JPH07128510A - 回折格子の作成方法 - Google Patents
回折格子の作成方法Info
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- JPH07128510A JPH07128510A JP29276993A JP29276993A JPH07128510A JP H07128510 A JPH07128510 A JP H07128510A JP 29276993 A JP29276993 A JP 29276993A JP 29276993 A JP29276993 A JP 29276993A JP H07128510 A JPH07128510 A JP H07128510A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周期の異なる２種類以上の微細な回折格子を
基板上に１回の干渉露光で形成できる回折格子の作成方
法を提供する。 【構成】 基板１上に、第１の周期の回折格子５と第２
の周期の回折格子６の少なくとも２種類の回折格子を作
成する。先ず、第１の周期の回折格子２を形成する。次
に、回折格子２を格子形成材料と異種の材料３で被覆す
る。次に、異種材料３上にパターン４を形成する。次
に、異種材料３と回折格子の格子形成材料１とを同時に
エッチングすることを含むエッチングにより、第１の周
期と異なる第２の周期の回折格子６を形成する。
基板上に１回の干渉露光で形成できる回折格子の作成方
法を提供する。 【構成】 基板１上に、第１の周期の回折格子５と第２
の周期の回折格子６の少なくとも２種類の回折格子を作
成する。先ず、第１の周期の回折格子２を形成する。次
に、回折格子２を格子形成材料と異種の材料３で被覆す
る。次に、異種材料３上にパターン４を形成する。次
に、異種材料３と回折格子の格子形成材料１とを同時に
エッチングすることを含むエッチングにより、第１の周
期と異なる第２の周期の回折格子６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回折格子の作成方法に
関し、特に周期の異なる回折格子を基板上に形成する回
折格子の作成方法に関する。
関し、特に周期の異なる回折格子を基板上に形成する回
折格子の作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】回折格子は、光エレクトロニクスの分野
において、フィルター、光結合器、分布帰還型（ＤＦ
Ｂ）レーザ、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レーザ等の
種々の光回路素子に用いられている。特に、ＤＦＢ、Ｄ
ＢＲレーザに代表される波長可変半導体レーザに形成さ
れた回折格子は、レーザの共振器として用いられる為、
回折格子の周期、形状、深さはレーザ特性（発振閾値、
結合係数など）を決定する重要な因子であり、高精度の
回折格子をこうしたレーザ中に制御性良く作成すること
は重要な課題となっている。
において、フィルター、光結合器、分布帰還型（ＤＦ
Ｂ）レーザ、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レーザ等の
種々の光回路素子に用いられている。特に、ＤＦＢ、Ｄ
ＢＲレーザに代表される波長可変半導体レーザに形成さ
れた回折格子は、レーザの共振器として用いられる為、
回折格子の周期、形状、深さはレーザ特性（発振閾値、
結合係数など）を決定する重要な因子であり、高精度の
回折格子をこうしたレーザ中に制御性良く作成すること
は重要な課題となっている。
【０００３】従来、回折格子の作成は、格子状ホトレジ
ストマスクの作成とエッチングとの２段階の方法で行わ
れている。ここで、光エレクトロニクス分野の回折格子
の周期は０．１〜１．０μｍ程度と微細な為、ホトレジ
ストマスクの作成に従来の光リソグラフィー技術を適用
することは出来ない。この為、ホログラフィックな露光
法が一般に用いられてきた。これはレーザ光の干渉を用
いた露光法であり、その工程を図２で説明する。
ストマスクの作成とエッチングとの２段階の方法で行わ
れている。ここで、光エレクトロニクス分野の回折格子
の周期は０．１〜１．０μｍ程度と微細な為、ホトレジ
ストマスクの作成に従来の光リソグラフィー技術を適用
することは出来ない。この為、ホログラフィックな露光
法が一般に用いられてきた。これはレーザ光の干渉を用
いた露光法であり、その工程を図２で説明する。
【０００４】この方法では、先ず図２（ａ）の如く基板
２１にホトレジスト２２を塗布し、ここに十分に平行光
線とされた２つのレーザビーム２３、２４を２方向（図
示例では、垂線に対してθの角度を成す２方向）から照
