JPH07121863A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JPH07121863A JPH07121863A JP5262088A JP26208893A JPH07121863A JP H07121863 A JPH07121863 A JP H07121863A JP 5262088 A JP5262088 A JP 5262088A JP 26208893 A JP26208893 A JP 26208893A JP H07121863 A JPH07121863 A JP H07121863A
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
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- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
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-
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性基板１上に、Ｃｒよりなる下地層２，
磁性層３ａ，Ｃｒよりなる非磁性中間層４，磁性層３
ｂ，保護膜５が順次積層されてなる。即ち、磁性層３が
２層に分かれ、その間に非磁性中間層４が介在してい
る。この非磁性中間層４はスパッタにより形成され、そ
の膜厚を、スパッタ速度とスパッタ時間の積によって計
算される膜厚にて０．２〜１．０ｎｍとする。なお、上
記磁性層３を３層以上に分け、その各層間にそれぞれ非
磁性中間層４を介在させた構成としてもよい。 【効果】 保磁力が向上するので、より高密度に信号を
記録することが可能となり、高記憶容量の磁気ディスク
装置への応用が可能となる。
磁性層３ａ，Ｃｒよりなる非磁性中間層４，磁性層３
ｂ，保護膜５が順次積層されてなる。即ち、磁性層３が
２層に分かれ、その間に非磁性中間層４が介在してい
る。この非磁性中間層４はスパッタにより形成され、そ
の膜厚を、スパッタ速度とスパッタ時間の積によって計
算される膜厚にて０．２〜１．０ｎｍとする。なお、上
記磁性層３を３層以上に分け、その各層間にそれぞれ非
磁性中間層４を介在させた構成としてもよい。 【効果】 保磁力が向上するので、より高密度に信号を
記録することが可能となり、高記憶容量の磁気ディスク
装置への応用が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクドライ
ブに対して用いられる面内記録用の磁気ディスク等、保
磁力の向上が図られた高密度記録用の磁気ディスクに関
する。
ブに対して用いられる面内記録用の磁気ディスク等、保
磁力の向上が図られた高密度記録用の磁気ディスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置等に用いら
れるハードディスクシステム等に搭載される磁気ディス
クにおいては、情報の高記録密度化に伴い、記録信号の
短波長化が図られている。また、高記録密度化に伴い、
再生信号の出力対雑音比（Ｓ／Ｎ）の向上が大きな課題
の一つとなっている。
れるハードディスクシステム等に搭載される磁気ディス
クにおいては、情報の高記録密度化に伴い、記録信号の
短波長化が図られている。また、高記録密度化に伴い、
再生信号の出力対雑音比（Ｓ／Ｎ）の向上が大きな課題
の一つとなっている。
【０００３】磁気ディスクにおいて上記Ｓ／Ｎの向上を
図るためには、再生出力の向上及び媒体雑音の低下が望
まれる。先ず、再生出力を向上させるには、特に記録信
号の波長が短い場合、媒体の保磁力を向上させることに
より、信号記録時に磁化遷移幅を低減させ、再生波形の
波形間干渉を低減させることが有効である。一方、媒体
雑音を低下させるには、磁性層中の磁性微粒子同士の交
換結合力を低下させることが有効であると言われてい
る。そして、この磁性微粒子同士の交換結合力を低下
は、媒体の保磁力角形比の低下として確認されることが
知られている。
図るためには、再生出力の向上及び媒体雑音の低下が望
まれる。先ず、再生出力を向上させるには、特に記録信
号の波長が短い場合、媒体の保磁力を向上させることに
より、信号記録時に磁化遷移幅を低減させ、再生波形の
波形間干渉を低減させることが有効である。一方、媒体
雑音を低下させるには、磁性層中の磁性微粒子同士の交
換結合力を低下させることが有効であると言われてい
る。そして、この磁性微粒子同士の交換結合力を低下
は、媒体の保磁力角形比の低下として確認されることが
知られている。
【０００４】近年、媒体保磁力の向上と磁性微粒子間の
交換相互作用の低減を同時に達成するための有効な方法
として、非磁性基板上に、Ｃｏ等を主体とする薄膜磁性
層をスパッタする際に、Ａｒ等の導入ガスの圧力を２〜
