JPH07125469A - 微細パターン形成用原版 - Google Patents
微細パターン形成用原版Info
- Publication number
- JPH07125469A JPH07125469A JP30098393A JP30098393A JPH07125469A JP H07125469 A JPH07125469 A JP H07125469A JP 30098393 A JP30098393 A JP 30098393A JP 30098393 A JP30098393 A JP 30098393A JP H07125469 A JPH07125469 A JP H07125469A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine pattern
- substrate
- forming
- masking layer
- original plate
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 線幅が微細であるとともに、膜厚も適度な微
細パターンを高い精度で効率よく形成することができ高
い耐久性を備えた微細パターン形成用原版を提供する。 【構成】 基板表面のＴｉ−Ａｌを陽極酸化することに
より、電気絶縁性を有し基板との密着力が強いマスキン
グ層を所定のパターンで形成して微細パターン形成用原
版とする。
細パターンを高い精度で効率よく形成することができ高
い耐久性を備えた微細パターン形成用原版を提供する。 【構成】 基板表面のＴｉ−Ａｌを陽極酸化することに
より、電気絶縁性を有し基板との密着力が強いマスキン
グ層を所定のパターンで形成して微細パターン形成用原
版とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターン形成用原版
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことができ耐久性の高い微細パターン形成用原版に関す
る。
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことができ耐久性の高い微細パターン形成用原版に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、印刷配線や回路パターンの形成、
あるいは薄膜のエッチング用レジストの形成等、微細パ
ターンの形成にはフォトリソグラフィー法、印刷法、所
定パターンのマスキング層を備える原版上に形成した微
細パターンを被加工物上に転写する方法等がある。
あるいは薄膜のエッチング用レジストの形成等、微細パ
ターンの形成にはフォトリソグラフィー法、印刷法、所
定パターンのマスキング層を備える原版上に形成した微
細パターンを被加工物上に転写する方法等がある。
【０００３】しかし、フォトリソグラフィー法は工程が
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。また、印刷法は、インキの流動性、版
の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移しない
で版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷パター
ンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線が
１００μｍ未満の微細パターンの形成には適していない
という問題があった。
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。また、印刷法は、インキの流動性、版
の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移しない
で版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷パター
ンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線が
１００μｍ未満の微細パターンの形成には適していない
という問題があった。
【０００４】これに対して、微細パターン転写方法は上
記のような問題がなく、線幅が微細であり膜厚も適度な
微細パターンを高い精度で効率よく形成することが可能
である。
記のような問題がなく、線幅が微細であり膜厚も適度な
微細パターンを高い精度で効率よく形成することが可能
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細パ
