JPH07122962A - 表面波フィルタ - Google Patents
表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH07122962A JPH07122962A JP26521793A JP26521793A JPH07122962A JP H07122962 A JPH07122962 A JP H07122962A JP 26521793 A JP26521793 A JP 26521793A JP 26521793 A JP26521793 A JP 26521793A JP H07122962 A JPH07122962 A JP H07122962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface wave
- idts
- wave filter
- pair
- piezoelectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 20
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 挿入損失の小さなＢＧＳ波などのＳＨ波を利
用したトランスバーサル型の表面波フィルタを提供す
る。 【構成】 圧電基板１２上に所定距離Ｌを隔てて配置さ
れた入出力用ＩＤＴ１３，１４間の表面波伝搬路上に、 【数１】 を満たすように表面波伝搬方向に沿う長さＤが定められ
たメタライズ層１９を設けてなる表面波フィルタ１１。
用したトランスバーサル型の表面波フィルタを提供す
る。 【構成】 圧電基板１２上に所定距離Ｌを隔てて配置さ
れた入出力用ＩＤＴ１３，１４間の表面波伝搬路上に、 【数１】 を満たすように表面波伝搬方向に沿う長さＤが定められ
たメタライズ層１９を設けてなる表面波フィルタ１１。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＳ波などのＳＨ波
を利用したトランスバーサル型の表面波フィルタに関
し、特に、表面波伝搬路上の構造を改良することにより
挿入損失を低減した表面波フィルタに関する。
を利用したトランスバーサル型の表面波フィルタに関
し、特に、表面波伝搬路上の構造を改良することにより
挿入損失を低減した表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＳ波などのＳＨ波を利用した従来の
トランスバーサル型表面波フィルタの一例を、図５を参
照して説明する。
トランスバーサル型表面波フィルタの一例を、図５を参
照して説明する。
【０００３】表面波フィルタ１は、チタン酸ジルコン酸
鉛系圧電セラミックスのような圧電材料からなる圧電基
板２を用いて構成されている。圧電基板２の上面には、
入力用または出力用のインターデジタルトランスデュー
サ（以下、ＩＤＴと略す。）３，４が所定距離を隔てて
配置されている。
鉛系圧電セラミックスのような圧電材料からなる圧電基
板２を用いて構成されている。圧電基板２の上面には、
入力用または出力用のインターデジタルトランスデュー
サ（以下、ＩＤＴと略す。）３，４が所定距離を隔てて
配置されている。
【０００４】ＩＤＴ３，４は、それぞれ、互いに間挿し
合う複数本の電極指を有する一対のくし歯電極３ａ，３
ｂ及び４ａ，４ｂを有する。また、くし歯電極３ｂ，４
ｂは、それぞれ、アース電位に接続される端子電極５，
６に電気的に接続されている。他方、くし歯電極３ａ，
４ａは、それぞれ、入出力用電極となる端子電極７，８
に電気的に接続されている。
合う複数本の電極指を有する一対のくし歯電極３ａ，３
ｂ及び４ａ，４ｂを有する。また、くし歯電極３ｂ，４
ｂは、それぞれ、アース電位に接続される端子電極５，
６に電気的に接続されている。他方、くし歯電極３ａ，
４ａは、それぞれ、入出力用電極となる端子電極７，８
に電気的に接続されている。
【０００５】ＩＤＴ３を入力側、ＩＤＴ４を出力側ＩＤ
Ｔとしたときに、入力信号をＩＤＴ３に加えることによ
り、ＳＨ波がＩＤＴ３において励振され、励振されたＳ
Ｈ波が出力側ＩＤＴ４に伝搬される。そして、出力側Ｉ
ＤＴ４において、伝搬してきたＳＨ波に基づく出力信号
が取り出される。
Ｔとしたときに、入力信号をＩＤＴ３に加えることによ
り、ＳＨ波がＩＤＴ３において励振され、励振されたＳ
Ｈ波が出力側ＩＤＴ４に伝搬される。そして、出力側Ｉ