３Ｐａ程度にまで高め、スパッタされる磁性微粒子を微
結晶化させる方法や、磁性層中に非磁性中間層を設けて
磁性層を積層化する方法等が提案されている。
交換相互作用の低減を同時に達成するための有効な方法
として、非磁性基板上に、Ｃｏ等を主体とする薄膜磁性
層をスパッタする際に、Ａｒ等の導入ガスの圧力を２〜
３Ｐａ程度にまで高め、スパッタされる磁性微粒子を微
結晶化させる方法や、磁性層中に非磁性中間層を設けて
磁性層を積層化する方法等が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁性層を積層した媒体
としては、これまでＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ等よりなる磁性層中にＣｒ等の非
磁性中間層を設けたものが数多く報告されているが、十
分な保磁力が得られているとは言えなかった。
としては、これまでＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ等よりなる磁性層中にＣｒ等の非
磁性中間層を設けたものが数多く報告されているが、十
分な保磁力が得られているとは言えなかった。
【０００６】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、さらに高い保磁力を有する磁気ディ
スクを提供することを目的とする。
されたものであり、さらに高い保磁力を有する磁気ディ
スクを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものである。即ち、非磁性基
板上に下地層と磁性層が順次形成され、さらにその上に
非磁性中間層と磁性層とが交互に少なくとも１層ずつ以
上積層されてなる磁気ディスクにおいて、前記非磁性中
間層は、スパッタ速度とスパッタ時間との積によって計
算される膜厚が０．２〜１．０ｎｍなるものである。
達成するために提案されたものである。即ち、非磁性基
板上に下地層と磁性層が順次形成され、さらにその上に
非磁性中間層と磁性層とが交互に少なくとも１層ずつ以
上積層されてなる磁気ディスクにおいて、前記非磁性中
間層は、スパッタ速度とスパッタ時間との積によって計
算される膜厚が０．２〜１．０ｎｍなるものである。
【０００８】ここで、上記非磁性中間層の膜厚を、スパ
ッタ速度とスパッタ時間との積によって計算される数値
としたのは、非磁性中間層の形成時、この非磁性中間層
を構成する元素が磁性層中に拡散等を起こす場合がある
ため、磁性層と非磁性中間層との境界を明確に定義する
ことが困難な場合があること、非磁性中間層を構成する
原子の原子間距離等を考慮すると、このような薄い膜が
磁性層上に均一に形成されているとは考えにくいことに
よる。
ッタ速度とスパッタ時間との積によって計算される数値
としたのは、非磁性中間層の形成時、この非磁性中間層
を構成する元素が磁性層中に拡散等を起こす場合がある
ため、磁性層と非磁性中間層との境界を明確に定義する
ことが困難な場合があること、非磁性中間層を構成する
原子の原子間距離等を考慮すると、このような薄い膜が
磁性層上に均一に形成されているとは考えにくいことに
よる。
【０００９】なお、上記非磁性中間層の膜厚を１．０ｎ
ｍ未満とすることによって、１．０ｎｍ以上の膜厚のも
のより、保磁力を向上させることができる。但し、０．
２ｎｍ未満の膜厚とすると、かえって保磁力が低下して
しまう。
ｍ未満とすることによって、１．０ｎｍ以上の膜厚のも
のより、保磁力を向上させることができる。但し、０．
２ｎｍ未満の膜厚とすると、かえって保磁力が低下して
しまう。
【００１０】上記下地層と磁性層の上に積層される非磁
性中間層と磁性層は、それぞれ１層ずつであってよい
が、交互に繰り返し積層されてもよい。
性中間層と磁性層は、それぞれ１層ずつであってよい
が、交互に繰り返し積層されてもよい。
【００１１】例えば、前者の一例を図１に示し、後者の
一例を図２に示す。両者とも、非磁性基板１上に下地層
２が形成され、その上には磁性層３ａが設けられてい
る。そして、図１の磁気ディスクにおいては、さらにそ
の上に非磁性中間層４と磁性層３ｂが形成され、表面に
は保護膜層５が設けられてなっている。即ち、磁性層３
は２層３ａ，３ｂに分けられ、その間に非磁性中間層４
が介在する構成となる。
一例を図２に示す。両者とも、非磁性基板１上に下地層
２が形成され、その上には磁性層３ａが設けられてい
る。そして、図１の磁気ディスクにおいては、さらにそ
の上に非磁性中間層４と磁性層３ｂが形成され、表面に
は保護膜層５が設けられてなっている。即ち、磁性層３
は２層３ａ，３ｂに分けられ、その間に非磁性中間層４
が介在する構成となる。
【００１２】一方、図２の磁気ディスクにおいては、磁
性層３ａ上に、非磁性中間層４ａ、磁性層３ｂ、非磁性
中間層４ｂ、磁性層３ｃのように、非磁性中間層４と磁
