JPH07122495A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH07122495A JPH07122495A JP5267037A JP26703793A JPH07122495A JP H07122495 A JPH07122495 A JP H07122495A JP 5267037 A JP5267037 A JP 5267037A JP 26703793 A JP26703793 A JP 26703793A JP H07122495 A JPH07122495 A JP H07122495A
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- Japan
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- vacuum chamber
- type electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成する
ことのできるプラズマ発生装置を提供する 【構成】 同軸導波管１０ａ、１０ｂの外周を導体板１
１に接続する。同軸導波管１０ａ、１０ｂの内軸を誘電
体板１３を通して銅線１４の両端に接続する。同軸導波
管１０ａに全反射終端等を接続し、同軸導波管１０ｂに
マイクロ波の電源を接続する。銅線１４を、誘電体板１
３上でジグザグ状に折り曲げてストリップライン型電極
を形成する。ガス管１２ａ、１２ｂをストリップライン
型電極の両側方に対向して配置し、ストリップライン型
電極側に向けて複数個のガス導出孔を穿設する。ストリ
ップライン型電極の両端部に永久磁石１５ａ、１５ｂを
配置し、Ｚ軸方向の磁界を発生させる。ストリップライ
ン型電極の上方に基板１６を配置し、矢印Ａの方向に移
動させる。
ことのできるプラズマ発生装置を提供する 【構成】 同軸導波管１０ａ、１０ｂの外周を導体板１
１に接続する。同軸導波管１０ａ、１０ｂの内軸を誘電
体板１３を通して銅線１４の両端に接続する。同軸導波
管１０ａに全反射終端等を接続し、同軸導波管１０ｂに
マイクロ波の電源を接続する。銅線１４を、誘電体板１
３上でジグザグ状に折り曲げてストリップライン型電極
を形成する。ガス管１２ａ、１２ｂをストリップライン
型電極の両側方に対向して配置し、ストリップライン型
電極側に向けて複数個のガス導出孔を穿設する。ストリ
ップライン型電極の両端部に永久磁石１５ａ、１５ｂを
配置し、Ｚ軸方向の磁界を発生させる。ストリップライ
ン型電極の上方に基板１６を配置し、矢印Ａの方向に移
動させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
太陽電池、薄膜半導体、光センサなどの各種電子デバイ
スに使用される大面積薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
（化学気相成長）装置、あるいはエッチング装置として
用いることのできるプラズマ発生装置に関する。
太陽電池、薄膜半導体、光センサなどの各種電子デバイ
スに使用される大面積薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
（化学気相成長）装置、あるいはエッチング装置として
用いることのできるプラズマ発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＶＤ装置にマイクロ波を用い、
大面積基板上に高速で成膜する技術がアモルファスシリ
コン等に利用されるようになってきた。例えば、Ｔ．Ｔ
ａｋａｈａｓｈｉ、Ｓ．Ｔａｋａｍｕｒａ、Ｔ．Ｏｋｕ
ｄａらの Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．５３、Ｎ
Ｏ．１０、Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８２ 「Ｍｅａｎｄｅ
ｒ−ｌｉｎｅ ｓｌｏｗ−ｗａｖｅ ａｎｔｅｎｎａ
ｆｏｒ ｌａｕｎｃｈｉｎｇ ｌｏｗｅｒ ｈｙｂｒｉ
ｄ ｗａｖｅｓ ｉｎ ａ ｐｌａｓｍａ」には、以下
に述べるようにストリップライン型電極から放射される
マイクロ波の電界を用いてプラズマを発生させる装置が
提案されている。
大面積基板上に高速で成膜する技術がアモルファスシリ
コン等に利用されるようになってきた。例えば、Ｔ．Ｔ
ａｋａｈａｓｈｉ、Ｓ．Ｔａｋａｍｕｒａ、Ｔ．Ｏｋｕ
ｄａらの Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．５３、Ｎ
Ｏ．１０、Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８２ 「Ｍｅａｎｄｅ
ｒ−ｌｉｎｅ ｓｌｏｗ−ｗａｖｅ ａｎｔｅｎｎａ
ｆｏｒ ｌａｕｎｃｈｉｎｇ ｌｏｗｅｒ ｈｙｂｒｉ
ｄ ｗａｖｅｓ ｉｎ ａ ｐｌａｓｍａ」には、以下
に述べるようにストリップライン型電極から放射される
