JPH0712890A - 半導体集積回路試験用ソケット - Google Patents
半導体集積回路試験用ソケットInfo
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- JPH0712890A JPH0712890A JP5151811A JP15181193A JPH0712890A JP H0712890 A JPH0712890 A JP H0712890A JP 5151811 A JP5151811 A JP 5151811A JP 15181193 A JP15181193 A JP 15181193A JP H0712890 A JPH0712890 A JP H0712890A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被試験半導体集積回路と試験装置との電気的
接続作業を容易にする。 【構成】 被試験半導体集積回路８は、電極９が上方を
向いた姿勢に保持する。透明なキャップ１２を被試験半
導体集積回路８に覆せ、キャップ１２を通して電極９の
位置を確認した後、キャップ１２の接点４を電極９上に
重ね合わせて位置決めを行う。電極９の位置が確認でき
るため、電極９と接点４との位置合わせ精度が向上す
る。
接続作業を容易にする。 【構成】 被試験半導体集積回路８は、電極９が上方を
向いた姿勢に保持する。透明なキャップ１２を被試験半
導体集積回路８に覆せ、キャップ１２を通して電極９の
位置を確認した後、キャップ１２の接点４を電極９上に
重ね合わせて位置決めを行う。電極９の位置が確認でき
るため、電極９と接点４との位置合わせ精度が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップやＦＴＣ
（Ｆｌｉｐｐｅｄ ＴＡＢ Ｃａｒｒｉｅｒ）等の半導
体集積回路と試験装置とを電気的に接続するソケットに
関する。
（Ｆｌｉｐｐｅｄ ＴＡＢ Ｃａｒｒｉｅｒ）等の半導
体集積回路と試験装置とを電気的に接続するソケットに
関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体集積回路についてバーン
イン等の試験を行うにあたっては、ソケットが用いられ
る。
イン等の試験を行うにあたっては、ソケットが用いられ
る。
【０００３】従来のソケットでは図２に示すように、ポ
ゴピン１１は、ＢＴ基板１０及びソケット基体１を貫通
して、上向きに突き出してあるため、被試験半導体集積
回路（Ｄｅｖｉｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔ，以下ＤＵ
Ｔという）８の電極９を下方に向けて、ＤＵＴ８をソケ
ットにセットし、ＤＵＴ８の電極９とポゴピン１１とを
１対１で突き合わせた後、ヒートシンク６を介してＤＵ
Ｔ８の上面をフック７により圧下していた。
ゴピン１１は、ＢＴ基板１０及びソケット基体１を貫通
して、上向きに突き出してあるため、被試験半導体集積
回路（Ｄｅｖｉｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔ，以下ＤＵ
Ｔという）８の電極９を下方に向けて、ＤＵＴ８をソケ
ットにセットし、ＤＵＴ８の電極９とポゴピン１１とを
１対１で突き合わせた後、ヒートシンク６を介してＤＵ
Ｔ８の上面をフック７により圧下していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すポゴピンを
用いて電気的に接続する方法では、ポゴピン１１は、あ
る程度の強度を維持するため、５００μｍφ程度の直径
をもつ必要があり、しかも、ポゴピンは、基板に貫通さ
せて固定するため、ポゴピン間の間隔は加工上、少なく
とも２５０μｍは必要であり、試験されるＦＴＣの電極
間距離が２５０μｍ以下である場合には、ＦＴＣと試験
装置とを電気的に接続することができなかった。
用いて電気的に接続する方法では、ポゴピン１１は、あ
る程度の強度を維持するため、５００μｍφ程度の直径
をもつ必要があり、しかも、ポゴピンは、基板に貫通さ
せて固定するため、ポゴピン間の間隔は加工上、少なく
とも２５０μｍは必要であり、試験されるＦＴＣの電極
間距離が２５０μｍ以下である場合には、ＦＴＣと試験
