JPH0712110B2 - 印刷回路板の製造方法 - Google Patents

印刷回路板の製造方法

Info

Publication number
JPH0712110B2
JPH0712110B2 JP887587A JP887587A JPH0712110B2 JP H0712110 B2 JPH0712110 B2 JP H0712110B2 JP 887587 A JP887587 A JP 887587A JP 887587 A JP887587 A JP 887587A JP H0712110 B2 JPH0712110 B2 JP H0712110B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
polymer film
imide
polymer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP887587A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62171187A (ja
Inventor
ウルフギャング・ジャスタス・チョイケ
スーザン・ウッド
ルチアノ・カーロ・スカラ
メルビン・ポール・ザスマン
レスリー・アーサー・ドッグレル
ジャネット・サティラ・ローア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Westinghouse Electric Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of JPS62171187A publication Critical patent/JPS62171187A/ja
Publication of JPH0712110B2 publication Critical patent/JPH0712110B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
    • H05K2203/135—Electrophoretic deposition of insulating material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、印刷回路板の製造方法に関する。
［従来技術及びその問題点］ エレクトロニクス工業の分野の最近の動きをみると、装
置の小型化及び動作速度の向上をはかるために回路板上
の回路密度を更に高める方向にある。回路板の単位面積
当たりの素子数が増えると、重要な素子の温度が動作特
性の低下が始まる値にまで上昇する惧れがある。この問
題は、一つには、回路板の熱伝導率が低く、素子から熱
が流れ出ない性質による。この問題は、回路板を素子か
ら電気絶縁されたアルミニウムや軟鉄のシート又はコア
上に取りつけることにより、解決しようと試みられたこ
とがある。現在のところは、種々の方法、即ちスプレー
法、浸漬塗布、及び流動床法等の方法で塗布された各種
のエポキシ樹脂によって絶縁を施すことが多い。従来技
術の写真平板法によってエポキシ被膜の上部に導電性の
パターンを付着させる。しかしながら、この型の回路板
は、反復熱サイクルが加わると絶縁被膜にクラックが生
じる欠点、孔部のエッジ部の被覆が充分でない欠点、及
び耐熱性が劣るといったような多くの欠点を持つ。電気
泳動法により付着させたポリイミド法及びポリアミド−
イミド類は良好な熱特性及び良好な孔部エッジ被覆特性
を持ち、上記のエポキシ樹脂類の持つ欠点の幾つかを克
服する材料ではあるが、現在までのところ、イミド含有
被膜に導電性の銅製通電部を良好な状態で接着させる技
術が未開発である。
［本発明の解決課題及び解決手段］ 従って、本発明によれば、イミド含有ポリマ、ポリスル
ホン、ポリフェニレンスルフィド又はポリフェニレノキ
シド等の高分子フィルムの一部分を50KeV乃至2MeVのエ
ネルギーを持つイオンビームで1015乃至1018イオン/cm2
のフルエンスで照射し、高分子フィルムをウェット・ブ
ラスティングにより粗面化し、イオンビームに照射され
た高分子フィルム部分に金属を無電メッキすることを特
徴とする印刷回路板の製造方法が提供される。
［本発明の作用効果］ 高分子フィルム上に金属の回路パターンを良好に接着さ
せる方法が見い出された。特定のエネルギー及びフルエ
ンス（fluence;流量又はイオン照射量）を持つイオンビ
ームを高分子フィルムに照射することにより、上記の作
用効果が得られる。次に、粗面化技術により表面処理を
する。本発明者らの得た知見によれば、ウェット・ブラ
スティング（wetblasting;湿潤状態における吹付けによ
る粗面化を意味する）により、表面が粗面化され導電性
金属回路パターンを付着可能な状態になる。イオンビー
ムが照射された高分子表面部分に金属を無電メッキする