マイクロ波の電界を用いてプラズマを発生させる装置が
提案されている。
【０００３】以下、従来のストリップライン型プラズマ
発生装置について説明する。図６は従来のストリップラ
イン型プラズマ発生装置の斜視図、図７はその断面図で
ある。図６、図７において、１は同軸導波管であり、そ
の外周７は導体板２に接続されている。ここで、同軸導
波管１は２ヶ所に設けられており、一方の同軸導波管１
はマイクロ波を導入するために使用され、他方の同軸導
波管１はマイクロ波の伝搬方向を変えたいときに使用さ
れる。３はポリテトラフルオロエチレン等からなる誘電
体板であり、表面には溝が切られている。４は銅線であ
り、銅線４の両端は各同軸導波管１の内軸６にそれぞれ
接続されている。また、銅線４は、誘電体板３の溝に沿
ってジグザグ状に折り曲げられ、ストリップライン型電
極を形成している。尚、銅線４を保護するために、表面
には薄くポリテトラフルオロエチレンコーティング５が
施されている。
発生装置について説明する。図６は従来のストリップラ
イン型プラズマ発生装置の斜視図、図７はその断面図で
ある。図６、図７において、１は同軸導波管であり、そ
の外周７は導体板２に接続されている。ここで、同軸導
波管１は２ヶ所に設けられており、一方の同軸導波管１
はマイクロ波を導入するために使用され、他方の同軸導
波管１はマイクロ波の伝搬方向を変えたいときに使用さ
れる。３はポリテトラフルオロエチレン等からなる誘電
体板であり、表面には溝が切られている。４は銅線であ
り、銅線４の両端は各同軸導波管１の内軸６にそれぞれ
接続されている。また、銅線４は、誘電体板３の溝に沿
ってジグザグ状に折り曲げられ、ストリップライン型電
極を形成している。尚、銅線４を保護するために、表面
には薄くポリテトラフルオロエチレンコーティング５が
施されている。
【０００４】以上のような構成を有するストリップライ
ン型プラズマ発生装置において、まず、一方の同軸導波
管１に２８９ＭＨｚのマイクロ波、１００Ｗを導入すれ
ば、ストリップライン型電極の表面上に、そのピッチ幅
よりも波長の長いマイクロ波の定在波が発生する。次い
で、そこにアルゴンガスを２×１０-4〜３×１０-4Ｔｏ
ｒｒ導入すれば、密度１０10〜１０11ｃｍ-3程度のアル
ゴンガスプラズマが発生する。
ン型プラズマ発生装置において、まず、一方の同軸導波
管１に２８９ＭＨｚのマイクロ波、１００Ｗを導入すれ
ば、ストリップライン型電極の表面上に、そのピッチ幅
よりも波長の長いマイクロ波の定在波が発生する。次い
で、そこにアルゴンガスを２×１０-4〜３×１０-4Ｔｏ
ｒｒ導入すれば、密度１０10〜１０11ｃｍ-3程度のアル
ゴンガスプラズマが発生する。
【０００５】また、アルゴンガスの代わりにＳｉＨ4 ガ
スを導入し、ストリップライン型電極の前面に加熱した
基板を配置すれば、アモルファスシリコン膜を形成する
ことができる。
スを導入し、ストリップライン型電極の前面に加熱した
基板を配置すれば、アモルファスシリコン膜を形成する
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
構成を有する従来のストリップライン型プラズマ発生装
置では、図８に示すように、Ｚ軸方向のプラズマ密度が
均一にならないという問題点があった。このため、Ｓｉ
Ｈ4 ガスを導入してアモルファスシリコン膜を形成した
場合には、Ｚ軸方向の膜質が不均質となり、大面積化が
困難になる。
構成を有する従来のストリップライン型プラズマ発生装
置では、図８に示すように、Ｚ軸方向のプラズマ密度が
均一にならないという問題点があった。このため、Ｓｉ
Ｈ4 ガスを導入してアモルファスシリコン膜を形成した
場合には、Ｚ軸方向の膜質が不均質となり、大面積化が
困難になる。
【０００７】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成すること
のできるプラズマ発生装置を提供することを目的とす
る。
ため、大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成すること
のできるプラズマ発生装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るプラズマ発生装置の構成は、内部が減
圧状態に保持される真空槽と、前記真空槽内に反応ガス
を導入する手段と、前記真空槽内を排気する手段と、前
記真空槽内に高周波電力を導入する接続手段と、前記真
空槽内の前記接続手段に取り付けられた導体板と、前記
導体板の上に設けられた誘電体板と、前記誘電体板の上
に配置され、導体をジグザグ状に折り曲げて形成したス
トリップライン型電極と、前記ストリップライン型電極
の近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを少なくとも
備えたものである。
め、本発明に係るプラズマ発生装置の構成は、内部が減
圧状態に保持される真空槽と、前記真空槽内に反応ガス
を導入する手段と、前記真空槽内を排気する手段と、前
