JPH07128259A - Ｘ線マッピング分析方法 - Google Patents
Ｘ線マッピング分析方法Info
- Publication number
- JPH07128259A JPH07128259A JP5272607A JP27260793A JPH07128259A JP H07128259 A JPH07128259 A JP H07128259A JP 5272607 A JP5272607 A JP 5272607A JP 27260793 A JP27260793 A JP 27260793A JP H07128259 A JPH07128259 A JP H07128259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mapping data
- ray
- primary beam
- value
- mapping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １次ビームの寸法より細かい分解能で、元素
境界を検出する。 【構成】 Ｘ線を励起する１次ビーム３〜６の幅よりも
細かい送りで、試料ステージを格子状にスキャンし、各
点でのＸ線強度を値とした第１・第２マッピングデータ
を作成する。１次ビームの形状と寸法を、マッピングデ
ータの寸法に換算し、ビームが照射される部分１２を１
の値、照射されない部分１１を０の値とするビームテン
プレート１０を作成する。強度分布８から、バックグラ
ウンド強度９をしきい値とし、第１マッピングデータの
値がしきい値を下回る場所で、第２マッピングデータと
ビームテンプレートとを重ねる。ビームテンプレートの
値が１の部分の第２マッピングデータを０に書き換え
る。これを全測定点で行うことで、第２マッピングデー
タに本来の境界線１に近いデータを得る。
境界を検出する。 【構成】 Ｘ線を励起する１次ビーム３〜６の幅よりも
細かい送りで、試料ステージを格子状にスキャンし、各
点でのＸ線強度を値とした第１・第２マッピングデータ
を作成する。１次ビームの形状と寸法を、マッピングデ
ータの寸法に換算し、ビームが照射される部分１２を１
の値、照射されない部分１１を０の値とするビームテン
プレート１０を作成する。強度分布８から、バックグラ
ウンド強度９をしきい値とし、第１マッピングデータの
値がしきい値を下回る場所で、第２マッピングデータと
ビームテンプレートとを重ねる。ビームテンプレートの
値が１の部分の第２マッピングデータを０に書き換え
る。これを全測定点で行うことで、第２マッピングデー
タに本来の境界線１に近いデータを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料に電子線やＸ線等
を照射し、試料から励起されるＸ線を検出して元素の分
布状態を調査する、Ｘ線マッピング分析方法に関するも
のである。
を照射し、試料から励起されるＸ線を検出して元素の分
布状態を調査する、Ｘ線マッピング分析方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、測定試料に照射する電子線やＸ
線等の１次ビームの寸法に対し、より細かい分解能で元
素の境界を検出することはできず、検出した結果をその
ままマッピングデータとし、Ｘ線強度のしきい値を設定
し、その強度以下のデータを単純に削除することで、マ
ッピングデータを出力していた。
線等の１次ビームの寸法に対し、より細かい分解能で元
素の境界を検出することはできず、検出した結果をその
ままマッピングデータとし、Ｘ線強度のしきい値を設定
し、その強度以下のデータを単純に削除することで、マ
ッピングデータを出力していた。
【０００３】
【発明の解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は、図１の断面７でのＸ線強度分布８に示すように、本
来の元素境界である１を検出するようなしきい値は得る
ことができず、状況によっては試料の境界１の中にも境
界線が発生してしまうような問題を有していた。
は、図１の断面７でのＸ線強度分布８に示すように、本
来の元素境界である１を検出するようなしきい値は得る
ことができず、状況によっては試料の境界１の中にも境
界線が発生してしまうような問題を有していた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線を励起さ
せる１次ビームの、形状と寸法を認識できるＸ線マッピ
ング装置において、 １．１次ビームの寸法よりも細かい送りで、試料ステー
ジを格子状にスキャンさせ、各位置において着目元素の
Ｘ線強度を検出する。
せる１次ビームの、形状と寸法を認識できるＸ線マッピ
ング装置において、 １．１次ビームの寸法よりも細かい送りで、試料ステー
ジを格子状にスキャンさせ、各位置において着目元素の
Ｘ線強度を検出する。
【０００５】２．Ｘ線強度を値とし、測定位置を行列に
配置した同じ２次元配列データを２つ作成し、第１・第
２のマッピングデータとする。 ３．１次ビームの形状と寸法を、マッピングデータの寸
法に換算し、１次ビームを内包する矩形での、２次元配
列のビームテンプレートを作成する。ビームテンプレー
トの中は、１次ビームが照射される部分を１、照射され