性層３が交互に２回繰り返して積層され、表面に保護膜
層５が設けられた構成となっている。即ち、磁性層３が
３層３ａ，３ｂ，３ｃに分けられ、その間にそれぞれ非
磁性中間層４ａ，４ｂが介在している。
性層３ａ上に、非磁性中間層４ａ、磁性層３ｂ、非磁性
中間層４ｂ、磁性層３ｃのように、非磁性中間層４と磁
性層３が交互に２回繰り返して積層され、表面に保護膜
層５が設けられた構成となっている。即ち、磁性層３が
３層３ａ，３ｂ，３ｃに分けられ、その間にそれぞれ非
磁性中間層４ａ，４ｂが介在している。
【００１３】もちろん、磁性層３をさらに多くの層に分
け、その各層間に非磁性中間層４を介在させた構成とし
てもよい。
け、その各層間に非磁性中間層４を介在させた構成とし
てもよい。
【００１４】本発明に係る磁気ディスクの下地層及び非
磁性中間層の材料としては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｖ等、通常この種の面内磁気記録用の磁気ディスク
に下地及び中間層として使用されるような、体心立方格
子（ｂｃｃ）結晶構造を取り得るものであれば限定され
ないが、Ｃｒを含有するものであることが好ましい。こ
れは、一般にＣｏ系の磁性層においては、その結晶のｃ
軸が、Ｃｒの（１１０）面結晶方位に沿って面内配向す
るためである。
磁性中間層の材料としては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｖ等、通常この種の面内磁気記録用の磁気ディスク
に下地及び中間層として使用されるような、体心立方格
子（ｂｃｃ）結晶構造を取り得るものであれば限定され
ないが、Ｃｒを含有するものであることが好ましい。こ
れは、一般にＣｏ系の磁性層においては、その結晶のｃ
軸が、Ｃｒの（１１０）面結晶方位に沿って面内配向す
るためである。
【００１５】なお、非磁性中間層の膜厚については、前
述したとおりであるが、下地層の厚みは、１０〜２００
ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍ未満であると良好
な保磁力が得られず、２００ｎｍより厚いと、この下地
層の内部応力が増大するため、亀裂（クラック）が発生
しやすくなってしまう。
述したとおりであるが、下地層の厚みは、１０〜２００
ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍ未満であると良好
な保磁力が得られず、２００ｎｍより厚いと、この下地
層の内部応力が増大するため、亀裂（クラック）が発生
しやすくなってしまう。
【００１６】さらに、磁性層の材料としては、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐｔ等、通常この種の磁気ディス
クに用いられるものであれば、特に限定されないが、実
験上、特に高い保磁力の得られるＰｔを含有するもので
あることが好ましい。なお、磁性層は複数の層に分かれ
ているが、この磁性層の厚みの合計は１０〜１００ｎｍ
であることが好ましい。最適値は、記録信号の波長や、
使用する磁気ヘッド等によっても異なるが、１０ｎｍ未
満であると、信号が記録された際の残留磁化量が非常に
小さいため、再生出力が著しく劣化する等の問題が生
じ、１００ｎｍより大きいと、信号記録時のいわゆる厚
み損失が増大し、やはり、短波長域における再生出力が
著しく劣化する等の問題を生じる。
ｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ
−Ｐｔ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐｔ等、通常この種の磁気ディス
クに用いられるものであれば、特に限定されないが、実
験上、特に高い保磁力の得られるＰｔを含有するもので
あることが好ましい。なお、磁性層は複数の層に分かれ
ているが、この磁性層の厚みの合計は１０〜１００ｎｍ
であることが好ましい。最適値は、記録信号の波長や、
使用する磁気ヘッド等によっても異なるが、１０ｎｍ未
満であると、信号が記録された際の残留磁化量が非常に
小さいため、再生出力が著しく劣化する等の問題が生
じ、１００ｎｍより大きいと、信号記録時のいわゆる厚
み損失が増大し、やはり、短波長域における再生出力が
著しく劣化する等の問題を生じる。
【００１７】なお、本発明に係る磁気ディスクにおいて
は、その表面に、Ｃ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 等を主体とす
る保護膜層を設けることが好ましく、この保護膜層は、
１０〜５０ｎｍに形成されることが好ましい。保護膜層
の膜厚が１０ｎｍ未満であると、実際のハードディスク
ドライブの磁気ヘッドに対して、コンタクト・スタート
・ストップさせた際の磁気ディスクの耐久性（いわゆる
ＣＳＳ特性）が著しく劣化するとともに、磁性層の防錆