射して干渉縞を作ってホトレジスト２２を周期的に露光
し、これを現像、ベークする。このことで図２（ｂ）の
様な格子状のホトレジストマスク２５を作成する。次
に、上記ホトレジストマスク２５をエッチングマスクと
して図２（ｃ）の様にエッチング（ウェット又はドラ
イ）し、その後エッチングマスクを剥離することにより
図２（ｄ）の如く基板２１に周期構造（回折格子）２６
を転写する。
２１にホトレジスト２２を塗布し、ここに十分に平行光
線とされた２つのレーザビーム２３、２４を２方向（図
示例では、垂線に対してθの角度を成す２方向）から照
射して干渉縞を作ってホトレジスト２２を周期的に露光
し、これを現像、ベークする。このことで図２（ｂ）の
様な格子状のホトレジストマスク２５を作成する。次
に、上記ホトレジストマスク２５をエッチングマスクと
して図２（ｃ）の様にエッチング（ウェット又はドラ
イ）し、その後エッチングマスクを剥離することにより
図２（ｄ）の如く基板２１に周期構造（回折格子）２６
を転写する。
【０００５】ホログラフィックな干渉露光法において
は、２つのレーザビームの入射角度をθ、レーザビーム
の波長をλとすると、作成できる格子間隔Λ（図２
（ｂ）参照）は、Λ＝λ／２ｓｉｎθと表せる。露光用
レーザとしては、Ａｒレーザ（λ＝３５１ｎｍ）又はＨ
ｅ−Ｃｄレーザ（λ＝３２５ｎｍ）が適している。Λ≦
０．２５μｍ程度のマスクを作るにはＨｅ−Ｃｄレーザ
を用いる。
は、２つのレーザビームの入射角度をθ、レーザビーム
の波長をλとすると、作成できる格子間隔Λ（図２
（ｂ）参照）は、Λ＝λ／２ｓｉｎθと表せる。露光用
レーザとしては、Ａｒレーザ（λ＝３５１ｎｍ）又はＨ
ｅ−Ｃｄレーザ（λ＝３２５ｎｍ）が適している。Λ≦
０．２５μｍ程度のマスクを作るにはＨｅ−Ｃｄレーザ
を用いる。
【０００６】周期の異なる２種類の回折格子を基板上に
作成する場合には、前記２つのレーザビームの入射角度
θを変えて２回のホログラフィックな干渉露光を行って
いた。
作成する場合には、前記２つのレーザビームの入射角度
θを変えて２回のホログラフィックな干渉露光を行って
いた。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、ＤＦＢ、
ＤＢＲ半導体レーザ用の周期の異なる２種類の回折格子
作成方法には、次のような問題があった。すなわち、従
来のホログラフィックな干渉露光法では、１回の露光で
１種類の周期の回折格子のみしか得られず、周期の異な
る２種類の回折格子を基板上に作成する場合には、従来
法であるホログラフィックな干渉露光法の角度を変えた
２回の干渉露光が必要となる。従って、各々の回折格子
間の位相合わせが非常に困難であるという問題点があっ
た。
ＤＢＲ半導体レーザ用の周期の異なる２種類の回折格子
作成方法には、次のような問題があった。すなわち、従
来のホログラフィックな干渉露光法では、１回の露光で
１種類の周期の回折格子のみしか得られず、周期の異な
る２種類の回折格子を基板上に作成する場合には、従来
法であるホログラフィックな干渉露光法の角度を変えた
２回の干渉露光が必要となる。従って、各々の回折格子
間の位相合わせが非常に困難であるという問題点があっ
た。
【０００８】従って、本発明は、上記問題点に鑑み、Ｄ
ＦＢ、ＤＢＲレーザ等の共振器に用いられる回折格子の
作成方法に関し、周期の異なる２種類の微細な回折格子
を基板上に１回の干渉露光で形成することのできる回折
格子の作成方法を提供することを目的とする。
ＦＢ、ＤＢＲレーザ等の共振器に用いられる回折格子の
作成方法に関し、周期の異なる２種類の微細な回折格子
を基板上に１回の干渉露光で形成することのできる回折
格子の作成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に第１
の周期の回折格子と第２の周期の回折格子の少なくとも
２種類の回折格子を作成する方法に於いて、第１の周期
の回折格子を形成するステップ、該回折格子を格子形成
材料と異種の材料で被覆するステップ、該異種材料上に
パターンを形成するステップ、露出した該異種材料と該
回折格子の格子形成材料とを同時にエッチングすること
を含むエッチングにより、前記第１の周期と異なる第２
の周期の回折格子を形成するステップを有することを特
徴とする。
の周期の回折格子と第２の周期の回折格子の少なくとも
２種類の回折格子を作成する方法に於いて、第１の周期
の回折格子を形成するステップ、該回折格子を格子形成
材料と異種の材料で被覆するステップ、該異種材料上に
パターンを形成するステップ、露出した該異種材料と該
回折格子の格子形成材料とを同時にエッチングすること
を含むエッチングにより、前記第１の周期と異なる第２