ＤＴ４において、伝搬してきたＳＨ波に基づく出力信号
が取り出される。
【０００６】なお、圧電基板２において、互いに平行に
延びる側面２ａ，２ｂに対して、端面２ｃ，２ｄが図示
のように直交する方向から傾斜された方向に延ばされて
いるのは、ＳＨ波の端面２ｃ，２ｄにおける反射による
影響を低減するためである。
延びる側面２ａ，２ｂに対して、端面２ｃ，２ｄが図示
のように直交する方向から傾斜された方向に延ばされて
いるのは、ＳＨ波の端面２ｃ，２ｄにおける反射による
影響を低減するためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記表面波フィルタ１
は、主として帯域フィルタとして用いられるが、他のフ
ィルタと同様に、挿入損失の低減が強く求められている
が、上記表面波フィルタ１では、未だ挿入損失が比較的
大きいという問題があった。
は、主として帯域フィルタとして用いられるが、他のフ
ィルタと同様に、挿入損失の低減が強く求められている
が、上記表面波フィルタ１では、未だ挿入損失が比較的
大きいという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、挿入損失を効果的に低減
し得る構造を備えたＢＧＳ波などのＳＨ波を利用した表
面波フィルタを提供することにある。
し得る構造を備えたＢＧＳ波などのＳＨ波を利用した表
面波フィルタを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板と、
前記圧電基板上において所定距離を隔てて配置された一
対のインターデジタルトランスデューサとを備えるＳＨ
波を利用したトランスバーサル型の表面波フィルタにお
いて、前記一対のインターデジタルトランスデューサ間
の表面波伝搬路中に、メタライズ層が設けられており、
前記一対のインターデジタルトランスデューサ間の距離
をＬ、前記メタライズ層の表面波伝搬方向に沿う長さを
Ｄとしたときに、
前記圧電基板上において所定距離を隔てて配置された一
対のインターデジタルトランスデューサとを備えるＳＨ
波を利用したトランスバーサル型の表面波フィルタにお
いて、前記一対のインターデジタルトランスデューサ間
の表面波伝搬路中に、メタライズ層が設けられており、
前記一対のインターデジタルトランスデューサ間の距離
をＬ、前記メタライズ層の表面波伝搬方向に沿う長さを
Ｄとしたときに、
【００１０】
【数２】
【００１１】とされていることを特徴とする、表面波フ
ィルタである。
ィルタである。
【００１２】
【作用】本願発明者は、ＢＧＳ波などのＳＨ波を利用し
た表面波フィルタにおいて、挿入損失を低減するために
種々検討した結果、上記メタライズ層をＩＤＴ間に配置
し、かつ式（１）を満たすように該メタライズ層を構成
すれば、挿入損失を低減し得ることを見出した。すなわ
ち、上記式（１）を満たすメタライズ層を形成すること
により、挿入損失を低減し得ることは、本願発明者によ
り実験的に確かめられたものである。
た表面波フィルタにおいて、挿入損失を低減するために
種々検討した結果、上記メタライズ層をＩＤＴ間に配置
し、かつ式（１）を満たすように該メタライズ層を構成
すれば、挿入損失を低減し得ることを見出した。すなわ
ち、上記式（１）を満たすメタライズ層を形成すること
により、挿入損失を低減し得ることは、本願発明者によ
り実験的に確かめられたものである。
【００１３】なお、上記式（１）を満たす寸法のメタラ
イズ層を設けることにより挿入損失を低減し得るのは、
ＳＨ波がレーリー波に比べて圧電基板表面からかなり深
い位置まで伝搬するため、上記のようにメタライズ層を
設ければＢＧＳ波が圧電基板表面付近に集中し、それに
よって挿入損失が低減されるものと思われる。すなわ
ち、上記メタライズ層は、ＳＨ波伝搬路上において圧電
基板表面付近に集中させる機能を果たすものと考えられ
る。
イズ層を設けることにより挿入損失を低減し得るのは、
ＳＨ波がレーリー波に比べて圧電基板表面からかなり深
い位置まで伝搬するため、上記のようにメタライズ層を
設ければＢＧＳ波が圧電基板表面付近に集中し、それに
よって挿入損失が低減されるものと思われる。すなわ
ち、上記メタライズ層は、ＳＨ波伝搬路上において圧電
基板表面付近に集中させる機能を果たすものと考えられ
る。
【００１４】なお、従来より、レーリー波を利用した表
面波フィルタにおいては、表面波伝搬路上にシールド電