記真空槽内に高周波電力を導入する接続手段と、前記真
空槽内の前記接続手段に取り付けられた導体板と、前記
導体板の上に設けられた誘電体板と、前記誘電体板の上
に配置され、導体をジグザグ状に折り曲げて形成したス
トリップライン型電極と、前記ストリップライン型電極
の近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを少なくとも
備えたものである。
【０００９】また、前記構成においては、高周波が２．
４３〜２．４７ＧＨｚであるのが好ましい。また、前記
構成においては、真空槽が基板を囲むように配置され、
前記基板が真空槽内を通過する時に基板に反応生成物を
付着させるのが好ましい。
４３〜２．４７ＧＨｚであるのが好ましい。また、前記
構成においては、真空槽が基板を囲むように配置され、
前記基板が真空槽内を通過する時に基板に反応生成物を
付着させるのが好ましい。
【００１０】
【作用】前記本発明の構成によれば、真空槽内に反応ガ
スが導入され、ストリップライン型電極から放射される
マイクロ波の電界と、その近傍に設けられた磁界発生手
段からの磁界との相互作用によって、広範囲に均一なプ
ラズマを発生させることができる。従って、基板をスト
リップライン型電極に対して平行に移動させることによ
り、大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成することが
できる。
スが導入され、ストリップライン型電極から放射される
マイクロ波の電界と、その近傍に設けられた磁界発生手
段からの磁界との相互作用によって、広範囲に均一なプ
ラズマを発生させることができる。従って、基板をスト
リップライン型電極に対して平行に移動させることによ
り、大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成することが
できる。
【００１１】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。図１は本発明に係るプラズマ発生装置の一
実施例を示す斜視図、図２は図１に示すプラズマ発生装
置における電極の配置図、図３は図１に示すプラズマ発
生装置の縦断面図である。
に説明する。図１は本発明に係るプラズマ発生装置の一
実施例を示す斜視図、図２は図１に示すプラズマ発生装
置における電極の配置図、図３は図１に示すプラズマ発
生装置の縦断面図である。
【００１２】図１、図３において、１０ａ、１０ｂは同
軸導波管であり、その外周２１ａ、２１ｂは導体板１１
に接続されている。ここで、一方の同軸導波管１０ｂは
マイクロ波を導入するために使用され、他方の同軸導波
管１０ａはマイクロ波の伝搬方向を変えたいときに使用
される。そして、同軸導波管１０ａ、１０ｂをこのよう
に機能させるために、同軸導波管１０ａには全反射終端
等が接続され、同軸導波管１０ｂにはマイクロ波の電源
が接続されている。
軸導波管であり、その外周２１ａ、２１ｂは導体板１１
に接続されている。ここで、一方の同軸導波管１０ｂは
マイクロ波を導入するために使用され、他方の同軸導波
管１０ａはマイクロ波の伝搬方向を変えたいときに使用
される。そして、同軸導波管１０ａ、１０ｂをこのよう
に機能させるために、同軸導波管１０ａには全反射終端
等が接続され、同軸導波管１０ｂにはマイクロ波の電源
が接続されている。
【００１３】１３はポリテトラフルオロエチレン等から
なる誘電体板であり、表面には溝が切られている。尚、
誘電体板１３は、面積が２００ｍｍ×５００ｍｍ、厚さ
が４ｍｍである。１４は銅線であり、銅線１４の両端は
誘電体板１３を通して同軸導波管１０ａ、１０ｂの内軸
２０ａ、２０ｂにそれぞれ接続されている。また、銅線
１４は、誘電体板１３の溝に沿って１８０ｍｍ×４４０
ｍｍの広さに幅４ｍｍ、ピッチ２０ｍｍでジグザグ状に
折り曲げられ、ストリップライン型電極を形成している
（図２参照）。これにより、同軸導波管１０ｂから導入
したマイクロ波をストリップライン型電極から放射させ
ることができる。尚、銅線１４を保護するために、表面
には薄くポリテトラフルオロエチレンコーティング１８
が施されている。
なる誘電体板であり、表面には溝が切られている。尚、
誘電体板１３は、面積が２００ｍｍ×５００ｍｍ、厚さ
が４ｍｍである。１４は銅線であり、銅線１４の両端は
誘電体板１３を通して同軸導波管１０ａ、１０ｂの内軸
２０ａ、２０ｂにそれぞれ接続されている。また、銅線
１４は、誘電体板１３の溝に沿って１８０ｍｍ×４４０
ｍｍの広さに幅４ｍｍ、ピッチ２０ｍｍでジグザグ状に
折り曲げられ、ストリップライン型電極を形成している
（図２参照）。これにより、同軸導波管１０ｂから導入
したマイクロ波をストリップライン型電極から放射させ
ることができる。尚、銅線１４を保護するために、表面
には薄くポリテトラフルオロエチレンコーティング１８
が施されている。
【００１４】図１において、１２ａ、１２ｂはガス管で
あり、このガス管１２ａ、１２ｂはストリップライン型
電極の両側方に対向して配置され、ストリップライン型