装置とを電気的に接続することができなかった。
【０００５】また、図２に示すソケットでは、ＤＵＴ８
の電極９とポゴピン１１との位置関係を目視して、位置
合わせを行うことができないため、その位置合わせに細
心の注意が必要であり、ＤＵＴ８の電極９とポゴピン１
１との位置合わせ作業には、熟練を要していた。
の電極９とポゴピン１１との位置関係を目視して、位置
合わせを行うことができないため、その位置合わせに細
心の注意が必要であり、ＤＵＴ８の電極９とポゴピン１
１との位置合わせ作業には、熟練を要していた。
【０００６】従来のソケットにおいて、ＤＵＴ８の電極
９とポゴピン１１との位置合わせを目視により行う方法
としては、ソケット基体１とＢＴ基板１０とを透明な素
材にて構成することが考えられる（例えば、特開昭６０
−１０７３５号公報参照）。しかしながら、この場合、
ポゴピン１１は、上向きに突き出しているため、ＤＵＴ
８の電極９を下方に向けて電極９とポゴピン１１との位
置合わせが行われるため、ヒートシンク６の上方から見
下ろして位置合わせをすることが不可能であり、その位
置合わせは、ＢＴ基板１０の下方から上方を見上げて行
わなければならず、目視は無理な姿勢で行うこととな
り、位置合わせ作業が厄介である。これを解決するに
は、何らかの技術的手段を講じる必要がある。
９とポゴピン１１との位置合わせを目視により行う方法
としては、ソケット基体１とＢＴ基板１０とを透明な素
材にて構成することが考えられる（例えば、特開昭６０
−１０７３５号公報参照）。しかしながら、この場合、
ポゴピン１１は、上向きに突き出しているため、ＤＵＴ
８の電極９を下方に向けて電極９とポゴピン１１との位
置合わせが行われるため、ヒートシンク６の上方から見
下ろして位置合わせをすることが不可能であり、その位
置合わせは、ＢＴ基板１０の下方から上方を見上げて行
わなければならず、目視は無理な姿勢で行うこととな
り、位置合わせ作業が厄介である。これを解決するに
は、何らかの技術的手段を講じる必要がある。
【０００７】また、図２に示すソケットでは、ＤＵＴ８
を圧下して、下面電極９をポゴピン１１に突き当てるた
め、下面電極９の高さ位置がμｍオーダで均一でない
と、電極９とポゴピン１１とを接触させることができな
くなり、そのため、電極９の高さをμｍオーダで管理す
る必要がある。
を圧下して、下面電極９をポゴピン１１に突き当てるた
め、下面電極９の高さ位置がμｍオーダで均一でない
と、電極９とポゴピン１１とを接触させることができな
くなり、そのため、電極９の高さをμｍオーダで管理す
る必要がある。
【０００８】本発明の目的は、ＤＵＴの電極とソケット
の電極端子との位置合わせを楽な姿勢で目視して行うよ
うにした半導体集積回路ソケットを提供することにあ
る。
の電極端子との位置合わせを楽な姿勢で目視して行うよ
うにした半導体集積回路ソケットを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体集積回路ソケットは、キャップ
を有し、被試験半導体集積回路の電極と試験装置とを電
気的に接続する半導体集積回路試験用ソケットであっ
て、被試験半導体集積回路は、試験を行う際に、電極が
上方を向いた姿勢に保持されるものであり、キャップ
は、被試験半導体集積回路の上方から電極を覆うもので
あり、覆板と電極部とを有し、覆板は、被試験半導体集
積回路の電極を透視し得る透明の耐熱性絶縁材であり、
キャップの電極部は、高さズレ吸収体と接点とを有し、
高さズレ吸収体は、被試験半導体集積回路の電極を透視
し得る圧縮変形可能な透明の耐熱性絶縁材であり、覆板
の下面に取付けられ、接点は、高さズレ吸収体の下面
に、被試験半導体集積回路の電極と向き合わせに設けら
れ、該被試験半導体集積回路の電極の高さ位置に応じて
高さズレ吸収体を圧縮変形させ、上下に変位して被試験
半導体集積回路の電極に接触するものである。
め、本発明に係る半導体集積回路ソケットは、キャップ
を有し、被試験半導体集積回路の電極と試験装置とを電
気的に接続する半導体集積回路試験用ソケットであっ
て、被試験半導体集積回路は、試験を行う際に、電極が
上方を向いた姿勢に保持されるものであり、キャップ
は、被試験半導体集積回路の上方から電極を覆うもので
あり、覆板と電極部とを有し、覆板は、被試験半導体集