効果にも劣る。一方、５０ｎｍより厚いと、磁性層と磁
気ヘッドとの距離が増加し、いわゆるスペーシング・ロ
スが増大して、再生出力を劣化させてしまう。
は、その表面に、Ｃ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 等を主体とす
る保護膜層を設けることが好ましく、この保護膜層は、
１０〜５０ｎｍに形成されることが好ましい。保護膜層
の膜厚が１０ｎｍ未満であると、実際のハードディスク
ドライブの磁気ヘッドに対して、コンタクト・スタート
・ストップさせた際の磁気ディスクの耐久性（いわゆる
ＣＳＳ特性）が著しく劣化するとともに、磁性層の防錆
効果にも劣る。一方、５０ｎｍより厚いと、磁性層と磁
気ヘッドとの距離が増加し、いわゆるスペーシング・ロ
スが増大して、再生出力を劣化させてしまう。
【００１８】また、非磁性基板の材料としては、ＮｉＰ
／Ａｌ，強化ガラス，結晶化ガラス，プラスチック等、
通常この種の磁気ディスクに用いられるものであれば、
特に限定されない。
／Ａｌ，強化ガラス，結晶化ガラス，プラスチック等、
通常この種の磁気ディスクに用いられるものであれば、
特に限定されない。
【００１９】
【作用】本発明のように、非磁性基板上に下地層と磁性
層が順次形成され、さらにその上に非磁性中間層と磁性
層とが交互に少なくとも１層ずつ以上積層されてなる磁
気ディスクにおいて、前記非磁性中間層を、スパッタ速
度とスパッタ時間との積によって計算される膜厚が０．
２〜１．０ｎｍなるものとすると、保磁力をさらに向上
させることが可能となる。
層が順次形成され、さらにその上に非磁性中間層と磁性
層とが交互に少なくとも１層ずつ以上積層されてなる磁
気ディスクにおいて、前記非磁性中間層を、スパッタ速
度とスパッタ時間との積によって計算される膜厚が０．
２〜１．０ｎｍなるものとすると、保磁力をさらに向上
させることが可能となる。
【００２０】非磁性中間層の膜厚を上述のように規制す
ることによって、保磁力が向上する理由は明かではない
が、０．２〜１．０ｎｍなる膜厚は、非磁性中間層を構
成する材料の１原子層〜２原子層に相当する膜厚であ
り、このような膜厚の非磁性中間層が、磁性層の磁気的
相互作用を特に弱める効果が高いためであると考えられ
る。
ることによって、保磁力が向上する理由は明かではない
が、０．２〜１．０ｎｍなる膜厚は、非磁性中間層を構
成する材料の１原子層〜２原子層に相当する膜厚であ
り、このような膜厚の非磁性中間層が、磁性層の磁気的
相互作用を特に弱める効果が高いためであると考えられ
る。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果に基づき説明する。
いて、実験結果に基づき説明する。
【００２２】ここで作製された磁気ディスクは、図１に
示される構成を有するものであり、非磁性基板１上に下
地層２が形成され、その上には磁性層３ａが設けられ、
さらにその上に非磁性中間層４と磁性層３ｂが形成さ
れ、表面には保護膜層５が設けられてなっている。即
ち、磁性層３は２層３ａ，３ｂに分けられ、その間に非
磁性中間層４が介在する構成を有する。
示される構成を有するものであり、非磁性基板１上に下
地層２が形成され、その上には磁性層３ａが設けられ、
さらにその上に非磁性中間層４と磁性層３ｂが形成さ
れ、表面には保護膜層５が設けられてなっている。即
ち、磁性層３は２層３ａ，３ｂに分けられ、その間に非
磁性中間層４が介在する構成を有する。
【００２３】なお、非磁性基板１としてガラスセラミッ
ク基板、下地層２としてＣｒ膜、磁性層３としてＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｐｔ膜、非磁性中間層４として
Ｃｒ膜がそれぞれ用いられた。
ク基板、下地層２としてＣｒ膜、磁性層３としてＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｐｔ膜、非磁性中間層４として
Ｃｒ膜がそれぞれ用いられた。
【００２４】以上のような磁気ディスクを作製するに
は、先ず、ガラスセラミック基板（非磁性基板）１上
に、インライン式静止対向型ＤＣマグネトロンスパッタ
装置を用いて、Ｃｒ膜（下地層２）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
膜又はＣｏ−Ｐｔ膜（磁性層３ａ）、Ｃｒ膜（非磁性中
間層４）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｐｔ膜（磁性
層３ｂ）を順次成膜した。但し、上記成膜は全て、Ａｒ
ガスを用いて室温にて行い、Ａｒガス導入前のチャンバ
ー内バックグラウンド圧力を２×１０-6Ｐａ、スパッタ
時のＡｒガス圧力を０．２Ｐａ、投入電力を２０ｋＷ／
ｍ2 とした。また、ターゲットは、Ｃｒ膜を成膜する際
にはＣｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｐｔ膜を成膜
する際にはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｐｔを用いた。
は、先ず、ガラスセラミック基板（非磁性基板）１上
に、インライン式静止対向型ＤＣマグネトロンスパッタ
装置を用いて、Ｃｒ膜（下地層２）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
膜又はＣｏ−Ｐｔ膜（磁性層３ａ）、Ｃｒ膜（非磁性中
間層４）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｐｔ膜（磁性
層３ｂ）を順次成膜した。但し、上記成膜は全て、Ａｒ
ガスを用いて室温にて行い、Ａｒガス導入前のチャンバ
ー内バックグラウンド圧力を２×１０-6Ｐａ、スパッタ
時のＡｒガス圧力を０．２Ｐａ、投入電力を２０ｋＷ／
ｍ2 とした。また、ターゲットは、Ｃｒ膜を成膜する際
にはＣｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜又はＣｏ−Ｐｔ膜を成膜
する際にはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｐｔを用いた。
【００２５】なお、Ｃｒ膜の下地層２の膜厚は１００ｎ
ｍとし、非磁性中間層４としてのＣｒ膜の膜厚は、スパ
ッタ速度とスパッタ時間との積によって計算される数値
にて０〜７ｎｍの範囲で変化させた。また、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ膜を磁性層３とする場合においては、その膜厚の
合計が６０ｎｍとなるようにし、Ｃｏ−Ｐｔ膜を磁性層
３とする場合においては、その膜厚の合計が３６ｎｍと
なるようにした。
ｍとし、非磁性中間層４としてのＣｒ膜の膜厚は、スパ
ッタ速度とスパッタ時間との積によって計算される数値
にて０〜７ｎｍの範囲で変化させた。また、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ膜を磁性層３とする場合においては、その膜厚の
合計が６０ｎｍとなるようにし、Ｃｏ−Ｐｔ膜を磁性層
３とする場合においては、その膜厚の合計が３６ｎｍと
なるようにした。
【００２６】そして、上述のようにして、下地層２，磁
性層３ａ，非磁性中間層４，磁性層３ｂが順次形成され
た後、保護膜５を成膜することによって、磁気ディスク
のサンプルが作製された。
性層３ａ，非磁性中間層４，磁性層３ｂが順次形成され
た後、保護膜５を成膜することによって、磁気ディスク
のサンプルが作製された。
【００２７】以上のようにして作製された磁気ディスク
のサンプルについて、保磁力を測定した。この結果を、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を磁性層３とするサンプルと、Ｃｏ
−Ｐｔ膜を磁性層３とするサンプルとに分けて、非磁性
中間層４であるＣｒ膜の膜厚と保磁力との関係として図
３に示す。なお、○なるプロットにてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
膜を磁性層３とするサンプルの結果を示し、△なるプロ
ットにてＣｏ−Ｐｔ膜を磁性層３とするサンプルの結果
を示す。
のサンプルについて、保磁力を測定した。この結果を、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を磁性層３とするサンプルと、Ｃｏ
−Ｐｔ膜を磁性層３とするサンプルとに分けて、非磁性
中間層４であるＣｒ膜の膜厚と保磁力との関係として図
３に示す。なお、○なるプロットにてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
膜を磁性層３とするサンプルの結果を示し、△なるプロ
ットにてＣｏ−Ｐｔ膜を磁性層３とするサンプルの結果
を示す。
【００２８】図３より、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を磁性層３
とするサンプルであってもＣｏ−Ｐｔ膜を磁性層３とす
るサンプルであっても、磁性層３中に設けられた非磁性
中間層４であるＣｒ膜の膜厚を１ｎｍ未満とすることに
より、保磁力を大幅に向上させることができることがわ
かる。また、このＣｒ膜の膜厚が０．５ｎｍ程度である
とき、最も保磁力が高くなり、これより薄くするとかえ
って保磁力が低下してしまうことがわかる。
とするサンプルであってもＣｏ−Ｐｔ膜を磁性層３とす
るサンプルであっても、磁性層３中に設けられた非磁性
中間層４であるＣｒ膜の膜厚を１ｎｍ未満とすることに
より、保磁力を大幅に向上させることができることがわ
かる。また、このＣｒ膜の膜厚が０．５ｎｍ程度である
とき、最も保磁力が高くなり、これより薄くするとかえ