ターン転写方法において、同一の原版から何度も微細パ
ターンを形成する場合、原版に形成された微細パターン
を被加工物に転写する際に、被加工物とマスキング層と
の接触、あるいは被加工物上に設けられた粘着剤層とマ
スキング層との接触によりマスキング層が破壊され、マ
スキング層により原版上に形成されている導電部パター
ンに変形が生じることがある。このようにマスキング層
が破壊された原版を用いて、原版の導電部パターン上に
電着物質を析出させ微細パターンを形成した場合、原版
上に形成された微細パターンはマスキング層破壊による
導電部パターンの変形を忠実に再現する。したがって、
この原版上の微細パターンを被加工物上に転写した場
合、微細パターンは変形が生じた状態で転写されてしま
うため、半導体プロセス等の微細加工において重大な欠
陥を生じてしまうという問題があった。
ターン転写方法において、同一の原版から何度も微細パ
ターンを形成する場合、原版に形成された微細パターン
を被加工物に転写する際に、被加工物とマスキング層と
の接触、あるいは被加工物上に設けられた粘着剤層とマ
スキング層との接触によりマスキング層が破壊され、マ
スキング層により原版上に形成されている導電部パター
ンに変形が生じることがある。このようにマスキング層
が破壊された原版を用いて、原版の導電部パターン上に
電着物質を析出させ微細パターンを形成した場合、原版
上に形成された微細パターンはマスキング層破壊による
導電部パターンの変形を忠実に再現する。したがって、
この原版上の微細パターンを被加工物上に転写した場
合、微細パターンは変形が生じた状態で転写されてしま
うため、半導体プロセス等の微細加工において重大な欠
陥を生じてしまうという問題があった。
【０００６】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適度
な微細パターンを高い精度で効率よく形成することがで
き高い耐久性を備えた微細パターン形成用原版を提供す
ることを目的とする。
たものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適度
な微細パターンを高い精度で効率よく形成することがで
き高い耐久性を備えた微細パターン形成用原版を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、少なくとも表面が陽極酸化可能な
金属からなる基板と、該基板の表面に陽極酸化により所
定パターンで形成された電気絶縁性のマスキング層とを
備える微細パターン形成用原版であって、前記マスキン
グ層はＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜からなるような構成とし
た。
るために、本発明は、少なくとも表面が陽極酸化可能な
金属からなる基板と、該基板の表面に陽極酸化により所
定パターンで形成された電気絶縁性のマスキング層とを
備える微細パターン形成用原版であって、前記マスキン
グ層はＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜からなるような構成とし
た。
【０００８】
【作用】基板に所定パターンで形成されたマスキング層
は、基板表面をＴｉ−Ａｌ陽極酸化して形成されている
ためマスキング層と基板との密着力が強く、かつ電気絶
縁性を有し、これにより、基板のマスキング層非形成部
（導電部パターン）に電着物質を析出させることがで
き、析出させた電着物質を被加工物に転写する際の被加
工物上に設けられた粘着剤層によるマスキング層の破
壊、および、その他の外力によるマスキング層の破壊は
極めて少ないものとなる。
は、基板表面をＴｉ−Ａｌ陽極酸化して形成されている
ためマスキング層と基板との密着力が強く、かつ電気絶
縁性を有し、これにより、基板のマスキング層非形成部
（導電部パターン）に電着物質を析出させることがで
き、析出させた電着物質を被加工物に転写する際の被加
工物上に設けられた粘着剤層によるマスキング層の破
壊、および、その他の外力によるマスキング層の破壊は
極めて少ないものとなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明の微細パターン形成用原版の
一態様である凸版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図１において、微細パターン形成用原版１は、基板
２、この基板２の表面に所定パターンで形成されたマス
キング層３とを備える。図示例のように、この微細パタ
ーン形成用原版１では、マスキング層３はその表面が基
板２の表面よりも低く凹んだものである。
一態様である凸版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図１において、微細パターン形成用原版１は、基板
２、この基板２の表面に所定パターンで形成されたマス
キング層３とを備える。図示例のように、この微細パタ
ーン形成用原版１では、マスキング層３はその表面が基
板２の表面よりも低く凹んだものである。
【００１１】微細パターン形成用原版１に用いる基板２
としては、少なくとも表面がＴｉ−Ａｌからなる金属
板、あるいは導電性の基板の表面にＴｉ−Ａｌの薄膜を
形成したもの等を挙げることができる。Ｔｉ−Ａｌ膜の
組成は、Ｔｉ：Ａｌ＝５０：５０（組成比；atom％）が
酸化膜の性晶性、絶縁性の点から望ましい。
としては、少なくとも表面がＴｉ−Ａｌからなる金属
板、あるいは導電性の基板の表面にＴｉ−Ａｌの薄膜を
形成したもの等を挙げることができる。Ｔｉ−Ａｌ膜の
組成は、Ｔｉ：Ａｌ＝５０：５０（組成比；atom％）が
酸化膜の性晶性、絶縁性の点から望ましい。
【００１２】尚、基板の表面は、後述するメッキ層の被
加工物への転写においてメッキ層を基板から容易に剥離
させるために、ある程度の鏡面処理を施されていること
が好ましい。
加工物への転写においてメッキ層を基板から容易に剥離
させるために、ある程度の鏡面処理を施されていること
が好ましい。
【００１３】次に、図２を参照して図１に示される微細
パターン形成用原版１の製造例を説明する。図２に示さ
れるように、まず、Ｔｉ−Ａｌ板からなる基板２に所定
パターンでフォトレジスト層４を形成する（図２
（ａ））。次に、基板２にエッチングを行い凹部２´を
形成する（図２（ｂ））。その後、この基板２を陽極と
し、白金板を陰極として陽極酸化液中で基板２の陽極酸
化を行い、基板２のフォトレジスト層非形成部分にＴｉ
−Ａｌ陽極酸化膜３を形成する（図２（ｃ））。このＴ
ｉ−Ａｌ陽極酸化膜３は、電気絶縁性を有する膜であ
り、その後、フォトレジスト層４を除去して基板２の導
電部を露出することにより、Ｔｉ−Ａｌ陽極酸化膜から
なるマスキング層３を備えた微細パターン形成用原版１
とする（図２（ｄ））。
パターン形成用原版１の製造例を説明する。図２に示さ
れるように、まず、Ｔｉ−Ａｌ板からなる基板２に所定
パターンでフォトレジスト層４を形成する（図２
（ａ））。次に、基板２にエッチングを行い凹部２´を
形成する（図２（ｂ））。その後、この基板２を陽極と
し、白金板を陰極として陽極酸化液中で基板２の陽極酸
化を行い、基板２のフォトレジスト層非形成部分にＴｉ
−Ａｌ陽極酸化膜３を形成する（図２（ｃ））。このＴ
ｉ−Ａｌ陽極酸化膜３は、電気絶縁性を有する膜であ
り、その後、フォトレジスト層４を除去して基板２の導
電部を露出することにより、Ｔｉ−Ａｌ陽極酸化膜から
なるマスキング層３を備えた微細パターン形成用原版１
とする（図２（ｄ））。
【００１４】そして、この微細パターン形成用原版１の
導電部にメッキ層５を形成（図２（ｅ））した後、粘着
剤層７を備えた被加工物６とメッキ層５とを密着させ
（図２（ｆ））、メッキ層５を被加工物６上に転写して
微細パターンを形成する（図２（ｇ））。このように微
細パターンが形成された被加工物６は、公知のエッチン
グ等の処理により加工される。
導電部にメッキ層５を形成（図２（ｅ））した後、粘着
剤層７を備えた被加工物６とメッキ層５とを密着させ
（図２（ｆ））、メッキ層５を被加工物６上に転写して
微細パターンを形成する（図２（ｇ））。このように微
細パターンが形成された被加工物６は、公知のエッチン
グ等の処理により加工される。
【００１５】上述のように、本発明の微細パターン形成
用原版１のマスキング層３は、Ｔｉ−Ａｌ板からなる基
板２の表面を陽極酸化して形成されているため、マスキ
ング層３と基板２との密着力が強く、また、マスキング
層３は、被加工物６の粘着剤層７に接触することがな
い。このため、上記のような微細パターン形成において
マスキング層３に加わる種々の外力によるマスキング層
３の破壊は極めて少ないものとなる。さらに、マスキン
グ層３の壁面とメッキ層５との接触もないことにより、
マスキング層３の破壊がより低減されるとともに、メッ
キ層５の被加工物６上への転写が容易になる。
用原版１のマスキング層３は、Ｔｉ−Ａｌ板からなる基
板２の表面を陽極酸化して形成されているため、マスキ
ング層３と基板２との密着力が強く、また、マスキング
層３は、被加工物６の粘着剤層７に接触することがな
い。このため、上記のような微細パターン形成において
マスキング層３に加わる種々の外力によるマスキング層
３の破壊は極めて少ないものとなる。さらに、マスキン
グ層３の壁面とメッキ層５との接触もないことにより、
マスキング層３の破壊がより低減されるとともに、メッ
キ層５の被加工物６上への転写が容易になる。
【００１６】図１に示した微細パターン形成用原版１
は、基板２としてＴｉ−Ａｌ板を用いたものであった
が、上述のように基板の表面にＴｉ−Ａｌの薄膜を形成
した基板を用いてもよい。図３は、このような基板を使
用した微細パターン形成用原版の例であり、微細パター
ン形成用原版１１は、基板１２ａの表面に陽極酸化可能
なＴｉ−Ａｌの薄膜１２ｂを形成した基板１２を使用し
ている。すなわち、上記の微細パターン形成用原版１と
同様にして基板１２の薄膜１２ｂのフォトレジスト層非
形成部分をエッチングした後、薄膜１２ｂを陽極酸化し
てＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜とし、フォトレジスト層を除去
してＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜からなるマスキング層１３を
備えた微細パターン形成用原版１１とすることができ
る。この微細パターン形成用原版１１においては、基板
１２ａは導電性の基板が望ましいが、薄膜１２ｂを陽極
酸化したＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜が十分な絶縁抵抗を有
し、かつ、各導電パターンに電圧降下することなく通電
することが可能である場合、基板１２ａは絶縁性基板で
あってもよい。
は、基板２としてＴｉ−Ａｌ板を用いたものであった
が、上述のように基板の表面にＴｉ−Ａｌの薄膜を形成
した基板を用いてもよい。図３は、このような基板を使
用した微細パターン形成用原版の例であり、微細パター
ン形成用原版１１は、基板１２ａの表面に陽極酸化可能
なＴｉ−Ａｌの薄膜１２ｂを形成した基板１２を使用し
ている。すなわち、上記の微細パターン形成用原版１と
同様にして基板１２の薄膜１２ｂのフォトレジスト層非
形成部分をエッチングした後、薄膜１２ｂを陽極酸化し
てＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜とし、フォトレジスト層を除去
してＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜からなるマスキング層１３を
備えた微細パターン形成用原版１１とすることができ
る。この微細パターン形成用原版１１においては、基板
１２ａは導電性の基板が望ましいが、薄膜１２ｂを陽極
酸化したＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜が十分な絶縁抵抗を有
し、かつ、各導電パターンに電圧降下することなく通電
することが可能である場合、基板１２ａは絶縁性基板で
あってもよい。
【００１７】上述のような本発明の微細パターン形成用
原版におけるＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜は、公知の陽極酸化
により形成することができ、マスキング層の厚さは１０
００〜２０００Å程度が好ましい。
原版におけるＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜は、公知の陽極酸化
により形成することができ、マスキング層の厚さは１０
００〜２０００Å程度が好ましい。
【００１８】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例）チタン（Ｔｉ）製の板（厚さ０．１５ｍｍ）
の表面にＴｉ−Ａｌ膜（Ｔｉ：Ａｌ＝５０：５０（組成
比；atom％））を膜厚０．５μｍにて形成したものを基
板として用いた。
説明する。 （実験例）チタン（Ｔｉ）製の板（厚さ０．１５ｍｍ）
の表面にＴｉ−Ａｌ膜（Ｔｉ：Ａｌ＝５０：５０（組成
比；atom％））を膜厚０．５μｍにて形成したものを基
板として用いた。
【００１９】基板表面にスピンコート法（回転数１５０
０r.p.m.）によりフォトレジスト（ＪＳＲ製 ＣＢＲ−
Ｍ９０１）を塗布し、線幅３μｍの所定形状のマスクを
用いて露光処理、現像処理を行って所定パターンを有す
るフォトレジスト層を形成した。
０r.p.m.）によりフォトレジスト（ＪＳＲ製 ＣＢＲ−
Ｍ９０１）を塗布し、線幅３μｍの所定形状のマスクを
用いて露光処理、現像処理を行って所定パターンを有す
るフォトレジスト層を形成した。
【００２０】次に、以下の浴組成のエッチング液を用い
て、基板のフォトレジスト層非形成部分をエッチングし
て凹部を形成した。
て、基板のフォトレジスト層非形成部分をエッチングし
て凹部を形成した。