ない部分を０とする。
配置した同じ２次元配列データを２つ作成し、第１・第
２のマッピングデータとする。 ３．１次ビームの形状と寸法を、マッピングデータの寸
法に換算し、１次ビームを内包する矩形での、２次元配
列のビームテンプレートを作成する。ビームテンプレー
トの中は、１次ビームが照射される部分を１、照射され
ない部分を０とする。
【０００６】４．第１マッピングデータでの強度分布か
ら、着目元素のバックグラウンド強度を認識し、その値
を着目元素検出のしきい値とする。 ５．第１マッピングデータのＸ線強度がしきい値を下回
った場所で、第１マッピングデータとビームテンプレー
トとを重ね合わせ、ビームテンプレートの値が１の部分
と重なった第２マッピングデータを０に書き換え、これ
を全測定点で行う。
ら、着目元素のバックグラウンド強度を認識し、その値
を着目元素検出のしきい値とする。 ５．第１マッピングデータのＸ線強度がしきい値を下回
った場所で、第１マッピングデータとビームテンプレー
トとを重ね合わせ、ビームテンプレートの値が１の部分
と重なった第２マッピングデータを０に書き換え、これ
を全測定点で行う。
【０００７】以上の手順によって、第２マッピングデー
タには、１次ビームの寸法より細かい分解能で着目元素
の境界を検出できる。
タには、１次ビームの寸法より細かい分解能で着目元素
の境界を検出できる。
【０００８】
【作用】上記のような動作を行うＸ線マッピング装置に
おいては、１次ビームの寸法よりも細かく試料ステージ
を動作させ、１次ビームが着目元素の境界の外側から境
界内に移動した場合、１次ビームの端と境界線が重なっ
た時点で、わずかながらでも着目元素のＸ線を検出でき
る。この時、１次ビームの中心はまだ境界内には達して
おらず、１次ビームの中心は、ビーム幅の約２分の１だ
け外側にあると言える。この時、１次ビームの形状と寸
法がわかっていれば、本来の境界がどこにあるのかを認
識することができる。１次ビームの形状と寸法を、マッ
ピングデータの寸法に換算し、１次ビームが照射される
範囲を定義するためのビームテンプレートを作成する。
ビームテンプレートは、１次ビーム照射範囲内には１の
値、それ以外は０の値を設定する。０を設定した部分は
１次ビームが照射されず、その位置の情報がないという
ことを現す。着目元素のＸ線を検出できなかった計測場
所では、ビームテンプレート内の１の領域に着目元素が
存在しないことになり、この領域とマッピングデータが
重なる場所のマッピングデータを０に置き換えることが
できる。
おいては、１次ビームの寸法よりも細かく試料ステージ
を動作させ、１次ビームが着目元素の境界の外側から境
界内に移動した場合、１次ビームの端と境界線が重なっ
た時点で、わずかながらでも着目元素のＸ線を検出でき
る。この時、１次ビームの中心はまだ境界内には達して
おらず、１次ビームの中心は、ビーム幅の約２分の１だ
け外側にあると言える。この時、１次ビームの形状と寸
法がわかっていれば、本来の境界がどこにあるのかを認
識することができる。１次ビームの形状と寸法を、マッ
ピングデータの寸法に換算し、１次ビームが照射される
範囲を定義するためのビームテンプレートを作成する。
ビームテンプレートは、１次ビーム照射範囲内には１の
値、それ以外は０の値を設定する。０を設定した部分は
１次ビームが照射されず、その位置の情報がないという
ことを現す。着目元素のＸ線を検出できなかった計測場
所では、ビームテンプレート内の１の領域に着目元素が
存在しないことになり、この領域とマッピングデータが
重なる場所のマッピングデータを０に置き換えることが
できる。
【０００９】以上の手順によって、着目元素の境界検出
において、分解能を１次ビームの寸法より小さくするこ
とができる。
において、分解能を１次ビームの寸法より小さくするこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。 実施例１ 図３に本願発明に用いられるＸ線マッピング装置の一例
を示す。装置制御部にコントロールされる１次ビーム発
生部から１次ビームを試料２５に照射し試料ステージ２
４を前後左右にスキャンする。図１において、着目元素
１を含む領域で、１次ビーム３〜６にＸ線を使用し、１
次Ｘ線ビームの幅よりも細かい送りで、試料ステージを
格子状にスキャンさせ、各位置において着目元素のＸ線
強度を検出する。格子状にスキャンさせるとは、左上隅
から右へ移動し、端まで到達したら、一段下がり再度左
から右へスキャンし、これを繰り返すといったふうにす
る。
明する。 実施例１ 図３に本願発明に用いられるＸ線マッピング装置の一例
を示す。装置制御部にコントロールされる１次ビーム発
生部から１次ビームを試料２５に照射し試料ステージ２
４を前後左右にスキャンする。図１において、着目元素
１を含む領域で、１次ビーム３〜６にＸ線を使用し、１
次Ｘ線ビームの幅よりも細かい送りで、試料ステージを
格子状にスキャンさせ、各位置において着目元素のＸ線
強度を検出する。格子状にスキャンさせるとは、左上隅
から右へ移動し、端まで到達したら、一段下がり再度左
から右へスキャンし、これを繰り返すといったふうにす
る。
【００１１】Ｘ線強度を値とし、測定位置を行列に配置
した同じ２次元配列データを２つ作成し第１・第２のマ