電極側に向けて複数個のガス導出孔が穿設されている。
あり、このガス管１２ａ、１２ｂはストリップライン型
電極の両側方に対向して配置され、ストリップライン型
電極側に向けて複数個のガス導出孔が穿設されている。
【００１５】図１、図２、図３に示すように、ストリッ
プライン型電極の両端部には永久磁石１５ａ、１５ｂが
配置されており、Ｚ軸方向の磁界を発生させることがで
きるようにされている。ここで、永久磁石１５ａ、１５
ｂは対向面が着磁されており、永久磁石１５ａがＮ極、
永久磁石１５ｂがＳ極である。また、マイクロストリッ
プ型電極の上方には、３０ｍｍだけ離れた位置に幅４０
０ｍｍの基板１６が配置されており、矢印Ａの方向に移
動することができるようにされている。
プライン型電極の両端部には永久磁石１５ａ、１５ｂが
配置されており、Ｚ軸方向の磁界を発生させることがで
きるようにされている。ここで、永久磁石１５ａ、１５
ｂは対向面が着磁されており、永久磁石１５ａがＮ極、
永久磁石１５ｂがＳ極である。また、マイクロストリッ
プ型電極の上方には、３０ｍｍだけ離れた位置に幅４０
０ｍｍの基板１６が配置されており、矢印Ａの方向に移
動することができるようにされている。
【００１６】以上説明した構成部材は、基板１６を囲む
ようにして設けられた真空槽（図示せず）の内部に収容
されており、真空槽には排気ポンプ（図示せず）が設け
られている。尚、図１中、１７は基板１６を加熱するた
めの赤外線ヒータである。
ようにして設けられた真空槽（図示せず）の内部に収容
されており、真空槽には排気ポンプ（図示せず）が設け
られている。尚、図１中、１７は基板１６を加熱するた
めの赤外線ヒータである。
【００１７】以上のような構成を有するプラズマ発生装
置において、まず、同軸導波管１０ｂから２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波、３００Ｗを導入すると、ストリップラ
イン型電極の表面に定在波が発生する。このとき、ガス
管１２ａ、１２ｂからＳｉＨ 4 ガスを１０ｍＴｏｒｒ台
導入すれば、１０11ｃｍ-3台の高密度ＳｉＨ4 プラズマ
が発生する。また、永久磁石１５ａ、１５ｂにＣｏ−Ｓ
ｍを使用し、８７５Ｇとなる領域を発生させるような磁
力を持たせれば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対して
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件を満足する磁界
２２が発生し、この磁界２２によってＺ方向に広がった
プラズマ１９が発生する。このときのプラズマ１９の密
度は、図４に示すようにＺ軸方向に均一となる（プラズ
マ密度は１０11ｃｍ-3台）。そして、この状態で基板１
６を赤外線ヒータ１７によって約３００℃に加熱すれ
ば、基板１６の上にアモルファスシリコン膜を堆積させ
ることができる。この場合、基板１６を例えば１ｍｍ／
秒の速度で矢印Ａの方向（図１）に移動させれば、膜厚
均一性±５％以下で基板１６の全面に約０．４μｍ厚の
アモルファスシリコン膜を堆積させることができる。
置において、まず、同軸導波管１０ｂから２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波、３００Ｗを導入すると、ストリップラ
イン型電極の表面に定在波が発生する。このとき、ガス
管１２ａ、１２ｂからＳｉＨ 4 ガスを１０ｍＴｏｒｒ台
導入すれば、１０11ｃｍ-3台の高密度ＳｉＨ4 プラズマ
が発生する。また、永久磁石１５ａ、１５ｂにＣｏ−Ｓ
ｍを使用し、８７５Ｇとなる領域を発生させるような磁
力を持たせれば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対して
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件を満足する磁界
２２が発生し、この磁界２２によってＺ方向に広がった
プラズマ１９が発生する。このときのプラズマ１９の密
度は、図４に示すようにＺ軸方向に均一となる（プラズ
マ密度は１０11ｃｍ-3台）。そして、この状態で基板１
６を赤外線ヒータ１７によって約３００℃に加熱すれ
ば、基板１６の上にアモルファスシリコン膜を堆積させ
ることができる。この場合、基板１６を例えば１ｍｍ／
秒の速度で矢印Ａの方向（図１）に移動させれば、膜厚
均一性±５％以下で基板１６の全面に約０．４μｍ厚の
アモルファスシリコン膜を堆積させることができる。
【００１８】尚、本実施例においては、磁界発生手段と
してストリップライン型電極の両端部に対向して永久磁
石１５ａ、１５ｂを配置しているが、必ずしもこの構成
に限定されるものではなく、例えば、図５に示すように
基板１６の上方５ｍｍの位置に継鉄２３に保持された複
数個の永久磁石２４を配置することによって磁界発生手
段を構成してもよい。この場合、アーチ状の磁界２５が
複数個発生するが、プラズマ２６は基板１６上でＺ軸方
向に均一に広がり、均質な膜を形成することができる。