が、この際イオンビームが照射されなかった部分には金
属を被覆しない。
上記の幾つかの知見により、極めて接着性が高い状態で
銅から成る導電性パターンをポリイミド上に形成させる
ことができたが、本発明による処理手順を経ない場合に
は銅が良好な状態でポリイミド類に接着することはな
い。かくして、本発明らは、他の方法では不可能であっ
たポリイミド絶縁層を持つ金属コア印刷回路板を製造す
ることができた。本発明の処理手順は、表面が平面であ
ることを要しないので、平面状でない印刷回路板を製造
することもできる。即ち、たとえば電話の受話機内部に
おけるように特定の形状にも合致させることができるよ
うに基材を湾曲させておいてもよい。最後になったが、
本発明の方法は、板の両面に適用することもでき、多層
板の各層に次々に適用することもできる。
［実施例］ 以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明
する。
勿論、本発明は、以下の実施例のみに限定されるもので
はない。
第１図において、導電性基材１には高分子２が被覆さ
れ、高分子２は回路パターン状にイオン打ち込みが行わ
れた部分３を持つ。第２図に示すように高分子はウェッ
ト・ブラスト法（wet blasting）により粗面化され、第
３図に示すように高分子のイオン打ち込み部分の上には
銅４の層が無電メッキされる。
好ましくは、所望寸法及び厚さの導電性基材を用いる。
基材は、グラファイト等の非金属材料でもよく、アルミ
ニウム、鋼及びニッケル・メッキ銅等の金属材料から成
るものでよい。アルミニウムはイミド系高分子との接着
性が良好であるから、アルミニウム基材が好ましい。或
るいは高分子を自立型フィルム（free-standing film）
として処理すれば導電性基材上に被覆せずともよい。
好ましくは、高分子フィルムは、ポリイミド、ポリアミ
ド−イミド又はポリエステル−アミド・イミド等のイミ
ド含有ポリマーである。ポリスルホン、ポリフェニレン
スルフィド又はポリフェニレノキシドから成るフィルム
を用いてもよい。基材をポリマーの溶液中に浸漬した後
溶剤を蒸発させる方法等の種々の方法で基材上にフィル
ムを形成又は付着することができる。しかしながら、貫
通孔部がより良好な状態で被われ、より均一でピンホー
ルのない皮膜が形成されるから電気泳動による付着が好
ましい被覆方法である。スピニング（spining;へらを用
いる一種の圧延法）による基材上でのフィルム形成法で
得られるフィルムは充分に均一でなく、イオンビームに
よる損傷に耐える厚さのものは得られないので、スピニ
ング法は満足すべき方法とは考えられない。フィルムは
少なくとも0.5ミルの厚さを持つものでなければならな
ず、0.5ミル以下ではイオンビームによりフィルムが炭
化してしまう。厚さ５ミル以上のフィルムは電気泳動法
によって付着させることが困難でもあり、下層の基材と
同様に熱の逃がさないため、フィルムの厚さは５ミル未
満が好ましい。電気泳動法によりポリイミド類を付着さ
せる方法は当業界では周知であり、米国特許第4,003,81
2号、4,019,877号及び3,676,383号明細書に記載されて
いる。ポリイミド被覆基材も市販されている。
本発明方法の次の工程において、高分子フィルムに所定
パターンでイオンビームが照射される。たとえば銅等の
イオン不透過性物質で作ったのマスクを、イオンビーム
照射前に、高分子フィルム上に載せて所望パターンでの
照射を行うことができる。別法としては、マスクの代わ
りに細かく焦点を合わせたイオンビームを高分子フィル
ムの所望部分のみに照射することもできる。イオンビー
ム技術は当業界で周知であり、。とえば、Ar+,Br+,C
u++,Ne+,Xe+,Kr+その他の適当なイオン類のビームを真
空中で用いる。適当なエネルギーを持つAr+が好ましい
イオンと言える。イオンビームが面に直角である必要は
ないので、湾曲した又は他の非線形フィルムを使用でき
る。イオンビームのエネルギーが低いと照射時間が長く
なり過ぎ、ビームの侵入深さが浅くなるので、イオンビ
ームのエネルギーは50KeV乃至2MeVの範囲でなければな
らない。これより高エネルギーで打ち込むには、ビーム
電流を減らすことが必要になり、打ち込み時間が長くな
り、従って、何らの利益もない。イオンビームのフルエ
ンスは1015乃至1018イオン/cm2でなければならない。何
故なら、フルエンスがこれより小さいと、重合体表面を
充分に変性できず、上記範囲よりも大きいと重合体に品
質劣化を来たす。
本発明方法の次の工程は、重合体表面の粗面化である。
化学エッチング、スパッタリング及びラップ研磨による
表面の粗面化を行った場合には、重合体フィルム上の金
属の無電メッキはうまくゆかないので、これらの方法は
適当でない。しかしながら、ウェット・ブラスト法（we
t blasting）と呼ばれる方法によれば優れたメッキ及び