積回路の電極を透視し得る透明の耐熱性絶縁材であり、
キャップの電極部は、高さズレ吸収体と接点とを有し、
高さズレ吸収体は、被試験半導体集積回路の電極を透視
し得る圧縮変形可能な透明の耐熱性絶縁材であり、覆板
の下面に取付けられ、接点は、高さズレ吸収体の下面
に、被試験半導体集積回路の電極と向き合わせに設けら
れ、該被試験半導体集積回路の電極の高さ位置に応じて
高さズレ吸収体を圧縮変形させ、上下に変位して被試験
半導体集積回路の電極に接触するものである。
【００１０】また、キャップの接点は、バンプを有する
ものである。
ものである。
【００１１】また、ヒートシンクを有し、該ヒートシン
クは、被試験半導体集積回路が発する熱を拡散するもの
であり、上端面に、被試験半導体集積回路を受け入れて
支える支持部を有するものである。
クは、被試験半導体集積回路が発する熱を拡散するもの
であり、上端面に、被試験半導体集積回路を受け入れて
支える支持部を有するものである。
【００１２】
【作用】被試験半導体集積回路は、試験を行う際に、電
極が上方を向いた姿勢に保持する。そして、被試験半導
体集積回路を上方から透明なキャップで覆い、被試験半
導体集積回路の電極とキャップの接点とを透明なキャッ
プを介して上方から見下ろした姿勢で位置合わせする。
極が上方を向いた姿勢に保持する。そして、被試験半導
体集積回路を上方から透明なキャップで覆い、被試験半
導体集積回路の電極とキャップの接点とを透明なキャッ
プを介して上方から見下ろした姿勢で位置合わせする。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す断面図である。
る。図１は、本発明の一実施例を示す断面図である。
【００１４】図１において、ＢＴ基板１０の中央部に開
口１０ａを設け、開口１０ａ内にヒートシンク６を嵌合
保持する。ヒートシンク６は、ＢＴ基板１０より上方に
突き出た上端面に、ＤＵＴ８を受け入れる溝部６ａが設
けられている。また、ＢＴ基板１０の上面には、ヒート
シンク６を取り囲んでソケット基体１が取付けられ、ソ
ケット基体１には、キャップ１２を圧下するフック７が
起倒可能に取付けられている。ＤＵＴ８は、上下を反転
させて、その上面がヒートシンク６の溝部８に支えら
れ、下面の電極９が上方を向いて保持される。
口１０ａを設け、開口１０ａ内にヒートシンク６を嵌合
保持する。ヒートシンク６は、ＢＴ基板１０より上方に
突き出た上端面に、ＤＵＴ８を受け入れる溝部６ａが設
けられている。また、ＢＴ基板１０の上面には、ヒート
シンク６を取り囲んでソケット基体１が取付けられ、ソ
ケット基体１には、キャップ１２を圧下するフック７が
起倒可能に取付けられている。ＤＵＴ８は、上下を反転
させて、その上面がヒートシンク６の溝部８に支えら
れ、下面の電極９が上方を向いて保持される。
【００１５】キャップ１２は、覆板２と電極部とを有し
ている。覆板２は、ＤＵＴ８の電極９を透視し得る透明
の耐熱性絶縁材である。電極部は、高さズレ吸収体３と
接点４と給電接点４’とを備えている。高さズレ吸収体
３は、ＤＵＴの電極を透視し得る圧縮変形可能な透明の
耐熱性絶縁材であり、覆板２の下面に取付けられてい
る。接点４は、高さズレ吸収体３の下面に、ＤＵＴ８の
電極９と向き合わせて設けられ、ＤＵＴ８の電極９の高
さ位置に応じて高さズレ吸収体３を圧縮変形させ、上下
に変位してＤＵＴ８の電極９と接触するようになってい
る。尚、高さズレ吸収体３の内部には、接点４を図示し
ない試験装置に接続するための透明な導体配線が施して
ある。
ている。覆板２は、ＤＵＴ８の電極９を透視し得る透明
の耐熱性絶縁材である。電極部は、高さズレ吸収体３と
接点４と給電接点４’とを備えている。高さズレ吸収体
３は、ＤＵＴの電極を透視し得る圧縮変形可能な透明の
耐熱性絶縁材であり、覆板２の下面に取付けられてい
る。接点４は、高さズレ吸収体３の下面に、ＤＵＴ８の
電極９と向き合わせて設けられ、ＤＵＴ８の電極９の高
さ位置に応じて高さズレ吸収体３を圧縮変形させ、上下
に変位してＤＵＴ８の電極９と接触するようになってい
る。尚、高さズレ吸収体３の内部には、接点４を図示し
ない試験装置に接続するための透明な導体配線が施して
ある。
【００１６】また、給電接点４’は、高さズレ吸収体３
の外周縁側の下面に、ソケット基体１の給電端子５と向