の周期の回折格子を形成するステップを有することを特
徴とする。
【００１０】より具体的には、前記第２の周期は前記第
１の周期の半分であったり、前記第１の周期の回折格子
を形成するステップは、基板上にホトレジストを塗布す
る工程と該ホトレジストを干渉露光する工程とこの干渉
露光されたホトレジストをマスクとして第１のエッチン
グを行って前記第１の周期の回折格子を得る工程であっ
たり、前記異種材料はホトレジストであったり、前記異
種材料と前記回折格子の格子形成材とを同時にエッチン
グすることは、第２のエッチングとして全面をドライエ
ッチングすることであったりする。
１の周期の半分であったり、前記第１の周期の回折格子
を形成するステップは、基板上にホトレジストを塗布す
る工程と該ホトレジストを干渉露光する工程とこの干渉
露光されたホトレジストをマスクとして第１のエッチン
グを行って前記第１の周期の回折格子を得る工程であっ
たり、前記異種材料はホトレジストであったり、前記異
種材料と前記回折格子の格子形成材とを同時にエッチン
グすることは、第２のエッチングとして全面をドライエ
ッチングすることであったりする。
【００１１】
【作用】本発明の回折格子の形成方法では、干渉露光
は、第１の周期の回折格子を得る時のみ行われるため、
工程を短絡でき、さらにドライエッチングする場合は、
回折格子形状の不整を生じることがない。また、前記異
種材料と、前記回折格子の格子形成材とを同時にエッチ
ングするのをドライエッチングとすれば、面方位の限定
や形状の不整がなくなる。よって、回折格子のパターン
精度の安定性が向上して、歩留まりも向上する。
は、第１の周期の回折格子を得る時のみ行われるため、
工程を短絡でき、さらにドライエッチングする場合は、
回折格子形状の不整を生じることがない。また、前記異
種材料と、前記回折格子の格子形成材とを同時にエッチ
ングするのをドライエッチングとすれば、面方位の限定
や形状の不整がなくなる。よって、回折格子のパターン
精度の安定性が向上して、歩留まりも向上する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明に基づく回折格子の作成方法
の１実施例の工程を示す工程図である。
の１実施例の工程を示す工程図である。
【００１３】先ず初めに、所望の周期を持つ第１の回折
格子２を半導体基板１上に、図２で説明した従来のホロ
グラフィック干渉露光法で作成する（図１（ａ））。詳
細には以下の通りである。
格子２を半導体基板１上に、図２で説明した従来のホロ
グラフィック干渉露光法で作成する（図１（ａ））。詳
細には以下の通りである。
【００１４】半導体基板１を界面活性剤で洗浄し、次に
有機溶剤による超音波洗浄を２〜３回繰り返した後、Ｎ
2ブローで乾燥して２００℃、３０分の熱処理を基板１
に行う。続いて、２光束干渉露光用のホトレジスト層
（商品名ＡＺ−１３５０Ｊ：ヘキスト社製を所望な程度
希釈したもの）を基板１全面に塗布形成し、８０℃の乾
燥をこれに行う。ホトレジスト層の厚さは６００Å〜８
００Å程度が適当である。 次に、Ｈｅ−Ｃｄレーザ
（波長λ＝３２５ｎｍ）による２光束干渉露光法で、上
記ホトレジスト層を所望の周期Λに対応する入射角度θ
で露光する。その後、ホトレジスト層をＡＺ系の現像液
で現像し、干渉露光により生じた干渉縞の強度分布に応
じた感光度合いに対応したレジストパターン（回折格
子）を形成する。 続いて、上記レジストパターンをエ
ッチングマスクとして、半導体基板１を、ウェットエッ
チングならば例えばＨ3ＰＯ4系やＮＨ4ＯＨ系のエッチ
ング液を用いて、ドライエッチングならばＣ１2系のガ
スを用いてエッチングを行い、そしてエッチングマスク
層を除去することにより第１の回折格子２を基板１上に
得る（図１（ａ））。
有機溶剤による超音波洗浄を２〜３回繰り返した後、Ｎ
2ブローで乾燥して２００℃、３０分の熱処理を基板１
に行う。続いて、２光束干渉露光用のホトレジスト層
（商品名ＡＺ−１３５０Ｊ：ヘキスト社製を所望な程度
希釈したもの）を基板１全面に塗布形成し、８０℃の乾
燥をこれに行う。ホトレジスト層の厚さは６００Å〜８
００Å程度が適当である。 次に、Ｈｅ−Ｃｄレーザ
（波長λ＝３２５ｎｍ）による２光束干渉露光法で、上
記ホトレジスト層を所望の周期Λに対応する入射角度θ
で露光する。その後、ホトレジスト層をＡＺ系の現像液
で現像し、干渉露光により生じた干渉縞の強度分布に応
じた感光度合いに対応したレジストパターン（回折格
子）を形成する。 続いて、上記レジストパターンをエ
ッチングマスクとして、半導体基板１を、ウェットエッ
チングならば例えばＨ3ＰＯ4系やＮＨ4ＯＨ系のエッチ
ング液を用いて、ドライエッチングならばＣ１2系のガ
スを用いてエッチングを行い、そしてエッチングマスク