接着が得られる。ウェット・ブラスト法では、水等の液
体中に分散させた細かい砂粒子を高速度で表面に吹きつ
ける。代表的な砂粒子の大きさは50乃至5000メッシュで
ある。水蒸気を用いたブラスト法の場合の吹出流への適
当な露出時間は５秒乃至１分間であり、これより短時間
では表面の充分な粗面化が得られず、上記範囲よりも長
時間処理すると表面が損傷される結果となる。
本発明方法の次の工程においては、重合体フィルムを無
電メッキする。無電メッキを表面をイオンビームで照射
後１週間以内に行うか、或るいはイオンビームで照射さ
れた部分だけでなく全面にメッキを施す。無電メッキも
当業界で周知の方法であり、市販の材料及び普通の手順
を用いて行えばよい。無電メッキによりメッキできる金
属であれば何を用いてもよく、銅、ニッケル、及び金等
の金属を高分子フィルムにメッキして導電性パターンを
形成する。銅は極めてはんだ付けの容易な金属であるの
で、好ましい。代表的な無電メッキでは、基材を増感剤
に浸漬し、次いで洗滌し、触媒溶液に浸漬する。洗滌
後、基材を被膜溶液に浸漬すると、被膜溶液から金属が
重合体フィルムにメッキされる。上記の各処理溶液は、
提供会社にとって財産的価値を有するものであると考え
られていることが多く、浸漬時間及び温度は溶液の販売
会社から指示される。
本発明方法の最終工程は任意に追加できる工程であり、
付着物の厚みを増すために無電メッキされた金属の上部
に更に金属を追加して無電メッキできる。無電メッキに
よって形成された付着層の厚さ並びに回路板で要求され
う導電率によって、この最終工程が必要になる場合もあ
り、必要としない場合もある。
本発明方法を用いて、導電性基材の両面に重合体被膜を
被覆し、処理することができる。更に、基材の片面上の
回路パターンが完成した後、完成した第一被膜上に複数
の絶縁層及び複数の回路パターンを形成することもでき
る。
以下に実施例を挙げて、本発明の説明を続ける。
実施例１ デュポン社（Dupont）から商品番号“RC-5019"で販売さ
れているポリイミド、又はアモコ社（Amoco）から商品
名“TORLON"で販売されているポリアミド−イミドを片
面上に厚さ約１ミル（25ミクロン）になるまで電気泳動
法により被覆した基材（2cm×2cm平方、アルミニウム）
を準備した。厚さ５ミルの銅シートから添付の図面に示
す木の形をした金属製マスクをつくった。2MeVバンデグ
ラフ（Van de Graff）加速器中で、上記マスクを介して
イオン打ち込みを行った。これらの試料は、それぞれ、
低温ポンプ・シールドにより油冷式試料保持器にクラン
プされ、試料の周辺部の圧力を約10-8Torrにした。各試
料に2MeVのAr+を打ち込み、フルエンスは５×1016/cm2
であった。イオンの推測照射領域（Rp）は約0.8ミクロ
ンであった。
打ち込み後、約30ボルトの電圧を印加しながら、精密オ
ーム計で、照射されたパターンの横方向及びパターンの
長さ方向の抵抗アーム（resistance arm）を計測した。
押込みインジウム接点を使用し、次いで標準の半導体処
理工程により、銀エポキシ（silver epoxy）を用いて、
各試料により永続的な電気接点及び導線を取り付けた。
光学顕微鏡検査及び走査型電子顕微鏡検査（SEM）によ
り、イオンを打ち込まれた材料の限定特性表示を行っ
た。SEMは、加速電圧6KV、傾き30度で行った。試料には
導電性表面被膜を施さなかった。
視認観察によれば、イオンを打ち込まれた領域は金属類
似の外観を持ち、重合体内部に含まれていた。即ち、単
なる炭化効果ではなく穏やかな摩擦によっては除去でき
なかった。ポリイミドによって形成したより単純なパタ
ーンの鮮明度は、これに使用したマスクの優れた鮮明度
の故に、ポリアミ−イミドで得られた木の形のパターン
の鮮明度よりも遥かに良好であった。打ち込みの一つの
領域中にはふくれがみられ、打ち込み面の残部を有する
この材料には全く微細構造特性が見られなかった。イオ
ン打ち込み領域中に帯電現象が全く見られないというこ
とは、この材料がもはや絶縁体ではないということを明
示しており、抵抗測定はこの観察結果を確認するもので
あった。ポリアミド−イミド材料の場合、木形構造を横
切る抵抗は約104オームであり、ポリイミドの場合、木
形構造を横切る抵抗は約3000オームであった。推定抵抗
率は10-2乃至10-3オーム/cmであった。打ち込みを行わ
なかった材料の抵抗率は測定しなかったが、木形構造と
同等の距離に対する値が1012乃至1014オーム/cmになる
と推定された。
実施例２ 15.2cm×7.6cm（６インチ×３インチ）のアルミニウム
パネルの一方面上に、デュポン社から商品番号“RC-501
9"で市販されているポリイミドを厚さ１ミルになるまで
電気泳動法で被覆した。被覆パネルの12.7cm×5.1cm
（５インチ×２インチ）の部分に、実施例１におけると
同様、フルエンス１×1017イオン/cm2の条件下で100KeV
Ar+イオンを打ち込んだ。パネルの幅6.4mmのへり部に
は打ち込みを行わなかった。
意図するニッケルの無電メッキに先立ち、イオン打ち込
みを行った被覆パネルの各部に種々の処理を施した。ク
ロム酸／弗酸を用いたエッチングでも、50％ NaOHを用
いたエッチングでも、エッチングはうまくいかなかっ
た。しかしながら、軽くウェット・ブラスティングを行
うと、表面の濡れ特性が改善され、ニッケルの付着が容
易になった。酸化アルミニウムの220メッシュ粒子を水
中に分散させたウェット・ブラスティング・スラリーを
用いて、表面を45秒で粗面化させた。
無電被覆工程では、リチャードソン・カンパニー（Rich
ardson Company）にとって財産的価値を有する薬品を使
用し、“ARP 28"酸浸漬液に室温で15秒間、“NICKLAD 2
61"増感剤中に32.2℃（90°Ｆ）で２分間、“NICKLAD 2
62"に48.9℃（120°Ｆ）で２分間、更に“NICKLAD 752"
無電ニッケルに65.6℃（150°Ｆ）で15分間浸漬した。
これに続く実験によれば、良好な被膜を得るためには、
上記の酸浸漬液を必要としないことがわかった。連続し
た均一なニッケル被膜は、蒸気を吹付けて粗面化しイオ
ンを打ち込んだ面上のみに形成された。照射されなかっ
た面又は上記吹付け粗面化を行わなかった面には、ニッ
ケル被膜はほとんど形成されなかったか或るいは全く形
成されなかった。ニッケル被覆・イオン打ち込み領域
は、ポリイミド面上に連続した金属通路が形成されたこ
とを確かに示す良好な導電率を示した。帯片の抵抗は約
１×10-2オーム/cmであった。
実施例３ 7.6cm×15.4cm（３インチ×６インチ）のアルミニウム
・パネルに、ピー・ディー・ジョージ社（P.D.George C
o.）から商品番号“No.981"で販売されているポリアミ
ド・イミドを厚さ25ミルになるまで塗布した。パネルを
小片に切断し、フルエンス１×1017イオン/cm2、エネル
ギー100KeVでアルゴンのイオン打ち込みを行った。220
メッシュのアルミナ粒子を含むスラリーを1.76kg/cm
2（25psi）の圧力で約１秒/cm2の条件でウェット・ブラ
スト法により粗面化を行った。色が黒から暗褐色に変わ
り、表面が濡れた時点で、処理を終了した。
イオン打ち込み後、数時間以内に銅の無電被覆を開始し
た。アライド・ケライト社（Alliede Kelite）から商品
番号“NICKLAD 261"で販売されている10％溶液（錫化合
物と思われる）中にパネルを25℃で２分間浸漬した。次
いで、脱イオン水で３分間洗滌した。次に、アライド・
ケライトから商品番号“NICKLAD 261"で販売されている
10％触媒溶液（パラジウムと思われる）中に44℃で２分
間パネルを浸漬し撹拌した後、脱イオン水で５分間洗滌
した。最後に、シップレイ・カンパニー（Shipley Comp
any）から販売されている特許製品である“Cuposit"銅
溶液であって、“328A"5部と、“328Q"5部と、“328C"1
部と、脱イオン水29部とから成る銅溶液中に室温で12分
間パネルを浸漬した。パネルの試験結果によれば、打ち
込みを行った領域のみに銅メッキが行われ、打ち込みを
行わなかった区域との境界ははっきりしていた。無電メ
ッキを行う前にパネルを数週間放置したこと以外は、上
記の実験を繰り返した。その結果、パネル全体に銅がメ
ッキされた。
種々の表面処理を行って、上記の実験を繰り返した。下
表に表面処理及び結果を示す。
【図面の簡単な説明】 第１図は、基材上のイオン打ち込み高分子被膜の斜視図
である。 第２図は、粗面化した後の第１図の基材の斜視図であ
る。 第３図は、無電メッキ後の第２図の基材の斜視図であ
る。 １……基材 ２……高分子 ３……イオン打ち込み部 ４……銅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルチアノ・カーロ・スカラ アメリカ合衆国、ペンシルベニア州、マリ スビル フォウンウェイ・ドライブ 3359 (72)発明者 メルビン・ポール・ザスマン アメリカ合衆国、ペンシルベニア州、ピッ ツバーグ コリンズ・ロード 2379 (72)発明者 レスリー・アーサー・ドッグレル アメリカ合衆国、ペンシルベニア州、トラ ッフォード メドウブルック・ロード 354 (72)発明者 ジャネット・サティラ・ローア アメリカ合衆国、ペンシルベニア州、ピッ ツバーグ ビーコン・ヒル・ドライブ 7234

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】イミド含有ポリマ、ポリスルホン、ポリフ
    ェニレンスルフィド又はポリフェニレノキシド等の高分
    子フィルムの一部分を50KeV乃至2MeVのエネルギーを持