【００２１】エッチング条件 ・浴 組 成 ： ＨＦ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2
Ｏ＝３：２０：１５：６２ ・エッチング時間： ５秒 次に、この基板を陽極とし白金板を陰極として、下記の
陽極酸化条件により基板のフォトレジスト層非形成部分
を陽極酸化してＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜（膜厚＝１４００
Å）を形成し、電気絶縁性のマスキング層とした。
Ｏ＝３：２０：１５：６２ ・エッチング時間： ５秒 次に、この基板を陽極とし白金板を陰極として、下記の
陽極酸化条件により基板のフォトレジスト層非形成部分
を陽極酸化してＴｉ−Ａｌ陽極酸化膜（膜厚＝１４００
Å）を形成し、電気絶縁性のマスキング層とした。
【００２２】陽極酸化条件 ・陽極酸化液 ： Ｈ2 ＰＯ4 １％水溶液 ・液 温 ： ２５℃ ・定電圧法 ： ６０Ｖ、 １０分 次に、フォトレジスト層を除去して基板の導電部を露出
させ、本発明の微細パターン形成用原版とした。
させ、本発明の微細パターン形成用原版とした。
【００２３】上述のようにして作成した微細パターン形
成用原版の導電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メ
ッキを行い、銅メッキ層（厚さ１．５μｍ）を形成し
た。
成用原版の導電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メ
ッキを行い、銅メッキ層（厚さ１．５μｍ）を形成し
た。
【００２４】 メッキ条件 ・メッキ浴組成： ピロリン酸銅 … ９４ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム …３４０ｇ／ｌ Ｐ比 … ７．０ ・ｐＨ ： ８．８ ・液 温 ： ５５℃ ・電流密度 ： ５Ａ／dm2 ・時 間 ： １．５分 その後、被加工物（ガラス基板上に形成したクロム（Ｃ
ｒ）薄膜）にアクリル系粘着性接着剤（日本カーバイド
（株）製 ＰＥ−１１８）をスピンコート法で塗布した
ものを用い、これを微細パターン形成用原版に密着後、
原版の裏面から加圧ロールを速度５０cm／分にて転動さ
せて原版と被加工物とを圧着した。そして、電着物質
（銅メッキ層）を原版から剥離して被加工物に転写し
た。このように転写して形成された銅メッキ層からなる
微細パターンの解像度は３μｍであった。この時、従来
の方式でみられたような原版のマスキング層の破壊はま
ったく観察されなかった。
ｒ）薄膜）にアクリル系粘着性接着剤（日本カーバイド
（株）製 ＰＥ−１１８）をスピンコート法で塗布した
ものを用い、これを微細パターン形成用原版に密着後、
原版の裏面から加圧ロールを速度５０cm／分にて転動さ
せて原版と被加工物とを圧着した。そして、電着物質
（銅メッキ層）を原版から剥離して被加工物に転写し
た。このように転写して形成された銅メッキ層からなる
微細パターンの解像度は３μｍであった。この時、従来
の方式でみられたような原版のマスキング層の破壊はま
ったく観察されなかった。
【００２５】その後、更に上記の微細パターン形成用原
版を用いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し
行った。そして、１００回後に形成した微細パターン
は、パターンの変形が認められず、また解像度を測定し
たところ１回目の微細パターンと同じであり、本発明の
微細パターン形成用原版が優れた耐久性をもち、高精度
の微細パターン形成が可能であることが確認された。 （比較例）微細パターン形成用原版のマスキング層を、
Ｔｉ−Ａｌ陽極酸化膜の代わりにフォトレジスト（ＪＳ
Ｒ製 ＣＢＲ−Ｍ９０１）を使用して形成した絶縁膜
（厚さ１．０μｍ）とした他は、実験例と同様に微細パ
ターン形成用原版を作成した。そして、実験例と同様に
して銅メッキ層形成および被加工物への銅メッキ層転写
を繰り返し行ったところ、５回目に形成した微細パター
ンにおいて、パターンの変形が認められた。
版を用いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し
行った。そして、１００回後に形成した微細パターン
は、パターンの変形が認められず、また解像度を測定し
たところ１回目の微細パターンと同じであり、本発明の
微細パターン形成用原版が優れた耐久性をもち、高精度
の微細パターン形成が可能であることが確認された。 （比較例）微細パターン形成用原版のマスキング層を、
Ｔｉ−Ａｌ陽極酸化膜の代わりにフォトレジスト（ＪＳ
Ｒ製 ＣＢＲ−Ｍ９０１）を使用して形成した絶縁膜