層を除去することにより第１の回折格子２を基板１上に
得る（図１（ａ））。
【００１５】次は、第１の回折格子２の周期の半分の周
期を持つ第２の回折格子６の作成工程である。初めに、
第１の回折格子２のある半導体基板１に有機溶剤による
超音波洗浄を２〜３回繰り返した後、Ｎ2ブローで乾燥
し９０℃、３０分の熱処理をこれに行う。続いて、エッ
チングマスク層３として、ホトレジスト（商品名ＡＺ−
１３５０Ｊ：ヘキスト社製）を所望の値に希釈したもの
を半導体基板１全面に塗布形成し、これに対して８０
℃、２０分の乾燥を施す（図１（ｂ））。
期を持つ第２の回折格子６の作成工程である。初めに、
第１の回折格子２のある半導体基板１に有機溶剤による
超音波洗浄を２〜３回繰り返した後、Ｎ2ブローで乾燥
し９０℃、３０分の熱処理をこれに行う。続いて、エッ
チングマスク層３として、ホトレジスト（商品名ＡＺ−
１３５０Ｊ：ヘキスト社製）を所望の値に希釈したもの
を半導体基板１全面に塗布形成し、これに対して８０
℃、２０分の乾燥を施す（図１（ｂ））。
【００１６】続いて、例えばホトレジスト（商品名ＯＭ
Ｒ−８５：東京応化社製）をエッチングマスク層３上全
面に塗布形成し、８０℃、２０分の乾燥を行う。この時
のホトレジストの厚さは１．０μｍが適当である。
Ｒ−８５：東京応化社製）をエッチングマスク層３上全
面に塗布形成し、８０℃、２０分の乾燥を行う。この時
のホトレジストの厚さは１．０μｍが適当である。
【００１７】次に、通常のフォトリソグラフィー技術を
用いてマスク露光を行う。更に、前記ホトレジスト層の
専用現像液と専用リンス液で順次、現像、リンスを行
う。これにより、半導体基板１上にホトレジストのスト
ライプパターン４が形成される（図１（ｃ））。
用いてマスク露光を行う。更に、前記ホトレジスト層の
専用現像液と専用リンス液で順次、現像、リンスを行
う。これにより、半導体基板１上にホトレジストのスト
ライプパターン４が形成される（図１（ｃ））。
【００１８】次に、露光したエッチングマスク層３上
を、ホトレジストのストライプパターン４をエッチング
マスクとして、Ｃ１2ガスによるリアクティブイオンビ
ームエッチング（ＲＩＢＥ）を用いて、適正時間エッチ
ングを行う。この時の条件は、到達真空度２×１０-6Ｔ
ｏｒｒ、Ｃ１2流量１５ＳＣＣＭ以下、エッチング圧力
７．５×１０-4Ｔｏｒｒ〜１．５×１０-3Ｔｏｒｒ、イ
オン引出電圧４００Ｖであり、このエッチング条件での
半導体基板２のエッチレートは１６００Å／ｍｉｎであ
り、レジストマスク（エッチングマスク）３との選択比
はほぼ４：１であった。
を、ホトレジストのストライプパターン４をエッチング
マスクとして、Ｃ１2ガスによるリアクティブイオンビ
ームエッチング（ＲＩＢＥ）を用いて、適正時間エッチ
ングを行う。この時の条件は、到達真空度２×１０-6Ｔ
ｏｒｒ、Ｃ１2流量１５ＳＣＣＭ以下、エッチング圧力
７．５×１０-4Ｔｏｒｒ〜１．５×１０-3Ｔｏｒｒ、イ
オン引出電圧４００Ｖであり、このエッチング条件での
半導体基板２のエッチレートは１６００Å／ｍｉｎであ
り、レジストマスク（エッチングマスク）３との選択比
はほぼ４：１であった。
【００１９】上記のエッチングにおいては、エッチング
過程で、全面に塗布形成されたエッチングマスク層３が
最初にエッチングされて減っていき（図１（ｄ）参
照）、下の半導体基板１が露出したところで、エッチン
グマスク層３と半導体基板１との選択比の差によりこの
エッチングマスク層３と半導体基板１の境でエッチング
レートの律速が起こり、独特のエッチングが進行する
（図１（ｅ）、（ｆ）参照）。こうして、初めに作成し
た第１の回折格子２の周期の半分の周期を持つ第２の回
折格子６が形成される。
過程で、全面に塗布形成されたエッチングマスク層３が
最初にエッチングされて減っていき（図１（ｄ）参
照）、下の半導体基板１が露出したところで、エッチン
グマスク層３と半導体基板１との選択比の差によりこの
エッチングマスク層３と半導体基板１の境でエッチング
レートの律速が起こり、独特のエッチングが進行する
（図１（ｅ）、（ｆ）参照）。こうして、初めに作成し
た第１の回折格子２の周期の半分の周期を持つ第２の回
折格子６が形成される。
【００２０】最後に、残存しているエッチングマスク層
３及びホトレジストのストライプパターン４を除去して
半導体基板１に第１の周期の回折格子５と第２の周期の
回折格子６の２種類の回折格子を得る（図１（ｇ））。
３及びホトレジストのストライプパターン４を除去して
半導体基板１に第１の周期の回折格子５と第２の周期の
回折格子６の２種類の回折格子を得る（図１（ｇ））。
【００２１】以上の如く本実施例では、従来技術のホロ
グラフィック干渉法で得た回折格子を第１の周期の回折