    つイオンビームで1015乃至1018イオン/cm2のフルエンス
    で照射し、高分子フィルムをウェット・ブラスティング
    により粗面化し、イオンビームに照射された高分子フィ
    ルム部分に金属を無電メッキすることを特徴とする印刷
    回路板の製造方法。
  2. 【請求項２】高分子フィルムが導電性基材上の被膜であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方
    法。
  3. 【請求項３】導電性基材がアルミニウムであることを特
    徴とする特許請求の範囲第２項に記載の方法。
  4. 【請求項４】高分子フィルムの厚さが少なくとも0.5ミ
    ルであることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２
    項又は第３項に記載の方法。
  5. 【請求項５】高分子フィルムが導電性基材上に無電メッ
    キされた被膜であることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項、第２項、第３項又は第４項に記載の方法。
  6. 【請求項６】高分子被膜上にマスクを置くことによって
    得られる回路パターンでイオンビームを高分子フィルム
    に照射することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
    第５項の何れかに記載の方法。
  7. 【請求項７】細い焦点に集められたイオンビームを用い
    ることによって得られる回路パターンで高分子フィルム
    にイオンビームを照射することを特徴とする特許請求の
    範囲第１項乃至第５項の何れかに記載の方法。
  8. 【請求項８】イオンビームとしてアルゴン・イオンを用
    いることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第７項
    に何れかに記載の方法。
  9. 【請求項９】イオンビーム照射後７日以内に高分子フィ
    ルムに無電メッキを施すことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項乃至第８項の何れかに記載の方法。
  10. 【請求項１０】５乃至60秒間ウェット・ブラスト法によ
    る粗面化を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項
    乃至第９項の何れかに記載の方法。
  11. 【請求項１１】照射後の高分子フィルムに銅を無電メッ
    キすることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第10
    項に記載の方法。
  12. 【請求項１２】無電メッキされた金属の上に金属を電着
    させることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第11
    項の何れかに記載の方法。
  13. 【請求項１３】イミド含有ポリマがポリイミド、ポリア
    ミド−イミド又はポリエステル−アミド・イミドである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第12項の何
    れかに記載の方法。
  14. 【請求項１４】導電性であり、イミド含有ポリマが被覆
    され一部分がイオンビームを照射されていることを特徴
    とする被膜被覆基材。
  15. 【請求項１５】イミド含有ポリマの被膜が導電性基材上
    に電気泳動法により付着されたものであることを特徴と
    する特許請求の範囲第14項に記載の基材。
  16. 【請求項１６】イオンビーム照射後にイミド含有ポリマ
    をウェット・ブラストにより粗面化することを特徴とす
    る特許請求の範囲第14項または第15項に記載の基材。
  17. 【請求項１７】イミド含有ポリマ被膜のイオン照射部分
    に無電メッキされた金属被膜があることを特徴とする特
    許請求の範囲第14項、第15項又は第16項に記載の基材。
JP887587A 1986-01-15 1987-01-16 印刷回路板の製造方法 Expired - Lifetime JPH0712110B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/818,949 US4711822A (en) 1986-01-15 1986-01-15 Metal core printed circuit boards
US818949 1986-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62171187A JPS62171187A (ja) 1987-07-28