してストリップライン型電極の両端部に対向して永久磁
石１５ａ、１５ｂを配置しているが、必ずしもこの構成
に限定されるものではなく、例えば、図５に示すように
基板１６の上方５ｍｍの位置に継鉄２３に保持された複
数個の永久磁石２４を配置することによって磁界発生手
段を構成してもよい。この場合、アーチ状の磁界２５が
複数個発生するが、プラズマ２６は基板１６上でＺ軸方
向に均一に広がり、均質な膜を形成することができる。
【００１９】また、本実施例においては、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を使用しているが、必ずしもこの値に限
定されるものではなく、永久磁石１５ａ、１５ｂに８５
０〜９００Ｇとなる領域を発生させるような磁力を持た
せ、これに対応して２．４３〜２．４７ＧＨｚのマイク
ロ波を使用した場合にも、ＥＣＲ条件を満足する磁界が
発生し、この磁界によってＺ方向に均一に広がったプラ
ズマを発生させることができる。
ｚのマイクロ波を使用しているが、必ずしもこの値に限
定されるものではなく、永久磁石１５ａ、１５ｂに８５
０〜９００Ｇとなる領域を発生させるような磁力を持た
せ、これに対応して２．４３〜２．４７ＧＨｚのマイク
ロ波を使用した場合にも、ＥＣＲ条件を満足する磁界が
発生し、この磁界によってＺ方向に均一に広がったプラ
ズマを発生させることができる。
【００２０】また、本実施例においては、プラズマ発生
装置を成膜装置として用いる場合を例に挙げて説明して
いるが、必ずしもこの用途に限定されるものではなく、
例えば、同じ構成で導入ガスをエッチングに適したガス
とすることにより、大面積の基板に対し均一にエッチン
グ処理を施す場合にも用いることができる。
装置を成膜装置として用いる場合を例に挙げて説明して
いるが、必ずしもこの用途に限定されるものではなく、
例えば、同じ構成で導入ガスをエッチングに適したガス
とすることにより、大面積の基板に対し均一にエッチン
グ処理を施す場合にも用いることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ発生装置によれば、真空槽内に反応ガスが導入さ
れ、ストリップライン型電極から放射されるマイクロ波
の電界と、その近傍に設けられた磁界発生手段からの磁
界との相互作用によって、広範囲に均一なプラズマを発
生させることができる。従って、基板をストリップライ
ン型電極に対して平行に移動させることにより、大面積
の基板に均一な薄膜を高速に形成することができ、その
結果、生産性の向上を図ることができる。また、構成が
簡単であるため、維持費、生産コスト等の低減を図るこ
とができるなど、種々の優れた効果を得ることができ
る。
ズマ発生装置によれば、真空槽内に反応ガスが導入さ
れ、ストリップライン型電極から放射されるマイクロ波
の電界と、その近傍に設けられた磁界発生手段からの磁
界との相互作用によって、広範囲に均一なプラズマを発
生させることができる。従って、基板をストリップライ
ン型電極に対して平行に移動させることにより、大面積
の基板に均一な薄膜を高速に形成することができ、その
結果、生産性の向上を図ることができる。また、構成が
簡単であるため、維持費、生産コスト等の低減を図るこ
とができるなど、種々の優れた効果を得ることができ
る。
【図１】本発明に係るプラズマ発生装置の一実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】図１に示すプラズマ発生装置における電極の配
置図である。
置図である。
【図３】図１に示すプラズマ発生装置の縦断面図であ
る。
る。
【図４】本発明に係るプラズマ発生装置の一実施例によ
って発生させたプラズマの密度分布図である。
って発生させたプラズマの密度分布図である。
【図５】本発明に係るプラズマ発生装置の他の実施例に
おける磁界発生手段を示す断面図である。
おける磁界発生手段を示す断面図である。
【図６】従来技術におけるストリップライン型マイクロ
波プラズマ発生装置の斜視図である。
波プラズマ発生装置の斜視図である。
【図７】図６に示すストリップライン型マイクロ波プラ
ズマ発生装置の断面図である。
ズマ発生装置の断面図である。
【図８】図６に示すストリップライン型マイクロ波プラ
ズマ発生装置によって発生させたプラズマの密度分布図
である。
ズマ発生装置によって発生させたプラズマの密度分布図
である。
１０ａ、１０ｂ 同軸導波管 １１ 導体板 １２ａ、１２ｂ ガス導入管 １３ 誘電体板 １４ 銅線 １５ａ、１５ｂ、２４ 永久磁石 １６ 基板 １７ 赤外線ヒータ １８ ポリテトラフルオロエチレンコーティング ２３ 継鉄
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水口 信一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 内部が減圧状態に保持される真空槽と、
前記真空槽内に反応ガスを導入する手段と、前記真空槽
内を排気する手段と、前記真空槽内に高周波電力を導入
する接続手段と、前記真空槽内の前記接続手段に取り付
けられた導体板と、前記導体板の上に設けられた誘電体
板と、前記誘電体板の上に配置され、導体をジグザグ状
に折り曲げて形成したストリップライン型電極と、前記
ストリップライン型電極の近傍に磁界を発生させる磁界
発生手段とを少なくとも備えたプラズマ発生装置。 - 【請求項２】 高周波が２．４３〜２．４７ＧＨｚであ
る請求項１に記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 真空槽が基板を囲むように配置され、前
記基板が真空槽内を通過する時に基板に反応生成物を付
着させる請求項１に記載のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5267037A JPH07122495A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5267037A JPH07122495A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122495A true JPH07122495A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17439175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5267037A Pending JPH07122495A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122495A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19851628B4 (de) * | 1998-11-10 | 2004-04-15 | Attila M. Dipl.-Phys. Bilgic | Streifenleitungsanordnung mit integrierten Gaszuführungen für mikrowelleninduzierte Plasmaquellen zur Anwendung in der analytischen Atomspektrometrie |
| US7159536B1 (en) | 1999-09-14 | 2007-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves |
| FR2921538A1 (fr) * | 2007-09-20 | 2009-03-27 | Air Liquide | Dispositifs generateurs de plasma micro-ondes et torches a plasma |
| CN103503580A (zh) * | 2012-02-23 | 2014-01-08 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP5267037A patent/JPH07122495A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19851628B4 (de) * | 1998-11-10 | 2004-04-15 | Attila M. Dipl.-Phys. Bilgic | Streifenleitungsanordnung mit integrierten Gaszuführungen für mikrowelleninduzierte Plasmaquellen zur Anwendung in der analytischen Atomspektrometrie |
| US7159536B1 (en) | 1999-09-14 | 2007-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves |
| FR2921538A1 (fr) * | 2007-09-20 | 2009-03-27 | Air Liquide | Dispositifs generateurs de plasma micro-ondes et torches a plasma |
| WO2009047441A1 (fr) * | 2007-09-20 | 2009-04-16 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Dispositifs generateurs de plasma micro-ondes et torches a plasma |
| CN103503580A (zh) * | 2012-02-23 | 2014-01-08 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
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