って保磁力が低下してしまうことがわかる。
【００２９】以上の結果より、磁性層中に設けられる非
磁性中間層の膜厚を０．２〜１ｎｍとすることによっ
て、磁気ディスクの保磁力を向上させることができるこ
とがわかった。
磁性中間層の膜厚を０．２〜１ｎｍとすることによっ
て、磁気ディスクの保磁力を向上させることができるこ
とがわかった。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、非磁
性基板上に下地層と磁性層が順次形成され、さらにその
上に非磁性中間層と磁性層とが交互に少なくとも１層ず
つ以上積層されてなる磁気ディスクにおいて、前記非磁
性中間層を、スパッタ速度とスパッタ時間の積によって
計算される膜厚が０．２〜１．０ｎｍなるものとするこ
とによって、保磁力の高いものとすることができる。
性基板上に下地層と磁性層が順次形成され、さらにその
上に非磁性中間層と磁性層とが交互に少なくとも１層ず
つ以上積層されてなる磁気ディスクにおいて、前記非磁
性中間層を、スパッタ速度とスパッタ時間の積によって
計算される膜厚が０．２〜１．０ｎｍなるものとするこ
とによって、保磁力の高いものとすることができる。
【００３１】これにより、より高密度に信号を記録する
ことが可能となるため、高記憶容量の磁気ディスク装置
への応用が可能となる。したがって、本発明の工業的価
値は非常に大きい。
ことが可能となるため、高記憶容量の磁気ディスク装置
への応用が可能となる。したがって、本発明の工業的価
値は非常に大きい。
【図１】本発明に係る磁気ディスクの一例を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明に係る磁気ディスクの他の例を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性薄膜又はＣｏ−Ｐｔ系
磁性薄膜を磁性層とする磁気ディスクにおいて、非磁性
中間層の膜厚と保磁力との関係を示す特性図である。
磁性薄膜を磁性層とする磁気ディスクにおいて、非磁性
中間層の膜厚と保磁力との関係を示す特性図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に下地層と磁性層が順次形
成され、さらにその上に非磁性中間層と磁性層とが交互
に少なくとも１層ずつ以上積層されてなる磁気ディスク
において、 前記非磁性中間層は、スパッタ速度とスパッタ時間との
積によって計算される膜厚が０．２〜１．０ｎｍなるも
のであることを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項２】 上記下地層と磁性層の上に積層される非
磁性中間層と磁性層は、それぞれ１層ずつであることを
特徴とする請求項１記載の磁気ディスク。 - 【請求項３】 上記下地層及び／又は非磁性中間層が、
Ｃｒを含有することを特徴とする請求項１又は請求項２
記載の磁気ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262088A JPH07121863A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 磁気ディスク |
| US08/322,985 US5607740A (en) | 1993-10-20 | 1994-10-14 | Magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262088A JPH07121863A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121863A true JPH07121863A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17370869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5262088A Pending JPH07121863A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 磁気ディスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5607740A (ja) |
| JP (1) | JPH07121863A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0710949B1 (en) * | 1993-07-21 | 2007-01-03 | TAKAHASHI, Migaku | Magnetic recording medium and its manufacture |