き合わせに設けられている。本実施例では、接点４，
４’は、メタライズ層をパターニングした導体パターン
で構成してあるが、これらの接点４，４’は図１に示す
ようにバンプを有するようにしてもよい。接点４，４’
にバンプを有することにより、ＤＵＴ８が半導体チップ
の場合にも、接点４を半導体チップの電極にバンプを介
して接触させることができる。
の外周縁側の下面に、ソケット基体１の給電端子５と向
き合わせに設けられている。本実施例では、接点４，
４’は、メタライズ層をパターニングした導体パターン
で構成してあるが、これらの接点４，４’は図１に示す
ようにバンプを有するようにしてもよい。接点４，４’
にバンプを有することにより、ＤＵＴ８が半導体チップ
の場合にも、接点４を半導体チップの電極にバンプを介
して接触させることができる。
【００１７】実施例において、ＤＵＴ８と図示しない試
験装置とをソケットにより電気的に接続するには、ま
ず、ＤＵＴ８の表裏面を反転させ、ＤＵＴ８の裏面側の
電極９を上方に向けてＤＵＴ８をヒートシンク６の溝部
６ａ内に差込み、ＤＵＴ８の表面側をヒートシンク６で
支持する。
験装置とをソケットにより電気的に接続するには、ま
ず、ＤＵＴ８の表裏面を反転させ、ＤＵＴ８の裏面側の
電極９を上方に向けてＤＵＴ８をヒートシンク６の溝部
６ａ内に差込み、ＤＵＴ８の表面側をヒートシンク６で
支持する。
【００１８】次に、キャップ１２をＤＵＴ８に覆せる。
そして、覆板２及び高さズレ吸収体３を通して見下ろし
た姿勢で、キャップ１２の接点４，４’とＤＵＴ８の電
極９，給電端子５とを位置合わせする。キャップ１２
は、接点４，４’を除いた領域が透明であるため、接点
４，４’がＤＵＴ８の電極９，給電端子５に対してズレ
ている場合には、そのズレ量及びズレの方向が容易に把
握され、キャップ１２を水平方向に移動させてＤＵＴ８
の接点４，４’をＤＵＴ８の電極９，給電端子５に目視
により重ね合わせる。
そして、覆板２及び高さズレ吸収体３を通して見下ろし
た姿勢で、キャップ１２の接点４，４’とＤＵＴ８の電
極９，給電端子５とを位置合わせする。キャップ１２
は、接点４，４’を除いた領域が透明であるため、接点
４，４’がＤＵＴ８の電極９，給電端子５に対してズレ
ている場合には、そのズレ量及びズレの方向が容易に把
握され、キャップ１２を水平方向に移動させてＤＵＴ８
の接点４，４’をＤＵＴ８の電極９，給電端子５に目視
により重ね合わせる。
【００１９】次に、フック７をキャップ１２の外周縁に
掛止し、キャップ１２をフック７で圧下する。キャップ
１２の接点４，４’は、圧縮変形する高さズレ吸収体３
の下面に支持されているから、接点４，４’は、電極
９，給電端子５の高さ方向のズレに応じて高さズレ吸収
体３を圧縮変形して上下に変位し、全ての接点４，４’
と電極９，給電端子５との間は確実に電気的に接続され
ることとなる。
掛止し、キャップ１２をフック７で圧下する。キャップ
１２の接点４，４’は、圧縮変形する高さズレ吸収体３
の下面に支持されているから、接点４，４’は、電極
９，給電端子５の高さ方向のズレに応じて高さズレ吸収
体３を圧縮変形して上下に変位し、全ての接点４，４’
と電極９，給電端子５との間は確実に電気的に接続され
ることとなる。
【００２０】本発明に係るソケットの製造方法の一例を
説明する。まず、覆板２として、耐熱性をもつ透明な絶
縁板、例えば石英ガラスを用い、この石英ガラス２の一
面上に高さズレ吸収体３を形成する。高さズレ吸収体３
としては、耐熱性及び圧縮変形性をもつ透明の絶縁材、
例えばシリコンゴム或いはポリイミド膜を用い、これを
石英ガラス２の一面に貼付ける、或いはスピンコート等
により積層形成する。この高さズレ吸収体３は、単層又
は多層構造であってもよい。
説明する。まず、覆板２として、耐熱性をもつ透明な絶
縁板、例えば石英ガラスを用い、この石英ガラス２の一
面上に高さズレ吸収体３を形成する。高さズレ吸収体３
としては、耐熱性及び圧縮変形性をもつ透明の絶縁材、
例えばシリコンゴム或いはポリイミド膜を用い、これを
石英ガラス２の一面に貼付ける、或いはスピンコート等
により積層形成する。この高さズレ吸収体３は、単層又
は多層構造であってもよい。
【００２１】その後、高さズレ吸収体３の表面にアルミ
や金等のメタライズ層をスパッタ，蒸着、或いはメッキ