極を形成した構造が広く知られている。すなわち、入出
力用ＩＤＴ間の表面波伝搬路上にアース電位に接続され
るシールド電極を形成した構造が周知である。しかしな
がら、このシールド電極は、単に入出力ＩＤＴ間におけ
る表面波を介さない直接的な電磁結合を防止するために
設けられているものに過ぎない。
面波フィルタにおいては、表面波伝搬路上にシールド電
極を形成した構造が広く知られている。すなわち、入出
力用ＩＤＴ間の表面波伝搬路上にアース電位に接続され
るシールド電極を形成した構造が周知である。しかしな
がら、このシールド電極は、単に入出力ＩＤＴ間におけ
る表面波を介さない直接的な電磁結合を防止するために
設けられているものに過ぎない。
【００１５】本発明のメタライズ層は、上記のように
ＳＨ波が圧電基板表面からかなり深い位置まで伝搬する
ことに鑑み、該ＳＨ波をできるだけ圧電基板表面付近に
集中させるために設けられているものであり、それによ
って挿入損失を低減させるものであり、このような観点
から上記式（１）を満たす寸法に形成されることが必要
である。
ＳＨ波が圧電基板表面からかなり深い位置まで伝搬する
ことに鑑み、該ＳＨ波をできるだけ圧電基板表面付近に
集中させるために設けられているものであり、それによ
って挿入損失を低減させるものであり、このような観点
から上記式（１）を満たす寸法に形成されることが必要
である。
【００１６】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。
することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】図１は、本発明の一実施例に係るＢＧＳ波
などのＳＨ波を利用したトランスバーサル型の表面波フ
ィルタを示す略図的平面図である。表面波フィルタ１１
は、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉＴ
ａＯ3 等の圧電単結晶からなる圧電基板１２を用いて構
成されている。圧電基板１２の上面には、所定距離を隔
てて一対のＩＤＴ１３，１４が形成されている。ＩＤＴ
１３，１４は、互いに間挿し合う電極指を有する一対の
くし歯電極１３ａ，１３ｂ及び１４ａ，１４ｂを有す
る。
などのＳＨ波を利用したトランスバーサル型の表面波フ
ィルタを示す略図的平面図である。表面波フィルタ１１
は、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉＴ
ａＯ3 等の圧電単結晶からなる圧電基板１２を用いて構
成されている。圧電基板１２の上面には、所定距離を隔
てて一対のＩＤＴ１３，１４が形成されている。ＩＤＴ
１３，１４は、互いに間挿し合う電極指を有する一対の
くし歯電極１３ａ，１３ｂ及び１４ａ，１４ｂを有す
る。
【００１８】くし歯電極１３ｂ，１４ｂは、アース電位
に接続される端子電極１５，１６に接続されている。ま
た、くし歯電極１３ａ，１４ａは、入出力端として用い
られる端子電極１７，１８に電気的に接続されている。
に接続される端子電極１５，１６に接続されている。ま
た、くし歯電極１３ａ，１４ａは、入出力端として用い
られる端子電極１７，１８に電気的に接続されている。
【００１９】また、圧電基板１２は、互いに平行に延び
る一対の側面１２ａ，１２ｂを有し、側面１２ａ，１２
ｂを結ぶ端面１２ｃ，１２ｄは、図示のように表面波伝
搬方向と直交する方向から傾斜した方向に延ばされてい
る。これは、端面１２ｃ，１２ｄにおけるＢＧＳ波の反
射による悪影響を低減するためである。
る一対の側面１２ａ，１２ｂを有し、側面１２ａ，１２
ｂを結ぶ端面１２ｃ，１２ｄは、図示のように表面波伝
搬方向と直交する方向から傾斜した方向に延ばされてい
る。これは、端面１２ｃ，１２ｄにおけるＢＧＳ波の反
射による悪影響を低減するためである。
【００２０】本実施例の特徴は、上記ＩＤＴ１３，１４
間の表面波伝搬路上にメタライズ層１９が形成されてい
ることにある。メタライズ層１９は、アース電位に接続
される端子電極１９ａに電気的に接続されており、かつ
ＩＤＴ１３，１４を構成しているくし歯電極１３ａ〜１
４ｂと等しい厚みを有するように導電性材料を付与する
ことにより形成されている。使用する導電性材料として
は特に限定されるものではないが、製造工程を簡略化す
るには、ＩＤＴ１３，１４を構成している金属材料と同
一の金属材料を用いることが好ましい。
間の表面波伝搬路上にメタライズ層１９が形成されてい