| US5834111A (en) * | 1994-05-31 | 1998-11-10 | Hmt Technology Corporation | Multilayered magnetic recording medium with coercivity gradient |
| JPH08329442A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH09198641A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US6042927A (en) * | 1996-02-29 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Magnetic disk |
| JPH1011734A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US6150015A (en) * | 1997-12-04 | 2000-11-21 | Komag, Incorporated | Ultra-thin nucleation layer for magnetic thin film media and the method for manufacturing the same |
| US6280813B1 (en) | 1999-10-08 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| US6645614B1 (en) | 2000-07-25 | 2003-11-11 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media having enhanced coupling between magnetic layers |
| US6730420B1 (en) | 2000-10-31 | 2004-05-04 | Komag, Inc. | Magnetic thin film recording media having extremely low noise and high thermal stability |
| US6660413B1 (en) | 2001-04-12 | 2003-12-09 | Seagate Technology Llc | Component of a magnetic recording medium with sealing layer for corrosion protection |
| US6899959B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-05-31 | Komag, Inc. | Magnetic media with improved exchange coupling |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120670A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Sony Corp | デ−タの誤り訂正方法 |
| JP2533860B2 (ja) * | 1986-09-24 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
| US5051288A (en) * | 1989-03-16 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk comprising alternating layers of a CoNi or CoPt alloy and a non-magnetic spacer layer |
| US5227212A (en) * | 1989-03-16 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk, magnetoresistive read head, inductive write head combination |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP5262088A patent/JPH07121863A/ja active Pending
-
1994
- 1994-10-14 US US08/322,985 patent/US5607740A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US7166374B2 (en) | 1998-03-20 | 2007-01-23 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5607740A (en) | 1997-03-04 |
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