JPH07122938B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH07122938B2 JPH07122938B2 JP61110754A JP11075486A JPH07122938B2 JP H07122938 B2 JPH07122938 B2 JP H07122938B2 JP 61110754 A JP61110754 A JP 61110754A JP 11075486 A JP11075486 A JP 11075486A JP H07122938 B2 JPH07122938 B2 JP H07122938B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- film
- recording medium
- optical recording
- adsorption layer
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザー光を用いて記録，再生，消去を行う
光磁気記録に係り、特に酸素及び水分等から磁気記録媒
体を保護するのに好適な保護膜の材料に関する。
光磁気記録に係り、特に酸素及び水分等から磁気記録媒
体を保護するのに好適な保護膜の材料に関する。
近年、高密度で大容量の情報の任意呼出し及び書換え可
能な光磁気記録が注意されている。この光磁気記録媒体
として、非晶質の希土類−鉄族系が研究の中心にある。
しかしながら、これらの材料は、水分や酸素と容易に反
応して水酸化物や酸化物を生成する。そのために、光磁
気デイスクの特性、特にカー回転角或いは保磁力の変動
が起つていた。そこで従来の光磁気デイスクは、記録媒
体保護のために、SiO2,SiO,Si3N4,AlN等を用いていた。
この例として、特開昭59−171055をあげることができ
る。
能な光磁気記録が注意されている。この光磁気記録媒体
として、非晶質の希土類−鉄族系が研究の中心にある。
しかしながら、これらの材料は、水分や酸素と容易に反
応して水酸化物や酸化物を生成する。そのために、光磁
気デイスクの特性、特にカー回転角或いは保磁力の変動
が起つていた。そこで従来の光磁気デイスクは、記録媒
体保護のために、SiO2,SiO,Si3N4,AlN等を用いていた。
この例として、特開昭59−171055をあげることができ
る。
この保護膜は、真空蒸着，イオンプレーテイング，スパ
ツタ等の薄膜形成技術を駆使して形成される。ところ
が、形成した薄膜には、ピンホールが存在する場合があ
り、そこから薄膜内部へ水や酸素が拡散してゆき、記録
媒体と反応して記録媒体と保護膜との界面に酸化物また
は水酸化物層が形成される。そのため、光磁気デイスク
の磁気特性が著しく低下していた。このような磁気特性
の低下を抑制することにより、光磁気デイスクの寿命を
著しく伸ばすことができる。そこで、磁気記録膜の変質
を抑制する技術を確立することが重要な課題であつた。
ツタ等の薄膜形成技術を駆使して形成される。ところ
が、形成した薄膜には、ピンホールが存在する場合があ
り、そこから薄膜内部へ水や酸素が拡散してゆき、記録
媒体と反応して記録媒体と保護膜との界面に酸化物また
は水酸化物層が形成される。そのため、光磁気デイスク
の磁気特性が著しく低下していた。このような磁気特性
の低下を抑制することにより、光磁気デイスクの寿命を
著しく伸ばすことができる。そこで、磁気記録膜の変質
を抑制する技術を確立することが重要な課題であつた。
本発明の目的は、磁気記録媒体を大気中の酸素や水分か
ら保護し、光磁気デイスクの特性の劣化を防止するのに
有効な保護膜を提供することにある。
ら保護し、光磁気デイスクの特性の劣化を防止するのに
有効な保護膜を提供することにある。
先に述べたように、時間の経過と共に光磁気記録媒体と
保護膜の界面に酸化物層や水酸化物層が生じる。それを
防止するために、磁気記録膜と保護膜との間に酸素や水
分をトラツプする材料層を設けることを考えた。この目
的を達成する材料として、酸素や水と強く吸着能を有す
るシリカゲルや活性アルミナを選択し、これら材料はス
パッタ法により薄膜化した。
保護膜の界面に酸化物層や水酸化物層が生じる。それを
防止するために、磁気記録膜と保護膜との間に酸素や水
分をトラツプする材料層を設けることを考えた。この目
的を達成する材料として、酸素や水と強く吸着能を有す
るシリカゲルや活性アルミナを選択し、これら材料はス
パッタ法により薄膜化した。
大気中からの水分や酸素はこれらの材料層でトラツプさ
れ、磁性膜は水分，酸素と反応することがなくなる。
れ、磁性膜は水分，酸素と反応することがなくなる。
