、基板2上の輝線M1、輝線M2の欠落14の有無
を検出することで、被検出物体1の高さが所定範囲内か
否かが判別できる。
【0015】上記輝線M1およびM2の輝線の欠落14
有無の検出位置は被検出物体と光学系の相対位置で決定
され、基板2上の極限られた狭い範囲内に設定される。
従って、基板2上の被検出物体1の配置位置を予めメモ
リに記録して設定することで、上記検出位置が自動的に
設定され、判別作業が自動化でき、かつ検出範囲が狭く
輝線の有無判断のみであるため判別速度が早くなる。
【0016】また、シリンドリカルレンズで基板上に照
射されたスリット光の輝線画像を幅方向に拡大させるこ
とで、画像の幅方向の分解能が高められる。従って、ス
リット光の幅により検査精度が左右される本発明の特長
において幅狭のスリット光が使用でき、半導体ウエーハ
等におけるバンプ電極等のように背丈の小さい小突起物
の被検出物体の高さが精度よく検出できる。
【0017】また、光学系側又は及び被検出物体側に上
下方向の駆動機構を配設し、両者を相対的に移動させる
構成にしたから、半導体ウエーハ等におけるバンプ電極
等のように、基板が上下に反る被検出物体の場合でも、
高さ補正が容易にできる。また、被検出物体側を光学系
側に対して90°回転させる構成により、半導体ウエー
ハ等におけるバンプ電極等のように基板周縁上に被検出
物体を多数個整列して配置した被検出物体の判別作業が
効率的にできる。
【0018】また、スリット光は基板に対して60度の
投射角度に設定することで、半導体ウエーハ等における
バンプ電極等において、バンプ電極の位置ずれ時の高さ
検出精度が45度の投射角度に設定したものに対して向
上する。
【0019】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳
述する。
【0020】図1は本発明の1実施例で、基板上に突設
された被検出物体をテレビカメラで検出し、その高さが
所定範囲内か否かを判別する画像認識装置であり、被判
別物体として、半導体基板15上に多数個のバンプ電極
16を形成したバンプ電極型半導体ペレット17を適用
したものである。
【0021】上記半導体ペレット17は、不図示の半導
体ウエーハから縦横の四角片にスライスしたもので、図
2乃至図3に示すように、半導体基板15の表面周縁上
に半球状のバンプ電極16を多数個整列して形成してい
る。バンプ電極16はペレット17の組立時、不図示の
TABリードやプリント基板の印刷リードと重合して接
続される。それ故、バンプ電極型半導体ペレット17は
上記TABリードやプリント基板の印刷リードとの接続
不良を防止するため、バンプ電極16の基板表面からの
高さ寸法hが所定範囲内に入るように選別している。
【0022】この画像認識装置は被判別物体の半導体ペ
レット17を載置支持する被検出物体支持部18と、被
判別物体上にスリット光を投射すると共に被判別物体上
の前記スリット光の輝線画像を撮像する光学系部19
と、撮像された映像信号をメモリ7に記憶した標準パタ
ーン信号を比較して画像処理する画像処理部20から構
成されており、画像処理自体は前記図6の画像認識装置
と同一であり、同じ構成物は同一参照符号を付し、その
説明を省略する。
【0023】図6の画像認識装置と相違する点は以下の
とうりである。
【0024】まず、光学系部19はスリット光を投射す
るための光源3やスリット光の輝線画像を撮像するテレ
ビカメラ4を含み、これらは図示しないヘッド機構に一
体に組込まれ、被検出物体支持部18と対峙して相対的
に位置調整可能に配設されている。
【0025】光源3の前面には2条の平行なスリット2
1、22を形成した遮光板23が配設され、半導体ペレ
ット17上に所定角θ、例えば45度傾斜した、互いに
平行なスリット光L1、L2が投射される。スリット2
1、22の間隔はスリット光L1、L2の傾斜角が45
度の場合、半導体ペレット17のバンプ電極16の判別
高さの上下限値の差を例えば40μmとすると、40μ
m/√2に設定され、2条のスリット光L1,L2は、
図9と同様に、それぞれ半導体ペレット17のバンプ電
極16の判別高さの上下限値に位置する上限光L1と下
限光L2として投射される。従って、半導体基板15上
には、図10と同様に、バンプ電極16の判別範囲の高
さに応じて欠落するスリット光L1,L2の輝線M1お
よびM2が形成される。
【0026】テレビカメラ4はスリット光L1,L2が
照射される半導体基板15の正反射方向に配設されてお
り、その前面側に集光用の対物レンズ24と一方向のみ
拡大するシリンドリカルレンズ25が配設され、半導体
基板15上に形成されたスリット光L1,L2の輝線M
1,M2画像を幅方向のみ倍率を上げて撮像する。従っ
て、画像処理部20にはシリンドリカルレンズ25によ
り幅方向に拡大された輝線M1,M2画像の映像信号が
送出され、画像の分解能が高められる。従って、幅狭の
スリット光が使用でき、背丈の小さい被検出物体のバン
プ電極16も充分精度よく検出できる。
【0027】画像処理部20は前記図6の画像認識装置
と同様の構成であり、テレビカメラ4の映像信号を増幅
する増幅部5、増幅された映像信号をメモリ7に記憶し
た標準パターン信号と比較する比較部6、および上記映
像信号を表示する表示部8などから構成されている。
【0028】被検出物体支持部18は半導体ペレット1
7を載置支持するステージ26、このステージ26を光
学系部19に対してX,Y,Z,θ方向に移動する駆動
部27及び駆動部27を駆動するモータコントロール部
28から構成される。
【0029】従って、ステージ26をZ方向に移動調整
することにより光学系部19に対する相対距離を容易に
設定できる。また、設定されたステージ26をX,Y,
θ方向に駆動することで、ステージ26上に載置された
半導体ペレット17の各バンプ電極16を所定位置に移
動することができる。
【0030】また、バンプ電極16を、図示しないが、
半導体ウエーハ状態で測定する場合、半導体基板15に
反りが生じることがあるが、この場合、光学系部19に
対してズレを生じ、高さ判別に誤差が出る。しかし、半
導体基板15上の指定ポイント(例えば5点)の高さ計
測によりウエーハ反りの分布地図を作成しそのデータに
よりステージ26をZ方向に移動調整することで半導体
基板15の反り補正ができる。高さ計測としては本光学
系による従来の光切断法、レーザ変位計、接触型変位
計、非接触型変位計等で計測することができる。また、
光学系19をZ方向に移動調整してもよい。
【0031】図4は本発明の他の実施例であり、上記実
施例における被検出物体支持部18のステージ26の駆
動部に回転機構ψ29を設け、光学系部19に対して9
0°回転させる駆動部30としたものである。
【0032】かかる構成において、被判別物体の半導体
ペレット17をステージ26で光学系部19に対して9
0°回転させることが出来、例えば、図2の半導体ペレ
ット17を、まず矢示するa,b列のバンプ電極16を
選別した後、これを90°回転させ、次いで矢示する
c,d列のバンプ電極16を選別する操作により、半導
体ウエーハ等におけるバンプ電極等のように基板周縁上
に被検出物体を多数個整列して配置した被検出物体の判
別作業を4回の検査で行え効率的に行うことができる。
【0033】また、図11は被検出物体1に投射するス
リット光の投射角度αを45度から60度に拡大した場
合の作動特性を示すものであり、被検出物体1の高さ判
別範囲の下限値hに対応する両下限光L2,L2′に対
して、今被検出物体1が実線図示した正規の位置から、
光源側に距離aだけ位置ずれした場合、投射角度αを4
5度に設定したものは下限値hがaだけ大きくなるのに
対して、投射角度αを60度に設定すると1/√3倍と
小さく押さえることができる。従って、スリット光は基
板に対して60度の投射角度に設定することで、半導体
ウエーハ等におけるバンプ電極等において、バンプ電極
の位置ずれ時の高さ検出精度が45度の投射角度に設定
したものに対して向上する。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明は基板に対して斜
め方向に傾斜した2条のスリット光を照射し、基板上の
輝線の欠落の有無を識別し、輝線位置のずれ量などを検
出しない構成としたから、被検出物体の高さ判別が迅速
にできる。また、シリンドリカルレンズにより輝線の横
方向の画像を拡大するから、半導体ウエーハ等における
バンプ電極等のように小形の被検出物体も感度よく選別
できる。また、光学系部又は/及び被検出物体支持部に
上下方向および90°回転駆動機構を配設して、両者を
相対的に移動させる構成としたから、光学系に対する被
検出物体の配置設定や被検出物体の配置方向の変更が容
易になり、半導体ウエーハ等の基板の反り補正や選別作
業性の良い画像認識装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例で画像認識装置の構成を示す
概略図
【図2】図1の被検出物体で、バンプ電極形半導体ペレ
ットの正面図
【図3】図2のA−A線から見た断面図
【図4】本発明の他の実施例で、画像認識装置の要部構
成を示す概略図
【図5】従来の画像認識装置の構成を示す概略図
【図6】他の従来の画像認識装置の構成を示す概略図
【図7】図6の画像認識装置の作動原理を説明する概略
【図8】同じく図6の画像認識装置の作動原理を説明す
る概略図
【図9】図1の画像認識装置の作動原理を説明する概略
【図10】同じく図1の画像認識装置の作動原理を説明
する概略図
【図11】同じく図1の画像認識装置の作動特性を説明
する概略図
【符号の説明】
1 被検出物体(16 バンプ電極) 2 基板(15 半導体基板) 4 テレビカメラ 7 メモリ 14 輝線の欠落 18 被検出物体支持部 19 光学系部 20 画像処理部 25 シリンドリカルレンズ 29 回転機構
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G06F 15/64 D