（厚さ１．０μｍ）とした他は、実験例と同様に微細パ
ターン形成用原版を作成した。そして、実験例と同様に
して銅メッキ層形成および被加工物への銅メッキ層転写
を繰り返し行ったところ、５回目に形成した微細パター
ンにおいて、パターンの変形が認められた。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板に所定パターンで形成されたマスキング層が基板表面
のＴｉ−Ａｌを陽極酸化して形成されているため、マス
キング層と基板との密着力が強く、基板のマスキング層
非形成部（導電部パターン）に析出させた電着物質を被
加工物に転写する際のマスキング層の破壊は極めて少な
いものとなる。これにより、膜厚が均一で線幅も一定な
寸法精度の高い微細パターンを多数回に亘って被加工物
に転写することのできる優れた耐久性を備える微細パタ
ーン形成用原版が可能となる。
板に所定パターンで形成されたマスキング層が基板表面
のＴｉ−Ａｌを陽極酸化して形成されているため、マス
キング層と基板との密着力が強く、基板のマスキング層
非形成部（導電部パターン）に析出させた電着物質を被
加工物に転写する際のマスキング層の破壊は極めて少な
いものとなる。これにより、膜厚が均一で線幅も一定な
寸法精度の高い微細パターンを多数回に亘って被加工物
に転写することのできる優れた耐久性を備える微細パタ
ーン形成用原版が可能となる。
【図１】本発明の微細パターン形成用原版の一態様であ
る凸版タイプの原版を示す概略構成図である。
る凸版タイプの原版を示す概略構成図である。
【図２】図１に示される原版の製造例を説明するための
図である。
図である。
【図３】本発明の微細パターン形成用原版の凸版タイプ
の他の態様を示す概略構成図である。
の他の態様を示す概略構成図である。
１、１１…微細パターン形成用原版 ２、１２…基板 ３、１３…マスキング層（Ｔｉ−Ａｌ陽極酸化膜） ４…フォトレジスト層 ５…メッキ層 ６…被加工物 ７…粘着剤層
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも表面が陽極酸化可能な金属か
らなる基板と、該基板の表面に陽極酸化により所定パタ
ーンで形成された電気絶縁性のマスキング層とを備える
微細パターン形成用原版であって、前記マスキング層は
Ｔｉ−Ａｌ陽極酸化膜からなることを特徴とする微細パ
ターン形成用原版。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30098393A JPH07125469A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 微細パターン形成用原版 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30098393A JPH07125469A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 微細パターン形成用原版 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07125469A true JPH07125469A (ja) | 1995-05-16 |
Family
ID=17891423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30098393A Pending JPH07125469A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 微細パターン形成用原版 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07125469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102159035A (zh) * | 2010-02-12 | 2011-08-17 | 三星电机株式会社 | 印刷电路板及其制作方法和制作双面印刷电路板的方法 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP30098393A patent/JPH07125469A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102159035A (zh) * | 2010-02-12 | 2011-08-17 | 三星电机株式会社 | 印刷电路板及其制作方法和制作双面印刷电路板的方法 |
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