尚、ここで重要なことは、これらの材料は結晶中に結晶
水を含有しているため、十分乾燥して結晶水を取り去る
ことである。十分に乾燥した状態だと吸着能も著しく高
くなる。また、磁気記録膜作成→吸着層形成→保護膜作
成までインライン方式で行うことが必要で、これは、活
性な表面を保つためである。
水を含有しているため、十分乾燥して結晶水を取り去る
ことである。十分に乾燥した状態だと吸着能も著しく高
くなる。また、磁気記録膜作成→吸着層形成→保護膜作
成までインライン方式で行うことが必要で、これは、活
性な表面を保つためである。
以下、実施例１を用いて、本発明の詳細について説明す
る。
る。
［実施例１］ 作成した光磁気デイスクの断面構造の模式図を第１図に
示す。洗浄したガラス又は樹脂のデイスク基板（１）上
に、シリカゲル或いは活性アルミナを吸着層（２）とし
てスパツタ法により形成した。その時の作成条件は実施
例１と同様である。次に、SiOのKerrエンハンス膜
（３）をスパツタ法により形成する。その時の条件は、
ターゲツトにSiOを放電ガスにAr/Hr＝90/10をそれぞれ
用い、放電時間７分，投入RF出力1w/cm2,圧力５×10-3
（Torr）である。つづいて、Tb27Fe62Co11なる組成を有
する0.1μｍ膜厚の磁気記録膜（４）をスパツタ法によ
り形成する。その時の形成条件は、実施例１と同様であ
る。そして、この上にシリカゲルまたは活性アルミナの
吸着層（２）をそして最後にSi3N4を保護膜（５）とし
てそれぞれスパツタ法により形成した。その時の条件は
実施例１と同様である。比較のために吸着層を含まない
光磁気デイスクもあわせて作成した。
示す。洗浄したガラス又は樹脂のデイスク基板（１）上
に、シリカゲル或いは活性アルミナを吸着層（２）とし
てスパツタ法により形成した。その時の作成条件は実施
例１と同様である。次に、SiOのKerrエンハンス膜
（３）をスパツタ法により形成する。その時の条件は、
ターゲツトにSiOを放電ガスにAr/Hr＝90/10をそれぞれ
用い、放電時間７分，投入RF出力1w/cm2,圧力５×10-3
（Torr）である。つづいて、Tb27Fe62Co11なる組成を有
する0.1μｍ膜厚の磁気記録膜（４）をスパツタ法によ
り形成する。その時の形成条件は、実施例１と同様であ
る。そして、この上にシリカゲルまたは活性アルミナの
吸着層（２）をそして最後にSi3N4を保護膜（５）とし
てそれぞれスパツタ法により形成した。その時の条件は
実施例１と同様である。比較のために吸着層を含まない
光磁気デイスクもあわせて作成した。
このようにして作成した光磁気デイスクの寿命試験を行
つた。その結果を第２図に示す。この図は、縦軸にKerr
回転角：θＫ及び保磁力:Hcを、横軸に日数をとつてあ
る。作成した光磁気デイスクを60℃,90％の環境に保管
し、デイスクのHc及びθＫの経時変化を測定した。デイ
スク作成初期の特性は、θＫ＝0.65゜,Hc＝3.0KOeであ
つた。まず、曲線6,6′は吸着層を設けていない場合の
デイスク特性の経時変化を示す。θK,Hcともに約170日
までほぼ一定の値であつた。その後、Hcは上昇してゆき
250日経過後で約3.8KOeとなつた。またθＫは、ゆつく
り減少してゆき、250日後で0.50゜となつた。これに対
し、本発明の吸着層を設けた光磁気デイスクの場合は、
230日までは初期特性を維持していた。しかし、θＫは2
30日以後、わずかずつ減少しはじめ、250日後で0.62゜
となつた。またHcは、逆に230日以降徐々に増加してゆ
き、250日後で3.3KOeとなつた。このように、任意の層
間に酸素や水分を吸着する層を設けることにより、デイ
スク特性の低下を防ぐことができることがわかる。
つた。その結果を第２図に示す。この図は、縦軸にKerr
回転角：θＫ及び保磁力:Hcを、横軸に日数をとつてあ
る。作成した光磁気デイスクを60℃,90％の環境に保管
し、デイスクのHc及びθＫの経時変化を測定した。デイ
スク作成初期の特性は、θＫ＝0.65゜,Hc＝3.0KOeであ
つた。まず、曲線6,6′は吸着層を設けていない場合の
デイスク特性の経時変化を示す。θK,Hcともに約170日
までほぼ一定の値であつた。その後、Hcは上昇してゆき
250日経過後で約3.8KOeとなつた。またθＫは、ゆつく
り減少してゆき、250日後で0.50゜となつた。これに対
し、本発明の吸着層を設けた光磁気デイスクの場合は、
230日までは初期特性を維持していた。しかし、θＫは2
30日以後、わずかずつ減少しはじめ、250日後で0.62゜
となつた。またHcは、逆に230日以降徐々に増加してゆ