ることにある。メタライズ層１９は、アース電位に接続
される端子電極１９ａに電気的に接続されており、かつ
ＩＤＴ１３，１４を構成しているくし歯電極１３ａ〜１
４ｂと等しい厚みを有するように導電性材料を付与する
ことにより形成されている。使用する導電性材料として
は特に限定されるものではないが、製造工程を簡略化す
るには、ＩＤＴ１３，１４を構成している金属材料と同
一の金属材料を用いることが好ましい。
【００２１】メタライズ層１９は、その表面波伝搬方向
に沿う長さをＤとし、ＩＤＴ１３，１４間の距離をＬと
したとき、
に沿う長さをＤとし、ＩＤＴ１３，１４間の距離をＬと
したとき、
【００２２】
【数３】
【００２３】を満たすように構成することが必要であ
る。これは、後述の実験例から明らかなように、上記式
（１）を満たすようにメタライズ層１９の表面波伝搬方
向に沿う長さを選択することにより初めて挿入損失を大
きく改善し得るからである。これは、式（１）を満たす
大きさのメラタイズ層１９を設けることにより、表面波
伝搬路上におけるＳＨ波の圧電基板表面付近への集中を
果たし得るからと考えられる。
る。これは、後述の実験例から明らかなように、上記式
（１）を満たすようにメタライズ層１９の表面波伝搬方
向に沿う長さを選択することにより初めて挿入損失を大
きく改善し得るからである。これは、式（１）を満たす
大きさのメラタイズ層１９を設けることにより、表面波
伝搬路上におけるＳＨ波の圧電基板表面付近への集中を
果たし得るからと考えられる。
【００２４】なお、メタライズ層１９の幅、すなわち、
表面波伝搬方向と直交する方向の寸法については、本実
施例では、ＩＤＴ１３，１４の表面波伝搬方向に沿う方
向と直交する方向の寸法（幅方向寸法）と等しくされて
いる。もっとも、メタライズ層１９の幅寸法について
は、ＩＤＴ１３，１４間を伝搬するＳＨ波をカバーし得
る寸法にさえ構成されておればよい。すなわち、ＩＤＴ
１３，１４の電極指の交差幅が、ＩＤＴ１３，１４の幅
方向寸法よりもかなり小さい場合には、ＩＤＴ１３，１
４の幅方向寸法よりもメタライズ層１９の幅寸法を小さ
くしてもよい。次に、具体的な実験例を説明することに
より、式（１）を満たすメタライズ層１９を設けること
により挿入損失が低減されることを明らかにする。
表面波伝搬方向と直交する方向の寸法については、本実
施例では、ＩＤＴ１３，１４の表面波伝搬方向に沿う方
向と直交する方向の寸法（幅方向寸法）と等しくされて
いる。もっとも、メタライズ層１９の幅寸法について
は、ＩＤＴ１３，１４間を伝搬するＳＨ波をカバーし得
る寸法にさえ構成されておればよい。すなわち、ＩＤＴ
１３，１４の電極指の交差幅が、ＩＤＴ１３，１４の幅
方向寸法よりもかなり小さい場合には、ＩＤＴ１３，１
４の幅方向寸法よりもメタライズ層１９の幅寸法を小さ
くしてもよい。次に、具体的な実験例を説明することに
より、式（１）を満たすメタライズ層１９を設けること
により挿入損失が低減されることを明らかにする。
【００２５】ＰＺＴ系圧電セラミックよりなる圧電基板
１２を用い、その上面に、電極指の対数Ｎ＝１０、励振
されるＢＧＳ波の波長λ＝４７．６μｍの一対のＩＤＴ
１３，１４を形成した。なお、ＩＤＴ１３，１４間の距
離Ｌ（図１参照）は、３０λとし、この表面波フィルタ
の中心周波数ｆ0 は５０ＭＨｚである。
１２を用い、その上面に、電極指の対数Ｎ＝１０、励振
されるＢＧＳ波の波長λ＝４７．６μｍの一対のＩＤＴ
１３，１４を形成した。なお、ＩＤＴ１３，１４間の距
離Ｌ（図１参照）は、３０λとし、この表面波フィルタ
の中心周波数ｆ0 は５０ＭＨｚである。
【００２６】上記表面波フィルタにおいて、メタライズ
層を形成しなかった場合、すなわち、図５に示した従来
例に相当する構造の減衰量−周波数特性を測定した。結
果を図２に示す。
層を形成しなかった場合、すなわち、図５に示した従来
例に相当する構造の減衰量−周波数特性を測定した。結
果を図２に示す。
【００２７】他方、実施例として、上記のようにして用
意した表面波フィルタにおいて、Ｄ＝２９λ、すなわ
ち、Ｄ／Ｌ＝０．９７のメタライズ層１９を形成したも
のを用意し、同様にして減衰量−周波数測定を測定し
た。結果を図３に示す。
意した表面波フィルタにおいて、Ｄ＝２９λ、すなわ
ち、Ｄ／Ｌ＝０．９７のメタライズ層１９を形成したも
のを用意し、同様にして減衰量−周波数測定を測定し
た。結果を図３に示す。
【００２８】図２及び図３の比較から明らかなように、
中心周波数及びその近傍において、減衰量が図２に示し
た特性では１５ｄＢであるのに対し、実施例の特性であ
る図３では１０ｄＢと、約５ｄＢ小さくなっていること
がわかる。従って、上記寸法のメタライズ層１９を設け
ることにより、挿入損失を効果的に低減し得ることがわ
かる。
中心周波数及びその近傍において、減衰量が図２に示し
た特性では１５ｄＢであるのに対し、実施例の特性であ
る図３では１０ｄＢと、約５ｄＢ小さくなっていること
がわかる。従って、上記寸法のメタライズ層１９を設け
ることにより、挿入損失を効果的に低減し得ることがわ
かる。
【００２９】次に、上記表面波フィルタ１１において、
メタライズ層１９の表面波伝搬方向に沿う長さＤを種々
異ならせ、上記実験例と同様にして挿入損失の低減され
る大きさを測定した。結果を図４に示す。図４は、縦軸
が挿入損失改良分（ｄＢ）を示し、横軸がＤ／Ｌを示
す。
メタライズ層１９の表面波伝搬方向に沿う長さＤを種々
異ならせ、上記実験例と同様にして挿入損失の低減され
る大きさを測定した。結果を図４に示す。図４は、縦軸
が挿入損失改良分（ｄＢ）を示し、横軸がＤ／Ｌを示
す。
【００３０】図４から明らかなように、Ｄ／Ｌを０．６
５以上とすることにより、挿入損失が大きく改善され得
ることがわかる。なお、当然のことながら、メタライズ
層１９はアース電位に接続されるものであるため、入出
力用ＩＤＴ１３，１４のホット側のくし歯電極に接続さ
れてはならない。従って、Ｄ／Ｌ比は１未満でなければ
ならない。
５以上とすることにより、挿入損失が大きく改善され得
ることがわかる。なお、当然のことながら、メタライズ
層１９はアース電位に接続されるものであるため、入出
力用ＩＤＴ１３，１４のホット側のくし歯電極に接続さ
れてはならない。従って、Ｄ／Ｌ比は１未満でなければ
ならない。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、ＢＧＳ波などのＳＨ波
を利用した表面波フィルタにおいて、一対のＩＤＴ間に
上記式（１）を満たすメタライズ層が設けられているた
め、表面波伝搬路においてＳＨ波が圧電基板表面近傍の
層に集中される。従って、表面波フィルタの挿入損失を
効果的に低減することが可能となり、挿入損失の小さい
表面波フィルタを提供することが可能となる。
を利用した表面波フィルタにおいて、一対のＩＤＴ間に
上記式（１）を満たすメタライズ層が設けられているた
め、表面波伝搬路においてＳＨ波が圧電基板表面近傍の
層に集中される。従って、表面波フィルタの挿入損失を
効果的に低減することが可能となり、挿入損失の小さい
表面波フィルタを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の表面波フィルタを示す模式的平面図。
【図２】従来例の表面波フィルタの減衰量−周波数特性
を示す図。
を示す図。
【図３】実施例の表面波フィルタの減衰量−周波数特性
を示す図。
を示す図。
【図４】Ｄ／Ｌと挿入損失改良分との関係を示す図。
【図５】従来の表面波フィルタを示す模式的平面図。
１１…表面波フィルタ １２…圧電基板 １３，１４…ＩＤＴ １９…メタライズ層
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板と、 前記圧電基板上において所定距離を隔てて配置された一
対のインターデジタルトランスデューサとを備えるＳＨ
波を利用したトランスバーサル型の表面波フィルタにお
いて、 前記一対のインターデジタルトランスデューサ間の表面
波伝搬路上に、メタライズ層が設けられており、前記一
対のインターデジタルトランスデューサ間の距離をＬ、
前記メタライズ層の表面波伝搬方向に沿う長さをＤとし
