JPH0712991B2 - セラミツクス部材の選択めつき方法 - Google Patents
セラミツクス部材の選択めつき方法Info
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- JPH0712991B2 JPH0712991B2 JP22726086A JP22726086A JPH0712991B2 JP H0712991 B2 JPH0712991 B2 JP H0712991B2 JP 22726086 A JP22726086 A JP 22726086A JP 22726086 A JP22726086 A JP 22726086A JP H0712991 B2 JPH0712991 B2 JP H0712991B2
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- ceramic
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、セラミックス部材の選択めっき方法に関し、
特にセラミックス部材へのマーク形成等に適用される選
択めっき方法に係わる。
特にセラミックス部材へのマーク形成等に適用される選
択めっき方法に係わる。
（従来の技術） セラミックス部材の用途の多用化により、例えば該セラ
ミックス部材への製品表示等の目的でマーク形成が行わ
れている。かかるマークの形成方法としては、従来、印
刷法、エッチング法、レーザマーキング法が採用されて
いる。
ミックス部材への製品表示等の目的でマーク形成が行わ
れている。かかるマークの形成方法としては、従来、印
刷法、エッチング法、レーザマーキング法が採用されて
いる。
印刷法は、最も簡便な方法であるが、セラミックス部材
の表面性状によりマークの掠れや切れが生じたり、摩耗
によりマークが消失する問題があった。
の表面性状によりマークの掠れや切れが生じたり、摩耗
によりマークが消失する問題があった。
エッチング方法は、印刷法の場合のような問題はない
が、長い加工時間を必要とするばかりか、マークと部材
の間のコントラストが低い等の問題があった。
が、長い加工時間を必要とするばかりか、マークと部材
の間のコントラストが低い等の問題があった。
レーザマーキング法（大気中でのビーム走査方式）で
は、上記印刷法、エッチング法の問題を解決する方法と
して期待されているが、セラミックスの種類やその色に
よってマークと部材との間のコントラストが非常に低く
なるという問題があった。
は、上記印刷法、エッチング法の問題を解決する方法と
して期待されているが、セラミックスの種類やその色に
よってマークと部材との間のコントラストが非常に低く
なるという問題があった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、セラミックス部材表面に高いコントラストを持
ち、かつ摩耗による消失等のない良好なマーク等として
使用できる無電解めっきパターンを形成し得るセラミッ
クス部材の選択めっき方法を提供しようとするものであ
る。
もので、セラミックス部材表面に高いコントラストを持
ち、かつ摩耗による消失等のない良好なマーク等として
使用できる無電解めっきパターンを形成し得るセラミッ
クス部材の選択めっき方法を提供しようとするものであ
る。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、セラミックス部材表面に真空又は不活性ガス
雰囲気下でレーザ光を照射しながら走査して該セラミッ
クス部材のレーザ光照射部に金属析出パターンを形成す
る工程と、このセラミックス部材を無電解めっき液中に
浸漬し、該セラミックス部材の金属析出パターンをめっ
き核として選択的に無電解めっき膜を形成する工程とを
具備したことを特徴とするセラミックス部材の選択めっ
き方法である。
雰囲気下でレーザ光を照射しながら走査して該セラミッ
クス部材のレーザ光照射部に金属析出パターンを形成す
る工程と、このセラミックス部材を無電解めっき液中に
浸漬し、該セラミックス部材の金属析出パターンをめっ
き核として選択的に無電解めっき膜を形成する工程とを
具備したことを特徴とするセラミックス部材の選択めっ
き方法である。
上記セラミックスとしては、例えばAlN、Si3N4、BN等を
主成分とする窒化物系セラミックス、SiC等を主成分と
する炭化物系セラミックス、Al2O3、BeO等を主成分とす
る酸化物系セラミックスを挙げることができる。特に、
レーザ光の照射により容易に照射部が還元、昇華されて
AlやSiの金属を生成するAlN、Si3N4が好適である。
主成分とする窒化物系セラミックス、SiC等を主成分と
する炭化物系セラミックス、Al2O3、BeO等を主成分とす
る酸化物系セラミックスを挙げることができる。特に、
レーザ光の照射により容易に照射部が還元、昇華されて
AlやSiの金属を生成するAlN、Si3N4が好適である。
上記不活性ガスとしては、例えばAr、Ne、He等を挙げる
ことができる。
ことができる。
上記レーザ光を出力する発振器としては、kWオーダ以上
のピーク出力をもつレーザ光を出力するものが望まし
い。具体的には、光音響素子からなるＱスイッチを組込
んだYAGレーザ発振器、アレキサンドライトレーザ発振
器、TEACO2レーザ発振器等を挙げることができる。
のピーク出力をもつレーザ光を出力するものが望まし
い。具体的には、光音響素子からなるＱスイッチを組込
んだYAGレーザ発振器、アレキサンドライトレーザ発振
器、TEACO2レーザ発振器等を挙げることができる。
上記無電解めっき液としては、例えば使用するセラミッ
クス部材の種類やその色によって無電解銅めっき液、無
電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液、又は無電解
銅めっき液と無電解金めっき液との組合わせ、無電解ニ
ッケルめっき液と無電解銅めっき液との組合わせを採用
すればよい。
クス部材の種類やその色によって無電解銅めっき液、無
電解ニッケルめっき液、無電解金めっき液、又は無電解
銅めっき液と無電解金めっき液との組合わせ、無電解ニ
ッケルめっき液と無電解銅めっき液との組合わせを採用
すればよい。
（作用） 本発明方法は、まず、セラミックス部材表面に真空又は
不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射することにより、
セラミックスが窒化物の場合は下記（１）式の反応が、
セラミックスが炭化物の場合は下記（２）式の反応が、
セラミックスが酸化物の場合は下記（３）式の反応が、
夫々生起されたセラミックスが還元されて金属を析出す
る。但し、式中のMeは金属を示す。
不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射することにより、
セラミックスが窒化物の場合は下記（１）式の反応が、
セラミックスが炭化物の場合は下記（２）式の反応が、
セラミックスが酸化物の場合は下記（３）式の反応が、
夫々生起されたセラミックスが還元されて金属を析出す
る。但し、式中のMeは金属を示す。
MeN→Me＋1/2N2↑ …（１） MeC→Me＋Ｃ …（２） MeO→Me＋1/2O2↑ …（３） 次いで、レーザ光を走査することによって析出した金属
が連続化される。こうした金属の析出、連続化において
セラミックス部材表面は真空又は不活性ガス雰囲気に曝
されているため、析出した金属の酸化等が起こらず、略
金属そのものからなる金属析出パターンがセラミックス
基板に形成される。しかも、レーザ光はスポット径を10
〜500μｍの範囲で制御できるため、10〜500μｍの微細
幅の金属析出パターンをドライプロセスにより形成でき
る。
が連続化される。こうした金属の析出、連続化において
セラミックス部材表面は真空又は不活性ガス雰囲気に曝
されているため、析出した金属の酸化等が起こらず、略
金属そのものからなる金属析出パターンがセラミックス
基板に形成される。しかも、レーザ光はスポット径を10
〜500μｍの範囲で制御できるため、10〜500μｍの微細
幅の金属析出パターンをドライプロセスにより形成でき
る。
次いで、上記セラミックス部材を無電解めっき液中に浸
漬することによって、該セラミックス部材表面の金属析
出パターンをめっき核として選択的に無電解めっき膜を
形成できる。
漬することによって、該セラミックス部材表面の金属析
出パターンをめっき核として選択的に無電解めっき膜を
形成できる。
従って、本発明によれば極めて簡単な工程によりセラミ
ックス部材表面に高いコントラストを持ち、かつ摩耗に
よる消失等のない良好なマーク等として使用できる無電
解めっきパターンを形成できる。また、形成された無電
解めっきパターンはセラミックス部材と面一乃至表面か
ら埋没した状態となるため、特に摩耗に対して消失し難
いという効果を有する。
ックス部材表面に高いコントラストを持ち、かつ摩耗に
よる消失等のない良好なマーク等として使用できる無電
解めっきパターンを形成できる。また、形成された無電
解めっきパターンはセラミックス部材と面一乃至表面か
ら埋没した状態となるため、特に摩耗に対して消失し難
いという効果を有する。
（発明の実施例） 以下、本発明の実施例を第１図〜第５図を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、本実施例の金属析出パターン形成に使用され
る装置の概略図であり、図中の１はNCコントローラ２に
よりXY方向に動作するXYテーブルである。このテーブル
１上には、基台３が固定されており、該基台３上にはセ
ラミックス基板が載置される。前記基台３は、チャンバ
４により覆われている。このチャンバ４の側壁には、配
管5a〜5cが連結されている。前記配管5aの他端には、真
空ポンプ６が連結されている。前記配管5bの他端は、ア
ルゴンガスボンベ７に連結されている。前記配管5cの他
端は、大気と連通されている。なお、前記配管5a〜5cに
は夫々バルブ8a〜8cが介装されている。前記チャンバ４
には、該チャンバ４内の真空度を測定するための圧力計
９が連結されている。
る装置の概略図であり、図中の１はNCコントローラ２に
よりXY方向に動作するXYテーブルである。このテーブル
１上には、基台３が固定されており、該基台３上にはセ
ラミックス基板が載置される。前記基台３は、チャンバ
４により覆われている。このチャンバ４の側壁には、配
管5a〜5cが連結されている。前記配管5aの他端には、真
空ポンプ６が連結されている。前記配管5bの他端は、ア
ルゴンガスボンベ７に連結されている。前記配管5cの他
端は、大気と連通されている。なお、前記配管5a〜5cに
は夫々バルブ8a〜8cが介装されている。前記チャンバ４
には、該チャンバ４内の真空度を測定するための圧力計
９が連結されている。
図中の10は、光音響素子からなるＱスイッチ（図示せ
ず）が組込まれ、該Ｑスイッチを通して連続波Ｑスイッ
チ出力のレーザ光11を発振するYAGレーザ発振器であ
る。この発振器10からのレーザ光11の出射方向には、反
射ミラー12及びガルバノミラー光学系13が配置されてお
り、レーザ光11はこれら反射ミラー12及びガルバノミラ
ー光学系13を経由し、更に前記チャンバ４の上壁に配置
されたガラス窓14を通して基台３上のセラミックス基板
に照射される。前記レーザ発振器10は、電源15の発振器
電源部に接続されている。この電源15のテーブル作動電
源部には、前記NCコントローラ２が接続されている。
ず）が組込まれ、該Ｑスイッチを通して連続波Ｑスイッ
チ出力のレーザ光11を発振するYAGレーザ発振器であ
る。この発振器10からのレーザ光11の出射方向には、反
射ミラー12及びガルバノミラー光学系13が配置されてお
り、レーザ光11はこれら反射ミラー12及びガルバノミラ
ー光学系13を経由し、更に前記チャンバ４の上壁に配置
されたガラス窓14を通して基台３上のセラミックス基板
に照射される。前記レーザ発振器10は、電源15の発振器
電源部に接続されている。この電源15のテーブル作動電
源部には、前記NCコントローラ２が接続されている。
次に、上述した装置を用いて金属析出パターンの形成工
程、更にめっきパターンの形成方法を説明する。
程、更にめっきパターンの形成方法を説明する。
まず、高純度のAlN原料粉末をホットプレス焼結したAlN
基板16を基台３上に設置した。つづいて、バルブ8aを開
放し、真空ポンプ６を作動してチャンバ４内のガスを配
管5aを通して排気した後、バルブ8aを閉じ、ポンプ６の
作動を停止した。ひきつづきバルブ8bを開放し、アルゴ
ンガスボンベ７からアルゴンガスを配管5bを通してチャ
ンバ４内に供給し、該チャンバ４内の圧力が圧力計９に
より大気圧になった時点で配管5cのバルブ8cを所定の開
度で開放し、前記アルゴンガスを該配管5cを通してリー
クさせた。この後、電源15をオンしてレーザ発振器10を
作動させ、例えばピーク出力4kW、パルス幅200ns、繰返
し数1kHzのＱスイッチ出力をもつレーザ光11を該発振器
10から出力し、該レーザ光11を反射ミラー12及びガルバ
ノミラー光学系13を経由し、更にガラス窓14を通して基
台３上のAlN基板16に照射した。この時、AlN基板16表面
の照射部では、下記（４）式の反応が生起されてAlNの
還元がなされ、第２図に示すようにAlN基板16のレーザ
光10の照射部にAl17が析出し、レーザ光照射後のAlN基
板16表面には凹部18が形成されると共に、その底部にAl
層19が形成された。なお、AlN基板16のレーザ光11の照
射に際して該基板16はアルゴンガス雰囲気に曝されてい
るため、析出されたAlの酸化が防止される。
基板16を基台３上に設置した。つづいて、バルブ8aを開
放し、真空ポンプ６を作動してチャンバ４内のガスを配
管5aを通して排気した後、バルブ8aを閉じ、ポンプ６の
作動を停止した。ひきつづきバルブ8bを開放し、アルゴ
ンガスボンベ７からアルゴンガスを配管5bを通してチャ
ンバ４内に供給し、該チャンバ４内の圧力が圧力計９に
より大気圧になった時点で配管5cのバルブ8cを所定の開
度で開放し、前記アルゴンガスを該配管5cを通してリー
クさせた。この後、電源15をオンしてレーザ発振器10を
作動させ、例えばピーク出力4kW、パルス幅200ns、繰返
し数1kHzのＱスイッチ出力をもつレーザ光11を該発振器
10から出力し、該レーザ光11を反射ミラー12及びガルバ
ノミラー光学系13を経由し、更にガラス窓14を通して基
台３上のAlN基板16に照射した。この時、AlN基板16表面
の照射部では、下記（４）式の反応が生起されてAlNの
還元がなされ、第２図に示すようにAlN基板16のレーザ
光10の照射部にAl17が析出し、レーザ光照射後のAlN基
板16表面には凹部18が形成されると共に、その底部にAl
層19が形成された。なお、AlN基板16のレーザ光11の照
射に際して該基板16はアルゴンガス雰囲気に曝されてい
るため、析出されたAlの酸化が防止される。
AlN→Al＋1/2N2↑ …（４） 次いで、前記レーザ光11の照射と同時にNCコントローラ
２によりXYテーブル１を作動してテーブル１上の基台３
をXY方向に移動させることにより、AlN基板16表面に析