JPH0712110B2 true JPH0712110B2 (ja) 1995-02-08

Family

ID=25226851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP887587A Expired - Lifetime JPH0712110B2 (ja) 1986-01-15 1987-01-16 印刷回路板の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4711822A (ja)
JP (1) JPH0712110B2 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5053272A (en) * 1989-01-13 1991-10-01 International Business Machines Corporation Optical storage device
EP0399161B1 (en) * 1989-04-17 1995-01-11 International Business Machines Corporation Multi-level circuit card structure
US5316803A (en) * 1992-12-10 1994-05-31 International Business Machines Corporation Method for forming electrical interconnections in laminated vias
USH1471H (en) * 1993-04-26 1995-08-01 Braun David J Metal substrate double sided circuit board
JPH0948864A (ja) * 1995-08-03 1997-02-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミドフィルムの接着性改善方法及び接着性を改善したポリイミドフィルム
JP2001234356A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Seiko Epson Corp 膜の製造方法及びこれにより得られる膜
DE10045041A1 (de) * 2000-09-12 2002-03-21 Advanced Micro Devices Inc Verbessertes Verfahren zur Probenpräparation für Elektronenmikroskopie
KR100391778B1 (ko) * 2001-01-05 2003-07-22 한국과학기술연구원 고분자 표면과 도금된 금속막의 접착력 향상방법
US7291380B2 (en) * 2004-07-09 2007-11-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laser enhanced plating for forming wiring patterns
KR100797719B1 (ko) 2006-05-10 2008-01-23 삼성전기주식회사 빌드업 인쇄회로기판의 제조공정
US20080026329A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Ashkan Vaziri Surface modification of polymer surface using ion beam irradiation
JP5756657B2 (ja) * 2011-03-05 2015-07-29 国立大学法人福井大学 金属メッキ材料の製造方法
WO2013018344A1 (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 三洋電機株式会社 素子搭載用基板およびその製造方法、ならびに半導体モジュールおよびその製造方法
US10537028B2 (en) * 2014-06-30 2020-01-14 3M Innovative Properties Company Metallic microstructures with reduced-visibility and methods for producing same
CN107710889B (zh) * 2015-05-06 2021-06-29 哈钦森技术股份有限公司 用于硬盘驱动器的挠曲部的等离子体处理
US10426043B2 (en) * 2016-08-19 2019-09-24 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc Method of thin film adhesion pretreatment