格子とし、前記第１の回折格子２にホトレジストを全面
塗布し、第２の周期の回折格子を形成する領域を窓とし
たマスクを形成した後、これに露光、現像することな
く、そのままドライエッチングを施すという簡単な方法
で、微細な周期（第１の周期の回折格子の１／２周期）
の回折格子を精度良く安定して得ることができる。
グラフィック干渉法で得た回折格子を第１の周期の回折
格子とし、前記第１の回折格子２にホトレジストを全面
塗布し、第２の周期の回折格子を形成する領域を窓とし
たマスクを形成した後、これに露光、現像することな
く、そのままドライエッチングを施すという簡単な方法
で、微細な周期（第１の周期の回折格子の１／２周期）
の回折格子を精度良く安定して得ることができる。
【００２２】こうして精度、安定性良く基板上に２種類
の周期の異なる回折格子を作成でき、特に第２の周期の
回折格子は、第１の周期の回折格子の周期の１／２周期
になることから、第１の周期の回折格子の周期設定を短
波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、ＤＢＲ半導体レーザ用
の２次回折格子（周期＝２５００Å）に設定することに
より、通常のホログラフィック干渉露光法による空気中
での作成が不可能であった短波長（λ＝０．８μｍ）帯
の一次回折格子（周期＝１３００Å）を作成することが
できる。
の周期の異なる回折格子を作成でき、特に第２の周期の
回折格子は、第１の周期の回折格子の周期の１／２周期
になることから、第１の周期の回折格子の周期設定を短
波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、ＤＢＲ半導体レーザ用
の２次回折格子（周期＝２５００Å）に設定することに
より、通常のホログラフィック干渉露光法による空気中
での作成が不可能であった短波長（λ＝０．８μｍ）帯
の一次回折格子（周期＝１３００Å）を作成することが
できる。
【００２３】ところで、本発明は上記実施例の形態のみ
に限定されるものではなく、例えば第１の周期の回折格
子２の断面形状は三角形を用いたが、矩形、台形、正弦
波等でもよく最終的に求められる仕様に応じて定めれば
良く、その場合、形成方法も本質的に同じである。ま
た、上記実施例では第２の周期の回折格子６のエッチン
グマスク層３としてホトレジストを用いたが、例えばＳ
ｉＯ2やＳｉ3Ｎ4膜の酸化膜や窒化膜、また金属材料で
も良い。要するに、ドライエッチング時のエッチング条
件に応じてエッチングマスク層３の材料を決めれば良
い。基板についても、半導体基板１に限らず、ガラス、
光学ガラスなどでも良い。
に限定されるものではなく、例えば第１の周期の回折格
子２の断面形状は三角形を用いたが、矩形、台形、正弦
波等でもよく最終的に求められる仕様に応じて定めれば
良く、その場合、形成方法も本質的に同じである。ま
た、上記実施例では第２の周期の回折格子６のエッチン
グマスク層３としてホトレジストを用いたが、例えばＳ
ｉＯ2やＳｉ3Ｎ4膜の酸化膜や窒化膜、また金属材料で
も良い。要するに、ドライエッチング時のエッチング条
件に応じてエッチングマスク層３の材料を決めれば良
い。基板についても、半導体基板１に限らず、ガラス、
光学ガラスなどでも良い。
【００２４】更に、第２の周期の回折格子６のエッチン
グ法において、リアクティブイオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）を用いたが、スパッタエッチング、イオン
ミリング、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）な
どでも良く、エッチングガスもＣ１2に限定されず材料
に合わせて選べば良い。
グ法において、リアクティブイオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）を用いたが、スパッタエッチング、イオン
ミリング、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）な
どでも良く、エッチングガスもＣ１2に限定されず材料
に合わせて選べば良い。
【００２５】上記実施例の作成法を同一基板に複数回適
用すれば、第２の周期を第１の周期の１／４、１／８等
と設定でき、また同一基板に３種類以上の回折格子を形
成できる。
用すれば、第２の周期を第１の周期の１／４、１／８等
と設定でき、また同一基板に３種類以上の回折格子を形
成できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、従
来の方法で形成された第１の周期を形成した後、これに
ホトレジストなどの異種材料を全面塗布し、第２の周期
の回折格子を形成したい領域を窓としたマスクを形成し
た後、そのまま全面をドライエッチングなどでエッチン
グして周期の微細な第２の周期の回折格子を形成するこ
とができる。従って、周期の異なる２種類以上の回折格
子を基板上に簡単に形成できると共に、工程が短縮でき
る。それと同時に周期の異なる回折格子の位相合わせが
不要となり、パターン精度の安定性が向上でき歩留まり
も向上して、微細な回折格子を作成できる。更に、一般
的には短波長（λ＝０．８μｍ）帯の１次回折を利用す
るレーザ、フィルタなどの特性を向上させることができ
る。
来の方法で形成された第１の周期を形成した後、これに
ホトレジストなどの異種材料を全面塗布し、第２の周期
の回折格子を形成したい領域を窓としたマスクを形成し
た後、そのまま全面をドライエッチングなどでエッチン
グして周期の微細な第２の周期の回折格子を形成するこ
とができる。従って、周期の異なる２種類以上の回折格
子を基板上に簡単に形成できると共に、工程が短縮でき
る。それと同時に周期の異なる回折格子の位相合わせが
不要となり、パターン精度の安定性が向上でき歩留まり
も向上して、微細な回折格子を作成できる。更に、一般
的には短波長（λ＝０．８μｍ）帯の１次回折を利用す
るレーザ、フィルタなどの特性を向上させることができ
る。
【図１】本発明の実施例の工程を説明する断面図。
【図２】従来のホログラフィック干渉法による回折格子
の作成法の工程を示す断面図。
の作成法の工程を示す断面図。
１ 半導体基板 ２ 第１の周期の回折格子 ３ エッチングマスク層 ４ ストライプパターン ５ 第１の周期の回折格子 ６ 第２の周期の回折格子 ２１ 基板 ２２ ホトレジスト ２３、２４ レーザビーム ２５ ホトレジストマスク ２６ 周期構造
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、第１の周期の回折格子と第２
の周期の回折格子の少なくとも２種類の回折格子を作成
する方法において、第１の周期の回折格子を形成するス
テップ、該回折格子を格子形成材料と異種の材料で被覆
するステップ、該異種材料上にパターンを形成するステ
ップ、該異種材料と該回折格子の格子形成材料とを同時
にエッチングすることを含むエッチングにより、前記第
１の周期と異なる第２の周期の回折格子を形成するステ
ップを有することを特徴とする回折格子の作成方法。 - 【請求項２】 前記第２の周期は前記第１の周期の半分
である請求項１記載の回折格子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29276993A JPH07128510A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 回折格子の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29276993A JPH07128510A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 回折格子の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128510A true JPH07128510A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17786108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29276993A Pending JPH07128510A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 回折格子の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07128510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016154203A (ja) * | 2014-04-25 | 2016-08-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP29276993A patent/JPH07128510A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016154203A (ja) * | 2014-04-25 | 2016-08-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
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