等により形成する。その形成されたメタライズ層をＤＵ
Ｔ８の電極９と一致させてパターニングし、これを接点
４，４’とする。
や金等のメタライズ層をスパッタ，蒸着、或いはメッキ
等により形成する。その形成されたメタライズ層をＤＵ
Ｔ８の電極９と一致させてパターニングし、これを接点
４，４’とする。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
試験半導体集積回路は、電極が上方を向いた姿勢に保持
され、透明なキャップを被試験半導体集積回路に覆せ、
キャップを通して電極の位置合わせを行うため、キャッ
プ上から半導体集積回路の電極位置が確認でき、電極の
位置合わせを容易に行うことができるばかりでなく、電
極の位置合わせを楽な姿勢で行うことができる。さら
に、キャップの接点は、高さズレ吸収体の板面にスパッ
タ，蒸着等の手段により形成することができ、従来のよ
うにポゴピンを用いる必要がないため、接点間の距離を
１００μｍ程度或いはそれ以下になっても、電気的接続
を行うことができる。
試験半導体集積回路は、電極が上方を向いた姿勢に保持
され、透明なキャップを被試験半導体集積回路に覆せ、
キャップを通して電極の位置合わせを行うため、キャッ
プ上から半導体集積回路の電極位置が確認でき、電極の
位置合わせを容易に行うことができるばかりでなく、電
極の位置合わせを楽な姿勢で行うことができる。さら
に、キャップの接点は、高さズレ吸収体の板面にスパッ
タ，蒸着等の手段により形成することができ、従来のよ
うにポゴピンを用いる必要がないため、接点間の距離を
１００μｍ程度或いはそれ以下になっても、電気的接続
を行うことができる。
【００２３】さらに、キャップの接点にバンプを有する
ため、未製品化レベルの半導体チップの電極をバンプを
利用して試験装置に電気的に接続することができ、未製
品化レベルでのバーンイン試験を行うことができる。
ため、未製品化レベルの半導体チップの電極をバンプを
利用して試験装置に電気的に接続することができ、未製
品化レベルでのバーンイン試験を行うことができる。
【００２４】また、ヒートシンクは、被試験半導体集積
回路の発する熱を拡散する機能に加えて、半導体集積回
路を支持する機能を併せ持つため、半導体集積回路の別
途支持機構が不要となり、構造を簡素化することができ
る。
回路の発する熱を拡散する機能に加えて、半導体集積回
路を支持する機能を併せ持つため、半導体集積回路の別
途支持機構が不要となり、構造を簡素化することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】 １ ソケット基体 ２ 覆板 ３ 高さズレ吸収体 ４，４’ キャップの接点 ５ 給電端子 ６ ヒートシンク ６ａ ヒートシンクの溝部 ７ フック ８ ＤＵＴ ９ ＤＵＴの電極 １０ ＢＴ基板 １２ キャップ
Claims (3)
- 【請求項１】 キャップを有し、被試験半導体集積回路
の電極と試験装置とを電気的に接続する半導体集積回路
試験用ソケットであって、 被試験半導体集積回路は、試験を行う際に、電極が上方
を向いた姿勢に保持されるものであり、 キャップは、被試験半導体集積回路の上方から電極を覆
うものであり、覆板と電極部とを有し、 覆板は、被試験半導体集積回路の電極を透視し得る透明
の耐熱性絶縁材であり、 キャップの電極部は、高さズレ吸収体と接点とを有し、 高さズレ吸収体は、被試験半導体集積回路の電極を透視
し得る圧縮変形可能な透明の耐熱性絶縁材であり、覆板
の下面に取付けられ、 接点は、高さズレ吸収体の下面に、被試験半導体集積回
路の電極と向き合わせに設けられ、該被試験半導体集積
回路の電極の高さ位置に応じて高さズレ吸収体を圧縮変
形させ、上下に変位して被試験半導体集積回路の電極に
接触するものであることを特徴とする半導体集積回路試
験用ソケット。 - 【請求項２】 キャップの接点は、バンプを有すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路試験用ソ
ケット。 - 【請求項３】 ヒートシンクを有し、該ヒートシンク
は、被試験半導体集積回路が発する熱を拡散するもので
あり、上端面に、被試験半導体集積回路を受け入れて支
える支持部を有するものであることを特徴とする請求項