き、250日後で3.3KOeとなつた。このように、任意の層
間に酸素や水分を吸着する層を設けることにより、デイ
スク特性の低下を防ぐことができることがわかる。
本発明によれば、基板，磁気記録膜，光学的機能膜，保
護膜のうち、任意の層間に水分と酸素の吸着層を設ける
ことにより、大気中の水分と酸素を吸着層でトラツプす
ることができるので、磁性膜の劣化を防止する効果があ
る。さらにこの膜は、ピンホールに対しても有効で、ピ
ンホールに侵入してきた物質をも吸着してしまうからで
ある。さらに、この膜を設けることにより、物理的な保
護作用も増加させることができた。これは、樹脂基板か
らしみ出してくる物質の除去に対しても同じ原理で有効
に働き、デイスクの長寿命化に大きく寄与することがわ
かつた。
護膜のうち、任意の層間に水分と酸素の吸着層を設ける
ことにより、大気中の水分と酸素を吸着層でトラツプす
ることができるので、磁性膜の劣化を防止する効果があ
る。さらにこの膜は、ピンホールに対しても有効で、ピ
ンホールに侵入してきた物質をも吸着してしまうからで
ある。さらに、この膜を設けることにより、物理的な保
護作用も増加させることができた。これは、樹脂基板か
らしみ出してくる物質の除去に対しても同じ原理で有効
に働き、デイスクの長寿命化に大きく寄与することがわ
かつた。
第１図は光磁気デイスクの断面構造の模式図、第２図は
60℃−90％の環境中に保存したときの光磁気デイスクの
Hc,θＫの経時変化を示す図である。 １……デイスク基板、２……シリカゲル或いは活性アル
ミナの吸着層、３……SiO Kerrエンハンス層、４……磁
気記録膜、５……保護膜、6,6′……吸着層を含まない
光磁気デイスクのHc,θＫの変化、7,7′……シリカゲル
或いは活性アルミナを吸着層として含む光磁気デイスク
のHc,θＫの変化。
60℃−90％の環境中に保存したときの光磁気デイスクの
Hc,θＫの経時変化を示す図である。 １……デイスク基板、２……シリカゲル或いは活性アル
ミナの吸着層、３……SiO Kerrエンハンス層、４……磁
気記録膜、５……保護膜、6,6′……吸着層を含まない
光磁気デイスクのHc,θＫの変化、7,7′……シリカゲル
或いは活性アルミナを吸着層として含む光磁気デイスク
のHc,θＫの変化。
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス又は樹脂の基板の上に、シリカゲル
或は活性アルミナから成る吸着層を設け、その上に保護
膜、光磁気記録膜をこの順に設けた膜構成を有すること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110754A JPH07122938B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110754A JPH07122938B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62267940A JPS62267940A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH07122938B2 true JPH07122938B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=14543712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61110754A Expired - Fee Related JPH07122938B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122938B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938781A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS59146463A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体の製法 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61110754A patent/JPH07122938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62267940A (ja) | 1987-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |