JPH07122500A - ガス機器及びこれを利用したガス供給装置 - Google Patents

ガス機器及びこれを利用したガス供給装置

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JPH07122500A
JPH07122500A JP5270681A JP27068193A JPH07122500A JP H07122500 A JPH07122500 A JP H07122500A JP 5270681 A JP5270681 A JP 5270681A JP 27068193 A JP27068193 A JP 27068193A JP H07122500 A JPH07122500 A JP H07122500A
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Japan
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gas
substrate
valve
mounting surface
fluid
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JP5270681A
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Masatoshi Kumada
昌年 熊田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はガス供給装置に関し、保守の容易化
と省スペース化（小型化）を実現することを目的とす
る。 【構成】 ガス流路を形成する貫通孔（４６）を多数有
する基板（４１）と、ガス入口部（６５ａ，７５ａ，８
６ａ）とガス出口部（６６ａ，７６ａ，８５ａ）とを共
に取付面（６３，７３，８３）に配された開閉弁（４
２）、質量流量制御装置（４３）及び圧力制御弁（４
４）と、Ｕ字状の配管（４５）とを有する。開閉弁、質
量流量制御装置、圧力制御弁は、共にガス入口部、ガス
出口部を貫通孔と連通させて、基板上面に取り付けてあ
る。配管は、基板の底面に取り付けてあり、開閉弁と質
量流量制御装置とを連通するよう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス供給装置に係り、
特に半導体装置の製造設備の一つである化学的気相成長
（ＣＶＤ）装置に使用しうる気体供給装置に関する。
【０００２】ＣＶＤ装置に使用されるガス供給装置は、
品質の一定した半導体装置を製造するために、プロセス
ガスを安定して供給しうる構成であること、設備が停止
している時間を短くするために、保守を短時間で行い得
る構成であること、及び設備を小型にするために、小型
な構成であることが望ましい。
【０００３】
【従来の技術】図１７及び図１８は従来の１例のガス供
給装置１０を示す。
【０００４】ガス供給装置１０は、プロセスガス供給口
１１とガス流出口１２との間に、順に、常閉の開閉弁１
３，質量流量制御装置１４，常閉の開閉弁１５，フィル
タ１６，常閉の開閉弁１７が配され、夫々の間が継手１
８を介して配管１９によって接続され、全体が基台上に
配された構成である。
【０００５】また、ガス供給装置１０には、パージ用の
Ｎ2 ガスを供給するため、パージ用配管系３０及びガス
を捨てるためのガス捨て用配管系３１が設けてある。
【０００６】パージ用配管系３０には、圧力制御弁３２
及び常閉の開閉弁３３が設けてある。
【０００７】ガス捨て用配管系３１には、常閉の開閉弁
３４が設けてある。
【０００８】プロセスガスがトリクロルシラン（ＳｉＨ
Ｃｌ3 ）である場合には、開閉弁１３，１５，１７，質
量流量制御装置１４，及び配管１９にはテープ状のヒー
タ（図示せず）がはわせてあり、これらを加熱して、ガ
スが液化しないようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記構造のガス供給装
置１０は、以下に挙げる問題があった。 保守が面倒である。
【００１０】例えば、質量流量制御装置１４を交換する
場合を考えてみる。
【００１１】装置１４の上流側と下流側との継手を外
し、この状態で装置１４を引き上げると、継手のシール
面間にクリアランが無い状態であるため、シール面に引
っかき傷が付いてしまう。
【００１２】そこで、装置１４の上流側及び下流側の開
閉弁１３，１５，１７，３２，３３，３４の台座３５の
ねじをゆるめてこれらを多少ずらし、上記継手の部分に
クリアランスを作ってから装置１４を取り外すことにな
る。
【００１３】継手部分にクリアランスを作る作業が面倒
であり、時間がかかり、保守が面倒となる。 大型となる。
【００１４】開閉弁１３，１５，１７，３３，３４，質
量流量制御装置１４，圧力制御弁３２は、共に、一方の
側面に入口ポート、反対側の側面に出口ポートを有する
構造であり、両側において、配管と継手によって接続さ
れている。
【００１５】このため、ガスの流れの方向上隣り合うガ
ス機器の間の距離（例えば質量流量制御装置１４と開閉
弁１５との間の距離ａ）を狭くすることは困難であり、
上記の距離は長くなる。
【００１６】このため、ガス供給装置１０の全長ｂは長
くなり、装置１０は大型となってしまう。 プロセスガスの安定供給が難しくなる場合がある。
【００１７】テープヒータを使用した加熱では、テープ
ヒータを敷設する具合によっては、配管の途中に加熱が
不十分な場所が出来易い。
【００１８】このため、液化し易いプロセスガスを使用
する場合には、加熱が不十分な場所において液化が進行
し、ガスの給送が妨害され、プロセスガスを安定に供給
することが困難となる。
【００１９】そこで、本発明は上記課題を解決したガス
機器及びこれを利用したガス供給装置を提供することを
目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ガス
機器本体と、ガス入口部と、ガス出口部とを有するガス
機器において、 上記ガス機器本体を、その下面側に取
付面を有する構成とすると共に、上記ガス入口部と上記
ガス出口部とを、上記取付面に設けた構成としたもので
ある。
【００２１】請求項２の発明は、開閉弁本体と、流体入
口部と、流体出口部と、該流体入口部と該流体出口部と
の間の弁体とを有する開閉弁において、該開閉弁本体
を、その下面側に取付面を有する構成とすると共に、該
流体入口部と該流体出口部とを、上記取付面に設けた構
成としたものである。
【００２２】請求項３の発明は、圧力制御弁本体と、流
体入口部と、流体出口部と、該流体入口部と、該流体出
口部との間の圧力制御部とを有する圧力制御弁におい
て、該圧力制御弁本体を、その下面側に取付面を有する
構成とすると共に、該流体入口部と該流体出口部とを、
上記取付面に設けた構成としたものである。
【００２３】請求項４の発明は、流量制御装置本体と、
流体入口部と、流体出口部と、該流体入口部と該流体出
口部との間の流量制御部とを有する流量制御装置におい
て、該流量制御装置本体を、その下面側に取付面を有す
る構成とすると共に、該流体入口部と該流体出口部と
を、上記取付面に設けた構成としたものである。
【００２４】請求項５の発明は、その厚さ方向に貫通し
ており、ガス通路としての貫通孔を複数有する基板と、
下面側を取付面とされ、該取付面にガス入口部とガス出
口部とを有しており、該取付面を該基板に当接させ、該
ガス入口部及び該ガス出口部を別々の孔に連通させて、
該基板に取り付けられた開閉弁と、下面側を取付面とさ
れ、該取付面にガス入口部とガス出口部とを有してお
り、該取付面を該基板に当接させ、該ガス入口部及び該
ガス出口部を別々の孔に連通させて、該基板に取り付け
られた圧力制御弁と、下面側を取付面とされ、該取付面
にガス入口部とガス出口部とを有しており、該取付面に
ガス入口部とガス出口部とを有しており、該取付面を該
基板に当接させ、該ガス入口部及び該ガス出口部を別々
の孔に連通させて、該基板に取り付けられた流量制御装
置と、該開閉弁、該圧力制御弁及び該流量制御弁を接続
すべく、上記基板の該開閉弁、該圧力制御弁、及び該流
量制御弁が取り付けられている面側とは反対側の面にお
いて、該基板の別々の孔の間にかけ渡して配された配管
とよりなる構成としたものである。
【００２５】請求項６の発明は、請求項５の基板の貫通
孔は、最大粗さがサブミクロン以下に表面処理された内
面を有する構成としたものである。
【００２６】請求項７の発明は、請求項５の基板は、ヒ
ータ挿入用の孔を更に有する構成であり、上記ヒータ挿
入用孔に挿入されたヒータを更に有する構成としたもの
である。
【００２７】請求項８の発明は、請求項７のガス供給装
置を使用してガスを加熱された状態で供給するものであ
る。
【００２８】請求項９の発明は、請求項７のガス供給装
置と、該ガス供給装置からガスを供給させる反応炉とを
有する構成としたものである。
【００２９】
【作用】請求項１のガス入口部とガス出口部との両方を
取付面に設けた構成は、ガス機器を取り付けることが、
ガス入口部及びガス出口部をガス流路と接続することに
なるように作用する。
【００３０】請求項２，３及び４の流体入口部と流体出
口部との両方を取付面に設けた構成は、開閉弁等を取り
付けることが流体入口部及び流体出口部を流体流路と接
続することになるように作用する。
【００３１】請求項５のガス入口部とガス出口部とを取
付面に設けた開閉弁等が基板に取り付けられ、基板の反
対側に配管を設けた構成は、開閉弁等を配管とは無関係
に取り外すことを可能とするように作用し、且つ開閉弁
等を互いに近接させることを可能とするように作用す
る。
【００３２】請求項６の最大粗さをサブミクロン以下と
した構成は、耐食性を向上させると共に、ガス吸着面積
を小さくするように作用する。
【００３３】請求項７，８及び９の基板にヒータを設け
た構成は、基板の貫通孔を効率的に加熱するように作用
する。
【００３４】
【実施例】〔第１実施例〕図１及び図２は、本発明の第
１実施例になるガス供給装置４０を示す。このガス供給
装置４０は、図１２及び図１３のガス供給装置４０Ａと
同じ機能を有するものであり、基板４１と、開閉弁４２
-1〜４２-5と、質量流量制御装置（マスフローコントロ
ーラ）４３と、圧力制御弁４４と、Ｕ字状配管４５-1〜
４５-4等を有する。
【００３５】基板４１は、図３に併せて示すように、十
分な剛性を有する厚さｔ1 を有し、厚さ方向に、貫通し
た貫通孔４６が多数、マトリクス状の配置でピッチＰ1
で形成してある。
【００３６】一般には、使用するガスが腐食性を有する
ものであるため、基板４１の材質は、ＳＵＳ３１６Ｌ等
の耐食性を有する材質である。また、特に腐食性の強い
ガスを使用する場合には、例えば昭和電工製のクリーン
エス処理を施した超高性能耐食・耐摩耗材料を使用す
る。
【００３７】上記の貫通孔４６は、ガス通路として機能
するものであり、穴径ｄ1 は、開閉弁等のガス部品の配
管径に準拠した寸法、例えば１／８インチ又は１／４イ
ンチである。
【００３８】貫通孔４６の内面４６ａは、表面処理して
あり、最大粗さはサブミクロン以下である。このように
するのは、耐食性の向上と、ガス吸着面積を可能な限り
小さくするためである。表面処理は、最初に機械的研磨
を行ない、次いで化学的研磨を行って完了する。
【００３９】貫通孔４６の上下端には、メタルガスケッ
ト用の凸リング状のシール面４７，４８を有する。
【００４０】また、基板４１のうち貫通孔４６の上下端
の部分には、座ぐり部４９，５０が形成してあり、シー
ル面４７，４８は、基板４１の上面５１及び下面５２に
対して凹んだ位置に形成してある。