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2条の平行スリット光を光源より基板に
    対して斜め方向に照射し、この基板上に突設する被検出
    物体により生じた輝線の遮光の有無を、カメラで撮像し
    た映像信号とメモリに記憶したパターン信号とを比較す
    る画像処理部で識別し、前記被検出物体の高さを判別す
    る画像認識装置。
  2. 【請求項2】 前記テレビカメラの前面側にシリンドリ
    カルレンズを配設し、基板上に形成された輝線の幅方向
    の画像を拡大させることを特徴とする請求項1記載の画
    像認識装置。
  3. 【請求項3】 被検出物体が突設する基板を載置するス
    テージを有する被検出物体支持部と、2条の平行スリッ
    ト光をこの基板に対して斜め方向に照射する光源および
    この基板上を撮像するカメラを有する光学系部と、前記
    カメラで撮像した映像信号とメモリに記憶された標準パ
    ターン信号とを比較する画像処理部とからなる画像認識
    装置であって、前記光学系部および前記ステージのいず
    れかに駆動機構を配設し、両者を相対的移動させること
    を特徴とした前記基板上に突設する被検出物体により生
    じた輝線の遮光の有無を前記画像処理部で識別し、前記
    被検出物体の高さを判別する画像認識装置。
  4. 【請求項4】 前記駆動機構はステージを光学系部に対
    して90°回転させる回転機構を具備したことを特徴と
    する請求項3記載の画像認識装置。
JP5264454A 1993-10-22 1993-10-22 画像認識装置 Withdrawn JPH07120237A (ja)