出したAlが連続化され、第３図に示すようにAlN基板16
表面に純Alからなる例えば数字のAl析出パターン20が形
成された。
２によりXYテーブル１を作動してテーブル１上の基台３
をXY方向に移動させることにより、AlN基板16表面に析
出したAlが連続化され、第３図に示すようにAlN基板16
表面に純Alからなる例えば数字のAl析出パターン20が形
成された。
次いで、前記AlN基板をチャンバ内の基台上から取出し
た後、無電解銅めっき液中に浸漬して無電解銅めっき処
理を施した。
た後、無電解銅めっき液中に浸漬して無電解銅めっき処
理を施した。
しかして、上記無電解銅めっき処理により第５図に示す
ようにAlN基板16の凹部18底部のAl析出パターン20上に
該基板16と面一な無電解銅めっきパターン21が強固に形
成された。この無電解銅めっきパターン21は、AlN基板1
6に対して極めて高いコントラストをもつマークとして
利用できた。また、この無電解銅めっきパターン（マー
ク）はAlN基板と面一に形成されているため、摩耗によ
り消失することは全くなかった。
ようにAlN基板16の凹部18底部のAl析出パターン20上に
該基板16と面一な無電解銅めっきパターン21が強固に形
成された。この無電解銅めっきパターン21は、AlN基板1
6に対して極めて高いコントラストをもつマークとして
利用できた。また、この無電解銅めっきパターン（マー
ク）はAlN基板と面一に形成されているため、摩耗によ
り消失することは全くなかった。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によればセラミックス部材表
面に高いコントラストを持ち、かつ摩耗による消失等の
ない良好なマーク等として使用できる無電解めっきパタ
ーンを形成し得るセラミックス部材の選択めっき方法を
提供できる。
面に高いコントラストを持ち、かつ摩耗による消失等の
ない良好なマーク等として使用できる無電解めっきパタ
ーンを形成し得るセラミックス部材の選択めっき方法を
提供できる。
第１図は本発明の実施例で使用した金属析出パターン形
成装置の一形態を示す概略図、第２図は実施例における
AlN基板表面へのAlの析出過程を示す概略図、第３図は
レーザ光照射後のAlN基板の照射部の状態を示す概略
図、第４図は同実施例におけるAlN基板表面へのAl析出
パターンの形成過程を示す概略斜視図、第５図は同実施
例の無電解銅めっき処理後のAlN基板の状態を示す概略
図である。 １…XYテーブル、３…基台、５…チャンバ、６…真空ポ
ンプ、７…アルゴンガスボンベ、10…レーザ発振器、11
…レーザ光、13…ガルバノミラー光学系、15…電源、16
…AlN基板、17…析出Al、18…凹部、19…Al層、20…Al
析出パターン、21…無電解銅めっきパターン。
成装置の一形態を示す概略図、第２図は実施例における
AlN基板表面へのAlの析出過程を示す概略図、第３図は
レーザ光照射後のAlN基板の照射部の状態を示す概略
図、第４図は同実施例におけるAlN基板表面へのAl析出
パターンの形成過程を示す概略斜視図、第５図は同実施
例の無電解銅めっき処理後のAlN基板の状態を示す概略
図である。 １…XYテーブル、３…基台、５…チャンバ、６…真空ポ
ンプ、７…アルゴンガスボンベ、10…レーザ発振器、11
…レーザ光、13…ガルバノミラー光学系、15…電源、16
…AlN基板、17…析出Al、18…凹部、19…Al層、20…Al
析出パターン、21…無電解銅めっきパターン。
Claims (4)
- 【請求項１】セラミックス部材表面に真空又は不活性ガ
ス雰囲気下でレーザ光を照射しながら走査して該セラミ
ックス部材のレーザ光照射部に金属析出パターンを形成
する工程と、このセラミックス部材を無電解めっき液中
に浸漬し、該セラミックス部材の金属析出パターンをめ
っき核として選択的に無電解めっき膜を形成する工程と
を具備したことを特徴とするセラミックス部材の選択め
っき方法。 - 【請求項２】セラミックスが窒化アルミニウム又は窒化
ケイ素であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のセラミックス部材の選択めっき方法。 - 【請求項３】不活性ガスがAr、Ne、Heのいずれかである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミッ
クス部材の選択めっき方法。 - 【請求項４】レーザ光を、光音響素子からなるＱスイッ
チが付設されたYAGレーザ発振器から出力することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミックス部材
の選択めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726086A JPH0712991B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | セラミツクス部材の選択めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726086A JPH0712991B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | セラミツクス部材の選択めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385078A JPS6385078A (ja) | 1988-04-15 |