たときに、 【数１】 とされていることを特徴とする、表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26521793A JPH07122962A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26521793A JPH07122962A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122962A true JPH07122962A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17414157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26521793A Pending JPH07122962A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271685B2 (en) | 2004-07-15 | 2007-09-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP26521793A patent/JPH07122962A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271685B2 (en) | 2004-07-15 | 2007-09-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3233087B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| US5838217A (en) | Longitudinally coupling acoustic surface wave double mode filter utilizing end-face reflecting waves | |
| EP0063586A4 (en) | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE PROVIDED WITH REFLECTORS. | |
| US5986523A (en) | Edge reflection type longitudinally coupled surface acoustic wave filter | |
| US11606079B2 (en) | Transducer structure for source suppression in saw filter devices | |
| JP3077052B2 (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ装置 | |
| JPH08204498A (ja) | 端面反射型表面波装置 | |
| CN101167247B (zh) | 弹性边界波装置 | |
| JP3196499B2 (ja) | 表面波共振子 | |
| KR100465975B1 (ko) | 표면파 장치 및 통신기 | |
| JP2000312125A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH07122962A (ja) | 表面波フィルタ | |
| JP4003511B2 (ja) | 縦結合共振子型表面波装置 | |
| US6531937B2 (en) | Edge reflection type surface acoustic wave filter | |
| JP3329115B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JP3191551B2 (ja) | 圧電共振子 | |
| JP3931880B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3254892B2 (ja) | トラップ回路 | |
| JPH02198211A (ja) | 表面弾性波共振子 | |
| JPH09326661A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3189467B2 (ja) | エラスティックコンボルバ | |
| JPH09252231A (ja) | 表面波共振子 | |
| JPH11150442A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH07131281A (ja) | 多電極形弾性表面波フィルタ | |
| JP2007020234A (ja) | 弾性表面波フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050411 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050823 |