【００４１】また、上面５１及び下面５２には、貫通孔
４６毎にナンバー（図示せず）が印してある。開閉弁４
２等の取り付け位置を間違えないようにするためであ
る。
【００４２】また、基板４１の上面５１には、開閉弁４
２等を取り付けるためのねじ孔５３，下面５２には配管
４５を取り付けるためのねじ孔５４が形成してある。
【００４３】この基板４１は、規格化された標準部品と
しての性格を有し、開閉弁４２等が図１の装置とは異な
る配置で配される他のガス供給装置にも使用しうる。
【００４４】図４は開閉弁４２を示す。
【００４５】開閉弁４２は、弁本体６０と、弁体６１
と、開閉のため、操作ノブ６２とを有する。
【００４６】弁本体６０は、下面側に取付面６３を有す
る。弁本体６０には、ねじを通す孔６４が形成してあ
る。弁本体６０には、ガスが入るガス流入通路６５及び
ガスが出るガス流出通路６６が形成してある。
【００４７】このガス流入通路６５及びガス流出通路６
６は、共に、取付面６３に開口しており、ガス入口部６
５ａ及びガス出口部６６ａを構成している。
【００４８】ガス入口部６５ａとガス出口部６６ａとの
間の寸法、即ち取付面６３における上記通路６５，６６
の間の寸法ｃは、基板４１の貫通孔４６のピッチＰ1 と
等しい。
【００４９】また、取付面６３には、通路６５，６６の
開口部分に、凸リング状のシール面６７，６８が形成し
てある。
【００５０】図５は質量流量制御装置４３を示す。
【００５１】装置４３は、本体７０と、流量センサ部７
１と、弁部７２とを有し、ガスの流量を設定した値に保
つように制御する。
【００５２】本体７０は、下面側に取付面７３を有す
る。
【００５３】本体７０には、ねじを通す孔（図示せず）
が形成してある。
【００５４】本体７０には、ガスが入るガス流入通路７
５及びガスが出るガス流出通路７６が形成してある。
【００５５】このガス流入通路７５及びガス流出通路７
６は、共に、取付面７３に開口しており、ガス入口部７
５ａ及びガス出口部７６ａを構成している。
【００５６】ガス入口部７５ａとガス出口部７６ａとの
間の寸法、即ち取付面７３における上記通路７５，７６
の間の寸法ｅは、基板４１の貫通孔４６のピッチＰ1 の
２倍と等しい。
【００５７】また、取付面７３には、通路６５，６６の
開口部分に、凸リング状のシール面７７，７８が形成し
てある。
【００５８】図６は、圧力制御弁４４を示す。
【００５９】弁４４は、弁本体８０と、弁体８１と、圧
力調整のための操作ノブ８２とを有する。
【００６０】弁本体８０は、下面側に取付面８３を有す
る。
【００６１】弁本体８０には、ねじを通す孔８４が形成
してある。
【００６２】弁本体８０には、ガスが入るガス流入通路
８６及び気体が出るガス流出通路８５が形成してある。
【００６３】このガス流入通路８６及びガス流出通路８
５は、共に、取付面８３に開口しており、ガス入口部８
６ａ及びガス出口部８５ａを構成している。
【００６４】ガス入口部８６ａとガス出口部８５ａとの
間の寸法、即ち取付面８３における上記通路８５，８６
の間の寸法ｆは、基板４１の貫通孔４６のピッチＰ1 と
等しい。
【００６５】また、取付面６３には、通路６５，６６の
開口部分に、凸リング状のシール面８７，８８を有す
る。
【００６６】図７は、Ｕ字状配管４５を示す。Ｕ字状配
管４５は、Ｕ字状の配管本体９０と、この配管本体９０
の両端の継手部９１，９２とよりなる。
【００６７】継手部９１，９２は、夫々、ねじを通す孔
９３，９４を有し、且つ凸リング状のシール面９５，９
６を有する。
【００６８】継手部９１，９２の間の寸法ｇは、基板４
１の貫通孔４６のピッチＰ1 と等しい。
【００６９】図１及び図２を参照するに、開閉弁４２-1
〜４５-5は、夫々ねじ１００を孔６４を通し、ねじ孔５
３にねじ込むことによって基板４１の上面５１上所定の
個所に取り付けてある。
【００７０】図８に併せて示すように、取付面６３が基
板４１の上面５１に当接している。
【００７１】シール面６７，６８が、夫々座ぐり部４９
に嵌合し、メタルガスケット１０１を介してシール面４
７を押圧している。
【００７２】これにより、ガス流入通路６５及びガス流
出通路６６が夫々別の貫通孔４６と連通している。
【００７３】質量流量制御装置４３は、図１及び図２に
示すように、ねじ１０２を孔を通しねじ孔５３にねじ込
むことによって、基板４１の上面５１のうち、開閉弁４
２-1〜４２-3との間の部位に取り付けてある。
【００７４】図９に併せて示すように、取付面７３が基
板４１の上面５１に当接している。
【００７５】シール面７７，７８が、夫々座ぐり部４９
に嵌合し、メタルガスケット１０１を介してシール面４
７を押圧している。
【００７６】これにより、ガス流入通路７５及びガス流
出通路７６が夫々別の貫通孔４６と連通している。
【００７７】圧力制御弁４４は、図１及び図２に示すよ
うに、ねじ１０３を孔８４を通しねじ孔５３にねじ込む
ことによって、基板４１の上面５１のうち、開閉弁４２
-2の隣りの間の部位に取り付けてある。
【００７８】図１０に併せて示すように、取付面８３が
基板４１の上面５１に当接している。
【００７９】シール面８７，８８が、夫々座ぐり部４９
に嵌合し、メタルガスケット１０１を介してシール面４
７を押圧している。
【００８０】これにより、ガス流入通路８６及びガス流
出通路８５が夫々別の貫通孔４６と連通している。
【００８１】Ｕ字状配管４５は、図１１に併せて示すよ
うに、ねじ１０４を孔９３，９４を通し、ねじ孔５４に
ねじ込むことによって、基板４１の下面５２に取り付け
てある。
【００８２】シール面９５，９６が夫々座ぐり部５０に
嵌合し、メタルガスケット１０１を介してシール面４８
を押圧している。
【００８３】これにより、Ｕ字状配管４５は、基板４１
の下面側において、別々の貫通孔４６の間を連通してい
る。
【００８４】開閉弁４２-1〜４２-5，質量流量制御装置
４３，圧力制御弁４４は、基板４１の貫通孔４６及び基
板４１の下面側のＵ字状配管４５によって連通してい
る。
【００８５】また、図２（Ｂ）中、１１０はフィルタで
あり、基板４１を貫通するフィルタ収容孔１１１内に収
容してある。
【００８６】フィルタ収容孔１１１の開口端に、配管が
上記のＵ字状配管４５と同様に接続してある。
【００８７】図２（Ｂ）中、１２０はガス供給口、１２
１はガス流出口であり、共に基板４１の下面側にある。
【００８８】図２（Ｂ）中、ガス供給口１２０に供給さ
れたガスは、矢印で示すように、貫通孔４６を通って、
上面の開閉弁４２-1に到り、再度貫通孔４６を通って基
板４１の下面側に導かれ、Ｕ字状配管４５-1に入る。ガ
スは、再び、貫通孔４６を通って基板４１の上面側に導
かれ、質量流量制御装置４３に入る。気体は、更に、貫
通孔４６→配管４５-2→貫通孔４６→開閉弁４２-3→貫
通孔４６→配管４５-3→フィルタ１１０→開閉弁４２-4
→貫通孔４６を経て流出口１２１に到る。
【００８９】気体は、図２（Ｂ）上、ジグザグ状の経路
に沿って流れる。
【００９０】また、圧力制御弁４４及び開閉弁４２
-2は、パージ系統１２５を構成する。
【００９１】開閉弁４２-5は、捨てガス系統１２６を構
成する。
【００９２】パージ用Ｎ2 ガスの経路も、ジグザグ状で
ある。同じく、捨てガスの経路もジグザグ状である。
【００９３】次に、上記構成のガス供給装置４０の特徴
について説明する。 保守を簡単に行うことが出来る。
【００９４】図１中、例えば開閉弁４２-3を取り外す場
合を考えてみる。
【００９５】この場合には、開閉弁４２-3を取り付けて
いるねじ１００だけをゆるめて外し、開閉弁４２-3を上
方に引き上げることにより、シール面６７，６８及び４
７及びメタルガスケット１０１を傷付けることなく、開
閉弁４２-3が取り外される。
【００９６】取り付けは、取り外しと逆の手順で行えば
よい。
【００９７】従って、取り外したい機器を固定している
ねじを外すことによって、取り外したい機器だけを独立
に取り外すことが出来、保守作業を簡単に且つ短い時間
で行うことが出来る。 小型化出来る。
【００９８】開閉弁等の機器は、基板４１の貫通孔４
６，基板４１の底面５２側のＵ字状配管４５によって連
通してある。
【００９９】このため、基板４１の上面５１において、
開閉弁等の機器は互いに近づけて配設することが出来
る。
【０１００】例えば、開閉弁４２-3と装置４３との間の
距離ｈは、図１７（Ｂ）の従来の装置における距離ａに
比べて相当に短い。
【０１０１】従って、装置４０は、長さｉが図７（Ｂ）
の従来の装置における長さｂに比べて相当に短くなり、
小型化されている。 〔第２実施例〕図１２及び図１３は本発明の第２実施例
になるガス供給装置４０Ａを示す。
【０１０２】この装置４０Ａは、トリクロルシラン（Ｓ
ｉＨＣｌ3 ）等の液化し易いガスを取り扱う場合に適用
しうるようにしたものである。
【０１０３】各図中、第１実施例を示す図１乃至図３に
示す構成部分と対応する部分には同一符号を付し、その
説明は省略する。
【０１０４】基板４１Ａは、ヒータ挿入用の孔１３０が
追加された構成である。
【０１０５】ヒータ挿入用孔１３０は、図１４（Ｂ），
（Ｃ）に示すように、底面５２側から形成してあり、図
１３（Ｃ）に示すように、貫通孔４０の間に位置してマ
トリクス状に配してある。
【０１０６】ヒータ挿入用孔１３０のうち、開閉弁４２
等の機器に近い部分の孔には、シースヒータ１３１が挿
入してある。
【０１０７】また、装置４０Ａの略中央に位置するヒー
タ挿入孔１３０内に熱電対１３２が挿入してある。
【０１０８】図１５に示すように、シースヒータ１３１
及び熱電対１３２は、温度制御装置１３３と接続してあ
る。温度制御装置１３３は、熱電対１３２の検出温度が
設定した温度に対して差がある場合に、シースヒータ１
３１に加える電流値を、上記差を零とする方向に可変す
る。
【０１０９】温度制御の精度を上げたい場合には、熱電
対１３２を数個所に設け、数個所の温度を監視すればよ
い。
【０１１０】また、シースヒータ１３１は、直列接続で
も、並列接続でもよい。
【０１１１】また、Ｕ状状配管４５には、テープヒータ
（図示せず）を設ければよい。本実施例の装置４０Ａに
よれば、以下に挙げる特長を有する。 保守を簡単に行うことが出来る。
【０１１２】開閉弁４２-3等は、シースヒータ１３１を
取り外すことなく、またテープヒータ（図示せず）を取
り外すことなく、取り外せる。
【０１１３】配管４５の保守は不要である。
【０１１４】従って、保守作業は簡単に行われる。 小型化出来る。
【０１１５】第１実施例と同じ理由で小型化できる。 ガスを安定に供給し得る。
【０１１６】ガスが流れる貫通孔４６は、近くに配され
たシースヒータ１３１により最適に加熱されている。
【０１１７】このため、トリクロルシランは途中で液化
されることなく安定に流れ、安定に供給される。
【０１１８】図１２の装置４０Ａは、図１６に示すよう
に、化学的気相成長装置１４０に適用される。
【０１１９】反応炉１４１は電気ヒーター１４２によっ
て加熱されており、且つポンプ１４３によって排気され
て減圧状態とされている。
【０１２０】反応炉１４１内には、ウエハ１５０がサセ
プタ１５１上に載ってセットされている。
【０１２１】ボンベ１４４と反応炉１４１との間に上記
の装置４１Ａが設けてある。
【０１２２】ボンベ１４４からのトリクロルシランガス
は、気体供給装置４１Ａを通って、所定流量で安定に反
応炉１４１内に供給される。
【０１２３】これにより、ウエハ１５０上には、気相成
長により、高品質のシリコン膜が形成され、半導体装置
が歩留り良く製造される。
【０１２４】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、ガス流路を有する基板上に固定することによっ