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KR1019940027094A KR0163780B1 (ko) 1993-10-22 1994-10-22 높이를 식별하는 화상 인식 장치와 화상 인식 장치를 사용하여 높이를 식별하는 방법

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999409A (en) * 1997-01-28 1999-12-07 Hitachi, Ltd. Contactless IC card
JP2007205965A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置に用いる高さ検出装置及び高さ検出方法
JP2008128729A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Aisin Seiki Co Ltd 形状測定装置
JP2011215013A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Nagoya Electric Works Co Ltd 基板外観検査装置および基板外観検査方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3335826B2 (ja) * 1995-12-05 2002-10-21 株式会社日立製作所 はんだバンプの測定装置
US6046812A (en) * 1997-05-29 2000-04-04 Korea Atomic Energy Research Institute Shape-measuring laser apparatus using anisotropic magnification optics
JP3272998B2 (ja) * 1997-09-30 2002-04-08 イビデン株式会社 バンプ高さ良否判定装置
US6028673A (en) * 1998-03-31 2000-02-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Inspection of solder bumps of bump-attached circuit board
WO2003060424A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Mv Research Limited A machine vision system
CN100585615C (zh) * 2004-07-29 2010-01-27 新加坡科技研究局 检测系统
US20170102288A1 (en) * 2015-10-13 2017-04-13 Fluke Corporation Three-dimensional inspection of optical communication links
US12078470B2 (en) * 2019-09-26 2024-09-03 Fuji Corporation Height measurement device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4573073A (en) * 1983-06-02 1986-02-25 General Electric Company Integrated lighting and camera system
JPS60200103A (ja) * 1984-03-26 1985-10-09 Hitachi Ltd 光切断線抽出回路
US4653104A (en) * 1984-09-24 1987-03-24 Westinghouse Electric Corp. Optical three-dimensional digital data acquisition system
US4696047A (en) * 1985-02-28 1987-09-22 Texas Instruments Incorporated Apparatus for automatically inspecting electrical connecting pins
JPS6337479A (ja) * 1986-07-31 1988-02-18 Nec Kansai Ltd パタ−ン認識装置
US5280542A (en) * 1989-12-28 1994-01-18 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho XYZ coordinates measuring system
US5243665A (en) * 1990-03-07 1993-09-07 Fmc Corporation Component surface distortion evaluation apparatus and method
US5243405A (en) * 1991-01-07 1993-09-07 Tichenor Clyde L Optical system for surface verification

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999409A (en) * 1997-01-28 1999-12-07 Hitachi, Ltd. Contactless IC card
US6373708B1 (en) 1997-01-28 2002-04-16 Hitachi, Ltd. Contactless IC card
JP2007205965A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置に用いる高さ検出装置及び高さ検出方法
JP2008128729A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Aisin Seiki Co Ltd 形状測定装置
JP2011215013A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Nagoya Electric Works Co Ltd 基板外観検査装置および基板外観検査方法

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