ッピングデータとする。２次元配列データとは、位置情
報を行・列に配置し、各測定位置の強度データを値とす
る情報群のことである。例えば以下のようなデータであ
る。
した同じ２次元配列データを２つ作成し第１・第２のマ
ッピングデータとする。２次元配列データとは、位置情
報を行・列に配置し、各測定位置の強度データを値とす
る情報群のことである。例えば以下のようなデータであ
る。
【００１２】 Ｄａｔａ ［０］ ［０］ : 左から1 番目、上から1 番目の強度 Ｄａｔａ ［０］ ［１］ : 左から2 番目、上から1 番目の強度 ・ ・ Ｄａｔａ ［０］ ［１］ : 左から1 番目、上から2 番目の強度 一方、感光フィルムなどを使用して得た、１次ビームの
形状と寸法を、マッピングデータの寸法に換算する。こ
のために図２に示すように、１次ビームを内包する矩形
での、２次元配列のビームテンプレート１０を作成す
る。ビームテンプレート１０の中は、１次ビームが照射
される部分１２を１の値とし、照射されない部分１１を
０の値とする。ビームテンプレートの詳細を図４に示
す。１次ビームが照射される部分を１（黒）、照射され
ない部分を０（白）とした、ビーム形状と寸法が表され
ている。ビーム形状が、真円で直径１００μｍであった
すると、マッピングデータが、水平垂直共に１０μｍの
送りで計測を行った場合、１０×１０の格子（１００μ
ｍの円を内包する矩形）を作成し、１／０のデータを埋
め込む。その結果をビームテンプレートとする。感光フ
ィルムを使用してのビームテンプレートの作成は以下の
ようにする。
形状と寸法を、マッピングデータの寸法に換算する。こ
のために図２に示すように、１次ビームを内包する矩形
での、２次元配列のビームテンプレート１０を作成す
る。ビームテンプレート１０の中は、１次ビームが照射
される部分１２を１の値とし、照射されない部分１１を
０の値とする。ビームテンプレートの詳細を図４に示
す。１次ビームが照射される部分を１（黒）、照射され
ない部分を０（白）とした、ビーム形状と寸法が表され
ている。ビーム形状が、真円で直径１００μｍであった
すると、マッピングデータが、水平垂直共に１０μｍの
送りで計測を行った場合、１０×１０の格子（１００μ
ｍの円を内包する矩形）を作成し、１／０のデータを埋
め込む。その結果をビームテンプレートとする。感光フ
ィルムを使用してのビームテンプレートの作成は以下の
ようにする。
【００１３】１次ビームを感光フィルムに照射し、感
光させる。 感光フィルムに、格子の線を引き１／０を認識する。 格子の数と各格子の寸法を認識する。 図１における第１マッピングデータでの強度分布８か
ら、着目元素を検出するＸ線強度のしきい値を決定す
る。通常は、バックグラウンド強度９をしきい値とす
る。
光させる。 感光フィルムに、格子の線を引き１／０を認識する。 格子の数と各格子の寸法を認識する。 図１における第１マッピングデータでの強度分布８か
ら、着目元素を検出するＸ線強度のしきい値を決定す
る。通常は、バックグラウンド強度９をしきい値とす
る。
【００１４】第１マッピングデータのＸ線強度がしきい
値を下回った場所で、第２マッピングデータとビームテ
ンプレートとを重ね合わせ、ビームテンプレートの値が
１の部分と重なった第２マッピングデータを０に書き換
え、これを全測定点で行う。以上の事を図５を用いて説
明する。１次元のデータで、本処理を行う例を述べる。
ビームは、真円と仮定する。図５において母材５０上に
置かれた着目元素１を左から右方向へスキャンして測定
を行った場合、ビーム中心位置と検出Ｘ線強度の関係
は、以下のようになる。１次ビームは点ではないので、
１次マッピングデータの検出Ｘ線強度が図に示されるよ
うに着目元素１と母材５０との境界において、離散的に
値がきりかわらないので明確に着目元素の境界を認識で
きない。
値を下回った場所で、第２マッピングデータとビームテ
ンプレートとを重ね合わせ、ビームテンプレートの値が
１の部分と重なった第２マッピングデータを０に書き換
え、これを全測定点で行う。以上の事を図５を用いて説
明する。１次元のデータで、本処理を行う例を述べる。
ビームは、真円と仮定する。図５において母材５０上に
置かれた着目元素１を左から右方向へスキャンして測定
を行った場合、ビーム中心位置と検出Ｘ線強度の関係
は、以下のようになる。１次ビームは点ではないので、
１次マッピングデータの検出Ｘ線強度が図に示されるよ
うに着目元素１と母材５０との境界において、離散的に
値がきりかわらないので明確に着目元素の境界を認識で
きない。
【００１５】ところで、図５におけるように１次ビーム
が着目元素にかかる直前の状態においては、検出Ｘ線強
度はバックグラウンド強度（母材に１次ビームを照射し
た時の検出Ｘ線強度）と一致する。この時１次ビームは
まだ着目元素にかかっていないのだから１次ビーム幅す
なわちビームテンプレート幅に一致する部分をバックグ
ラウンド（母材）と見なすことができる。従って、ビー
ムテンプレートと一致する２次マッピングデータを０デ
ータとし、図５における最終的な２次マッピングデータ
を得る。 以上の手順によって、第２マッピングデータ
には、本来の着目元素１の境界線に近い、データを得る
ことができる。
が着目元素にかかる直前の状態においては、検出Ｘ線強
度はバックグラウンド強度（母材に１次ビームを照射し
た時の検出Ｘ線強度）と一致する。この時１次ビームは
まだ着目元素にかかっていないのだから１次ビーム幅す
なわちビームテンプレート幅に一致する部分をバックグ
ラウンド（母材）と見なすことができる。従って、ビー
ムテンプレートと一致する２次マッピングデータを０デ
ータとし、図５における最終的な２次マッピングデータ
を得る。 以上の手順によって、第２マッピングデータ
には、本来の着目元素１の境界線に近い、データを得る
ことができる。
【００１６】実施例２ 前記実施例１の１次ビームに電子線を使用し、試料から
のＸ線を検出する場合にも、実施例１と同じ手順で電子
線ビームの寸法よりも細かい分解能で、試料境界を認識
することができる。
のＸ線を検出する場合にも、実施例１と同じ手順で電子
線ビームの寸法よりも細かい分解能で、試料境界を認識
することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、近年微細化が進む電子部品等
を対象とした、Ｘ線マッピング分析において、微小欠陥
の大きさの調査や、寸法計測に対し、多大な効果をもた
らす。特に１次ビームにＸ線を使用する場合、５０ミク
ロン以下に１次Ｘ線を絞るには多大なコストがかかり、
それ以上のマッピング分解能を得ることは非常に困難で
あったが、本発明を利用することで、安価に高分解能の
マッピング像が得られる。
を対象とした、Ｘ線マッピング分析において、微小欠陥
の大きさの調査や、寸法計測に対し、多大な効果をもた
らす。特に１次ビームにＸ線を使用する場合、５０ミク
ロン以下に１次Ｘ線を絞るには多大なコストがかかり、
それ以上のマッピング分解能を得ることは非常に困難で
あったが、本発明を利用することで、安価に高分解能の
マッピング像が得られる。
【００１８】本発明によって、微小異物検査や材料偏析
分析などの微小部分析において、安価に用意できるビー
ムサイズで、それより細かい分布が確認でき、ビームを
必要以上にコリメートする必要がないことから、適当な
検出強度が得られるため、測定時間の短縮が可能とな
り、更に安価なシステムが実現できるなど多数の効果が
得られる。
分析などの微小部分析において、安価に用意できるビー
ムサイズで、それより細かい分布が確認でき、ビームを
必要以上にコリメートする必要がないことから、適当な
検出強度が得られるため、測定時間の短縮が可能とな
り、更に安価なシステムが実現できるなど多数の効果が
得られる。
【図１】本発明によるマッピングデータの水平分解能を
向上する方法の説明図である。
向上する方法の説明図である。
【図２】ビームテンプレートの概略図である。
【図３】本発明に用いられるＸ線マッピング装置の概略
図である。
図である。
【図４】ビームテンプレートの詳細図である。
【図５】試料を１次元方向にスキャンした時のマッピン
グデータ図である。
グデータ図である。
１ 着目元素 ２ Ｘ線強度がバックグラウンド強度と一致するとき
の、１次ビームの中心点の軌跡 ３ Ｘ線を励起させる１次ビーム ４ Ｘ線を励起させる１次ビーム ５ Ｘ線を励起させる１次ビーム ６ Ｘ線を励起させる１次ビーム ７ Ｘ線強度８、９を検出したときの位置 ８ Ｘ線強度 ９ Ｘ線バックグラウンド強度 １０ ビームテンプレート
の、１次ビームの中心点の軌跡 ３ Ｘ線を励起させる１次ビーム ４ Ｘ線を励起させる１次ビーム ５ Ｘ線を励起させる１次ビーム ６ Ｘ線を励起させる１次ビーム ７ Ｘ線強度８、９を検出したときの位置 ８ Ｘ線強度 ９ Ｘ線バックグラウンド強度 １０ ビームテンプレート
Claims (2)
- 【請求項１】 試料に１次ビームを照射しＸ線を励起さ
せる励起線源と、制御可能で少なくとも前後左右に動作
可能な試料ステージと、前記試料からの前記Ｘ線を検出
するＸ線検出部と、データ処理を行うデータ処理部とを
持つＸ線マッピング装置において、 １．前記１次ビームの寸法よりも細かい送りで、前記試
料ステージを格子状にスキャンさせ、各位置において着
目元素のＸ線強度を検出する。 ２．前記Ｘ線強度を値とし、測定位置を行列に配置した
同じ２次元配列データを２つ作成し、第１・第２のマッ
ピングデータとする。 ３．前記１次ビームの形状と寸法を、マッピングデータ
の寸法に換算し、前記１次ビームを内包する矩形での、
２次元配列のビームテンプレートを作成する。前記ビー
ムテンプレートの中は、１次ビームが照射される部分を
１、照射されない部分を０とする。 ４．前記第１マッピングデータでの強度分布から、前記
着目元素のバックグラウンド強度を認識し、その値を前
記着目元素検出のしきい値とする。 ５．前記第１マッピングデータのＸ線強度がしきい値を
下回った場所で、前記第１マッピングデータと前記ビー
ムテンプレートとを重ね合わせ、前記ビームテンプレー
トの値が１の部分と重なった前記第２マッピングデータ
を０に書き換え、これを全測定点で行う。 以上の手順よりなる、第２マッピングデータ上に１次ビ
ームの寸法より細かい分解能で着目元素の境界を検出で
きるＸ線マッピング分析方法。 - 【請求項２】 前記１次ビームがＸ線ビームであること
を特徴とする請求項１記載のＸ線マッピング分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27260793A JP3278012B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Ｘ線マッピング分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27260793A JP3278012B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Ｘ線マッピング分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128259A true JPH07128259A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3278012B2 JP3278012B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=17516290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27260793A Expired - Lifetime JP3278012B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Ｘ線マッピング分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278012B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19836884C1 (de) * | 1998-08-14 | 2000-06-21 | Helmut Fischer Gmbh & Co | Bestimmung des Meßflecks bei der Röntgenfluoreszenzanalyse |
| JP2006292756A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Jordan Valley Semiconductors Ltd | 蛍光ｘ線を用いたディッシングおよびティルティングの検出 |
| JP2014038034A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Horiba Ltd | Ｘ線分析装置 |
| DE102014102684A1 (de) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik | Verfahren zur Messung eines Messobjektes mittels Röntgenfluoreszenz |
| US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
| US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27260793A patent/JP3278012B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19836884C1 (de) * | 1998-08-14 | 2000-06-21 | Helmut Fischer Gmbh & Co | Bestimmung des Meßflecks bei der Röntgenfluoreszenzanalyse |
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| KR20150102682A (ko) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 헬무트 휘셔 게엠베하 인스티투트 휘어 엘렉트로닉 운트 메쓰테크닉 | Ｘ-선 형광을 이용한 측정 대상의 측정 방법 |
| JP2015165228A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-17 | ヘルムート・フィッシャー・ゲーエムベーハー・インスティテュート・フューア・エレクトロニク・ウント・メステクニク | Ｘ線蛍光を用いた測定対象の測定方法 |
| US9885676B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-02-06 | Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik | Method for the measurement of a measurement object by means of X-ray fluorescence |
| US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
| US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278012B2 (ja) | 2002-04-30 |
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