１、又は２に記載の半導体集積回路試験用ソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151811A JP2526489B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体集積回路試験用ソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151811A JP2526489B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体集積回路試験用ソケット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2011253966A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Chichibu Fuji Co Ltd | 半導体レーザ素子用エージングボード |
| JP2018503818A (ja) * | 2015-02-05 | 2018-02-08 | リーノ インダストリアル インコーポレイテッド | 検査装置 |
| KR20220130959A (ko) * | 2021-03-19 | 2022-09-27 | (주)티에스이 | 반도체 검사 장치 |
| WO2024021766A1 (zh) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 苏州和林微纳科技股份有限公司 | 超薄接地散热组件及测试基座 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04170044A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ウェーハの検査用治具 |
-
1993
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04170044A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ウェーハの検査用治具 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503996B1 (ko) * | 1997-07-09 | 2005-10-06 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 번인테스트용소켓장치 |
| JP2002286792A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Espec Corp | 半導体デバイス搭載装置 |
| US7474110B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-01-06 | Tokyo Electron Limited | Probe card |
| US7498827B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-03-03 | Tokyo Electron Limited | Probe card |
| JP2011253966A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Chichibu Fuji Co Ltd | 半導体レーザ素子用エージングボード |
| JP2018503818A (ja) * | 2015-02-05 | 2018-02-08 | リーノ インダストリアル インコーポレイテッド | 検査装置 |
| KR20220130959A (ko) * | 2021-03-19 | 2022-09-27 | (주)티에스이 | 반도체 검사 장치 |
| WO2024021766A1 (zh) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 苏州和林微纳科技股份有限公司 | 超薄接地散热组件及测试基座 |
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