て、ガス入口部及びガス出口部をガス流路と接続させる
ことが出来、従って、ガス流路の接続作業を不要とし
得、取付作業性の向上を図ることが出来る。
【０１２５】請求項２，３，４の発明によれば、取付作
業性の向上を図ることが出来る。
【０１２６】請求項５の発明によれば、開閉弁等を取り
外しを配管とは無関係に取り外すことが出来、然して、
ガス供給装置の保守を作業性良く行うことが出来る。ま
た、開閉弁等を互いに近接させることが出来るため、ガ
ス供給装置の小型化を図ることが出来る。
【０１２７】請求項６の発明によれば、貫通路の耐食性
を向上し得、且つガスを効率良く流すことが出来る。
【０１２８】請求項７の発明によれば、請求項５の発明
によって得られた効果に加えて、液化し易いガスを安定
に供給することが出来る。
【０１２９】請求項８の発明によれば、液化し易いガス
を安定に供給することが出来る。
【０１３０】請求項９の発明によれば、化学的気相成長
を安定に行わしめることが出来、よって、ウエハ上に膜
を形成する場合には、半導体装置を歩留り良く製造する
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例になるガス供給装置の一部
切截斜視図である。
【図２】図１のガス供給装置を示す図である。
【図３】基板の一部を拡大して示す図である。
【図４】開閉弁を示す図である。
【図５】質量流量制御装置を示す図である。
【図６】圧力制御弁を示す図である。
【図７】Ｕ字状配管を示す図である。
【図８】開閉弁の基板への取付け部分を拡大して示す図
である。
【図９】質量流量制御装置の基板への取付け部分を拡大
して示す図である。
【図１０】圧力制御弁の基板への取付け部分を拡大して
示す図である。
【図１１】Ｕ字状配管の基板への取付け部分を拡大して
示す図である。
【図１２】本発明の第２実施例になるガス供給装置の一
部切截斜視図である。
【図１３】図１２のガス供給装置を示す図である。
【図１４】基板の一部を拡大して示す図である。
【図１５】加熱温度の制御を説明する図である。
【図１６】図１２のガス供給装置を適用してなる化学的
気相成長装置を示す図である。
【図１７】従来のガス供給装置の１例を示す図である。
【図１８】図１７（Ｂ）中、破線で囲んだ部分を示す斜
視図である。
【符号の説明】
４０，４０Ａ ガス供給装置 ４１ 基板 ４２ 開閉弁 ４３ 質量流量制御装置 ４４ 圧力制御弁 ４５ Ｕ字状配管 ４６ 貫通孔 ４６ａ 内面 ４７，４８ シール面 ４９，５０ 座ぐり部 ５１ 上面 ５２ 下面 ５３，５４ ねじ孔 ６０，８０ 弁本体 ６１，８１ 弁体 ６２，８２ 操作ノブ ６３，７３，７４，８３ 取付面 ６４，８４，９３，９４ ねじを通す孔 ６５，７５，８６ ガス流入通路 ６５ａ，７５ａ，８６ａ ガス入口部 ６６，７６，８５ ガス流出通路 ６６ａ，７６ａ，８５ａ ガス出口部 ６７，６８，７７，７８，８７，８８，９５，９６ シ
ール面 ７０ 本体 ７１ 流量センサ部 ７２ 弁部 ９０ Ｕ字状配管本体 ９１，９２ 継手部 １００，１０２，１０３，１０４ ねじ １０１ メタルガスケット １１０ フィルタ １１１ フィルタ収容孔 １２０ ガス供給口 １２１ ガス流出口 １２５ パージ系統 １２６ 捨てガス系統 １３０ ヒータ挿入用孔 １３１ シースヒータ １３２ 熱電対 １３３ 温度制御装置 １４０ 化学的気相成長装置 １４１ 反応炉 １４２ 電気ヒーター １４３ ポンプ １５０ ウエハ １５１ サセプタ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガス機器本体と、ガス入口部と、ガス出
    口部とを有するガス機器において、 上記ガス機器本体（６０，７０，８０）を、その下面側
    （６３，７３，８３）に取付面を有する構成とすると共
    に、 上記ガス入口部（６５ａ，７５ａ，８６ａ）と上記ガス