| JPH0712991B2 true JPH0712991B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16858032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22726086A Expired - Lifetime JPH0712991B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | セラミツクス部材の選択めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712991B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0688859B2 (ja) * | 1988-08-09 | 1994-11-09 | 株式会社ミツトヨ | セラミックスのマーキング方法 |
| JP3259310B2 (ja) | 1992-02-25 | 2002-02-25 | 株式会社デンソー | めっき方法及びこのめっき方法により得られる筒状コイル |
| RU2267408C2 (ru) * | 2004-02-02 | 2006-01-10 | Сергей Николаевич Максимовский | Способ получения металлизированного изображения на листовом материале и устройство для его осуществления |
| TWI613177B (zh) * | 2011-11-16 | 2018-02-01 | 製陶技術股份有限公司 | 製造一基材的方法 |
| CN104177130A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种绝缘性基材表面图案化方法和一种陶瓷 |
| US10242789B2 (en) * | 2015-06-16 | 2019-03-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing ceramic electronic component, and ceramic electronic component |
| JP6547651B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-07-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品 |
| WO2017187930A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
| JP6627731B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-08 | 株式会社村田製作所 | 巻線型コイル部品及び巻線型コイル部品の製造方法 |
| JP6747273B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2020-08-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
| JP6627734B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2020-01-08 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP6776879B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2020-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | セラミック基板の製造方法、発光装置の製造方法 |
| JP6888662B2 (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-16 | 株式会社村田製作所 | 巻線型コイル部品及び巻線型コイル部品の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22726086A patent/JPH0712991B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6385078A (ja) | 1988-04-15 |
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