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5335163A (en) * 1976-09-14 1978-04-01 Hitachi Chemical Co Ltd Method of producing printed circuit board substrate having through hole from metallic material
US4293624A (en) * 1979-06-26 1981-10-06 The Perkin-Elmer Corporation Method for making a mask useful in X-ray lithography
EP0043480B1 (en) * 1980-06-25 1985-04-03 Hitachi, Ltd. Process for forming metallic images
JPS60214532A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタ−ン形成方法
US4601916A (en) * 1984-07-18 1986-07-22 Kollmorgen Technologies Corporation Process for bonding metals to electrophoretically deposited resin coatings

Also Published As

Publication number Publication date
US4711822A (en) 1987-12-08
JPS62171187A (ja) 1987-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0712110B2 (ja) 印刷回路板の製造方法
US5580668A (en) Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating
JPH028476B2 (ja)
US4718972A (en) Method of removing seed particles from circuit board substrate surface
EP0436282A2 (en) Area-selective metallization process
KR20120135354A (ko) 배선 기판 및 그 제조 방법
JPS6227393A (ja) セラミツク基材に銅膜を形成する方法
GB1560961A (en) Methods for preparing substrate surfaces for electroless deposition
CN105873352B (zh) 高频通信用基板及其制造方法
US5158657A (en) Circuit substrate and process for its production
EP0214628A2 (en) Process for the manufacture of substrates to interconnect electronic components and articles made by said process
JPH0766549A (ja) 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法
US4525247A (en) Microwave circuit boards and method of manufacture thereof
JP2000073170A (ja) 金属化されたサブストレ―ト材料の製造方法
JP3999834B2 (ja) 成形回路部品などのめっき部品の製法
CN109862689B (zh) 一种柔性覆铜板及其制备方法
JPH03173196A (ja) 無電解金属化用のラミネートおよびこれから作られたプリント回路および該ラミネートの製造法
JP2000178793A (ja) 金属ポリイミド基板の製造方法
EP0564693A1 (en) Film carrier type substrate and method of manufacturing the same
TWI916388B (zh) 鍍銅積層體及其製造方法、以及可撓性電路基板
JP7634946B2 (ja) 金属張積層板の製造方法
JPS63262476A (ja) パタ−ンの形成方法
JP7679182B2 (ja) 金属張積層板
JPH05287500A (ja) フィルムキャリア形基板の製造方法
EP1624471B1 (en) Method for making an electrode by ion beam implantation