    出口部（６６ａ，７６ａ，８５ａ）とを、上記取付面に
    設けた構成としたことを特徴とするガス機器。
  2. 【請求項２】 開閉弁本体と、流体入口部と、流体出口
    部と、該流体入口部と該流体出口部との間の弁体とを有
    する開閉弁において、 該開閉弁本体（６０）を、その下面側に取付面（６３）
    を有する構成とすると共に、 該流体入口部（６５ａ）と該流体出口部（６６ａ）と
    を、上記取付面に設けた構成としたことを特徴とする開
    閉弁。
  3. 【請求項３】 圧力制御弁本体と、流体入口部と、流体
    出口部と、該流体入口部と、該流体出口部との間の圧力
    制御部とを有する圧力制御弁において、 該圧力制御弁本体（８０）を、その下面側に取付面（８
    ３）を有する構成とすると共に、 該流体入口部（８６ａ）と該流体出口部（８５ａ）と
    を、上記取付面に設けた構成としたことを特徴とする圧
    力制御弁。
  4. 【請求項４】 流量制御装置本体と、流体入口部と、流
    体出口部と、該流体入口部と該流体出口部との間の流量
    制御部とを有する流量制御装置において、 該流量制御装置本体（７０）を、その下面側に取付面
    （７３）を有する構成とすると共に、 該流体入口部（７５ａ）と該流体出口部（７６ａ）と
    を、上記取付面に設けた構成としたことを特徴とする流
    量制御装置。
  5. 【請求項５】 その厚さ方向に貫通しており、ガス通路
    としての貫通孔（４６）を複数有する基板（４１）と、 下面側を取付面（６３）とされ、該取付面にガス入口部
    （６５ａ）とガス出口部（６６ａ）とを有しており、該
    取付面を該基板（４１）に当接させ、該ガス入口部及び
    該ガス出口部を別々の貫通孔（４６）に連通させて、該
    基板に取り付けられた開閉弁（４２）と、 下面側を取付面（８３）とされ、該取付面にガス入口部
    （８６ａ）とガス出口部（８５ａ）とを有しており、該
    取付面を該基板に当接させ、該ガス入口部及び該ガス出
    口部を別々の貫通孔（４６）に連通させて、該基板に取
    り付けられた圧力制御弁（４４）と、 下面側を取付面（７３）とされ、該取付面にガス入口部
    （７５ａ）とガス出口部（７６ａ）とを有しており、該
    取付面にガス入口部とガス出口部とを有しており、該取
    付面を該基板に当接させ、該ガス入口部及び該ガス出口
    部を別々の貫通孔（４６）に連通させて、該基板に取り
    付けられた流量制御装置（４３）と、 該開閉弁、該圧力制御弁及び該流量制御弁を接続すべ
    く、上記基板の該開閉弁、該圧力制御弁、及び該流量制
    御弁が取り付けられている面側とは反対側の面におい
    て、該基板の別々の貫通孔の間にかけ渡して配された配
    管（４５）とよりなる構成としたことを特徴とするガス
    供給装置。
  6. 【請求項６】 請求項５の基板の貫通孔は、最大粗さが
    サブミクロン以下に表面処理された内面（４６ａ）を有
    する構成としたことを特徴とするガス供給装置。
  7. 【請求項７】 請求項５の基板は、ヒータ挿入用の孔
    （１３０）を更に有する構成であり、上記ヒータ挿入用
    孔に挿入されたヒータ（１３１）を更に有する構成とし
    たことを特徴とするガス供給装置。
  8. 【請求項８】 請求項７のガス供給装置を使用してガス
    を加熱された状態で供給することを特徴とするガス供給
    方法。
  9. 【請求項９】 請求項７のガス供給装置と、 該ガス供給装置からガスを供給させる反応炉（１４１）
    とを有する構成としたことを特徴とする化学的気相成長
    装置。
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